第7章 存储器xiu

1、第第7 7章章 存储器存储器第第7 7章章 存储器存储器本章主要内容本章主要内容 半导体存储器的分类半导体存储器的分类1 半导体存储器的主要技术指标半导体存储器的主要技术指标 2 典型存储器芯片典型存储器芯片3 存储器与系统的连接存储器与系统的连接4第第7 7章章 存储器存储器7.07.0存储器的概述存储器的概述一、存储器的分类一、存储器的分类1.1.（1）内存：内存：是内部存储器的简称，又称主存。内存直接与是内部存储器的简称，又称主存。内存直接与CPUCPU相连接，是计算机的组成部分。相连接，是计算机的组成部分。 特点：存取速度快，但容量小，成本高。特点：存取速度快，但容量小，成本高。（2）

2、即外部存储器，也称辅存。外存不直接与即外部存储器，也称辅存。外存不直接与CPUCPU相连接，相连接，而是通过而是通过I/OI/O接口与接口与CPUCPU连接，其主要特点是容量大。连接，其主要特点是容量大。 特点：存取速度慢，但容量大，成本低。特点：存取速度慢，但容量大，成本低。第第7 7章章 存储器存储器2. 按介质分类按介质分类（1）磁存储器）磁存储器硬盘、磁盘、磁芯、磁泡、磁带硬盘、磁盘、磁芯、磁泡、磁带（2）半导体存储器）半导体存储器ROM、RAM（3）光存储器）光存储器3. 按信息存取方式分类按信息存取方式分类（1） 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM）：可读写）：可读写（2） 只

3、读存储器（只读存储器（ROM） ：只可读：只可读（3） 顺序存取存储器（磁带）顺序存取存储器（磁带） 直接存取存储器（磁盘、光盘）直接存取存储器（磁盘、光盘） 第第7 7章章 存储器存储器v存储器用来存放程序和数据，是计算机各存储器用来存放程序和数据，是计算机各种信息的存储和交流中心。存储器可与种信息的存储和交流中心。存储器可与CPUCPU、输入输出设备交换信息，起存储、缓冲、输入输出设备交换信息，起存储、缓冲、传递信息的作用。传递信息的作用。v衡量存储器有三个指标：容量、速度和价衡量存储器有三个指标：容量、速度和价格格/ /位。位。第第7 7章章 存储器存储器二、二、存储器的层次结构存储器的

4、层次结构第第7 7章章 存储器存储器典型存取时间典型存取时间1ns2ns10ns10ms100s计算机的存储器分为内存和外存。内存存取速度快而容量相对较小，它与计算机的存储器分为内存和外存。内存存取速度快而容量相对较小，它与CPU直直接相连，用来存放等待接相连，用来存放等待CPU运行的程序和处理的数据。外存的存取速度较慢而容运行的程序和处理的数据。外存的存取速度较慢而容量相对很大，与量相对很大，与CPU不直接连接，用于存放计算机中几乎所有的信息。不直接连接，用于存放计算机中几乎所有的信息。第第7 7章章 存储器存储器速度 容量 成本 快 小 高 慢 大 低CPUCache主存（ROM，RAM）

5、辅存（硬盘，光盘）I/O控制器第第7 7章章 存储器存储器7.1 7.1 半导体存储器的分类半导体存储器的分类v内存储器一般由一定容量的速度较快的半内存储器一般由一定容量的速度较快的半导体存储器组成，导体存储器组成，CPUCPU可直接对内存执行读可直接对内存执行读/ /写操作。写操作。v内存储器按存储信息的特性可分为随机存内存储器按存储信息的特性可分为随机存取存储器取存储器RAMRAM（Random Access MemoryRandom Access Memory）和）和只读存储器只读存储器ROMROM（Read Only MemoryRead Only Memory）两类。）两类。第第7

6、7章章 存储器存储器第第7 7章章 存储器存储器v7.2 7.2 半导体存储器的主要技术指标半导体存储器的主要技术指标 存储容量存储容量 存储容量是表示存储器大小的指标，通常以存储器单元存储容量是表示存储器大小的指标，通常以存储器单元数与存储器字长之积表示。每个存储器单元可存储若干个数与存储器字长之积表示。每个存储器单元可存储若干个二进制位，二进制位的长度称为存储器字长。存储器字长二进制位，二进制位的长度称为存储器字长。存储器字长一般与数据线的位数相等。每个存储器单元具有唯一的地一般与数据线的位数相等。每个存储器单元具有唯一的地址。址。2.2.功耗功耗 存储器被加上的电压与流入的电流之积是存储

