二极管介绍与生产工艺

1、二极管介绍与生产工艺 US I. All rights reserved.Contents List目目 录录1.1.二极管简介二极管简介.2 2 2.2.半导体的导电特性半导体的导电特性.3 33.3.二极管的电气特性二极管的电气特性.5.5 4.4.二极管的主要参数二极管的主要参数.6.65.5.二极管应用电路二极管应用电路.8.8 5.1.二极管稳压电路.8 5.2.二极管检波电路.9 5.3.二极管钳位电路.10 5.4.二极管整流应用.116.6.二极管生产工艺流程二极管生产工艺流程.14.14 6.1.半导体扩散工艺.15 6.2.二极管制造中序.267 7. .二极管生产问题分析

2、二极管生产问题分析.30308.8.二极管构造分类二极管构造分类.32.328 8. .国产二极管型号命名国产二极管型号命名.33339.9.各类型二极管常用检测法各类型二极管常用检测法.34.341 USI. All rights reserved.二极管在电路中主要起稳压，检波，整流，钳位，限幅等作用。电流只能从二极管的正极流向负极普通二极管用符号D表示。二极管简介晶体二极管是由P型半导体和N型半导体烧结形成的P-N结界面。图为常见二极管外形及表示方法 二极管的构成Kinds of diodesLight emitting diode 二极管的应用整整流流稳压稳压钳位钳位检波检波线路符号+

3、-2Items Image CharacterizationDescription半导体半导体基本特基本特性性 热敏性热敏性: :温度升高，导电增温度升高，导电增强强 光敏性光敏性: :光照增强，导电能光照增强，导电能力变化力变化 掺杂性掺杂性: :往纯净的半导体内往纯净的半导体内掺入某些杂质导电能力明显掺入某些杂质导电能力明显改变改变本征半本征半导体导体 完全纯净半导体晶体为本征完全纯净半导体晶体为本征半导体。共价键中两个电子半导体。共价键中两个电子束缚在共价键中成为束缚电束缚在共价键中成为束缚电子子 常温热激发，价电子获得能常温热激发，价电子获得能量脱离共价键成为自由电子量脱离共价键成为自

4、由电子，留下空穴，留下空穴, ,称为本征激发称为本征激发 外加电压时，空穴吸引临近外加电压时，空穴吸引临近电子来补，相当于空穴迁徙电子来补，相当于空穴迁徙，电子和空穴数量很少，形，电子和空穴数量很少，形成弱电流成弱电流半导体导电特性3ItemsImage CharacterizationDescription杂质杂质半半导体导体 N型掺入极高浓度五价元素，型掺入极高浓度五价元素，自由电子浓度远大于空穴。自自由电子浓度远大于空穴。自由电子称多子，空穴称少子由电子称多子，空穴称少子 P型掺入极高浓度三价元素，型掺入极高浓度三价元素，空穴浓度远大于自由电子。空空穴浓度远大于自由电子。空穴称多子，自由

5、电子称少子穴称多子，自由电子称少子PN结结导导电特电特性性 PN结加正向电压，内电场削结加正向电压，内电场削弱，多子形成扩散导通状态弱，多子形成扩散导通状态 PN结加反向电压，少子漂移结加反向电压，少子漂移增强，少子的数量很少增强，少子的数量很少 形成形成很小的反向电流，截止状态很小的反向电流，截止状态半导体导电特性4 US I. All rights reserved. 正向电压很小 未克服PN结内电场 正向电流几乎为正向电流几乎为0 电压大于死区电压电压大于死区电压 PN结电场逐渐克服 电流随电压增大上升 PN结内电场完全削弱 电流随电压增大上升 二极管导通压降不变二极管导通压降不变0Vt

6、hVthVth正向特性二极管处于死区导通进行状态正常导通状态阈值电压Vth，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。正向导通压降硅管约为0.60.8V锗管的约为0.20.3V 反向特性 反向电压很小 反向漏电流很小反向漏电流很小 二极管反向截止 反向漏电流受温 度影响 大于反向击穿电压大于反向击穿电压 反向电流突然增大 失去单向导电性 反向电击穿反向电击穿 过热则永久损坏 若未引起击穿过热 则不一定损坏UbrUbr0Ubr反向截止状态反向击穿击穿损坏常温下硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，锗管在A数量级反向截止电压死区电压特性曲线二极管电气特性5二极管主要参数 最大

