版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领
文档简介
1、 自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体,金,金属一般都是导体。属一般都是导体。 有的物质几乎不导电,称为有的物质几乎不导电,称为绝缘体绝缘体,如橡,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为之间,称为半导体半导体,如锗、硅、砷化镓和一些,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质,所半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。比如:以它具有不同于其它物质的特点。比如:当受外界热和光的作用时,它的导当受外界热
2、和光的作用时,它的导电能力明显变化。电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质,往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使它的导电能力明显改变。会使它的导电能力明显改变。在热力学温度零度在热力学温度零度和没有外界激发时和没有外界激发时,本征半导体不导电。本征半导体不导电。 把纯净的没有结把纯净的没有结构缺陷的半导体单晶构缺陷的半导体单晶称为本征半导体。称为本征半导体。 它是共价键结构。它是共价键结构。 本征半导体的共价键结构本征半导体的共价键结构硅原子硅原子价电子价电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子自由电子空空穴穴本征激发本征激发复合复合在常温下自由
3、电子和空穴的形成在常温下自由电子和空穴的形成成对出现成对出现成对消失成对消失+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴导电的空穴导电的实质是共价实质是共价键中的束缚键中的束缚电子依次填电子依次填补空穴形成补空穴形成电流。故半电流。故半导体中有电导体中有电子和空穴两子和空穴两种载流子。种载流子。 空穴移动方向空穴移动方向 电子移动方向电子移动方向 1.两种载流子两种载流子 价电子填补空穴价电子填补空穴结论结论1.本征半导体中存在数量相等的两种载本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即流子,即自由电子自由电子和和空穴空穴。3.温度越高,载流子的浓度越高。因此本温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导
4、体的导电能力越强,征半导体的导电能力越强,温度是影响半导温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。的一大特点。2.本征半导体的导电能力取决于载流子本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。的浓度。+4+4+4+4+4+4+4+4(1) N 型半导体型半导体在硅或锗的晶体在硅或锗的晶体中中 掺入少量的掺入少量的五价元五价元 素素,如磷如磷,则形成则形成N型半导型半导体。体。 磷原子磷原子+4+5多余价电子多余价电子自由电子自由电子正离子正离子 N 型半导体结构示意图型半导体结构示意图少数载流子少数载流子多数载流子多数载流子正离子正离子在在
5、N型半导中型半导中,电子是多数载流子电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。空穴是少数载流子。+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴(2) P型半导体型半导体在硅或锗的晶体中在硅或锗的晶体中 掺入少量的三价元掺入少量的三价元 素素,如硼如硼,则形成则形成P 型型半导体。半导体。 +4+4硼原子硼原子填补空位填补空位+3负离子负离子 P 型半导体结构示意图型半导体结构示意图电子是少数载流子电子是少数载流子负离子负离子空穴是多数载流子空穴是多数载流子1.N型半导体中电子是多子型半导体中电子是多子,其中大部分是掺杂提供,其中大部分是掺杂提供的电子,本征半导体中受激产生的电子只占少数的电子,本征半导体中受
