第8章半导体传感器

1、第第8 8章章 半导体传感器半导体传感器8.1 8.1 气敏传感器气敏传感器* *8.2 8.2 湿敏传感器湿敏传感器* *8.3 8.3 磁敏传感器磁敏传感器* *8.4 8.4 色敏传感器色敏传感器8.5 8.5 半导体传感器的应用半导体传感器的应用、气敏传感器概念及组成、气敏传感器概念及组成气敏传感器气敏传感器-测定气体的测定气体的类别类别、浓度浓度和和特定成分特定成分，并，并 将其转换为电信号的器件。将其转换为电信号的器件。主要类型主要类型- 电阻式电阻式半导体气体半导体气体传感器、传感器、电容式陶瓷电容式陶瓷气气体传感器、体传感器、电化学气体电化学气体传感器等。传感器等。8.1.1

2、8.1.1 半导体气敏传感器概述半导体气敏传感器概述主要组成主要组成-敏感敏感、识别与信号放大处理识别与信号放大处理 。8.1 气敏传感器气敏传感器 （）按结构分类（）按结构分类干式传感器干式传感器-使用时必须加热，使电介质和催化剂长期使用时必须加热，使电介质和催化剂长期 处于高温状态。往往会导致性能劣化。处于高温状态。往往会导致性能劣化。湿式传感器湿式传感器-电极表面浸入电解液中，根据化学反应所电极表面浸入电解液中，根据化学反应所 引起的变化量引起的变化量( (包括颜色的变化，离子量包括颜色的变化，离子量 的变化，电流的变化等的变化，电流的变化等) )来进行检测。来进行检测。2 2、气敏传感

3、器分类、气敏传感器分类 （）按构成气敏传感器材料的特性分类：（）按构成气敏传感器材料的特性分类：半导体半导体和和非半导体非半导体气敏传感器气敏传感器。（3 3）半导体气敏传感器半导体气敏传感器的分类的分类表表8.18.1 物理特性物理特性敏感材料敏感材料工作温度工作温度被测气体被测气体电电阻阻型型电电阻阻表面电阻控制表面电阻控制 氧化锡氧化锡氧化锌氧化锌室温室温450 可燃性气体可燃性气体体电阻控制体电阻控制氧化钛氧化钛氧化锡氧化锡氧化镁氧化镁300450可燃性气体可燃性气体乙醇乙醇氧气氧气非非电电阻阻型型表面电位表面电位氧化银氧化银室温室温硫硫醇醇二极管整流特性二极管整流特性铂铂/ /硫化镉

4、硫化镉铂铂/ /氧化钛氧化钛室温室温450氢气氢气一氧化碳一氧化碳乙醇乙醇晶体管特性晶体管特性铂栅铂栅MOSMOS场效应管场效应管150氢气氢气硫化氢硫化氢、半导体半导体气敏材料与传感器发展概况气敏材料与传感器发展概况 P P型半导体型半导体气敏材料气敏材料-主要载流子是空穴，常用主要载流子是空穴，常用NiO、 CuO、LaFeO3等。等。气敏传感器发展气敏传感器发展-随随材料科学材料科学研究的发展；研究的发展；N N型半导体型半导体气敏材料气敏材料-主要载流子是电子，常用主要载流子是电子，常用Sn02、 Fe2O3、ZnO等；等；发展趋势发展趋势 一一 维纳米材料气敏材料，维纳米材料气敏材料

5、， 纳米气敏传感器，纳米气敏传感器， 小型化、集成化、智能化、多功能化。小型化、集成化、智能化、多功能化。 v具有小的具有小的交叉灵敏度交叉灵敏度； v具有较高的灵敏度和较宽动态响应范围具有较高的灵敏度和较宽动态响应范围v性能稳定，传感器特性不随环境温度性能稳定，传感器特性不随环境温度湿度的变化而发生变化湿度的变化而发生变化 ；v重复性好，易于维护等。重复性好，易于维护等。 4、气敏传感器应满足下列要求、气敏传感器应满足下列要求v电阻型半导体气敏传感器工作机理可以用电阻型半导体气敏传感器工作机理可以用吸附效吸附效应应来解释。来解释。 v气体气体接触接触N型型半导体时所导致的敏感器件阻值变半导体

