JESD514标准翻译

1、一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法目录范围错误!未定义书签参考标准错误!未定义书签专业名词及定义错误!未定义书签结壳热阻测试（测试方法）错误!未定义书签错误!未定义书签 错误!未定义书签 错误!未定义书签 错误!未定义书签瞬态冷却曲线测试（热阻抗 ZJC）错误!未定义书签结温测试错误！未定义书签。瞬态冷却曲线的记录错误！未定义书签。偏移校正错误！未定义书签。Z 9 JC曲线错误！未定义书签。备注错误！未定义书签。热瞬态测试界面法步骤错误!未定义书签测试原理错误！未定义书签。控温热沉错误！未定义书签。干接触Ze JC曲线的测量加导热胶或油脂的Ze JC曲线测量两ZeJC曲线达到稳态

2、后的最小差值备注热瞬态测试界面法的计算初步评估方法1：以z0je曲线分离点计算e确定分离点怎样选择值评估的详细步骤方法2:结构函数法初步评估评估的详细步骤信息报告参考文献错误！未定义书签。错误！未定义书签。错误！未定义书签。错误！未定义书签。错误!未定义书签。错误!未定义书签。JC.错误!未定义书签。错误！未定义书签。错误！未定义书签。错误！未定义书签。错误!未定义书签。错误！未定义书签。错误！未定义书签。错误!未定义书签。错误!未定义书签。附件A时间常数谱和积分结构函数的定义错误!未定义书签。附件B从Zth函数获得时间常数谱错误!未定义书签。附件C FOSTER与CAUERRCJ络模型之间的

3、转换错误!未定义书签。、人 刖百本文已在JEDECJC-15关于热性能的会议上作了充分准备。旨在详细规定从半导体的热耗散结到封装外壳表面的一维传热路径下，半导体器件结壳热阻Rjc( jc)的可重复性测量方法。一维传热也就是说，热流方向是直线的。但是很明显实际上垂直方向 的热扩散是三维传热的。结壳热阻是半导体器件最重要的热性能参数之一。将半导体器件的表面与高性能的热沉相接触，结壳热阻说明了器件在最理想的冷却条件下热性能的极限。RJC应在器JC件的数据手册中给出。R jc值越小热性能越好。半导体器件结壳热阻Rjc ( jc)传统的定义是：将器件表面与水冷铜热沉相 接触，直接测量结与壳的温度差，如M

4、IL-883标准N1所述。壳温需用热电偶测 量，很容易产生误差，测量的结果不具有可重复测量性。 原因之一是器件的壳温 分布不均匀，热电偶只测得与它相接触位置的壳温， 这一点很可能不是壳温的最 大值。另外一个原因是读取的壳温值偏低,热电偶不能充分与热沉绝热,热电偶测量点的热量会被热电偶引线和热沉导走。 考虑到固定器件与热沉的压力会使分 层不明显，可能引起更多的问题。还有一个系统误差是热沉中热电偶钻孔的影响。 对于较小的器件，这一影响更明显。本文详细说明了半导体器件结壳热阻 Rjc ( jc)的测量方法，而且不需要用热 电偶测量壳温。这种方法大大提高了 Rjc测量的可重复性，同时保证了企业间测 量

5、方法的一致性和数据的可比性。本文是半导体器件热性能 JESD51(列标准N2的补充，应与JEDEJESD51-1中描述的电学法一同使用介绍结壳热阻JC是衡量半导体器件从芯片表面到封装表面的热扩散能力的参量，其中封装表面与热沉相接触。JESD51-1将之定义为当半导体器件外壳与热 沉良好接触以使其表面温度变化最小时， 热源到离芯片峰值区最近的外壳表面的 热阻。MIL833标准中给出的传统热电偶测量方法要求确定结温Tj ,壳温Tc以及热耗散功率Ph,并且器件外壳与热沉良好接触。结壳热阻采用下式计算：JCTjTcPh(1)式（1）中jc指的是稳态热阻，因为它是在稳态条件下得到的，并且它取决 于热流路

6、径上的结壳温度差。该测量方法的难点在于外壳与热沉紧密接触时，很 难用热电偶精确测量封装体的壳温。因此不同的测量设备可能会得到不同的jc值。与其相反，本文描述的方法在热沉表面采用不同的冷却条件， 是仅基于结温 的瞬态测试。它无需知道壳温 Tc,从而消除了 Tc引入的误差。该方法仅仅取决 于结温的测量。为保证与热沉良好的热接触也无需很大的压力。瞬态双界面（TDI）测试原理和过程t=0时给半导体器件施加恒定功率 Ph,同时外壳与热沉良好接触，器件的 热阻抗Z JC（t）定义如下：即：热阻抗等于结温Tj(t)随时间的变化量除以热耗散功率。即使外壳的冷却条件改变，对热阻抗也没有影响，除非与热沉接触的外壳