6、激产生的电子只占少数。 N型半导体中空穴是少子,少子的迁移也能形型半导体中空穴是少子,少子的迁移也能形成电流,由于数量的关系,起导电作用的主要是成电流,由于数量的关系,起导电作用的主要是多子多子。近似认为多子与杂质浓度相等。近似认为多子与杂质浓度相等。2.P型半导体中空穴是多子,电子是少子型半导体中空穴是多子,电子是少子。结论结论P 区区N 区区 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上, ,形成形成 P型半导体区域型半导体区域 和和 N型半导体区域型半导体区域, ,在这两个区域的交界处就形成了一个在这两个区域的交界处就形成了一个PN 结。结。N区的电子向区的电
7、子向P区扩散并与空穴复合区扩散并与空穴复合P区的空穴向区的空穴向N区扩散并与电子复合区扩散并与电子复合空间电荷区空间电荷区内电场方向内电场方向多子扩散多子扩散少子漂移少子漂移内电场方向内电场方向空间电荷区空间电荷区P 区区N 区区在一定的条件下,多子扩散与少子漂移达到动态平衡,在一定的条件下,多子扩散与少子漂移达到动态平衡, 空间电荷区的宽度基本上稳定下来。空间电荷区的宽度基本上稳定下来。 内电场方向内电场方向E外电场方向外电场方向RIP 区区N 区区外电场驱使外电场驱使P区的空穴进入空间区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷电荷区抵消一部分负空间电荷N区电子进入空间电荷区区电子进入空间电
8、荷区抵消一部分正空间电荷抵消一部分正空间电荷空间电荷区变窄空间电荷区变窄 扩散运动增强,形扩散运动增强,形成较大的正向电流成较大的正向电流(1 1) 外加正向电压外加正向电压P 区区N 区区内电场方向内电场方向ER空间电荷区变宽空间电荷区变宽 外电场方向外电场方向IR(2 2) 外加反向电压外加反向电压外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走少数载流子越过少数载流子越过PN结结形成很小的反向电流形成很小的反向电流 多数载流子的扩散运动难于进行多数载流子的扩散运动难于进行1、空间电荷区中没有载流子又称耗尽层。、空间电荷区中没有载流子又称耗尽层。2、
9、空间电荷区中内电场阻碍、空间电荷区中内电场阻碍扩散运动扩散运动的进的进行。(扩散运动为多子形成的运动)行。(扩散运动为多子形成的运动)3、少子少子数量有限,因此由它们形成的电流很小。数量有限,因此由它们形成的电流很小。4、PN结具有单向导电性。结具有单向导电性。 正向偏置正向偏置: P区加正、区加正、N区加负电压区加负电压 多子运动增强,多子运动增强,PN结导通结导通 反向偏置:反向偏置:P区加负、区加负、N区加正电压区加正电压 少子运动增强,少子运动增强,PN结截止结截止结论结论 正极引线正极引线触丝触丝N型锗型锗支架支架外壳外壳负极引线负极引线点接触型二极管点接触型二极管二极管的符号二极管
10、的符号正极正极负极负极 正极引线正极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型区型区负极引线负极引线 面接触型二极管面接触型二极管N型硅型硅PN结结PN结结二极管的型号 例如:2 C K 18 序号 (K-开关、W-稳压、Z- 功能 整流、P-检波) (A、B-锗) 材料(C、D-硅) 二极管2. 2.伏安特性伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.2V。导通压降导通压降: : 硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿电反向击穿电压压U(BR)小结:小结:(1)二极管正向电压很)二极管正向电压很 小时,有死区。小时,有死区。(2)二极管正向导通时)二极管正向导通时
11、 管压降基本固定。管压降基本固定。 导通电阻很小。导通电阻很小。(3)二极管反向截止时,)二极管反向截止时, 反向电流很小,并反向电流很小,并 几乎不变,称反向几乎不变,称反向 饱和电流。饱和电流。(4)反向电压加大到一)反向电压加大到一 定程度二极管反向定程度二极管反向 击穿。击穿。3. 3.主要参数主要参数(1)最大整流电流)最大整流电流 IOM二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。向平均电流。(2)反向击穿电压)反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被