6、时所导致的敏感器件阻值变化的情况，如图所示；化的情况，如图所示；8.1.2 8.1.2 半导体气敏传感器工作机理半导体气敏传感器工作机理电子电子吸收型吸收型气体：气体：如氧气氮氧化物如氧气氮氧化物电子电子供给型供给型气体：气体：如氢气碳氢化合物如氢气碳氢化合物 敏感元件敏感元件固有电阻固有电阻R R和和工作电阻工作电阻RsRs)()(12cRcRKss8.1.3 8.1.3 半导体气敏传感器主要参数半导体气敏传感器主要参数 灵敏度灵敏度 表征气敏传感器对被测某气体的敏感程度。表征气敏传感器对被测某气体的敏感程度。 用下式表示：用下式表示： 其中：其中：Rs(cRs(c2 2) )：代表浓度为：

7、代表浓度为c c2 2时元件的电阻值；时元件的电阻值； Rs(cRs(c1 1) )：表示浓度为：表示浓度为c c1 1时元件的电阻值时元件的电阻值. .S SA/BA/B- -传感器对传感器对A A气体的气体的选择性系数选择性系数；K KA A传感器在单纯传感器在单纯A A气体中的灵敏度气体中的灵敏度 ；K KB B气体传感器在单纯气体传感器在单纯B B气体中的灵敏度。气体中的灵敏度。BAA/BKKS选择性选择性：表示气体传感器对被测气体的识别表示气体传感器对被测气体的识别( (选择选择) ) 以及对干扰气体的抑制能力。表示如下：以及对干扰气体的抑制能力。表示如下： 响应时间响应时间：表示气

8、敏器件对被检测气体响应速度表示气敏器件对被检测气体响应速度； 恢复时间恢复时间：表示气敏元件对被测气体的脱附速度，表示气敏元件对被测气体的脱附速度， 用用t trecrec表示表示 。 半导体气敏传感器结构分为：半导体气敏传感器结构分为：烧结型、薄膜型烧结型、薄膜型和和厚膜型。厚膜型。图图8.2 8.2 烧结型半导体气敏传感器结构烧结型半导体气敏传感器结构8.1.4 8.1.4 半导体气敏传感器的结半导体气敏传感器的结构构 （1 1） 烧结型气敏器件的结构烧结型气敏器件的结构 直热式烧结型气体传感器直热式烧结型气体传感器将加热元件与测量电极一同烧结在将加热元件与测量电极一同烧结在氧化物材料及催

9、氧化物材料及催化添加剂的混合体内，加热元件直接对氧化物敏感化添加剂的混合体内，加热元件直接对氧化物敏感元件加热元件加热 。 采用陶瓷管做基底，将加热元件装入陶瓷管内，而测量采用陶瓷管做基底，将加热元件装入陶瓷管内，而测量电极、氧化物材料及催化添加剂则烧结在陶瓷管的外壁，加电极、氧化物材料及催化添加剂则烧结在陶瓷管的外壁，加热元件经陶瓷管热元件经陶瓷管璧均匀地对氧化物敏感元件加热。璧均匀地对氧化物敏感元件加热。 旁热式烧结型气敏传感器旁热式烧结型气敏传感器 以石英或陶瓷为绝缘基片，在基片的一面镀上加以石英或陶瓷为绝缘基片，在基片的一面镀上加热元件。在基片的另一面镀上测量电极及氧化物半导热元件。在