7、整最大整流电流流电流If二极管长期工作，允许的最大正向平均电二极管长期工作，允许的最大正向平均电流值，其与流值，其与PN结面积及散热条件等有关。结面积及散热条件等有关。电流通过管子管芯发热，电流通过管子管芯发热，超温会使管芯过热损坏超温会使管芯过热损坏最高反向最高反向工作压工作压Ud二极管两端反向电压高到一定值时，管二极管两端反向电压高到一定值时，管子击穿，失去单向导电能力。子击穿，失去单向导电能力。 IN4001二极管反向耐压为二极管反向耐压为 50V，IN4007为为1000V6 反向反向电流电流Id反向电流越小，单向导反向电流越小，单向导电性能越好电性能越好二极管在常温二极管在常温（25

8、）和最高反向电压和最高反向电压作用下，流过的反向电流。作用下，流过的反向电流。最高工最高工作频率作频率FmFm取决于取决于PN结面积，结面积，PN结面积越大，结面积越大，Fm越低越低Fm是二极管工作的上限频率。高于该是二极管工作的上限频率。高于该频率将不能正常工作频率将不能正常工作二极管主要参数7二极管构造分类二极管构造分类二极管稳压电路Project二极管稳压电路 形式二形式二 形式一输出电压U0取自稳压管VZ两端，故U0=Uvz。当电源电压上升，由于稳压二极管的稳压作用，Uvz不变，输出电压U0也不变。该稳定不变电压可供给其他电路，使电路稳定正常工作。输出电压取自限流电阻R两端，当电源电压

9、上升时，稳压二极管两端电压Uvz不变，限流电阻R两端电压上升，故输出电压U0上升。稳压二极管按这种接法是不能为电路提供稳定电压。稳压二极管需反接于电路中，并工作于稳压二极管需反接于电路中，并工作于 反向击穿状态反向击穿状态8二极管构造分类二极管构造分类二极管检波电路Project二极管检波电路 检波原理电路中VD1是检波二极管，C1是高频滤波电容，R1是检波电路的负载电阻，C2是耦合电容。检波电路中，调幅信号加到检波二极管正极，这时检波二极管工作原理与整流电路整流二极管工作原理基本一样，利用信号幅度使检波二极管导通。展开后的调幅信号波形中可以看出，它是一个幅度变化的交流信号。这一信号加到检波二

10、极管正极，正半周二极管导通，负半周二极管截止，相当于整流电路工作，在负载电阻R1上得到正半周信号包络，信号虚线部分，见图中检波电路输出信号波形（不加高频滤波电容时输出信号波形）。检波电路输出信号由音频信号、直流成分和高频载波信号成分组成。三种信号中，最重要是音频信号处理。9二极管构造分类二极管构造分类二极管钳位电路Project二极管钳位电路钳位原理 水平线是受保护的节点。当该电压超过Vcc+Vd时，上面的二极管导通，当该点电压小于-0.7V时，下面的二极管导通。因此该点的电位被钳制在-0.7Vcc+Vd之间。 对于正常的二极管，正向电阻约为几千欧，反向电阻约为几百千欧（一般应大于200千欧）

11、。如果电压过高，高于Vcc+Vd（二极管导通压降），上面的二极管导通，输出电压钳位于Vcc+Vd；如果电压过低，低于-Vd（二极管导通压降），下面的二极管导通，输出电压钳位于-Vd。10Project二极管半波整流电路 半波整流波形原理半波整流波形原理 半波整流电路结构u变压器输出电压U2仅半个周期可到达负载，负载电压U0是单方向脉动直流电压u如图(a)，半波整流电路由电源变压器、整流二极管和负载组成。U2表示变压器二次绕组的交流电压有效值，U0是脉动的直流输出电压，半波整流电路简单，使用元器件少，半波整流电路简单，使用元器件少，输出电压脉动很大，效率很低输出电压脉动很大，效率很低用在对直流电