12、破坏,甚至过热而剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压烧坏。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是一般是UBR的一半。的一半。(3 3)最大反向电流)最大反向电流 I IRMRM指二极管加最大反向工作电压时的反向电流指二极管加最大反向工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要大几十到几百倍。管的反向电流要大几十到几
13、百倍。以上均是二极管的直流参数,二极管的应用是以上均是二极管的直流参数,二极管的应用是主要利用它的单向导电性包括整流、限幅、保护等主要利用它的单向导电性包括整流、限幅、保护等例例1. 1. 试求下列电路中的电流。(二极管为硅管)试求下列电路中的电流。(二极管为硅管) 二极管为非线性元件在分析计算时和以往线性元二极管为非线性元件在分析计算时和以往线性元件不同下面我们以例子说明。件不同下面我们以例子说明。4. 4.分析、应用举例分析、应用举例 二极管的二极管的应用范围很广应用范围很广,它可用与整流、检波、限幅、它可用与整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件。元件保护以及在数字电路中
14、作为开关元件。 其中:其中: US=5V,R=1K解:所示电路中二极管处于导通状态,解:所示电路中二极管处于导通状态,因此:因此:mARUIS4 . 416 . 056 . 0+-USRI二极管为电流控制型元件,二极管为电流控制型元件,R是限流电阻。是限流电阻。特殊二极管特殊二极管1. 稳压二极管稳压二极管稳压管是一种特殊的二极管,稳压管是一种特殊的二极管, 它专门工作在反向工作区它专门工作在反向工作区 +I+稳定稳定电压电压UZ特性曲线:特性曲线:曲线越陡,曲线越陡,电压越稳电压越稳定。定。工作区工作区UZIZU 例例2:下图中,已知:下图中,已知VA=3V, VB=0V, VDA 、VDB
15、为锗为锗管,求输出端管,求输出端Y的电位并说明的电位并说明二极管的二极管的作用。作用。 解:解: VDA优先导通,则优先导通,则VY=30.3=2.7VVDA导通后导通后, VDB因反偏而截止因反偏而截止,起隔离作用起隔离作用, VDA起钳位作用起钳位作用,将将Y端的电位钳制在端的电位钳制在+2.7V。 VDA 12VYABVDBR二极管导通后,管子上的管压降基本恒定。二极管导通后,管子上的管压降基本恒定。uo to to to to 2 3 uou2u2u1uDioioRLT 2 3 2U22U22U2Im 2 2 3 3 uDVDu2正正半周半周负负t uo输出电压平均输出电压平均值(值(
16、U0):):输出电压波形:输出电压波形: 2022ooU45. 0U2tdu21Uuou2u1ioRLTuDVDuO t0 t t t 2 3 uOu2u2u1uDuDiOiOVDRLT 2 3 2U22U22U2Im 2 2 3 3 UO=0.45U2 ,IO=UORL =0.45U2RLID= IO ,UDRM=2U2U2=2.22 UOI2= Im2 ,I2=1.57 IO ,IO=Im 000Im=2U2RL221oiTIVD1和和V VD3导通导通,V,VD2和和V VD4截止截止( (相当于开路相当于开路) )第第8章章 u2Tu1RLuoio+由变压器由变压器 T 和二极管和二极
17、管V D1 VD4 及负载及负载 RL 组成。组成。VD4VD3VD2VD1第第8章章 u2Tu1RLVD4VD3VD2uoioVD1+VD2和和VD4导通,导通,VD1和和VD3截止截止 to to to to 2 3 2 3 2U22U22U2Im 2 2 3 3 uD1uD3uD4uD2UO = 0.9U2 ,0.9U2RLIO=UORL=UDRM =2U2 ,IO= 0.9I2 ,I2 = 1.11 IO , U2 =1.11 UO选用二极管的依据是选用二极管的依据是:ID 应小于应小于IOM (最大整流电流)最大整流电流)UDRM应小于应小于UR M(最高反向工作电压最高反向工作电压
