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文档简介
1、会计学1拉扎维模拟拉扎维模拟CMOS集成电路设计作业答集成电路设计作业答案详解完整案详解完整NMOS管:管: 假设阈值电压假设阈值电压VTH=0.7V,不考虑亚不考虑亚阈值导电阈值导电 当当VGS0.7V时,时, NMOS管工作在饱和区,管工作在饱和区,NMOS管的有效沟道长度管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD,则,则21() (13)2DnoxGSTHneffWICVVL3212.8 10 (0.7)DGSIV2350/ncmV s60.08 10DLm10.1nV20323.837 10/siooxoxCF mt 99 10oxtm1208.854 10/F m23.9sio第1页/
2、共38页PMOS管:管: 假设阈值电压假设阈值电压VTH= -0.8V,不考虑不考虑亚阈值导电亚阈值导电 当当| VGS | 0.8V 时,时,PMOS管工作在截止区,则管工作在截止区,则ID=0 当当| VGS | 0.8V时,时, PMOS管工作在饱和区,管工作在饱和区,PMOS管的有效沟道长度管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD,则,则21() (13)2DpoxGSTHpeffWICVVL324.8 10 (0.8)DSGIV2100/pcmV s60.09 10DLm10.2pV20323.837 10/siooxoxCF mt 99 10oxtm1208.854 10/F m2
3、3.9sio第2页/共38页23.66/mnoxDWgCImA VL1)NMOS311200.1 0.5 10onDrkI333.66 1020 1073.2m og r2)PMOS21.96/mPoxDWgCImA VL311100.2 0.5 10oPDrkI331.96 1010 1019.6m og r20323.837 10/siooxoxCF mt 41.34225 10/noxCF V s2100/pcmV s53.835 10/poxCF V s第3页/共38页2moxDWgCIL解:解:1oDrI12m ooxDDDWWLg rCIALII第4页/共38页212DnoxGST
4、HWICVVL解:以解:以NMOS为例为例当当VGSVTH时,时,MOS截止,则截止,则ID=0当当VTHVGSVDS+VTH时,时,MOS工作在三极管区(线性区)工作在三极管区(线性区)212DnoxGSTHDSDSWICVVVVLIDVGSVTHVDS1+VTHVDS2+VTHVDS3+VTH斜率正比于VDSVTH0VGSIDVTH1VDS+VTH0VDS+VTH1VSB=0VSB0第5页/共38页 2112XnoxGSTHDSWICVVVL(a)10.1nV1/20.45V20.9FV00.7THVV3GSDDXXVVVV3DSDDXXVVVVSBXVV022THTHFSBFVVV 21
5、30.70.450.90.9132XnoxXXXWICVVVL上式有效的条件为上式有效的条件为30.70.450.90.90XXVV即即1.97XVV第6页/共38页VX1.97V时,时,M1工作在截止区,则工作在截止区,则IX=0, gm=0VX1.97V时,时,M1工作饱和区,则工作饱和区,则212.7270.46 0.9(1.30.1)2XnOXXXXWICVVVL2mnOXXWgCIL第7页/共38页当当0VX1V时,时,MOS管的源管的源-漏交换漏交换1.9GSXVV21(1.2)(1)0.5(1) (1.4)(1)2XnOXXXXnOXXXWWICVVVCVVLL 1DSXVV 1
6、.2DSATonXVVV工作在线性区,则工作在线性区,则(1)mnOXDSnOXxWWgCVCVLL当当1VVX1.2V时时,MOS管工作在线性区管工作在线性区21120.2(1)(1) (1.4)(1)22XnOXXXnOXXXWWICVVCVVLL (1)mnOXDSnOXxWWgCVCVLL第8页/共38页当VX1.2V时,MOS管工作在饱和区2211()(0.2)22XnOXGSTHnOXWWICVVCLL()0.2mnOXGSTHnOXWWgCVVCLL第9页/共38页当当VX0.3V时,时,MOS管的源管的源-漏交换,工作在饱和漏交换,工作在饱和区区1GSXVV 1.9DSXVV0
