三极管特性曲线参数及场效应管 模拟电子 传感器技术 教学ppt课件_第1页
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文档简介

1、 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如以下图。图 共发射极接法的电压-电流关系双极型半导体三极管的特性曲线; iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。 输入特性曲线 iB=fvBE vCE=const 输出特性曲线 iC=fvCE iB=const共发射极接法三极管的特性曲线，即;1 输入特性曲线; 2输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以阐明，当vCE=0 V时，因集电极无搜集作用，iC=0。当vCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集

2、电结反偏电压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0，VGS=0， ID不等于零。2VGS0时，ID 。3VGS0时，ID 。图图 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET的构造的构造; a a 构造表示图构造表示图 b b 转移特性曲线转移特性曲线 图图02.17 N02.17 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFETMOSFET的构造的构造 和和转移特性曲线转移特性曲线 2N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET; 3P沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET P沟道沟道MOSFET的任务原理与的任务原理与N沟道沟道MOSFET完全一样，只不过导电的载流完全一样，只不过导电的载

3、流子不同，供电电压极性不同而已。这如子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有同双极型三极管有NPN型和型和PNP型一样。型一样。; 图02.18 各类场效应三极管的特性曲线绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型伏安特性曲线伏安特性曲线;绝缘栅场效应管 N沟道耗尽型P 沟道耗尽型;结型场效应管 N沟道耗尽型P沟道耗尽型;2.2.4 2.2.4 场效应三极管的参数和型号场效应三极管的参数和型号1 场效应三极管的参数 开启电压VGSth 或VT 开启电压是MOS加强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 夹断电压VGSoff 或VP 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGSoff 时,漏极电流为零。 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。; 输入电阻输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时结型场效应三极管，反偏时RGS约大于约大于107，对，对于绝缘栅型场效应三极管于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是约是1091015。 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制造用，这一点与电子管的控制造用类似。gm可以在转 移特性曲线上求

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