18、)uOu2uDiOID = IO12第第8章章 滤波原理滤波原理:交流电压经整流电路整流后输出的是脉动直交流电压经整流电路整流后输出的是脉动直流,其中既有直流成分又有交流成份。滤波电路流,其中既有直流成分又有交流成份。滤波电路利用储能元件利用储能元件电容电容两端的电压两端的电压(或通过或通过电感电感中的电中的电流流)不能突变的特性不能突变的特性, 将将电容电容与负载与负载RL并联并联(或将或将电电感感与负载与负载RL串联串联),滤掉整流电路输出电压中的交,滤掉整流电路输出电压中的交流成份,保留其直流成份,达到平滑输出电压波流成份,保留其直流成份,达到平滑输出电压波形的目的。形的目的。二极管导通
19、时给电容充电二极管导通时给电容充电, ,二极管截止时电容向负载放电二极管截止时电容向负载放电. .第第8章章 u2Tu1RLVD1VD4VD3VD2uoioCuCau0RL接入(且接入(且RLC较大)时较大)时u2tu0t忽略整流电路内阻忽略整流电路内阻没有电容时的没有电容时的输出波形输出波形整流电路为电整流电路为电容充电容充电电容通过电容通过RL放电,在整放电,在整流电路电压小于电容电流电路电压小于电容电压时,二极管截止,整压时,二极管截止,整流电路不为电容充电,流电路不为电容充电,u0会逐渐下降。会逐渐下降。具体分析:具体分析:u1u2u1bD4D2D1D3RLSCu2tu0t忽略整流电路
20、内阻忽略整流电路内阻只有整流电路输只有整流电路输出电压大于出电压大于u0的的时间区间,才有时间区间,才有充电电流。因此充电电流。因此整流电路的输出整流电路的输出电流是脉冲波。电流是脉冲波。整流电路的整流电路的输出电流输出电流RL接入(且接入(且RLC较大)时较大)时u1u2u1bD4D2D1D3RLSCu0输出波形随负载电阻输出波形随负载电阻RL或或C的变化而改变的变化而改变,U0也随也随之改变。之改变。如如:RL愈小愈小(I0越大越大),U0下降多。下降多。电容滤波电路适用于输出电压较高电容滤波电路适用于输出电压较高,负载电负载电流较小且负载变动不大的场合。流较小且负载变动不大的场合。(4)
21、、输出特性、输出特性(外特性外特性):uL电容电容滤波滤波纯电阻负载纯电阻负载1.4U20.9U20IL结论结论滤波滤波电路电路整流整流电路电路稳压稳压电路电路负负载载变压变压器器交流交流电源电源各部分电路输出波形各部分电路输出波形TRLCUiRIRUZIZVZUou2iou1稳压稳压当输入电压当输入电压Ui发生变化,发生变化,负载负载RL变化时,输出电压基本不变变化时,输出电压基本不变下面分别以两种情况来讨论:下面分别以两种情况来讨论:U0IZUR=IRR=(IZ+Io)RU0当当Ui增加使增加使U0升高时升高时TRLCUiRIRUZIZVZUou2iou1U0IZUR=IRR=(IZ+Io
22、)RU0当当RL减小,输出电流增加,使减小,输出电流增加,使U0减小时减小时(1)稳压电路稳压的实质是靠稳压管的调节作用)稳压电路稳压的实质是靠稳压管的调节作用 和电阻的补偿作用。和电阻的补偿作用。(2)使用稳压管时必须串联电阻。)使用稳压管时必须串联电阻。 (3)在稳压电路中,稳压管通常为反接;)在稳压电路中,稳压管通常为反接;UZ= UO ,IZmax 2 3 IOmaxRLUiUZIZVZUoioRIR1. 1.简介简介随着半导体工艺的发展随着半导体工艺的发展,现在已生产并广泛应用现在已生产并广泛应用的单片集成稳压电源,具有体积小的单片集成稳压电源,具有体积小,可靠性高可靠性高,使用使用
23、灵活灵活,价格低廉等优点。最简单的集成稳压电源只价格低廉等优点。最简单的集成稳压电源只有输入,输出和公共引出端有输入,输出和公共引出端,故称之为三端集成稳故称之为三端集成稳压器。压器。本节主要介绍常用的本节主要介绍常用的W7800系列系列三端集成稳压三端集成稳压器,其内部是串联型晶体管稳压电路。器,其内部是串联型晶体管稳压电路。该组件的外形如下图,稳压器的硅片封装在普该组件的外形如下图,稳压器的硅片封装在普通功率管的外壳内,电路内部附有短路和过热保护通功率管的外壳内,电路内部附有短路和过热保护环节。环节。1端端: 输入端输入端2端端: 公共端公共端3端端: 输出端输出端W7800系列稳压器外形
24、系列稳压器外形1231端端: 公共端公共端2端端: 输入端输入端3端端: 输出端输出端W7900系列稳压器外形系列稳压器外形123W78,W79系列内部是:系列内部是:由五个环节组成由五个环节组成UoUi整整流流滤滤波波Uo = 12VW7812123Co+UiCi可根据需要可根据需要, 选用选用W78XX, 则则 Uo = XX V。第第8章章输入与输输入与输出端之间出端之间的电压一的电压一般不得低般不得低于于3V3V!W7915W7815CO+15V15VUO1选用不同稳压值的选用不同稳压值的 78XX 和和 79XX, 可构成可构成同时输出不对称正、负电压的稳压电路同时输出不对称正、负电