7、开始升温。每次测量若接触热阻不同得到的稳态总热阻也不同，因此不同测量下的热阻抗曲线将从外壳表面接触热阻的贡献点开始分离。瞬态测试法中，接触热阻不同的两次热阻抗测量可确定与热沉接触的外壳表 面。两次测量中分离点处的热阻定义为Rjc ( jc)。.范围本文详细说明了从半导体的热耗散结到封装外壳表面的一维传热路径下，将半导体器件外壳表面与外部理想热沉相接触，结壳热阻RJC ( JC)的测量方法(这里指瞬态双界面法)。本文中测量的热阻是Rjcx ( jcx) , X表示封装外壳的散热面，通常为上表面 (x=top) 或下表面(x=bot)。.参考标准以下的标准文件在本文中以参考文献的形式出现，组成了本

8、标准的条规。对于注明 日期的参考文献，不采用任何补充版或修订版。不过，人们希望参与本标准协议的成员 能够研究并采用参考标准的最近版本。对于未注明日期的参考文献，采用最新的版本。N1 MIL-STD-883E, METHOD , Thermal Characteristics of Integrated Circuits , 4 November 1980N2 JESD51, Methodology for the Thermal Measurement of ComponentPackages (Single SemiconductorDevices) . This is the overvi

9、ew document for this series of specifications.N3 JESD51-1, Integrated Circuit Thermal Measurement Method - Electrical Test MethodN4 JESD51-4, Thermal Test Chip Guideline (Wire Bond Type Chip)N5 JESD51-12, Guidelines for Reporting and Using Electronic Package Thermal InformationResistance Measurement

10、s ofN6 SEMI Test Method #G43-87, Test Method, Junction-to-Case ThermalMoulded Plastic PackagesN7 JESD51-13, Glossary of thermal measurement terms and definitions.专业名词及定义本标准中的专业名词及定义采用N7 JESD51-13。其他的专业名词及定义已在前文中给出。.结壳热阻测试（测试方法）瞬态冷却曲线测试（热阻抗 ZJC结温测试按照JESD51-1描述的方法测量待测器件（DUT结温（Tj）,去掉加热功率 Ph后采集Z jc曲线（冷却

11、曲线）。测试中温度敏感参数（TSP不会受到加热电 压和加热电流的影响，也不需要控制加热功率的大小。这种测试方法适用于大部 分器件及热测试芯片。在测试每个待测器件的Z jc曲线之前都要先确定其 K系数，K系数是芯片温度与温度敏感参数之间的关系系数。原则上不建议采用加热曲线，但如果加热时间内加热功率 Ph保持恒定，芯片 的温度敏感参数不受电子干扰，此方法同样适用。采用加热曲线必须记录结果数 据。瞬态冷却曲线的记录首先给待测器件（DUT施加恒定白加热电流Ih,使其加热并达到热稳定状 态，即芯片结温保持不变。如果在加热过程中，芯片没有独立的结构进行加热和 测试以监测敏感温度参数，结温可以在动态模式下监

12、测（见JESD51-D或者给器件加热足够长的时间以使结温达到稳定。测试过程中由于待测器件与水冷热沉相接触（见节），大多数情况下 100s的加热时间已经足够。控制和调整使器件 达到热稳态的加热时间也可通过实验测试完成。当器件达到热稳态，记录最终的加热电压Vh和加热电流Ih,切断加热电流或 者将电流切换至测试电流Im,这会产生一个很大的功率差 A Ph。通常Im相比于 Ih很小，可以忽略不计，测试电流Im产生的功率也可忽略不计。但测试原理中要 求精确知道功率差 A Pho也就是说，器件的热功耗若考虑了 Pm（由Im电流产生的 功耗），该方法会更准确。加热功率差APh=PH-Pm越大，测试的信噪比越