10、基片的另一面镀上测量电极及氧化物半导体膜。体膜。 主要特点：主要特点：l传感器一致性好传感器一致性好l 传感器的机械强度较高，传感器的机械强度较高，l 制造过程较复杂、成本制造过程较复杂、成本 较高。较高。 （2 2） 薄膜型气敏传感器结构薄膜型气敏传感器结构（3） 厚膜型气敏传感器厚膜型气敏传感器 图8.4 厚膜型半导体气敏传感器 厚膜型半导体气敏传感器结构厚膜型半导体气敏传感器结构 SnO2或或ZnO+3%15%硅凝胶厚膜胶硅凝胶厚膜胶厚膜型传感器制作工艺厚膜型传感器制作工艺 是先将氧化物材料与一定比例的黏合剂混合，并加入适是先将氧化物材料与一定比例的黏合剂混合，并加入适量的催化剂制成糊状

11、物，然后将该糊状混合物用丝网印刷工量的催化剂制成糊状物，然后将该糊状混合物用丝网印刷工艺印到已印制好加热元件和艺印到已印制好加热元件和Pt电极的陶瓷基片上。待自然干燥电极的陶瓷基片上。待自然干燥后，置于高温中煅烧而成。后，置于高温中煅烧而成。主要特点主要特点机械强度高、各传感器的重复性好、而且生产工艺简单机械强度高、各传感器的重复性好、而且生产工艺简单 上述三种气敏传感器的共同之处是皆上述三种气敏传感器的共同之处是皆附有加热附有加热 丝丝，加热的方式有直热式和旁热式。，加热的方式有直热式和旁热式。 气敏传感器的电阻变化率与气敏传感器的电阻变化率与气体浓度变化气体浓度变化有关。有关。气敏传感器特

12、点与特性气敏传感器特点与特性 气敏传感器一般气敏传感器一般受环境温度、湿度受环境温度、湿度影响。影响。 SnO2气敏传感器气敏传感器特性特性： 电阻变化率与气体浓度变化关系电阻变化率与气体浓度变化关系 SnOSnO2 2气敏传感器气敏传感器在低浓度下灵敏度较在低浓度下灵敏度较高。适合检测低浓度高。适合检测低浓度微量气体。微量气体。 SnO2半导体气敏传感器半导体气敏传感器温度特性温度特性、非电阻型半导体气敏传感器的结构、非电阻型半导体气敏传感器的结构vMOSMOS二极管气敏元件结构、等效电路二极管气敏元件结构、等效电路利用利用MOS二极管的二极管的电容电压特性电容电压特性或或MOS场场效应晶体

13、管点效应晶体管点电压阈值特性电压阈值特性随气体成分及浓度变化随气体成分及浓度变化而改变的机理制成。而改变的机理制成。MOSMOS二极管气敏传感器特性二极管气敏传感器特性总电容总电容外加电压外加电压8.2 8.2 湿敏传感器湿敏传感器 绝对湿度：绝对湿度：单位体积单位体积空气里所含水蒸气质量空气里所含水蒸气质量 定义式为定义式为 Mv为待测空气的水蒸气质量； V为待测空气的总体积；为待测空气的绝对湿度其单位为 或VMv3mg3mmg8.2.1 湿度表示方法湿度表示方法 湿度湿度-是指大气中所含的水蒸气量是指大气中所含的水蒸气量, 常用常用 绝对湿度绝对湿度、相对湿度相对湿度表示。表示。 相对湿度

14、相对湿度- 空气中所空气中所含水蒸气分压含水蒸气分压和在相同温和在相同温度下度下饱和水蒸气分压饱和水蒸气分压之比。之比。RHPPwv%100)(Pv 为空气温度为为空气温度为t时的空气水蒸气分压；时的空气水蒸气分压；Pw 为空气温度为为空气温度为t时的饱和水蒸气分压时的饱和水蒸气分压其定义为：其定义为： 相对湿度相对湿度= 湿度量程湿度量程: :在规定的精度内能够测量的最大范围。在规定的精度内能够测量的最大范围。图8.9二氧化钛/五氧化二钒湿敏传感器特性8.2.2 湿敏传感器特性参数湿敏传感器特性参数 感湿特性感湿特性:表示感湿特征量表示感湿特征量（电阻）随被测（电阻）随被测相对湿度相对湿度