25、压的稳压电路。UiUO1CiCOCi4.集成稳压电路的主要性能指标集成稳压电路的主要性能指标以以CW7805为例为例最大输入电压:最大输入电压:35V最小输入电压:最小输入电压:7V最大输出电流:最大输出电流:1.5A电压调整率:电压调整率:7.0mV(输入电压变化(输入电压变化10%时,输出电压的时,输出电压的 相对变化量。)相对变化量。)输出电阻:输出电阻:17m (输入电压和温度不变时,输出电压变(输入电压和温度不变时,输出电压变 化量和输出电流变化量之比的绝对值。)化量和输出电流变化量之比的绝对值。)最大耗散功率:最大耗散功率:15W(必须按规定散热片)(必须按规定散热片)第七章 晶体
26、三极管及基本放大电路 晶体三极管是具有放大作用的半导体器件,由三极管组成的放大电路广泛应用于各种电子设备中,例如收音机、扩音机、测量仪器及自动控制装置等。本章介绍三极管应用的必备知识及由它构成的基本放大电路的工作原理和一般分析方法。 第一节第一节 晶体三极管晶体三极管晶体三极管是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件,它由两个晶体三极管是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件,它由两个PN结构成,在电路中主要作为放大和开关元件使用。结构成,在电路中主要作为放大和开关元件使用。 一、结构与分类一、结构与分类 1 1外形外形 近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装;大功率三极管多采
27、用金属封近年来生产的小、中功率管多采用硅酮塑料封装;大功率三极管多采用金属封装,通常做成扁平形状并有螺钉安装孔,有的大功率管制成螺栓形状。装,通常做成扁平形状并有螺钉安装孔,有的大功率管制成螺栓形状。2.2.结构结构 三极管的核心是两个互相联系的三极管的核心是两个互相联系的PN结,按两个结,按两个PN结的组合方式不同,可分为结的组合方式不同,可分为NPN型和型和PNP型两类型两类。 PNP型三极管 NPN型三极管三极管内部有发射区、基区和集电区,引出电极分别为三极管内部有发射区、基区和集电区,引出电极分别为发射极发射极e e、基极基极b b、集电集电极极c c。发射区与基区之间的。发射区与基区
28、之间的PNPN结称为发射结,集电区与基区之间的结称为发射结,集电区与基区之间的PNPN结称为集电结。结称为集电结。 BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结发射区:掺发射区:掺杂浓度较高杂浓度较高基区:较薄,基区:较薄,掺杂浓度低掺杂浓度低集电区:集电区:面积较大面积较大3.3.分类分类 三极管的种类很多,通常按以下方法进行分类:三极管的种类很多,通常按以下方法进行分类:按半导体制造材料可分为:按半导体制造材料可分为:硅管和锗管。硅管受温度影响较小、工作稳定,硅管和锗管。硅管受温度影响较小、工作稳定,因此在自动控制设备中常用硅管。因此在自动控制设备中常用硅管。 按三
29、极管内部基本结构可分为:按三极管内部基本结构可分为:NPN型和型和PNP型两类。目前我国制造的硅管型两类。目前我国制造的硅管多为多为NPN型型(也有少量也有少量PNP型型),锗管多为,锗管多为PNP型。型。 按工作频率可分为:按工作频率可分为:高频管和低频管。工作频率高于高频管和低频管。工作频率高于3MHz为高频管,工作为高频管,工作频率在频率在3MHz以下为低频管。以下为低频管。按功率可分为:按功率可分为:小功率管和大功率管。耗散功率小于小功率管和大功率管。耗散功率小于1W为小功率管,耗散为小功率管,耗散功率大于功率大于1W为大功率管。为大功率管。按用途可分为:按用途可分为:普通放大三极管和
30、开关三极管等。普通放大三极管和开关三极管等。 ECBIIIBCII电流放大原理电流放大原理NNP发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏发射区电发射区电子不断向子不断向基区扩散,基区扩散,形成发射形成发射极电流极电流I IE E。电子与基电子与基区空穴复区空穴复合形成合形成I IB B穿过集电穿过集电结形成结形成I IC CIBICEBRBECIE三个极电流的关系为三个极电流的关系为IC与与IB之比称为电流放大倍数之比称为电流放大倍数二、三极管的电流放大作用二、三极管的电流放大作用 1 1三极管放大条件三极管放大条件要使三极管能够正常放大信号,发射结应加正向电压,集电结应加反向电压。要使三极管