13、大（SNR, 同时得到的热阻（9 JC）越精确。因而，在避免器件过热情况下，加热电流应尽可能大，同时Pm应尽可能小，不过较大的Im会减少初始时刻的电子漂移（见部分）。t=0时刻的信号可使温度 敏感参数（tsp信号作为时间的函数从t=0开始记录直到冷却稳态。采样率应 保证每个时间段内至少采集50个点。根据待测器件的K系数，将TSP转换为结温Tj（t）。图1给出了一个冷却曲 线的例子。切断加热电流，在Ze JC起始阶段不可避免地会受到电子干扰，因而使 得开始时刻短时间内测得的信号无效。为了重建t=0时的结温TJ0,需要加一个“偏移校正”，参见N1的说明。1111 bl匚r-a;i一号！*M=图1切

14、断加热电流短时间内信号受电子干扰的冷却曲线的半对数图t cut内记录的信偏移校正由于在测试的初始阶段有电子干扰，去掉在一定的切断时间号点。这个时间段内的温度变化 ATwt）不可忽略。在这段时间内，ATj（tcut）与时间的平方根近似成线性关系，这样就可推导出t=0时的结温T*如图2所示。fi5 350.MFigure I - Iktcrmiiuilionof thr initiW juncQiun tcrnprniturv T. = Tj(F=l)Ph /A (见例1),对于材质均匀的半无限板（也就是一块表面积无穷大一一保证一维热流与该表面垂直和无穷厚的板），其表面加热功率密度恒定为 当施加或

15、切断加热功率时，表面温度升高/降低与加热/冷却时间的平方根成线性 关系。(3)其中k.thermc(4)c, p和人分别是材料的热容、密度和热导率。短时间内，硅芯片内部可认为是一维的热扩散，并且不受芯片底部边界条件的影响， 所以半无限板模型适 用于芯片表面的加热或冷却，试验已证明其正确性，如图 2所示。所以初始温度TJ0可以通过T(t)与/的关系得到。同时，芯片的面积也可通过方程 3与斜率 mTj(Lt)/VU 求出：A=P, k therm/m(5)这种方法计算得到的芯片面积能够验证修正方法是否合理。Ze JC 曲线根据冷却曲线T(t)计算Ze JC：Zjc(t) Tj0 Tj(tt cut

16、)(6)R备注.瞬态热阻抗Zjc。)常用于表征功率半导体器件，记录冷却曲线的测试设 备通常可实现。.如果待测器件有独立的结构可同时加热芯片和检测结温，也可以用加热 曲线替代冷却曲线，但是必须保证加热时耗散功率 凡保持恒定，其修正方法相同， 公式6需作如下改变：Z JC(t) Tj *( tt cut )Ph.由于器件温度像电导率和热导率一样与材料属性有关，由冷却曲线和加热曲线分别得到的Ze jc曲线存在微小差异，同样，计算的8 jc值也不同。主要原因是加热过程中耗散功率发生微小变化，采用冷却曲线可以避免这个问题。因此, 采用加热曲线得到结壳热阻时需说明这一情况热瞬态测试界面法步骤测试原理瞬态双

17、界面测试法要求对同一个半导体器件在控温热沉上测量两次Ze jc。第一次测量时器件与冷却台（热沉）直接接触（干接触），第二次测量时器件与热沉之间涂一层很薄的导热胶或油脂，如图3所示。第一次测量时，由于器件与热沉之间的接触面有一定的粗糙度，使得接触热阻增大，所以在某一时刻ts开始Ze JC曲线存在明显的分离，如图4所示。由于热流进入热界面层时，两条 Ze jc曲线就开始分离，因此 乙jc （ts）在该点的值接近于方程1定义的稳态热阻9 JCO通过Ze JC曲线分裂点可以估算得到 9 JCDevice under Testhmnal grease。口ilice iiiinki- l ustFigur

18、e 3 - TD1 inciiisiiiivoirnt (hi) without(b) Hith llieniml ur0.500.000010.00010 031 OQI D.1110 HDDTime 国Figmv 4 Zw rurvM for n TO-243 pivckgr viieMKirril vtith (1) nil illnnit (2) tlirrmNl 需 ciw At thr in* 料Rm* bet mi i i hu|l-hi 唯 j ml控温热沉待测器件应放置在控温热沉上， 这样器件的主要散热面（这里指外壳） 就与热沉表面接触。为了达到理想的冷却效果，热沉应良好导热