7、器的功耗。存储器被加上的电压与流入的电流之积是存储器的功耗。存储器的功耗又分为操作功耗和维持功耗（或备用功耗）。存储器的功耗又分为操作功耗和维持功耗（或备用功耗）。前者是存储器被选中进行某个单元的读前者是存储器被选中进行某个单元的读/写操作时的功耗，写操作时的功耗，后者是存储器未被选中时的功耗。后者是存储器未被选中时的功耗。 第第7 7章章 存储器存储器7.2 7.2 半导体存储器的主要技术指标半导体存储器的主要技术指标v3 3、读写速度读写速度 半导体存储器的速度一般用半导体存储器的速度一般用存取时间存取时间和和存储周存储周期期两个指标来衡量。两个指标来衡量。v4 4、可靠性可靠性 通常指存

8、储器对温度、电磁场等环境变化的抵通常指存储器对温度、电磁场等环境变化的抵抗能力和工作寿命。抗能力和工作寿命。半导体存储器由于采用大规半导体存储器由于采用大规模集成电路工艺，具有较高的可靠性模集成电路工艺，具有较高的可靠性又称存储器访问时间，是指又称存储器访问时间，是指从启动一次存储器操作到完从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间成该操作所经历的时间。指连续启动两次独立的存储指连续启动两次独立的存储器操作器操作(例如连续两次读操例如连续两次读操作作)所需间隔的最小时间。所需间隔的最小时间。第第7 7章章 存储器存储器7.3 7.3 典型存储器芯片介绍典型存储器芯片介绍1. Intel 21

9、141. Intel 21141K1K4 4位的位的SRAM SRAM 六管存储六管存储元元电路电路单一的单一的+5V+5V电源供电电源供电所有的引脚都与所有的引脚都与TTLTTL电电平兼容平兼容第第7 7章章 存储器存储器7.3 7.3 典型存储器芯片介绍典型存储器芯片介绍2. Intel 62642. Intel 62648K 8K 8 8位的位的SRAMSRAM0.8mCMOS0.8mCMOS工艺制造工艺制造单一的单一的+5V+5V电源供电电源供电高速度、低功耗高速度、低功耗全静态，无须时钟和全静态，无须时钟和定时选通信号定时选通信号I/OI/O端口是双向、三态端口是双向、三态控制，与控

10、制，与TTLTTL电平兼容电平兼容第第7 7章章 存储器存储器Intel 62Intel 62系列系列型号型号容量容量62648K8bits6212816K8bits6225632K8bits6251264K8bits第第7 7章章 存储器存储器7.3 7.3 典型存储器芯片介绍典型存储器芯片介绍3. Intel 512563. Intel 5125632K32K8 8位的位的SRAMSRAM工作方式工作方式010读操作读操作00写操作写操作011高阻态高阻态1未选未选Intel 51256工作方式工作方式第第7 7章章 存储器存储器7.3 7.3 典型存储器芯片介绍典型存储器芯片介绍4. I

11、ntel 21644. Intel 216464K64K1bit1bit的的DRAMDRAM址线只有址线只有8 8位，位，1616位的位的地址信号分为行地址地址信号分为行地址和列地址，分两次送和列地址，分两次送入芯片。入芯片。第第7 7章章 存储器存储器v第第7 7章章 存储器存储器v第第7 7章章 存储器存储器Intel 21Intel 21系列系列型号型号容量容量216464K1bit21256256K1bit2146464K4bit第第7 7章章 存储器存储器7.3 7.3 典型存储器芯片介绍典型存储器芯片介绍5. Intel 412565. Intel 41256 256K 256K1