15、变化的规律。变化的规律。 湿度温度系数湿度温度系数 感湿特性曲线随环境温度变化而改变的特感湿特性曲线随环境温度变化而改变的特性参数性参数 。其定义如下。其定义如下: 绝对温度；绝对温度； 感湿特征量；感湿特征量； 一湿度温度系数，一湿度温度系数， 其单位为其单位为RHRH 常数KTdRHda)()( CO3O4-TiO2湿敏传感器温度特性 灵敏度灵敏度 湿敏传感器输出增量与输入增量之比。湿敏传感器输出增量与输入增量之比。 响应时间响应时间 在规定的环境温度下，由起始相对湿度在规定的环境温度下，由起始相对湿度达到稳定相对湿度时，感湿特征量由起始值达到稳定相对湿度时，感湿特征量由起始值变化到稳定相

16、对湿度对应值所需要的时间。变化到稳定相对湿度对应值所需要的时间。)1 ()(/tteRR其定义如下其定义如下: : R为对应于为对应于(RH)的输出量的输出量的稳定值的稳定值,称为称为时间常数时间常数 湿滞回线和湿滞回差湿滞回线和湿滞回差 传感器的吸湿特性曲线与脱湿特性曲线不一致而形成回线,称湿滞回线湿滞回线8.2.3 8.2.3 半导体陶瓷湿敏电阻半导体陶瓷湿敏电阻当当水分子水分子在半导体表面吸附时，将从半导体陶瓷在半导体表面吸附时，将从半导体陶瓷表面表面俘获电子俘获电子，使其表面带负电。，使其表面带负电。半导体若为型半导体若为型，由于表面电势下降，从而有更由于表面电势下降，从而有更多的空穴

17、到达其表面，使表面层的电阻下降。多的空穴到达其表面，使表面层的电阻下降。 1 1 半导体陶瓷湿敏电阻半导体陶瓷湿敏电阻工作工作机理机理(1) 负负湿敏特性的半导体陶瓷导电机理湿敏特性的半导体陶瓷导电机理 半导体陶瓷湿敏电阻是由不同类型的金属氧化物半导体陶瓷湿敏电阻是由不同类型的金属氧化物材料烧结而成。有材料烧结而成。有负湿敏特性负湿敏特性和和正湿敏特性正湿敏特性两类。两类。图8.12 半导体陶瓷湿敏电阻的负湿敏特性半导体若为型半导体若为型，水分子的吸附同样使表面电势下水分子的吸附同样使表面电势下降，使降，使表面层电子耗尽表面层电子耗尽，并吸引更多的空穴到达其，并吸引更多的空穴到达其表面，这也使

18、型半导体表面电阻下降表面，这也使型半导体表面电阻下降。(2) (2) 正正湿敏特性的半导体陶瓷湿敏特性的半导体陶瓷工作工作机理机理 当水分子吸附在正湿敏特性半导体陶瓷材料的当水分子吸附在正湿敏特性半导体陶瓷材料的 表面时，导致其表面层电子浓度下降。表面时，导致其表面层电子浓度下降。半导体陶瓷导电仍以电子导电为主，于是表面半导体陶瓷导电仍以电子导电为主，于是表面 电阻将由于电子浓度的下降而加大，从而使表电阻将由于电子浓度的下降而加大，从而使表 面电阻随湿度的增加而加大。面电阻随湿度的增加而加大。 图图8.138.13为半导体陶瓷湿敏元件的正湿敏特性为半导体陶瓷湿敏元件的正湿敏特性图8.13 半导

