半导体物理器件期末总结2011

1、半导体器件物理常州信息职业技术学院一、填空题（一、填空题（1010分）分）二、选择题（二、选择题（2020分）分）三、判断题（三、判断题（2020分）分）四、名词解释（四、名词解释（1515分）分）五、问答题（五、问答题（1212分）分）六、作图题（六、作图题（1111分）分）七、计算题（七、计算题（1212分）分）题型与比例第第1章章 半导体中的电子状态半导体中的电子状态n常见的半导体材料（单晶、多晶、非晶、第一、二、三代常见的半导体材料（单晶、多晶、非晶、第一、二、三代材料）材料）n常见半导体材料的晶格结构（金刚石、闪锌矿、钎锌矿）、常见半导体材料的晶格结构（金刚石、闪锌矿、钎锌矿）、制备

2、器件常用晶圆的晶面指数制备器件常用晶圆的晶面指数n原子的能级、能级图（泡利不相容原理、玻耳兹曼分布律、原子的能级、能级图（泡利不相容原理、玻耳兹曼分布律、玻尔频率条件）玻尔频率条件）n晶体中的电子状态（共有化运动）晶体中的电子状态（共有化运动）n导体、绝缘体、半导体的能带（导带、价带、禁带、导带导体、绝缘体、半导体的能带（导带、价带、禁带、导带底、价带顶、禁带宽度、直接带隙型、间接带隙型）底、价带顶、禁带宽度、直接带隙型、间接带隙型）n半导体中载流子（电子、空穴）半导体中载流子（电子、空穴）n有效质量（意义、内外层区别、导带底、价带顶）有效质量（意义、内外层区别、导带底、价带顶）第第2章章 半

3、导体中杂质和缺陷能级半导体中杂质和缺陷能级n本征半导体本征半导体、本征激发、本征载流子浓度、本征激发、本征载流子浓度n杂质半导体杂质半导体（替位式杂质和间隙杂质、（替位式杂质和间隙杂质、n型半型半导体和导体和p型半导体、施主杂质和受主杂质及其型半导体、施主杂质和受主杂质及其电离过程、杂质补偿作用、浅能级杂质和深能电离过程、杂质补偿作用、浅能级杂质和深能级杂质）级杂质）n半导体中的半导体中的缺陷能级缺陷能级（点缺陷、线缺陷、面缺（点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷、空位、层错、位错）陷、体缺陷、空位、层错、位错）第第3章章 半导体中的载流子的统计分布半导体中的载流子的统计分布n状态密度状态密度n费米

4、能级和载流子统计分布（费米能级、费米能级和载流子统计分布（费米能级、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度）导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度）n热平衡状态、热平衡载流子、本征半导热平衡状态、热平衡载流子、本征半导体载流子浓度体载流子浓度n杂质半导体载流子浓度（与温度关系）杂质半导体载流子浓度（与温度关系）第第4章章 半导体的导电性半导体的导电性n载流子的漂移运动载流子的漂移运动 （迁移率）（迁移率）n载流子的散射（电离杂质散射、晶格振载流子的散射（电离杂质散射、晶格振动散热）动散热）n迁移率与杂质浓度和温度的关系迁移率与杂质浓度和温度的关系n电阻率与杂质浓度和温度的关系）电阻率与杂质浓度和温度的

5、关系）第第5章章 非平衡载流子非平衡载流子n非平衡载流子的注入（热平衡状态、非平衡状非平衡载流子的注入（热平衡状态、非平衡状态、非平衡载流子、非平衡少子、非平衡载流态、非平衡载流子、非平衡少子、非平衡载流子注入子注入 、准费米能级）、准费米能级）n非平衡载流子的复合（非平衡载流子寿命、直非平衡载流子的复合（非平衡载流子寿命、直接复合、间接复合、俄歇复合、能量的释放途接复合、间接复合、俄歇复合、能量的释放途径、深能级的杂质是有效的复合中心）径、深能级的杂质是有效的复合中心）n非平衡载流子的运动规律（扩散运动、漂移运非平衡载流子的运动规律（扩散运动、漂移运动、爱因斯坦关系式）动、爱因斯坦关系式）第

6、第6 6章章 pnpn结结nPNPN结形成、空间电荷区、平衡结形成、空间电荷区、平衡PNPN结的能带图及结的能带图及平衡平衡PNPN结的特点。结的特点。nPNPN结接触电势差、结接触电势差、PNPN结的载流子分布结的载流子分布n非平衡状态下的非平衡状态下的PNPN结及其能带图结及其能带图n理想状态下理想状态下PNPN结中产生电流、复合电流、扩散结中产生电流、复合电流、扩散电流与电压的方程式电流与电压的方程式n实际情况下的实际情况下的PNPN结电流结电流- -电压特性电压特性nPNPN结的势垒电容、扩散电容；结的势垒电容、扩散电容；nPNPN结雪崩击穿、隧道击穿、热击穿结雪崩击穿、隧道击穿、热击

7、穿n隧道二极管隧道二极管补充：双极晶体管补充：双极晶体管n晶体管的基本结构与杂质分布晶体管的基本结构与杂质分布n晶体管的工作原理晶体管的工作原理n晶体管的直流特性晶体管的直流特性n晶体管的极限参数晶体管的极限参数第第7 7章章 金属与半导体接触金属与半导体接触n金属半导体接触形成的能带图金属半导体接触形成的能带图 n肖特基接触肖特基接触n欧姆接触欧姆接触第第8 8章章 半导体表面与半导体表面与MISMIS结构结构nMISMIS结构结构n表面电场效应（积累层、耗尽层和反型层）表面电场效应（积累层、耗尽层和反型层）nMISMIS结构的电容结构的电容- -电压特性（金属与半导体功函电压特性（金属与半导体功函数、绝缘层中的电荷的影响）数、绝缘层中的电荷的影响）nMOSFETMOSFET结构、分类、特征结构、分类、特征名词解释名词解释1 1、共有化运动、共有化运动2 2、施主杂质、受主杂质、杂质补偿、施主杂质、受主杂质、杂质补偿3 3、直接复合、间接复合、直接复合、间接复合4 4、准费米能级、准费米能级5 5、平衡状态