12、 1位位DRAMDRAM，存取时间存取时间200200300ns300ns，地址线地址线只有一半的位数，行地址和列地址分两次输入只有一半的位数，行地址和列地址分两次输入。引脚引脚功能功能A9A0地址线地址线D数据输入数据输入Q数据输出数据输出读读/写信号写信号行地址选通信号行地址选通信号列地址选通信号列地址选通信号Vcc电源（电源（+5V）Vss地地第第7 7章章 存储器存储器7.3 7.3 典型存储器芯片介绍典型存储器芯片介绍6. Intel 271286. Intel 27128128K128K（16K16K8 8位）的位）的EPROMEPROM1414条地址线，经过译条地址线，经过译码在

13、码在16K16K地址中选中一地址中选中一个单元个单元最大访问时间最大访问时间250ns250ns，与高速与高速8MHz8MHz的的iPAX186iPAX186兼容兼容第第7 7章章 存储器存储器2712827128的工作模式的工作模式 引脚引脚模式模式A9VPPVCCD7-D0读读LLHXVCCVCC数据输出数据输出输出禁止输出禁止LHHXVCCVCC高阻高阻备用模式备用模式HXXXVCCVCC高阻高阻编程禁止编程禁止HXXXVPPVCC高阻高阻编程模式编程模式LHLXVPPVCC数据输入数据输入INTEL编程编程LHLXVPPVCC数据输入数据输入校验校验LLHXVPPVCC数据输出数据输出

14、电子标识符电子标识符LLHVIDVCCVCC标识符输出标识符输出第第7 7章章 存储器存储器7.3 7.3 典型存储器芯片介绍典型存储器芯片介绍7. 28C647. 28C64 28C 28C系列是包含不同容量的系列是包含不同容量的E E2 2PROMPROM芯片。芯片。 与与EPROMEPROM相比，相比，E E2 2PROMPROM的优点是：编程与擦写所的优点是：编程与擦写所需的电流极小，速度快（需的电流极小，速度快（10ms10ms）；擦写可以按字节）；擦写可以按字节分别进行。分别进行。型号型号容量容量/KB28C16228C64828C2563228C51264第第7 7章章 存储器存

15、储器28C6428C64的两种封装的两种封装第第7 7章章 存储器存储器7.3 7.3 典型存储器芯片介绍典型存储器芯片介绍8. K9F6408U0A8. K9F6408U0A 典型的典型的NAND FlashNAND Flash芯片芯片 数据宽度为数据宽度为8 8位，可复用，既可位，可复用，既可作为地址和数据的输入作为地址和数据的输入/ /输出引输出引脚，又可作命令的输入引脚，脚，又可作命令的输入引脚，根据时序采用分时循环根据时序采用分时循环 芯片内部存储单元按页和块的芯片内部存储单元按页和块的结构组织结构组织 写和读以页为单位，而擦除以写和读以页为单位，而擦除以块为单位。读、写和擦除操作块

16、为单位。读、写和擦除操作均通过命令完成均通过命令完成 写入每页的时间为写入每页的时间为200us200us，平均，平均每写一个字节约每写一个字节约400ns400ns，即约，即约20Mb/s20Mb/s。此芯片可擦写。此芯片可擦写1 1百万次百万次，掉电数据不丢失，数据可保，掉电数据不丢失，数据可保存十年存十年第第7 7章章 存储器存储器7.4 7.4 存储器与系统的连接存储器与系统的连接v K9F6408U0AK9F6408U0A是三星公司生产与非型是三星公司生产与非型6464兆位快闪存储器，它具有工作电兆位快闪存储器，它具有工作电压低、擦写速度快、体积小等优点。压低、擦写速度快、体积小等优

17、点。v K9F6408U0AK9F6408U0A最大优点在于其命令、数据和地址均可通过最大优点在于其命令、数据和地址均可通过8 8条条I/OI/O口线与口线与主控制器进行通信。这样就大大简化了系统连线主控制器进行通信。这样就大大简化了系统连线v CLECLE：命令锁存使能端，高电平有效。在：命令锁存使能端，高电平有效。在WEWE信号上升沿，命令信号可信号上升沿，命令信号可通过通过I/OI/O口锁入命令寄存器。口锁入命令寄存器。 v ALEALE：地址锁存使能端，高电平有效。在：地址锁存使能端，高电平有效。在WEWE信号上升沿，地址信号可信号上升沿，地址信号可通过通过I/OI/O口锁入地址寄存器