12、流波形要求不高的场合用在对直流电流波形要求不高的场合u变压器T一次侧电压U1，变压器的二次侧电压U2uU2为正半周时VD导通，在RL上产生正半周电压；U2为负半周时VD截止，负载RL上无电流流过u当输入电压进入下一个周期，整流电路将重复上述过程U2UOq.Voltage waveform二极管构造分类二极管构造分类二极管整流电路11Project二极管全波整流电路 全波整流波形原理全波整流波形原理全波整流电路结构u全波整流电路由两个半波整流电路组成，变压器T二次绕组具有两个中心抽头，将二次绕组分为上下两个相等部分，变压器两个输出端可以得到两个大小相等相位相反的输出电压全波整流电路带载能力强，输

13、出电压脉全波整流电路带载能力强，输出电压脉动小，易滤成平滑直流动小，易滤成平滑直流电源变压器需中心抽头，变压器效低，电源变压器需中心抽头，变压器效低，整流管承受的耐压高。整流管承受的耐压高。适用稳定要求较高，输出电流大的场合适用稳定要求较高，输出电流大的场合u当U2正半周VD1导通VD2截止，电流Io(ID1)通过VD1和RL在负载两端产生上正下负脉动直流电压Uou当U2负半周VD2导通VD1截止，电流Io(ID2)通过VD2和RL在负载两端产生上正下负脉动直流电压Uou正半周和负半周电压经过VD1和VD2整流后在负载上合成为全波脉动直流电压UoU2UTq. Voltage waveformU

14、2U21U22UoU21U22二极管构造分类二极管构造分类二极管整流电路12Project桥式整流电路 桥式整流波形原理桥式整流波形原理桥式整流电路结构q. Voltage waveformu桥式整流电路属全波整流，是使用最多整流电路。四只二极管接成电桥在电压U2正负半周均有电流流过负载，在负载上形成单方向的全波脉动电压u桥式整流电路由电源变压器、四只整流二极管和负载电阻组成桥式整流电路利用交流输入整个周期，变压桥式整流电路利用交流输入整个周期，变压器利用率高，器利用率高，输出电压为半波整流的两倍，输出电压的脉输出电压为半波整流的两倍，输出电压的脉动大大减少。动大大减少。广泛用于家用电器、仪器

15、仪表、通信设备、广泛用于家用电器、仪器仪表、通信设备、电力控制等方面。电力控制等方面。u当U2正半周变压器二次绕组电压A正B负VD1VD3导通，VD2和VD4截止，电流Io1经VD1、RL和VD3在RL输出Uo,图(a)u当U2负半周变压器二次绕组电压B正A负VD2VD4导通，VD1和VD3截止，电流Io2经VD2、RL和VD4在RL输出Uo,图(b)u电压U2一个周期内，负载RL上均有电流流过U2UoU2(a)(b)二极管构造分类二极管构造分类二极管整流电路13二极管构造分类二极管构造分类二极管生产工艺流程二极管生产工艺流程前期半导体扩散前期半导体扩散中期制造成型中期制造成型后期打印包装后期

16、打印包装。热氧化。热氧化。扩散。扩散。LPCVD。合金。合金。清洗。清洗。沾污测试。沾污测试。焊接。焊接。酸洗。酸洗。模压。模压。印字。印字。机包。机包。外拣。外拣。包装。包装14 US I. All rights reserved.二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺扩散区域按工艺分，主要有热氧化、扩散、扩散区域按工艺分，主要有热氧化、扩散、LPCVD、合金、清洗、沾污测试等六大工艺、合金、清洗、沾污测试等六大工艺热氧化工艺介绍热氧化工艺介绍热氧化法是高温下（900-1200）使硅片表面形成二氧化硅膜方法。常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具