19、，所以热沉必须由铜块组成，冷却液体（通常为水）通入铜块中的钻孔来维持恒温。通冷却液的孔离上表面的距离最大不能超过 2mm同时，用一个恒温器控制液体温度，测量并在结果中记录液体或冷却板的温度。给热沉上方的待测器件施加一个适量的压力来固定器件，这个压力应足够大以保证器件外壳与热沉良好地热接触。但是，压力过大会阻碍两条 乙JC曲线分离，这样就很难 甚至不能估算器件的结壳热阻。压力过大使曲线不分离也会对9 jc造成不期望的影响。因此这个压力应控制在 10N/cm2内，例如可以通过弹簧实现。为了使从被测器件上表面散发出的热达到最小，应使用热导率小于（m-K）Clamping IbrcctherviiMl

20、 grcaic w MlChipLdd*D 记( ikkrr litFxfKvd die nNI hern血I 沁ukil ihig con ta el hllock . ofclampin tcxilFigure 5 Scli4iiiatic W如图1所示。从经验上讲，两曲线的差值越小就很难甚至不能找出分离点。 这一差值应比 分离点的分散度大很多。备注传统的结壳热阻8jc测试中，在冷却板安装待测器件的位置上钻个孔置入热电偶。这种冷却板不能用于本标准的测试，除非在安装位置上将钻孔去除。否则，冷却板中的孔会影响到封装半导体内部的热流分布，进而影响结壳热阻测 试结果。5热瞬态测试界面法的计算初步评

21、估Zejci和Ze JC2两曲线在分离点的值Ze Jc(t s)不一定等于稳态时的结壳热阻 9 JC (方程1定义的热阻)，原因是在稳态时(需要很长时间)和在瞬态ts时器件内 部的热流分布不一样。对于高热导率芯片粘结层的功率器件，乙JC (ts)值十分接近稳态的结壳热阻，可作为8 jc的一种可靠测量手段。通过有限元仿真分析发现，预期的误差比 8 JC的定义方程1的内在不确定因素还要小。如果半导体器件的粘结层(例如热导率低的胶)阻碍热流传导，两条 乙JC 曲线就会“过早”分离，也就是Ze Jc(t s)基于上述讨论，计算方法的选择如下：.对于高热导率粘结层（如焊料）的功率半导体器件：使用方法1：

22、由Ze jci和Ze JC2曲线的分离点计算（见）。.对于低热导率粘结层（通常为胶）的功率半导体器件：使用方法2:由相应的结构函数分离点计算（见）.功率半导体器件的粘结层材料未知时：综合两种方法，取其中较高的热阻值作为8jc值。对于结壳热阻很小（9 jciflfereiirc Zttni - 7sl nf the tivn TD1 cunpcs from Figure4.用Ze jci和Ze JC2的微分曲线替代原始曲线有以下几个优点:. Ze jc微分曲线的分离点通常比原始曲线更容易确定；.修正方法（）中潜在的误差对微分曲线的分离点没有影响。基于以上优点，应用ZeJC的微分曲线确定分离点。设

23、时间对数为z=ln， a（z）表示Ze JC曲线关于z的函数，则有a(z)= Z ejc(t=exp(z)z=ln(t)(8)图11表示t到z的变量转换，a（z）是Zojc （t）在对数时间坐标下的图da/dz是Zejc曲线在对数时间坐标下的斜率，dai/dz和da/dz分别是曲线Ze jci 和 Ze JC2 的微分。1 9 80706叶03口 20 100.00001000010J0010.0101d da 融 Wit EMeH grvaseda dz imth iWm-al 岳舒三,WM二勾PRTinw hTime |cH (a)11Mli(k 甘rvd 4% d，of tlit two

24、 4山-cur r* fiom Figiil* 4mH) (b tWir difTrrtncr- dn/ili.Fijjiirf 9 Ncrniid&rd dilWrvnm /=我 也一1防也)&g phtted /8加的 Hw Z*j4 -vdlue aftlirIhrmiul girriwir r nil rime 兀This riirte in rtfri iTil tn hrrliii 1胸 t两条乙JC曲线在稳态的距离A 9也会影响到微分曲线的差值A (da/dz)= da i/dz-da 2/dz。为了将这一影响减至最小，将 A (da/dz)除以相应 的A 9使其归一化。归一化后