18、。口锁入地址寄存器。 v CECE：片选线，低电平有效。在页编程或块擦除操作期间或器件处于忙：片选线，低电平有效。在页编程或块擦除操作期间或器件处于忙状态时，状态时，CECE高电平将被忽略。高电平将被忽略。 v WEWE：写使能口，命令、地址和数据在：写使能口，命令、地址和数据在WEWE信号上升沿被锁定。信号上升沿被锁定。 v RERE：读使能口，在该口下降沿将数据送到：读使能口，在该口下降沿将数据送到I/OI/O口线上，并使内部列地口线上，并使内部列地址寄存器增址寄存器增1 1。 v WPWP：写保护口，低电平有效。当其为低时，编程和擦除操作禁止。：写保护口，低电平有效。当其为低时，编程和擦

19、除操作禁止。 v R/BR/B：操作状态指示信号。为低时，表示正在编程、擦除或读操作，：操作状态指示信号。为低时，表示正在编程、擦除或读操作，操作结束后变高。操作结束后变高。第第7 7章章 存储器存储器7.4 7.4 存储器与系统的连接存储器与系统的连接vCPUCPU对存储器进行读对存储器进行读/ /写操作时，首先由地写操作时，首先由地址总线给出地址信号，然后要对存储器发址总线给出地址信号，然后要对存储器发出读操作或写操作的控制信号，最后在数出读操作或写操作的控制信号，最后在数据总线上进行信息交换。据总线上进行信息交换。v存储器与系统之间通过存储器与系统之间通过ABAB、DBDB及有关的控及有

20、关的控制信号线相连接，设计系统的存储器体系制信号线相连接，设计系统的存储器体系时需要将这三类信号线正确连接。时需要将这三类信号线正确连接。第第7 7章章 存储器存储器7.4.1 7.4.1 存储器扩展存储器扩展v若干存储芯片和系统进行连接扩展，通常若干存储芯片和系统进行连接扩展，通常有三种方式：有三种方式：位扩展位扩展字扩展字扩展字位扩展字位扩展第第7 7章章 存储器存储器位扩展（位并联法）位扩展（位并联法）v位扩展指位扩展指用多个存储器器件对字长进行扩用多个存储器器件对字长进行扩充。一个地址同时控制多个存储器芯片。充。一个地址同时控制多个存储器芯片。第第7 7章章 存储器存储器字扩展（地址串

21、联法）字扩展（地址串联法）v字扩展指的是增加存储器中字的数量。字扩展指的是增加存储器中字的数量。第第7 7章章 存储器存储器字位扩展字位扩展v实际存储器往往需要字向和位向同时扩充实际存储器往往需要字向和位向同时扩充。v一个存储器的容量为一个存储器的容量为M MN N位，若使用位，若使用L LK K位存储器芯片，那么，这个存储器共需要位存储器芯片，那么，这个存储器共需要（M/LM/L）（N/KN/K）个存储器芯片。）个存储器芯片。第第7 7章章 存储器存储器1.CPU1.CPU与存储器的接口与存储器的接口v8086CPU8086CPU有最小与最大两种工作模式有最小与最大两种工作模式。最小模式的控

22、制信号仅由最小模式的控制信号仅由80868086产生产生。最大模式需用总线控制器最大模式需用总线控制器82888288协同产生控制信协同产生控制信号。号。第第7 7章章 存储器存储器1.CPU1.CPU与存储器的接口与存储器的接口最小模式最小模式 最大模式最大模式第第7 7章章 存储器存储器2.2.存储器接口分析存储器接口分析vROMROM接口电路接口电路 只读存储器在计算机系统中的功能主要只读存储器在计算机系统中的功能主要是存储程序、常数和系统参数等。目前常是存储程序、常数和系统参数等。目前常用的有用的有2727系列和系列和2828系列系列EPROMEPROM芯片。芯片。第第7 7章章 存储

23、器存储器7.4 7.4 存储器与系统的连接存储器与系统的连接 存储器与系统之间的连接主要包括：数据线的连接，地址线的连接及控制信号的连接。控制信号一般包括读、写、片选等信号。 第第7 7章章 存储器存储器 7.4.17.4.1存储器地址译码存储器地址译码v1 1、存储器地址译码、存储器地址译码v（）用简单的逻辑门作地址译码器（）用简单的逻辑门作地址译码器第第7 7章章 存储器存储器译码芯片译码芯片74LS13874LS138工作特点当 G1、G2a，G2b 有效时，芯片工作。（）用74LS138作译码器第第7 7章章 存储器存储器用用74LS13874LS138作译码器作译码器第第7 7章章