19、体陶瓷湿敏电阻正湿敏特性 比较图比较图8.128.12和图和图8.138.13正湿敏特性的湿敏电阻的正湿敏特性的湿敏电阻的灵敏度要比负湿敏特性的湿敏电阻灵敏度小灵敏度要比负湿敏特性的湿敏电阻灵敏度小。2 2 常用半导体湿敏电阻常用半导体湿敏电阻 （1 1）烧结型半导体陶瓷湿敏电阻）烧结型半导体陶瓷湿敏电阻 半导体陶瓷湿敏传感器结构及等效电路示意图半导体陶瓷湿敏传感器结构及等效电路示意图 图8.14 烧结型半导体陶瓷湿敏元件结构 感湿体感湿体：MgCr2O4-TiO2 多孔陶瓷多孔陶瓷（2）涂覆膜型涂覆膜型Fe3O4湿敏元件湿敏元件 ,由金属氧化由金属氧化 物微粒经过堆积、粘结而成的材料物微粒经

20、过堆积、粘结而成的材料;（3）ZnO-Cr2O3陶瓷湿敏元件，其结构是将陶瓷湿敏元件，其结构是将多孔材料的电极烧结在多孔陶瓷圆片的两多孔材料的电极烧结在多孔陶瓷圆片的两表面上，并焊上铂引线，然后将敏感元件表面上，并焊上铂引线，然后将敏感元件装在有网眼过滤的方形塑料盒中并用树脂装在有网眼过滤的方形塑料盒中并用树脂固定。固定。8.3 磁敏传感器磁敏传感器8.3.1 8.3.1 磁阻传感器磁阻传感器 )273. 01 (220BB表达式为表达式为: 、磁阻效应、磁阻效应 B B磁感应强度为磁感应强度为B B时的电阻率；时的电阻率； B=0B=0时的电阻率；时的电阻率； 电子迁移率；电子迁移率； B

21、B 磁感应强度。磁感应强度。包括：霍尔元件、包括：霍尔元件、磁阻元件磁阻元件、磁敏二极管磁敏二极管、磁敏磁敏三极管三极管等。等。 半导体材料的电阻率随外加磁场而变化的现象。半导体材料的电阻率随外加磁场而变化的现象。 电阻率的相对变化为：电阻率的相对变化为：2220)(273. 0BKB0B磁感应强度从磁感应强度从0变化至变化至B后，电阻率的变化量为：后，电阻率的变化量为： 可见：可见：磁场一定，迁移率越高的材料其磁阻效应磁场一定，迁移率越高的材料其磁阻效应越明显。越明显。2、磁敏电阻的形状、磁敏电阻的形状 )(bLf)(1 )(20bLfBKL L、b b分别为电阻的长度和宽度；分别为电阻的长

22、度和宽度； 形状效应函数形状效应函数 磁阻效应的大小除了与磁阻效应的大小除了与材料材料有关外，还与磁敏有关外，还与磁敏电阻的电阻的几何形状几何形状有关。有关。 若考虑几何形状的影响，则电阻率的相对变若考虑几何形状的影响，则电阻率的相对变化可近似用下式表示：化可近似用下式表示：常见的磁敏电阻是圆盘形的，如图常见的磁敏电阻是圆盘形的，如图8.158.15.图图8.168.16为为磁阻率磁阻率与磁感应强度及几何形状的关系与磁感应强度及几何形状的关系3 3、磁敏电阻特性、磁敏电阻特性 在在低磁场低磁场范围内，其电阻值与磁场强度的平方成范围内，其电阻值与磁场强度的平方成正比关系；在高正比关系；在高磁场磁

23、场范围内，其电阻值与磁场强范围内，其电阻值与磁场强度成线性关系。度成线性关系。1 1 结构结构 磁敏二极管磁敏二极管(SMD)的结构的结构8.3.2 磁敏二极管磁敏二极管在高阻半导体芯片（在高阻半导体芯片（本征区本征区I）的两端，分别）的两端，分别制作制作P、N两个电极，形成两个电极，形成P-I-N结结。2 2 工作原理工作原理 图8.19 磁敏二极管工作原理 （a）图图a未加磁场未加磁场时，如果外加正偏压，则：时，如果外加正偏压，则： 同时应有大量电子注入同时应有大量电子注入P区，形成电流；区，形成电流； 只有少量电子和孔穴在只有少量电子和孔穴在I区复合。区复合。 有大量的空穴从有大量的空穴