17、有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。利用这一性质，在硅上的二氧化硅层上刻出选择扩散窗口，则在窗口区就可以向硅中扩散杂质，其它区域被二氧化硅屏蔽，没有杂质进入，实现对硅的选择性扩散，从而导致了硅平面工艺的诞生。15. .热氧化方法介绍热氧化方法介绍干氧氧化干氧氧化氧分子以扩散的方式通过氧化层到达二氧化硅-硅表面，与硅发生反应，生成一定厚度的二氧化硅层 。干氧氧化化学反应式：Si+O2 = SiO2干氧化制作的SiO2结构致密，均匀性重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好，但生长速率慢；较用于高质量氧化，如栅氧等。二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺湿氧氧化湿氧氧化反应气体中包括O2和H2O

18、 ，实际是两种氧化结合使用。 湿氧氧化化学反应式：H2+O2=H2O H2O+Si = SiO2+2H2 Si+O2 = SiO2湿氧氧化生长速率介于干氧氧化和水汽氧化间；通过H2和O2流量比例调节O2和H2O分压比，调节氧化速率。为了安全，H2/O2比例不可超过1.88。湿氧化的氧化层对杂质掩蔽力以及均匀性均满足工艺要求，氧化速率比干氧氧化明显提高，因此在厚层氧化中得到较广泛应用。16 US I. All rights reserved.掺氯氧化掺氯氧化氧化气体中掺入HCl或DCE（C2H2Cl2）后，氧化速率及氧化层质量都有提高。两方面解释速率变化原因，其一：掺氯氧化时反应产物有H2O，加

19、速氧化；其二：氯积累在Si-SiO2界面附近，氯与硅反应生成氯硅化物，氯硅化物稳定性差，在有氧情况下易转变成SiO2，氯成为氧与硅反应催化剂。并且氧化层质量大有改善。热氧化过程中掺入氯会使氧化层中含有一定量氯原子，可以减少钠离子沾污，钝化SiO2击穿特性，提高半导体器件可靠性和稳定性。大多干氧氧化都含有掺氯氧化。二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺水汽氧化水汽氧化生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，有较多缺陷。 水汽氧化化学反应式：2H2O+Si = SiO2+2H2其对光刻胶的粘附性较差，一般不采用此方法。17. .热氧化方法介绍热氧化方法介绍二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺

20、扩散工艺介绍扩散工艺介绍扩散技术控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度，是半导体器件生产的主要技术之一。. .扩散机构扩散机构替位式扩散机构替位式扩散机构这种杂质原子或离子大小与Si原子差别不大，沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占晶格格点正常位置，不改变原来硅材料晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。 填隙式扩散机构填隙式扩散机构这种杂质原子大小与Si原子差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占晶格格点正常位置，而从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍铁等重金属元素是此方式。 18二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺LPCVD工艺介绍工艺介绍LPCVD即低压化学

21、气相沉积（Low Pressure Chernicd Vapor Deposition）简写，几种典型工艺为低压化学气相沉积多晶硅、低压化学气相沉积氮化硅、低压化学气相沉积二氧化硅、低压化学气相沉积三氧化二铝。多晶硅沉积速率与反应温度的关系多晶硅膜厚与沉积时间的关系19低压化学气相沉积多晶硅低压化学气相沉积多晶硅用硅烷（SiH4）沉积多晶硅，用纯氩或纯氮为稀释气体，高浓度硅烷易燃易爆不安全，已趋向采用低浓度SiH4沉积工艺，5%浓度SiH4较安全。沉积温度在600700。以5%浓度SiH4为例，说明沉积过程中各参数的关系。多晶硅沉积速率与温度关系多晶硅沉积速率与温度关系当流量、压力、时间基本不

22、变，沉积速率与温度线性增加当流量、压力、时间基本不变，沉积速率与温度线性增加多晶硅膜厚与生长时间关系多晶硅膜厚与生长时间关系当温度、流量、压力基本不变，时间增长多晶硅膜厚线性增加当温度、流量、压力基本不变，时间增长多晶硅膜厚线性增加多晶硅膜厚与压力关系多晶硅膜厚与压力关系当流量、温度、时间基本不变，改变当流量、温度、时间基本不变，改变N2流量来改变压力，当压力流量来改变压力，当压力133133pa时，生长的多晶硅膜的厚度分布均匀性变化不大。时，生长的多晶硅膜的厚度分布均匀性变化不大。多晶硅膜厚度分布与温度关系多晶硅膜厚度分布与温度关系当流量、压力、时间基本不变，温度改变当流量、压力、时间基本不