24、存储器存储器2 2片选信号的产生片选信号的产生 有三种片选控制的方法：有三种片选控制的方法：全译码：全译码：片选信号由地址线中所有不在存储器上的地址线译码产片选信号由地址线中所有不在存储器上的地址线译码产生，这种方法存储器芯片中的每一个单元的地址将是唯一的。生，这种方法存储器芯片中的每一个单元的地址将是唯一的。 部分译码：部分译码：片选信号不是由地址线中所有不在存储器上的地址线片选信号不是由地址线中所有不在存储器上的地址线译码产生，而是有部分高位地址线被送入译码电路产生片选信号。译码产生，而是有部分高位地址线被送入译码电路产生片选信号。 线选：线选：以不在存储器上的高位地址线直接作为存储器芯片

25、的片选以不在存储器上的高位地址线直接作为存储器芯片的片选信号。使用线选法的好处是译码电路简单，但线选不仅导致一个信号。使用线选法的好处是译码电路简单，但线选不仅导致一个存储单元有多个地址，还有可能一个地址同时选中多个单元，这存储单元有多个地址，还有可能一个地址同时选中多个单元，这会引起数据总线的冲突。会引起数据总线的冲突。 第第7 7章章 存储器存储器3 38 8位存储体位存储体v 这种这种1616位微机的数据总线为位微机的数据总线为1616位，但存储器位，但存储器体系是体系是8 8位存储体，即每个地址确定的存储单元位存储体，即每个地址确定的存储单元为为8 8位，存储器操作可能是位，存储器操作

26、可能是8 8位的也可能是位的也可能是1616位的。位的。80868086系统就是这样的结构，下面以系统就是这样的结构，下面以80868086系统为例系统为例介绍其原理。介绍其原理。 第第7 7章章 存储器存储器(1) (1) 奇、偶存储体奇、偶存储体 8086 CPU8086 CPU有有2020位地址线，可直接寻址位地址线，可直接寻址1M1M字节的存储器地址空间。字节的存储器地址空间。当把存储器看作字节序列时，每个字节单元地址相连，即每个地址当把存储器看作字节序列时，每个字节单元地址相连，即每个地址对应一个存储单元，每个存储单元为一个字节。当把存储器看作字对应一个存储单元，每个存储单元为一个字

27、节。当把存储器看作字序列时，每个字单元地址不相连，每个字包括地址相连的两个字节。序列时，每个字单元地址不相连，每个字包括地址相连的两个字节。而而8086 CPU8086 CPU的数据总线是的数据总线是1616位的，需要设计一种合理的存储体结构，位的，需要设计一种合理的存储体结构，既能适合做既能适合做8 8位的存储器操作（字节访问），又能适合做位的存储器操作（字节访问），又能适合做1616位的存位的存储器操作（字访问）储器操作（字访问）。第第7 7章章 存储器存储器v80868086系统将系统将1M1M地址空间分成两个地址空间分成两个512K512K地址空间，地址空间，一一半是偶数地址半是偶数地

28、址另另一半是奇数地址一半是奇数地址，相应的存储体称，相应的存储体称为偶存储体和奇存储体。偶存储体和奇存储体的地为偶存储体和奇存储体。偶存储体和奇存储体的地址线都是址线都是1919位。将数据总线的低位。将数据总线的低8 8位位D D7 7D D0 0与偶存储与偶存储体相连，高体相连，高8 8位位D D1515D D8 8与奇存储体相连。地址总线的与奇存储体相连。地址总线的A A1919A A1 1与这两个存储体的与这两个存储体的1919条地址线条地址线A A1818A A0 0相连。相连。用用CPUCPU的的A A0 0作偶存储体的选中信号，作偶存储体的选中信号， 作奇存储体作奇存储体的选中信号