25、的差值曲线以 乙jc2 (t)(含导热胶的曲线)的值为 横坐标，如图9所示，这样就可以从图中直接得到 8jc：(Zth2(t)(da /dz)(t)(9)解释：分离点的时间ts是6 （乙JC2（ts）的值在小于或等于e时相对应的 最大时间点。结论：结壳热阻8 JC是在分离点处Ze JC2（ts）的值，从图9可以看出，Ze JC2（t s） 的值是6小于或等于&时的最大值。怎样选择&值上述定义的热阻9 JC值是关于的函数。为了与传统结壳热阻的定义保持 一致，8的取值应使8 JC尽可能接近公式2中定义的稳态热阻。由于半导体器件 的实际稳态热阻8jc是一个未知数（没有有效的方法测出其精确值），需通过

26、有 限元仿真的方法来确定值。有限元仿真3揭示了 与芯片尺寸及其引线框架几何形状有关。作为一个普遍趋势，9 jc小的器件值较小，反之值较大。Figure 10 1 0j is thenf the inturseqtiinm of & and 炉curve根据不同芯片尺寸及其引线框架几何形状的有限元模拟，下式可计算(10) =K , 0 JC+结壳热阻8jc是6 -曲线与e -曲线相交点的横坐标值，如图10所示。为了 避免6-曲线的随机波动造成错误的结果，用一条近似的拟合曲线代替它，例如, 拟合成指数曲线?舛(？Zjc)(11)利用参数a和B使8 jc附近区域的拟合曲线最优化。(见，第四步)评估的

27、详细步骤假定在第4章节描述的干接触及带胶接触的 Ze jc曲线已测量。按照以下步骤 计算结壳热阻：第一步：将测试中的时间坐标(ti, . , tn)转换为对数时间坐标(Zi =ln (ti),最小(最大)对数时间坐标值记为Zmin(Zma).Tli derhim c 切必(号】of the curt E!顷上 ii cm be HppTnMimuccd by t he- slnpe /忙 口门加 hcsl fic tfraightrtirrnigh rHp met蚯unngpoint 工 jamund 斗rig a re LI CoinpintatioB of the dtrhatiht dl

28、tf/cl： from a measiirecl Z.MYiirvs第二步：计算微分曲线dai/dz和daz/dz。将测量点进行分段线性插值计算 可以求得，如图11所示。为了求出dai/dz和daz/dz的差值，必须对两条微分曲 线在相同的横坐标范围内进行求解，这些坐标值在 z minZ maj区间内等间距分布， 并且插入的点数不少于100个。ZeJC-曲线在插值点处的值a (Z) 也可用相同的分段线性插值求出第三步：计算归一化的差值 6= (dai/dz-da z/dz ) /A9,以Zejc2 (t)(含 导热胶的曲线)的值为横坐标绘出6曲线，如图10所示；第四步：用指数函数 Zjc ?e

29、xp( ?Zjc)拟合6曲线，使得拟合曲线 与6曲线在0,x区间内围住的面积最小。区间右极限x的选取应使6 -曲线的 上升部分可以被正确地拟合。第五步：通过6 -曲线与e -曲线(方程10)的相交点求出结壳热阻9 jco5.3方法2:结构函数法适用于低热导率粘结层(通常为胶)的半导体器件。(见)初步评估热流路径上的积分结构函数 Ce MR)即：积分热容C”关于从结点开始 沿热流路径的积分热阻R”的函数，如果热流路径基本上是一维的，比如包含有 助于散热的金属块或芯片焊盘的半导体器件，结构函数法能够给出相关的热流路 径图，从图中可识别器件部分物理结构的热阻。因此两次测量的结构函数曲线在 热流路径发

30、生变化的地方(即待测器件的外壳表面)开始分离。积分结构函数的分离点就是8jc值，如图6所示。可用专业软件处理Ze JC曲线得到结构函数，例如，本文提供的 TDIM-MASTER4处理过程包括几个步骤(见附件A-C)。这里先简单的介绍下， 首先，通过数值反卷积法计算时间常数谱R(z)。假定z表示对数时间z=ln(t),a(z) 为z的单位阶跃响应函数(见，则有da/dz=R(z)w(z)(12)其中 w(z)=exp(z-exp(z)也就是时间常数谱R(z)是通过da(z)/dz与w(z)的反卷积计算求得。通过时间常 数谱R(z)的离散化可以得到等效的Foster RC热网络模型，然后将它转换成