23、变，温度改变11沉积速率改变沉积速率改变5-5.5%5-5.5%多晶硅膜厚度分布与硅烷流量关系多晶硅膜厚度分布与硅烷流量关系当当N2流量不变、温度、时间基本不变，膜厚分布受流量不变、温度、时间基本不变，膜厚分布受SiH4流量是影流量是影响较大，尤其是输出端口响较大，尤其是输出端口多晶硅沉积速率与多晶硅沉积速率与SiH4流量关系流量关系当温度、压力、时间基本不变，沉积速率随当温度、压力、时间基本不变，沉积速率随SiH4流量增加而增加流量增加而增加二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺. .LPCVD方法介绍方法介绍20低压化学气相沉积氮化硅低压化学气相沉积氮化硅有三种工艺使用SiH4 、NH

24、3及N2、使用SiH2Cl2和NH3、使用SiCl4和NH3二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺SiH4 、NH3、N2这种工艺的沉积速率随这种工艺的沉积速率随SiH4流量与温度的增加而迅速增加。如果降低流量与温度的增加而迅速增加。如果降低NH3流量，使流量，使SiH4浓度增加，即增加浓度增加，即增加SiH4的分压，从而使沉积速率增加。的分压，从而使沉积速率增加。SiH2Cl2、NH3使用这种工艺要注意压力的影响，在一定范围内压力增高可使沉积速使用这种工艺要注意压力的影响，在一定范围内压力增高可使沉积速率增加，但片内的均匀性会变差。率增加，但片内的均匀性会变差。SiCl4、NH3这种方法

25、的优点是单片均匀性好工艺重复性好，但反应生成氯化氨易这种方法的优点是单片均匀性好工艺重复性好，但反应生成氯化氨易堵塞管道，生成的氯化硅对管道有腐蚀作用，使用这种方法要有妥善堵塞管道，生成的氯化硅对管道有腐蚀作用，使用这种方法要有妥善的解决措施。的解决措施。21二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺低压化学气相沉积二氧化硅低压化学气相沉积二氧化硅中温生长二氧化硅中温生长二氧化硅用用SiH4和和N2O作为反应剂，温度为作为反应剂，温度为800800900900；用；用SiH2Cl2和和N2O作为反应剂，温度为作为反应剂，温度为870870950950。低温生长二氧化硅低温生长二氧化硅在在400

26、400500500用用SiH4与与O2沉积沉积SiO222二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺低压化学气相沉积三氧化二铝低压化学气相沉积三氧化二铝工艺程序为：将硬质合金刀片挂在试样架上，把4装在底托5上，再装入石英反应炉1内通入H2开始升温。开动真空泵28使炉内压力低于1l05pa。当试样温度升至10001100时，通入CO2和AlCl3，调整负压调节阀21，使石英炉内保持932pa左右的压力，沉积3040分钟后，停供CO2和AlCl3，待炉体温度达室温后出炉。影响镀层质量的主要因素有：硬质合金刀片表面光洁度及清洁状况，原料气体配比等。通常原料气体有H2、CO2、AlCl3，其体积配比为

27、85%H2、12.5%CO2、2.5%AlCl3。如果CO2不足，反应不易进行。1-石英反应炉；2-感应圈；3-试样；4-试样支架；5-底托；6-混合气体喷嘴；7-TiCl4进口处；8-管路加热器；9-AlCl3筛板；14-H2净化器；15-恒温水浴；16-蒸发瓶；17-TiCl4；18-二通阀门；19-负压计；20-供水瓶；21-负压调节阀；22-缓冲瓶；23-浓碱液；24-机械泵油；25-除尘器；26-排气管；27-氯气流量计；28-真空泵23合金工艺介绍合金工艺介绍二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺淀积到硅片表面的金属层经光刻形成一定的互连图形之后，还必须进行一次热处理，称为“合

