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文档简介
1、微弧氧化工艺及设备微弧氧化(Microarc oxidation,MAO)又称微等离子体氧化(Microplasma oxidation, MPO),是通过电解液与相应电参数的组合,在铝、镁、钛及其合金表面依靠弧光放电产生的瞬时高温高压作用,生长出以基体金属氧化物为主的陶瓷膜层。在微弧氧化过程中,化学氧化、电化学氧化、等离子体氧化同时存在,因此陶瓷层的形成过程非常复杂,至今还没有一个合理的模型能全面描述陶瓷层的形成。微弧氧化工艺将工作区域由普通阳极氧化的法拉第区域引入到高压放电区域,克服了硬质阳极氧化的缺陷,极大地提高了膜层的综合性能。微弧氧化膜层与基体结合牢固,结构致密,韧性高,具有良好的耐
2、磨、耐腐蚀、耐高温冲击和电绝缘等特性。该技术具有操作简单和易于实现膜层功能调节的特点,而且工艺不复杂,不造成环境污染,是一项全新的绿色环保型材料表面处理技术,在航空航天、机械、电子、装饰等领域具有广阔的应用前景。微弧氧化或微等离子体表面陶瓷化技术,是指在普通阳极氧化的基础上,利用弧光放电增强并激活在阳极上发生的反应,从而在以铝、钛、镁金属及其合金为材料的工件表面形成优质的强化陶瓷膜的方法,是通过用专用的微弧氧化电源在工件上施加电压,使工件表面的金属与电解质溶液相互作用,在工件表面形成微弧放电,在高温、电场等因素的作用下,金属表面形成陶瓷膜,达到工件表面强化的目的。微弧氧化技术的突出特点是:(1
3、)大幅度地提高了材料的表面硬度,显微硬度在1000至2000HV,最高可达3000HV,可与硬质合金相媲美,大大超过热处理后的高碳钢、高合金钢和高速工具钢的硬度;(2)良好的耐磨损性能;(3)良好的耐热性及抗腐蚀性。这从根本上克服了铝、镁、钛合金材料在应用中的缺点,因此该技术有广阔的应用前景;(4)有良好的绝缘性能,绝缘电阻可达100M。(5)溶液为环保型,符合环保排放要求。(6)工艺稳定可靠,设备简单.(7)反应在常温下进行,操作方便,易于掌握。(8)基体原位生长陶瓷膜,结合牢固,陶瓷膜致密均匀。所需设备1、输入电源:采用三项380V电压。2、微弧氧化电源因电压要求较高(一般在510700V
4、之间),需专门定制。通常配备硅变压器。电源输出电压:0750V可调电源输出最大电流:5A、10A、30A、50A、100A等可选。3、微弧氧化槽及配套设施槽体可选用PP、PVC等材质,外套不锈钢加固。可外加冷却设施或配冷却内胆。4、挂具及阴极材料挂具可选用铝或铝合金材质,阴极材料选用不溶性金属材料,推荐不锈钢。微弧氧化专用电源、槽组部分、循环冷却部分、搅拌部分、导轨行车部分等。 规格:120A 150A 200A 240A 280A 350A 500A) 1、带液晶显示屏/触摸屏,自动控制,任意设定加工电流、电压、频率、占空比、时间、波形组合以及有关工艺参数。 2、具有在线可编程功能,有工艺参
5、数存储和调用功能,单、双极性输出方式可任意设置。(工艺过程采用DSP自动控制) 3、加工时间可在0-999分钟之间选择,精确到秒。 4、具有恒流、恒压输出方式;可恒流、恒压在线无扰动自动转换。 5、正、负向脉冲个数可以单独组合设定,正、负向脉冲个数设定范围1-100,0-20。 6、正向直流输出最高为:电流/电压500A/750V;负向直流输出最高为: 电流/电压500A/300V;电流和电压在设计范围内可连续任意设定。 7、正、负向脉冲宽度单独可调,占空比在1095之间调节。 8、脉冲频率范围可在100-2000Hz之间设置。 9、电源内部的电器元件采用循环水冷却和风冷方式,安全可靠。 10
6、、具有短路、过流、过压、过热、缺相、缺水等保护措施。 微弧氧化槽液:微弧氧化主要针对铝、镁、钛、锆、铌、铊等阀金属(阀金属是指在电解液中起到电解阀门作用的金属)。铝钛可选用同一种液体。1.氧化液密度:不同液体有不同比重,大体比重在1.01.1不等。2.氧化液工作电压:400V750V。3.电流密度:液体不同,工件电流密度不同。大体约:每平方分米0.010.1安培。但也有大电流情况出现,且超过每平方分米8安培。4.微弧氧化时间:1060分钟,时间越长,膜层越致密,但粗糙度也增加。5.液体酸碱度:碱性,PH通常为8136.微弧氧化工艺流程:去油 - 水洗 - 微弧氧化 - 纯水洗 - 封闭影响因素
7、1.工件材质及表面状态(1)微弧氧化对铝材要求不高,不管是含铜或是含硅的难以阳极氧化铝合金,只要阀金属比例占到40%以上,均可用于微弧氧化,且能得到理想膜层。(2)表面状态一般不需要经过抛光处理,对于粗糙的表面,经过微弧氧化,可修复的平整光滑;对于粗糙度低(即光滑)的表面,则会增加粗糙度。2.液体成分对氧化造成的影响电解液成分是得到合格膜层的关键因素。微弧氧化液一般选用含有一定金属或非金属氧化物碱性盐溶液,如硅酸盐、磷酸盐、硼酸盐等。在相同的微弧电解电压下,电解质浓度越大,成膜速度就越快,溶液温度上升越慢,反之,成膜速度较慢,溶液温度上升较快。3.温度对微弧氧化的影响微弧氧化与阳极氧化不同,所需温度范围较宽。一般为1090度。温度越高,成膜越快,但粗糙度也增加。且温度高,会形成水气。一般建议在2060度。由于微弧氧化以热能形式释放,所以液体温度上升较快,微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。4.时间对微弧氧化的影响微弧氧化时间一般控制在1060min。
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