24、从P区通过区通过I 区进入区进入N区；区；图8.19 磁敏二极管工作原理 电子和空穴向电子和空穴向r区偏转，在区偏转，在r区电子和空穴复合的速度区电子和空穴复合的速度 很快，它们将因复合而消失；很快，它们将因复合而消失；（b） 图图b，当受到，当受到正向磁场作用正向磁场作用时，电子和空穴都受到时，电子和空穴都受到 洛仑兹力的作用而偏转。洛仑兹力的作用而偏转。 结果：结果：电流减小，电阻增加。电流减小，电阻增加。图8.19 磁敏二极管工作原理（c）图图c当受到当受到负向磁场作用负向磁场作用时，电子和空穴则向另时，电子和空穴则向另 一面偏转一面偏转 此时它们的复合率变小，可使此时它们的复合率变小，

25、可使电流增大，电阻减小电流增大，电阻减小。以上分析可知以上分析可知：根据电流大小可测磁场的方向和强度：根据电流大小可测磁场的方向和强度。3 3 磁敏二极管的主要特性磁敏二极管的主要特性(1)(1)磁电特性磁电特性 在给定条件下，磁敏二极管输出的电压变化与外加磁在给定条件下，磁敏二极管输出的电压变化与外加磁场的关系场的关系 。图图8.21 8.21 硅磁敏二极管输出电压与硅磁敏二极管输出电压与B B的关系的关系(2) (2) 伏安特性伏安特性 磁敏二极管磁敏二极管正向偏压正向偏压与通过其电流的关系与通过其电流的关系 (3) (3) 灵敏度灵敏度%100UK00BLUUU0磁感应强度为零时，磁敏二

26、极管两端的电压磁感应强度为零时，磁敏二极管两端的电压;UB磁感应强度为磁感应强度为B时，磁敏二极管两端的电压时，磁敏二极管两端的电压 在恒流源偏置下，磁敏二极管的输出电压随磁感应强在恒流源偏置下，磁敏二极管的输出电压随磁感应强度度B变化而产生的相对变化定义为变化而产生的相对变化定义为电压相对灵敏度电压相对灵敏度KL (4) (4) 温度特性温度特性图图8.22 8.22 硅磁敏二极管输出电压的温度特性硅磁敏二极管输出电压的温度特性在标准测试条件下，输出电压随温度变化的特性。在标准测试条件下，输出电压随温度变化的特性。 磁敏二极管特点磁敏二极管特点1)1)灵敏度高。灵敏度高。2)2)具有具有正反

27、向磁灵敏度正反向磁灵敏度, ,这是磁阻器件所不具备的这是磁阻器件所不具备的3)3)在较小电流下工作时，仍有很高的灵敏度在较小电流下工作时，仍有很高的灵敏度. .4)4)它的缺点是灵敏度与磁场呈线性关系的范围窄。它的缺点是灵敏度与磁场呈线性关系的范围窄。8.3.3 磁敏三极管磁敏三极管 v磁敏三极管分两种磁敏三极管分两种: 3BCM型型锗磁敏三极管锗磁敏三极管, 3CCM型型硅磁敏三极管硅磁敏三极管v磁敏晶体管的放大系数是随着磁场方向变磁敏晶体管的放大系数是随着磁场方向变化的；化的；v而且具有正反向不同的磁灵敏度。而且具有正反向不同的磁灵敏度。8.4 8.4 色敏传感器色敏传感器（不讲）（不讲）