7、.3DSATonXVVV2211()(1)22XnOXGSTHnOXXWWICVVCVLL()(1)mnOXGSTHnOXXWWgCVVCVLL当当VX0.3V时,时,MOS管工作截止区管工作截止区0XI0mg第10页/共38页当当0VX1.8V时,时,MOS管上端为漏极,下端为源管上端为漏极,下端为源极,极,MOS管工作在饱和区管工作在饱和区0.9GSVV 1.9DSXVV0.1DSATonVVV 21(0.1)2XPoxWICL (0.1)mPoxWgCL 当当1.8V1.9V时,时,MOS管管S与与D交换交换MOS管工作线性区管工作线性区1.9DSXVV212 (1) (1.9)(1.9
8、) 2XPoxXXXWICVVVL(1.9)mPoxXWgCVL第12页/共38页(e) =0,当VX=0时,VTH=0.893V,此时MOS工作在饱和区1/20.45V20.9FV00.7THVV0.9GSVV0.5DSV0( 22)0.70.45( 0.90.9)THTHFSBFSBVVVV 1SBXVV 210.20.45( 1.90.9)2DnOXXWICVL0.20.45( 1.90.9)mnOXXWgCVL随着随着VX增加,增加,VSB降低,降低,VTH降低,此时降低,此时MOS管的过驱动电压增管的过驱动电压增加,加,MOS管工作在饱和区;直到过驱动管工作在饱和区;直到过驱动VDS
9、AT上升到等于上升到等于0.5V时,时,MOS管将进入线性区,则有管将进入线性区,则有0.20.45( 1.90.90.51?2?.8XXVVV第13页/共38页当当VX1.82V时,时,MOS管工作在线性区管工作在线性区 ?212 0.5 0.20.45( 1.90.9)0.5 2DnOXXIWCVL2(0.5)mnOXWgCL第14页/共38页(a) =0 , VTH=0.7V右图中,MOS管源-漏极交换当Vin0.7V时,M1工作在截止区,Vout=0当0.7Vin1.7V时,M1工作在饱和区,则211(0.7)2outDnOXinoutWVICVVRL当1.7VVin3V时,M1工作在
10、线性区,则212()(1)(1) outDnOXinoutTHoutoutWVICVVVVVRL第15页/共38页当当0Vin1.3V时,时,M1工作在线性区,则工作在线性区,则1212 (20.7)()() 2outDnOXoutinoutinoutVIRWCVVVVVL当当Vin1.3V时,时,M1工作在饱和区,则工作在饱和区,则211(20.7)2outDnOXoutWVICVRL第16页/共38页当当0Vin2.3V时,时,M1工作在线性区,则工作在线性区,则1212 (30.7)()() 2outDnOXoutinoutinoutVIRWCVVVVVL当当Vin2.3V时,时,M1工
11、作在饱和区,则工作在饱和区,则211(30.7)2outDnOXoutWVICVRL第17页/共38页当当0Vin1.8V时,时,M1工作在截止区,则工作在截止区,则2111(1 0.8)1.82pOXinWCVRL 0outVM1工作在饱和区边缘的条件为工作在饱和区边缘的条件为Vout=1.8V,此时假设,此时假设Vin=Vin1,因而,因而112 1.81.8inpOXVWCRL当当1.8VVinVin1时,时,M1工作在饱和区工作在饱和区211(1.8)2outpOXinWVCVRL当当Vin1VTHVbM1VxC1Ix当当Vb-0.7 VX3V时,时,M1工作在饱和区工作在饱和区21(
12、0.7)2xnOXbWICVL( )30 xVttxXXxVdQI dtCdVdVI dt 21( )3(0.7)2XnOXbWVtCVtL当当VX Vb-0.7时,时,M1工作在线性区,则工作在线性区,则212(0.7)2xnOXbXXWICVVVL第19页/共38页当当VX当当IX=IC1时,时,I1=0 若电流源若电流源I1为理想电流源,则为理想电流源,则VN-,实际上实际上VN不可不可能低于能低于0.6V,若低于,若低于0.6V,则则PN结正向导通结正向导通 若电流源若电流源I1不是理想电流源,则不是理想电流源,则VN 0,电容,电容C1开开始放电始放电第24页/共38页2 ()mTG