31、能够正常放大信号,发射结应加正向电压,集电结应加反向电压。 NPN管偏置电路 PNP管偏置电路 电源电源VCC通过偏置电阻通过偏置电阻Rb为发射结提供正向偏置,为发射结提供正向偏置,RC阻值小于阻值小于Rb阻值,所以集阻值,所以集电结处于反向偏置。电结处于反向偏置。 在实际放大电路中,除了共发射极联接方式外,还有共集电极和共基极联接方在实际放大电路中,除了共发射极联接方式外,还有共集电极和共基极联接方式。式。 共发射极接法 共基极接法 共集电极接法 特性曲线特性曲线一、一、输入特性输入特性IB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE =0.5VUCE 1V 死区电死区电压,硅管压
32、,硅管0.5V,锗,锗管管0.2V。工作压降:工作压降: 硅管硅管UBE 0.60.7V,锗锗管管UBE 0.20.3V。二、二、输出特性输出特性1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 AIC(mA )当当UCE大于一大于一定的数值时,定的数值时,IC只与只与IB有关,有关,IC= IB。此区域满此区域满足足IC= IB称为线性称为线性区(放大区(放大区)。区)。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A截止区截止区放大放大区区饱和区饱和区输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点:(1)放大区:放大区
33、:发射结正偏,集电结反偏。发射结正偏,集电结反偏。 即:即: IC= IB , 且且 IC = IB(2) 饱和区:饱和区:发射结正偏,集电结正偏。发射结正偏,集电结正偏。 即:即:UCE UBE , IBIC,UCE 0.3V (3) 截止区:截止区: UBE 死区电压,死区电压, IB=0 , IC=ICEO 0 1 1三极管型号三极管型号 国产三极管的型号由五部分组成。国产三极管的型号由五部分组成。 第一部分是数字第一部分是数字“3”,表示三极管。,表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极性。性。 APNP锗材料,BNPN锗材料, CPNP硅材料,DNPN硅材料。 第三部分是用拼音字母表示管子的类型。第三部分是用拼音字母表示管子的类型。 X低频小功率管,G 高频小功率管, D低频大功率管,A 高频大功率管。 第四部分用数字表示器件的序号。第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。第五部分用拼音字母表示规格号。三极管型号的读识3AG54A三极管三极管 PNP锗材料锗材料 高频小功率高频小功率 序号序号 规格规格号号五、三极管引脚与管型的判别五、三极管引脚与管型的判别 (1)先确定)先确定b极极(2)判断)判断e
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
最新文档
- 2025江西省安全员-C证考试(专职安全员)题库及答案
- 2025陕西省建筑安全员《B证》考试题库及答案
- 2025浙江省安全员A证考试题库附答案
- 二十四节气之立春课件模板
- 《蛋糕制作》课件
- 工艺管道培训课件
- 《海南海口夏竞》课件
- 单位管理制度收录大合集【人员管理篇】
- 有机玻璃操作箱行业行业发展趋势及投资战略研究分析报告
- 2025年节油设备项目评估报告
- 分布式计算安全与隐私保护
- 客情关系的有效维护
- 《班主任工作》教学大纲
- 新版出口报关单模板
- 北京市西城区师范学校附属小学北师大版数学六年级上册期末试题测试题及答案
- 杭州工地数字化施工方案
- 腾讯云大数据云平台TBDS 产品白皮书
- 网球国家二级裁判培训讲座
- 安全防护、文明施工措施项目支出清单
- 社交媒体在人力资源招聘中的角色与利用研究
- 中南大学军事理论学习通超星课后章节答案期末考试题库2023年
评论
0/150
提交评论