31、Cauer RC网络模型。Cauer模型中的积分热容-积分热阻图近似于积分结构函数。 时间常数谱离散化越精细，则 RC真型的阶数越多，得到的积分结构函数越好。从数值角度来看，反卷积问题至关重要。数值方法对输入数据中的噪声极其 敏感，因此测量时高的信噪比至关重要。由于反卷积计算法的分辨率有限，得到 的结构函数与Ze jc曲线不能完全匹配5。反卷积计算法的有限分辨率对粘结层为胶的器件影响较小，因为 9jc很大， 并且结构函数计算的误差几乎与9 jc3无关。因此对于粘结层为胶的器件，具误差更小。而对于9 jc很小的器件，积分结构函数分析法常因数值效应(如模糊 的或虚假峰)的干扰而失效(图13)。评估

32、的详细步骤假定在第4章节描述的干接触及带胶接触的 乙jc曲线已测量。按照以下步骤 计算结壳热阻：第一步：运用专业软件将 乙JC1和Ze JC2的Ze JC-曲线转换为相应的积分结构函 数Ce ei和Ce E24。为了得到更好的测量结果，必须有高的信噪比；第二步：在相同FU范围内对两个结构函数进行插值计算，求得差值ACe e=C E2-C”1。(图 12)；第三步：差值AC”明显上升点为结壳热阻9 jco如果虚假峰点使得8jc难 以确定，测量中对器件施加更大的耗散功率提高信噪比SNRFIHtw 12 RlfTtarentttunifiuilrtdflv# sinicluiv ftimelioiM

33、 Bhuwn litFiEiirr 13国（Triwurr nf th* i iuriiijiMihr Hrm-im* hiiicfiim* fiir w 式卧，kr Hh Kiimll Hj.6信息报告所有测试条件和数据计算方法的信息以及测得的结壳热阻，都要完整地记 录；参考表1提供的相关热学数据信息。没有热学数据和说明这些信息的报告是 毫无意义的。表1报告需给出的热相关数据及信息测量区域条件参数数据参数和结果器件标识器件标识测量的数据器件结构参考相关文件参考相关文件环境冷却板Tcp或者 TFliuid 可选：材料、结构、孔离上表面厚度、粘结胶、压力测量方法加热法TSP （温度敏感参数）测试

34、过程加载功耗测试电流Zejc-曲线例如，基底二极管二极管电压 冷却/加热曲线Ph I MZjc1 ,Z e JC2数据计算修正计算方法1或2分离距离tcut, ATj(t cut)1: A da/dz 或者 2 :AC eE7 参考文献附件A时间常数谱和积分结构函数的定义前言在过去10年里，人们对半导体封装的动态热性能引入了一个新的表述：结 构函数A1。附件主要作用是准确定义结构函数，并对标准可能实现的更多的要求给出它的主要特性。由于结构函数与RC网络理论及其含义密切相关，因此引进时间常数概念， “canonic”代表RC网络单端口，在结构函数中代表时间常数谱。这里定义的 RC网络具有以下特征

35、：.网络是线性和无源的；.驱动点行为已知；.假定热流基本上是一维的。条件说明如下:线性意味着热阻与热容独立于其自身的温度。 换句话说：热导率和热容都是 与温度无关的常数。准确地说，这个理论条件实际上并不成立， 但在实际问题中 可作为合理的近似。驱动点的意思是对结构中同一位置加热并测量它的温度响应。一维热流：除了纵向热流外，还包括更复杂的热扩散，这些热扩散通过一些坐标系变换可等效为迪卡尔坐标系中的纵向热流。这包括圆盘结构中的径向扩 散，如功率LED的MCPCB JEDECM试板，圆柱形热扩散或锥形热扩散。半导体 器件封装通常多个域依次连接在一起， 并具有如上描述的散热特性，其热流路径 可认为是一

36、维的，只有热流路径的分离存在问题。当分离点与主驱动点以及寄生热流路径一致，并且寄生路径的总热阻已知时，将可能消除结构函数中寄生路 径的影响A11。尽管由于不知道寄生热阻的值或者分离点不同于驱动点而不能 修正，依然能导出一个等效的物理结构， 但是这个物理结构与实际的物理结构不 相符。热时间常数的概念为了介绍时间常数概念，首先看一个例子，假设一个小正立方体，四周绝热, 将它和一个理想的热沉相接触。在其上表面施加一个单位的功率并均匀地分布在 表面上，如图A-1左图所示。这个简单的热模型就是一个一阶 RC网络模型，如 图A-1右图所示。这可以看作一个简单的半导体封装器件的近似热模型。Figui A=3