28、金化”。合金的目的是使接触孔中的铝与硅之间形成低电阻欧姆接触，并增加铝与二氧化硅之间的附着力。铝栅合金铝栅合金铝是三价元素，在硅中是强P型杂质，与Si能形成低值欧姆接触。在热处理过程中，硅会不停地往铝膜中输送，直到溶解饱和。硅在铝膜中的溶解和扩散过程受铝晶粒尺寸、孔边缘氧化层应力、孔上残余SiO2影响，引起铝膜对硅的不均匀溶解。溶解入硅的铝膜，称为铝钉。铝钉的存在，会产生PN结击穿特性退化。严重时，出现PN结短路。24合金工艺介绍合金工艺介绍二极管构造分类二极管构造分类半导体扩散工艺硅栅合金硅栅合金实际工艺中，预先在铝源中加入适量的硅，使硅在铝膜中处于饱和，避免硅在铝膜中的溶解，也就避免了“铝

29、钉”的产生。同时用TiN层来阻挡铝膜向硅中的渗透，在TiN与硅的结合处，预先形成TiSi化合物来加强粘附性。合金工艺的作用不仅仅是形成欧姆接触，它的另一个最大的作用在于：包含N、H烘陪工艺，是减少表面态密度，避免软击穿的有效措施。25二极管构造分类二极管构造分类二极管制造中序序号焊接工艺焊接工艺利用焊片通过一定的温度，使芯片与金属引线连接，形成欧姆触角。利用焊片通过一定的温度，使芯片与金属引线连接，形成欧姆触角。将石墨舟放在排线机上，排线机把引线导入石墨舟内为下一道装片将石墨舟放在排线机上，排线机把引线导入石墨舟内为下一道装片做准备做准备把焊片倒入吸盘中，调节其气体把吸盘吸好的焊片和芯片依次倒

30、入把焊片倒入吸盘中，调节其气体把吸盘吸好的焊片和芯片依次倒入打好引线的石墨舟打好引线的石墨舟反转装引线并刷过助焊剂石墨舟置于装完片的石墨舟上抽出托板并反转装引线并刷过助焊剂石墨舟置于装完片的石墨舟上抽出托板并用托板震动引线使完全落位用垫板轻压引线用托板震动引线使完全落位用垫板轻压引线. .反转装引线并刷过助焊剂石墨舟置于反转装引线并刷过助焊剂石墨舟置于. .装完片的石墨舟上抽出托板并用托板装完片的石墨舟上抽出托板并用托板. .震动引线使完全落位用垫板轻压引线震动引线使完全落位用垫板轻压引线123426二极管构造分类二极管构造分类二极管制造中序酸洗酸洗工艺工艺对芯片对芯片P-N结边缘进行化学腐蚀

31、，改善机械损伤结边缘进行化学腐蚀，改善机械损伤祛除表面吸附的杂质，降低表面电场祛除表面吸附的杂质，降低表面电场使使P-N结的击穿首先从体内发生结的击穿首先从体内发生获得理论值接近的反向击穿电压和极小表面漏电流获得理论值接近的反向击穿电压和极小表面漏电流酸洗二极管在酸洗生产中，通过三种酸二极管在酸洗生产中，通过三种酸的腐蚀才能产生电性能的腐蚀才能产生电性能v. .一号酸腐蚀去除表面划痕杂质一号酸腐蚀去除表面划痕杂质v. .二号酸去除一号酸反应物形成二号酸去除一号酸反应物形成保护层保护层v. .三号酸去除二号酸反应所形成三号酸去除二号酸反应所形成的残留物，形成保护层，防止水中的残留物，形成保护层，

32、防止水中的金属离子到达管芯部位影响管子的金属离子到达管芯部位影响管子的质量的质量127梳条将酸洗后的酸洗板上的二极管转换将酸洗后的酸洗板上的二极管转换到铝条上在放入到烘箱中进行到铝条上在放入到烘箱中进行1 1小小时左右的预烘。再进行下一道的上时左右的预烘。再进行下一道的上白胶白胶白胶固化使硅橡胶中心液剂进一步挥发，胶使硅橡胶中心液剂进一步挥发，胶层固化使其与管芯牢固结合，使具层固化使其与管芯牢固结合，使具有良好的可操作性能和避免成型受有良好的可操作性能和避免成型受到冲击到冲击 v作用：将二极管管芯与环境隔离作用：将二极管管芯与环境隔离开来，以避免周围杂质对器件性能开来，以避免周围杂质对器件性能