28、 色敏传感器是基于半导体的内光电效应，色敏传感器是基于半导体的内光电效应， 将光信号变为电信号的光辐射探测器件。将光信号变为电信号的光辐射探测器件。 可直接用来测量从可见光到近红外光波段可直接用来测量从可见光到近红外光波段 内单色辐射光波。内单色辐射光波。 8.4.1 8.4.1 半导体色敏传感器基本原理半导体色敏传感器基本原理 价带电子吸收光子而从价带跃迁到导带价带电子吸收光子而从价带跃迁到导带,从而使光在半从而使光在半导体中传播时衰减导体中传播时衰减.这种吸收光子的过程称为本征吸收这种吸收光子的过程称为本征吸收 ,其其特性曲线如图特性曲线如图8.23所示所示;v光电器件常用量子效率来表征光

29、生电子流与入射光子流的比值大小v理论证明，P区在不同结深时，其量子效率随波长而变化，特性曲线如图 Xj表示P结的深度 图8.24 量子效率随波长的变化 1.双色硅色敏器件工作原理 双色硅色敏器件的结构与其其等效电路如图8.25所示 v利用不同结深的二极管的组合，就可构成测量特定波长的半导体色敏传感器 图8.25 双结色敏二极管结构v具体使用时，要对该色敏器件进行标定, 测定比值 v如图8.26给出了不同结深色敏二极管的光谱响应曲线 SD1SD2II 图8.26 双结色敏二极管光谱特性 2.三色硅色敏器件的工作原理 对于多波长组成的混合色光，特别是印刷物或颜料的颜色识别，必须用三色硅色敏器件 .

30、如图8.27为一种全色色敏器件的结构示意图; 图8.27 全色色敏器件结构示意图1 光谱特性8.4.2 半导体色敏传感器的基本特性半导体色敏传感器的基本特性光谱特性是表示它所能检测的波长范围光谱特性是表示它所能检测的波长范围 2 2、短路电流比、短路电流比波长特性波长特性图8.28 色敏传感器短路电流比波长特性 表征半导体色敏器件对波长的识别能力 8.5 8.5 半导体传感器的应用半导体传感器的应用气敏传感器可用于检测环境中某特定气体气敏传感器可用于检测环境中某特定气体( (特特别是可燃气体别是可燃气体) )的成分、浓度等。的成分、浓度等。图8.29 有毒气体监测报警8.5.18.5.1气敏传

31、感器应用气敏传感器应用 QM-N5:对瓦斯敏感的气敏传感器对瓦斯敏感的气敏传感器; IC采用采用LC179型三模拟声报警专用集成芯片型三模拟声报警专用集成芯片; RP设置报警阈值电位设置报警阈值电位.图图8.30 8.30 矿井瓦斯超限报警器原理图矿井瓦斯超限报警器原理图1 SMC-2型型湿度传感器湿度传感器8.5.2 8.5.2 湿度传感器应用湿度传感器应用湿敏元件是用金属氧化物半导体材料制成多孔半导体陶湿敏元件是用金属氧化物半导体材料制成多孔半导体陶瓷，它的电导率随着对水蒸汽的吸、脱附而发生变化瓷，它的电导率随着对水蒸汽的吸、脱附而发生变化 图图8.31为为SMC2型湿度检测原理框图，它用

32、湿敏器型湿度检测原理框图，它用湿敏器件实现件实现“湿一电湿一电”转换转换 在实际测量时在实际测量时, ,传感器必须按下述程序工作传感器必须按下述程序工作 SMC-2 湿度传感器工作程序图湿度传感器工作程序图 2 2 自动去湿控制自动去湿控制 用于汽车驾用于汽车驾驶室挡风玻璃的驶室挡风玻璃的自动去湿电路。自动去湿电路。图8.33 自动去湿控制电路3.室内湿度控制器室内湿度控制器图图8.34 湿度控制器电路原理图湿度控制器电路原理图 采用采用KSC-6V集成相对湿敏传感器集成相对湿敏传感器,其输出电压随相对湿度其输出电压随相对湿度的增加成线性递增，其相对湿度的增加成线性递增，其相对湿度(0100%)RH对应的输出对应的输出电压为电压为0100mV