37、 -1 he theiTiiiil time-Mivist3iTit reprt箕entntinii of tlir model *hcn in Fi犯ui卡 A-2Ambierit: ideal tieabsink &t 7agFijeure A-l Therm nJ modd of u cube 琳 ith a crofi4-iiCCliunAJ mfch of A mid m lenclh uf AL made of 廿 mrHI with a thcriTiii)i eondticthiNy 1 umdi n ?*pifSc lirjii f 电式A2为模型的时间常数这个模型由 时间常

38、数及Rh值来描述其大小，如图A-3所示:J Hcat-slnkFigure A-2 一 A single tlme-constfliit RC moditl在最简单的封装热模型中，含有一个热阻和一个热容。这两个因素是并联连接，如图A-2所示。假如给这个模型施加Ph的功率，温度将以指数形式上升:T(t)Ph ?Rth?1 exp( t/ )(A1)pawr Mr3y对前。HBatsink呼皿施迪 *。，曲心曲，卬j /Eigure A-4 n n-stage Fos Jh R type R netwoik moilel of a theiinal impedaTicf器件的物理结构通常是复杂的，

39、并且具有多个时间常数。因此，以指数函数 之和表示器件的温度响应会更精确:n(A3)T(t)Ph ?Rthi ?1 exp( t/ Ji 1n对Rhi-M的值可表征器件的结构。将这些数据与网络模型相联系，如图 A-4所示。每对Rhi-Cthi (Chi = e/Rthi )对应方程A3中的一组。这一网络模型结 构是FOSTE网络的标准形式。Rh-值可用图形表示，如图A-5所示。线条的横坐标值代表时间常数，纵 坐标值代表Rh的大小。下图可视为一个离散频谱，该谱给出了网络的响应时间 常数和对应的幅值。Figure V5 Th* tiniofonstiint raprescntution of the

40、 n-stage FOSTER ypc RC neE,ork stion-n inFiguiK 4这可能使人误以为FOSTE胭络模型中的热阻、热容对应于实际的不同物理结构。但FOSTE栩络模型包含节点至节点的热容，它没有物理意义，与实际的 物理结构不相符。RC单端口网络存在一个等效的模型一CAUER络。CAUERg型 是一个梯形网络，如图A-6所示，这一模型的网络单元能与物理区域很好地对应 起来。CAUER1型是结构函数分析热流路径的基础on 许 port%.rtvihuted p4runnler RCth/ djjret*仆 arercphfttl hv fhr Rg limicniiscd

41、nt spctlrumFOSTER模型和CAUE校型的RC端口是等效的。两者都是以最少组件描述给定电路行为的最简网络。这两个模型可以相互转换，具体转换的算法见附件Co假设施加功耗 R=1W温度响应函数(Zth曲线)即为单位阶跃响应，用a(t)表示:n(A4)a(t)Rthi ?1 exp( t/ i)i 1对于一个实际的离散RC系统-例如热系统-研究的阶数是无限的，离散的热时间常数值被连续的热时间常数谱替换(见图A-7),同时用积分公式描述单位阶跃函数响应函数来替换总和。a(t) R( )?1 exp( t/ )d(A5)0R(p)为时间常数谱。热阻抗的频域表示热阻抗可以通过并联的Rh与1/s

42、Cth容阻抗(图A-2与图A-3)来计算。也可 用时间常数表达热阻抗:Z(s)Rth ?1/sCthRth 1/sCthRthRthi s&cth(A6)式中s是复频率，令s=jw可得到频域的特性，w是一个小正弦信号的角频 率。在s=-1/ T复频率处存在一个局部奇异函数：|Z| 一8。这种奇异性称为极 点。RC电路的极点总是在复s平面的负实轴，在复函数理论中，一个与极点有 关的量是残值。 这个残值很容易计算出来：Rs= Rth/ r 0系统的热阻抗具有有限个时间常数，其方程类似方程式A6:Z(s)-RJ(A7)i 1 1 s 图A-5和图A-6a有助于理解上式。FOSTER! CAUER1型

43、(见附件C)之间 的转换算法就是基于公式A7。时间常数谱的标准定义图A-7a显示了 飞 - TiM,代表有限阶模型网络。在实际器件和封装的物理 结构中，热阻与热容不可分割。任何极小的物体都具有阻性和容性。 热容随着材 料的热阻而分布；这就是分布式参数网络A3。Figure A-K 一 A dtnsc lumped network modds I he dfehlbulvd property or the matter这种分布式结构可近似为一个具有精细网格的模型网络。将该结构划分 为许多个基本单元格，每个单元格的子网络由它自身的热容与相邻单元格间的热 阻组成，如图A-8所示(由于实际原因只能以二