33、的影响，可起保的影响，可起保 护管芯、稳定管护管芯、稳定管芯表面的作用。芯表面的作用。3二极管构造分类二极管构造分类二极管制造中序228二极管构造分类二极管构造分类二极管制造中序模压工艺模压工艺使管芯与外界环境隔离，避免有害气体的侵蚀使管芯与外界环境隔离，避免有害气体的侵蚀保护管芯、稳定表面、固定管芯内引线，提高二极管机械强度保护管芯、稳定表面、固定管芯内引线，提高二极管机械强度使表面光洁和具有特定的几何形状使表面光洁和具有特定的几何形状，方便客户使用的作用，方便客户使用的作用模压. .将白胶固化后的白毛摆入料架上将白胶固化后的白毛摆入料架上. .将固体黑胶塞入模压机中将固体黑胶塞入模压机中.

34、 .待模压机达到一定温度时，黑胶软化，模压机进待模压机达到一定温度时，黑胶软化，模压机进 行模压行模压成型后固化. .对塑封料高温烘烤，提高塑封料的可靠性对塑封料高温烘烤，提高塑封料的可靠性. .挥发表面的油污挥发表面的油污, ,释放黑胶收缩压力释放黑胶收缩压力. .剔除早期不良品、失效管，提高二极管稳定性剔除早期不良品、失效管，提高二极管稳定性2129二极管构造分类二极管构造分类二极管生产问题分析外观外观检查检查对二极管的外观检查没有发现外对二极管的外观检查没有发现外观有任何缺陷，推断二极管并非观有任何缺陷，推断二极管并非外观问题而失效外观问题而失效开盖开盖检测检测开盖后在光学显微镜下可以看

35、出开盖后在光学显微镜下可以看出二极管芯片对角突出，有可能造二极管芯片对角突出，有可能造成模压过程中芯片压伤成模压过程中芯片压伤生产性不良分析实例，如图所示生产性不良分析实例，如图所示4 4只二极管只二极管芯片对角突出30二极管构造分类二极管构造分类二极管生产问题分析电气特电气特性分析性分析对开盖后的二极管进行电气特对开盖后的二极管进行电气特性测试，发现性测试，发现2,3,42,3,4号电气特号电气特性为软管性为软管微观微观分析分析对二极管芯片进行微观分析，对二极管芯片进行微观分析，失效是由于芯片在制作过程中失效是由于芯片在制作过程中压伤及焊锡过多，导致二极管压伤及焊锡过多，导致二极管的硬特性不

36、良的硬特性不良结论结论.肖特基二极管比其他二极管芯片易碎，不能用普通二极管制作方法肖特基二极管比其他二极管芯片易碎，不能用普通二极管制作方法. .加大引线直径，使芯片在引线面积内就不会使二极管模压过程中芯片压碎加大引线直径，使芯片在引线面积内就不会使二极管模压过程中芯片压碎.减小焊片面积，不使焊锡量过多使芯片玻璃上有焊锡造成芯片失去电性减小焊片面积，不使焊锡量过多使芯片玻璃上有焊锡造成芯片失去电性电气特性软芯片开裂玻璃上有焊锡31二极管构造分类l N型硅单晶片扩散P型杂质l 不需调整PN结药品腐蚀作用l 小电流开关用点接触型键型l 单晶片上压触一根金属针， 通过电流法形成l 正向特性和反向特性差l 合金法或扩散法做成l 适用整流，不用高频率电路l 单晶片上熔金或银细丝形成l 多作开关用l 在高温P型杂质气体中，加热 N型锗或硅单晶片l 适用大电流整流l 将杂志与合金材料一起扩散l 制造高灵敏度变容二极管l 与扩散型相同，但不必要