13、DGSgfCC节点1,有igsGSgsGDigsGSGDivsCiv sCv ssCC输出:outmgsig v( )outmiGSGDigA sisCsCioutmGSGDiigsCsC()1mTGSGDgA sjsCsCmTGSGDgCC22 ()mTTGSGDgfCC第25页/共38页mTGSGDgfCC第26页/共38页(1,2,)GSGDkgskCCivsknn1122outmgsmgsmngsnig vgvgv1212()GSGDingsgsgsnCCiiiis vvvn12mmmmnggggn12()moutgsgsgsngivvvn1212()( )()()mgsgsgsnou
14、tmGSGDiGSGDgsgsgsngvvvignA sCCis CCs vvvn(2)12()mTTGSGDgA sjfjfCC2 ()mTGSGDgfCC第27页/共38页22nGSTHTVVfL 这个关系表明:当所设计的器件工作于这个关系表明:当所设计的器件工作于较低时,速度是如何被限制的。较低时,速度是如何被限制的。2 ()mTGSGDgfCC()mnOXGSTHWgCVVLGSGDOXCCWLC22nGSTHTVVfL第28页/共38页第一种情况:第一种情况: M1、M2均工作在线性区均工作在线性区2112()2DnOXGSTHXXWICVVVVL11DSATonGSTHVVVV22
15、DSATonGXTHVVVVV1DSXVV2DSDXVVV2212()() 2DnOXGXTHXDXWICVVVVVVL222()2()()GSTHXXGXTHXDXVVVVVVVVVV2222()2()GSTHXXGSTHDSDSVVVVVVVV222112()112()222nOXGSTHDSDDnOXGSTDHSXXWIICVWCVVLVLVVVV相当于相当于W/(2L)工工作在线性作在线性区区第29页/共38页2.16 第二种情况:第二种情况: M1工作在线性区,工作在线性区, M2工作在工作在饱和区饱和区2112()2DnOXGSTHXXWICVVVVL221()2DnOXGXTHW
16、ICVVVL22122()()DDGSTHXXGXTHIIVVVVVVV22()22()GSTHGSTHXXVVVVVV2212111()()222DDnOXGXTHnOXGSTHWWIICVVVCVVLL相当于相当于W/(2L)工作在饱和区工作在饱和区注意:注意:M1始终工作在线性区,因为始终工作在线性区,因为M2的过驱动电压大于的过驱动电压大于02220DSATonGSTHGSXTHVVVVVVVGSTHXVVV11GSTHXDSVVVV线性区线性区第30页/共38页2.16 上面讨论,可知:上面讨论,可知: (1)M2工作在饱和区,则电流满足平方关系工作在饱和区,则电流满足平方关系 (2
17、) M2工作在线性区,则电流满足线性关系工作在线性区,则电流满足线性关系第31页/共38页2.17 已知已知NMOS器件工作在饱和区。如果器件工作在饱和区。如果(a) ID恒定,恒定,(b)gm恒恒定,画出定,画出W/L对于对于VGS-VTH的函数曲线。的函数曲线。21()2DnOXGSTHWICVVL饱和区:饱和区:22()DnOXGSTHIWLCVV()mnOXGSTHWgCVVL()mnOXGSTHgWLCVV第32页/共38页2.18 如图如图2.15所示的晶体管,尽管处在在饱和区,解释不能作所示的晶体管,尽管处在在饱和区,解释不能作为电流源使用的原因。为电流源使用的原因。I1(a)I
18、2VDD(b) 以上电路的电流与以上电路的电流与MOS管的源极电压管的源极电压VS有关,有关,而电流源的电流是与其源极电压而电流源的电流是与其源极电压VS无关的。无关的。第33页/共38页2.27 已知已知NMOS器件工作于亚阈值区,器件工作于亚阈值区,为为1.5,求引起,求引起ID变化一变化一个数量级所需的个数量级所需的VGS的变化量。如果的变化量。如果ID=10A,求,求gm的值的值0GSTVVDII e3100.26/1.5 26 10DDmGSTIIAgmA VVV212110GSGSTVVVDDIeI21ln10GSGSGSTVVVV 33ln101.5 26 10ln1089.8 10GSTVVV第34页/共38页2.2
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