OVD法第二小组ppt课件

1、OVD法(Outside Vapour Deposition)-“外部汽相氧化法，或“粉尘法 OVD法原理 其主要原料掺杂剂以气态方式送入氢氧火焰喷灯，使之在氢氧焰中水解，生成石英玻璃微粒粉尘，然后经喷灯喷出，堆积于石英，石墨或氧化铝资料制造的“母棒外外表，经多次堆积构成一定尺寸的多孔粉尘预制棒，然后停顿任务，去掉母棒，再将中空的预制棒在高温下脱水，烧结成透明的实心的玻璃棒，即获得所需求的光纤预制棒。 堆积和烧结两步骤：先按所设计的光纤折射分布要求进展多孔玻璃预制棒芯棒的堆积预制棒生长方向是径向由里向外，再将堆积好的预制棒芯棒进展烧结处置，除去残留水份，以求制得一根透明无水份的光纤预制棒芯棒

2、。OVD法原理图3 预制棒烧结 化学反响方程式 1. SiCl4 + H2O SiO2 + 2HCl + Cl2 2. GeCl4 + H2O GeO2 + 2HCl + Cl2 OVD设备及原资料w1设备：外部气相法工艺消费光纤预制棒的主要设备有高纯气相玻璃堆积车床，纯化烧结炉，玻璃车床和拉棒塔。w2原资料：主要原资料有四氯化硅，四氯化锗，氯气，氦气，氮气，氢气，氧气。 OVD工艺流程(1) 光纤预制棒消费，包括外部气相法，工艺流程分两大步：芯棒制造和包层制造。在堆积芯棒时，在芯子堆积完成后，再堆积一部分包层，使得后续的工艺，包括进一步的包层堆积，烧结，玻璃外表火焰抛光等，对光棒芯子没有任何

3、影响。芯棒的堆积是从一根三氧化铝的衬棒和一个特别设计的玻璃夹具开场。玻璃原资料，包括四氯化硅，四氯化锗等，由喷灯喷出。金属氯化物在经过火焰时，产生火焰水解反响，构成玻璃微颗粒而堆积在衬棒上。芯子的折射率由二氧化锗的掺杂量控制。在堆积芯子(二氧化硅加少量的二氧化锗)终了后，必需再堆积部分二氧化硅包层。在芯棒堆积终了后，二氧化铝衬棒必需从芯棒中抽出。包层堆积工艺 由于在芯棒堆积时只堆积了部分包层，剩下部分包层玻璃由包层堆积工艺完成，堆积包层的设备与堆积芯棒的设备根本上是一样的。防止芯棒和外包层产生界面气泡，是包层工艺的主要要求。在预备芯棒堆积包层时，芯棒必需经火焰准直，外表必需经过火焰抛光。透明的

4、玻璃(zone sintering)。芯棒在烧结后留有一个中心孔。目的。OVD优点 业内专家指出OVD芯棒加SOOT外包的预制棒工艺的本钱最低。VAD芯棒加SOOT外包的消费本钱比OVD芯棒加SOOT外包的高出25%;MCVD加套管法的消费本钱比OVD芯棒加SOOT外包高40%。 当前商业消费光纤预制棒的汽相堆积工艺都曾经开展为包括芯棒制造和外包技术的“两步法，消费常规单模光纤，用OVD芯棒加SOOT外包的预制棒工艺本钱最低。 该法的优点是堆积速度快，适宜批量消费，该法要求环境清洁，严厉脱水，可以制得0.16dBk1.55m的单模光纤，几乎接近石英光纤在1.55m窗口的实际极限损耗0.15dB

5、km。 外包层制造技术主要有套管法、等离子喷涂法、火焰水解法等。 外包层制造技术是光纤通讯全球性高速开展应运而生的大光纤预制棒制造新技术。 外包层技术开展和完善的目的是将光纤预制棒做的更粗、更长，即提高光纤消费率，降低消费本钱，使光纤通讯比其他介质的通讯方式具有更大、更强的竞争力。 外包层技术中的套管法是将气相堆积工艺制成的芯棒置入一根作光纤外包层的高纯石英玻璃管内制造大预制棒技术。等离子喷涂法是用高频等离子焰将石英粉末熔制于气相堆积工艺得到的芯棒上制成大预制棒的技术。火焰水解法粉末外包本质上就是OVD、VAD等火焰水解外堆积工艺在芯棒上的运用。 通常，将气相堆积法工艺和外包层技术结合制成的大预制棒直径减少，且坚持芯包比和折射率分布恒定的操作称为光纤拉丝。拉丝过程中要对裸光纤施加预涂覆层维护。涂覆层既可以维护光纤的机械强度、隔离外界潮湿，又可以防止外应力引起光纤的微弯损耗。此外，高速拉丝还应留意光纤的充分冷却，消除光纤中的剩余内应力，以求