44、维显示)。划分的单元格越密集 就越接近实际的分布式结构。这个网络模型包含了大量的时间常数和累积的电容。图A-7a中包含大量的线条，这些线条可以组成连续的时间常数谱如图A-7b所示。通常，有限长的分布式结构(例如一块给定材料的平板)有无限个离散的时 问常数，而无限长的结构(例如从IC芯片至外环境的传热路径)由连续的常数 谱组成。为了准确表达时间常数谱的定义，首先引入一个对数时间坐标：(A8)Z ln(t)和 ln()时间常数函数R)的定义如下：(A9)Rth与之间的时间常数的总和R( ) lim0方程A5及图A-7b中直观表示的时间常数谱，方程A9通过方程A8进行变量 转换，给出了它在对数坐标下

45、的标准定义式。其他的数据处理也是基于这一转换(例如图A-9)。t和z分别表示线性时间和对数时间，希腊字母r和(分别表示对应的时间常数。假如复阻抗Z(s)已知，通过下式可以计算时间常数谱A2:1R( )-lm(Z(s exp( )(A10)仿真可以提供精确的Z(s)函数。通过这种方法可以直接得到R(z)谱，从模拟结构中能够产生结构函数和等效的物理模型。由于s的负实轴可能存在极点，运用此方程时需采取措施预防极点。各种代表性的分布式参数RC网络的理论背景知识的详细信息，参考技术文 献：A1A2A7A8结构函数时间常数谱R(z)确定后很容易画出“热流图”(描述沿热流路径分布的热 阻与热容的函数)这个时

46、间常数谱可认为是分布式热阻网络 FOSTERC模型的扩展，图A-9所 示为集总元件的FOSTE模型结构。为了建立集总元件模型，将 R(z)划分成若干 个长度为z的片段。每个 z片段对应于一个并联的RC(RhCh)电路，(A11)RthRz)/ z及(A12)Cth 舛(z)/ Rthz越小，Rh-Cth阶数越多，得到的模型就越精确。假如 z 0,这个函数就 转换为具有无限个相连Rh-Cth阶的FOSTERI型。时间常数谱是连续情况下的 FOSTERS型。离散的时间常数谱可以生成FOSTERW。Figure A-9 DiscreU/ed R(z) function and the corresp

47、onding FOSTRR model虽然FOSTER络这一数学模型能够正确地表述器件的瞬态行为，但由于它 包含的是节至节的热容，它不能描述热结构的特性。实际的热容总是连接到系统 的基准点(该点保持恒定的指定温度)一一类似于电气“接地”一一因为存储的 热能与一个节点的温度成比例，而不是FOSTERS型中所给的两个节点的温度差。 适合热结构特性的RC真型是CAUER络。假如FOSTERS型已知，CAUE胭络模 型可以通过FOSTER-CAUE懒计算得到，转换方法见附件 C。积分结构函数(Protonotarios-Wing 函数)早在PROTONOTARIOSWIN章A4中就引入了一个函数，这个

48、函数更适 c 合描述非均匀分布的一维 RC结构。此函数将积分热容转换为积分热阻R的函数。x(A14)CCv( )A( )d0(A15)cv是单位热容，入 是热导率，A(x)是横截面积。曲线的驱动点通常在 x=0 处，其优势在于更符合器件的真实情况。C ( R)称为积分结构函数或Protonotarios-Wing 函数。假如将分布式RC结构沿着x轴分成若干个Ax,每个Ax等效为一个用行 电阻与一个并行电容，进而可以得到一个很长的阶梯式 CAUE校型。假设Ax-0, CAUER络的阶数趋于无穷。积分结构函数直接定义了图 A-8所示的无限阶CAUER 网络。换句话说：积分结构函数是连续情况下的 C

49、AUE模型。离散的积分结构函数可以生成CAUER络Ambiefit (ooid-piate)Figure The cudmlaljAe struetutf fuiktLud and tha uMturi, B l r(Mup peclm M 10Hiid*因此，进行反变换前有必要在方程V ( ) M ( )/W()中引入一个滤波函数 F():(B11)V( ) V ( )?F( ) M ( )?F( )/W()这个滤波器不会改变 M()中的低频成分，而且可以极大地减少图频中的噪声成分，也就是当时，F( ) = 1,而 0时，F( )=0。参数 00称为滤波带宽。F()由费米-狄拉克函数得到，而且实用性很好1(B12)F ( ) exp 1函数的形状