电子产品制造工艺电子教案第2章从工艺角度选择和检测电子元器件(七)_第1页
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1、第 PAGE6 页 共 NUMPAGES6 页电子产品制造工艺电子教案第2章 从工艺角度选择和检测电子元器件(七)从工艺角度选择和检测电子元器件(七)教案 教师 杨帆 课 课题(课时)从工艺角度选择和检测电子元器件(七)(第 17-18 课时)授课班级 14 高职电信 授课时间 20_-10-10 授课地点 3#305 课 课型 新授课 教学目标 1.了解变压器的含义; 2.了解常用半导体分立器件及其分类以及如何选用; 教学重点二极管;教学难点二极管; 教学资 多媒体 教学过程 教学内容 教师活动 学生活动 一、 引入新课上节课,我们学习了电感的相关内容,我们今天将要学习半导体分立器件的相关内

2、容。二、 新课讲解三)电感与变压器 3.变压器 两个电感线圈相互靠近,就会产生互感现象。因此从原理上来说,各种变压器都属于电感。变压器在电子产品中能够起到交流电压变换、电流变换、传递功率和阻抗变换的作用,是不可缺少的重要元件之一。输出变压器 电变压器 变压器的主要性能参数如下:额定功率:在规定的电压和频率下,变压器能够长期连续工分析p 讲解理解记忆作而不超过规定温升的输出功率。变压比:变压器两次电压与一次电压的比值或二次绕组匝数与一次绕组匝数的比值,通常在变压器外壳上直接标出电压变化的数值,例如 220V/12V。变阻比是变压比的另一种表达形式,可以用来表示一次和两次的阻抗变换关系,例如用4:

3、1 表示一次、二次的阻抗比值。效率:输出功率与输入功率的比值,一般用百分数表示。变压器的效率由设计参数、材料、制造工艺及额定功率决定。温升:指线圈的温度。当变压器通电工作以后,线圈温度上升到稳定值时,比环境温度升高的数值。温升高的变压器,绕组导线和绝缘材料容易老化。绝缘电阻和抗电强度:指线圈之间、线圈与铁芯之间以及引线之间,在规定的时间内可以承受的试验电压。空载电流:变压器一次侧加额定电压而二次侧空载,这时的一次电流称为空载电流。空载电流大的变压器自身损耗大,输出效率低。信号传输参数:用于阻抗变换的音频、高频变压器,还要考虑漏电感、频带宽度和非线性失真。注意:企业的变压器来料检验如下:变压器是

4、非常重要的器件,企业对它的检验非常严格,主要有外观尺寸、电气性能、耐压、上锡性、适配性、引脚拉力、温升测试等项目,其中电气性能的主要测试项有:直流电阻测量; 空载输出电压; 空载电流; 负载输出电压; 负载电流。四)半导体分立器件 1.常用半导体分立器件及其分类 (1)半导体二极管 普通二极管:整流二极管、检波二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管; 特殊二极管(微波二极管):变容二极管、雪崩二极管、SBD、TD、PIN 管等。(2)双极型晶体管 锗管:高频小功率管,低频大功率管; 硅管:低频大功率管、大功率高反压管等; 专用器件:单结晶体管、可编程晶体管; (3)功率整流器件 晶闸管整流

5、器(SCR)、硅堆; (4)场效应晶体管 结型硅管:N 沟道(外延平面型)、P 沟道(双扩散型)、隐埋栅、V 沟道(微波大功率); 结型砷化镓:微波低噪声、微波大功率(肖特基势垒栅); 硅 MOS 耗尽型:N 沟道、P 沟道; 讲解,并提问回答老师所提问题 硅 MOS 增强型:N 沟道、P 沟道。2.半导体分立器件的封装及管脚 常见的器件封装多是塑料封装或金属封装,也能见到玻璃封装的二极管和陶瓷封装的晶体管。金属外壳封装的晶体管可靠性高、散热好并容易加装散热片,但造价比较高;塑料封装的晶体管造价低,应用广泛。3.选用半导体分立器件的注意事项 (1)二极管 反向击穿电压; 焊接时间; 整形; 留间隙; 极性。(2)晶体管 (3)场效应管 三、作业1.简述变压器的主要性能参数; 2.简述选用半导体分立器件的注意事项; 板书设计 第 2 章 从工艺角度选择和检测电子元器件三)电感与变压器 变压器的主要性能参数如下:额定功率 变压比 效率 温升

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