29、。的选中信号。 BHE第第7 7章章 存储器存储器 8086系统的存储器分为奇存储体、偶存储体：第第7 7章章 存储器存储器7.4.3 8086CPU7.4.3 8086CPU与存储器的连接与存储器的连接第第7 7章章 存储器存储器（2 2）字节访问）字节访问 8086 CPU进行存储器访问有8位的也有16位的。当进行字节访问即8位的访问时，如果地址的A0=0，选中偶存储体中的某个单元，数据通过D7D0传送。如果地址的A0=1，则CPU的 =0，选中奇存储体中的某个单元，数据通过D15D8传送。BHE（3）字访问 当CPU进行16位的字访问时，设低字节的地址为n，则高字节的地址为n+1。若地址

30、n为偶数，即A0=0，称为对准的字；若地址n为奇数，即A0=1，称为非对准的字。 第第7 7章章 存储器存储器v 当当CPUCPU访问对准的字访问对准的字时，由时，由A A0 0=0=0选中偶存储体中地址为选中偶存储体中地址为n n的的单元，低字节数据通过单元，低字节数据通过D D7 7D D0 0传送；同时由传送；同时由 =0=0选中奇存储体选中奇存储体中的地址为中的地址为n+1n+1的单元，高字节数据通过的单元，高字节数据通过D D1515D D8 8传送。这样，两传送。这样，两个字节的数据在一个总线周期中同时进行读或写操作。个字节的数据在一个总线周期中同时进行读或写操作。v 当当CPUC

31、PU访问非对准的字访问非对准的字时即地址时即地址n n为奇数，要由两个总线周为奇数，要由两个总线周期完成一个字的读或写操作。第一个总线周期发出期完成一个字的读或写操作。第一个总线周期发出A A0 0=1=1和和 =0=0，访问奇存储体中的地址为访问奇存储体中的地址为n n的单元，低字节数据通过的单元，低字节数据通过D D1515D D8 8传送；传送；第二个总线周期发出第二个总线周期发出A A0 0=0=0和和 =1=1，访问偶存储体中的地址为，访问偶存储体中的地址为n+1n+1的单元，高字节数据通过的单元，高字节数据通过D D7 7D D0 0传送。传送。BHEBHEBHE第第7 7章章 存

32、储器存储器6.4.3 166.4.3 16位微机系统中存储器与系统的连接位微机系统中存储器与系统的连接 v4 41616位存储位存储 * *v 标准的标准的1616位存储体，每个存储单元为位存储体，每个存储单元为1616位，位，数据总线数据总线1616位，每次存储器操作都是位，每次存储器操作都是1616位。位。 第第7 7章章 存储器存储器【例【例7-17-1】设计一】设计一ROMROM扩展电路，容量为扩展电路，容量为32K32K字，地字，地址从址从00000H00000H开始。开始。EPROMEPROM芯片采用芯片采用2725627256。第第7 7章章 存储器存储器A19A18A17A16

33、A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0最小地址最小地址00000000000000000000最大地址最大地址0000111111111111111132K字字EPROM的地址范围表的地址范围表第第7 7章章 存储器存储器2.2.存储器接口分析存储器接口分析vRAMRAM接口电路接口电路 随机读写存储器在计算机系统中的功能随机读写存储器在计算机系统中的功能主要是：存储程序、变量等。常用的有主要是：存储程序、变量等。常用的有6161和和6262系列系列SRAMSRAM芯片。芯片。第第7 7章章 存储器存储器2.2.存储器接口分析存储器接口分析v与与ROMRO

34、M接口电路不同，接口电路不同，CPUCPU对对RAMRAM不仅要进行不仅要进行1616位读操作，还要进行写操作。写操作有位读操作，还要进行写操作。写操作有3 3种类型：写种类型：写1616位数据、写低位数据、写低8 8位数据和写高位数据和写高8 8位数据。位数据。A0总线使用情况总线使用情况0016位数据进行字传送位数据进行字传送01高高8位数据进行字节传送位数据进行字节传送10低低8位数据进行字节传送位数据进行字节传送11无效无效第第7 7章章 存储器存储器【例【例7-27-2】设计一】设计一RAMRAM扩展电路，容量为扩展电路，容量为32K32K字，地字，地址从址从10000H10000H

35、开始。芯片采用开始。芯片采用6225662256。第第7 7章章 存储器存储器A19A18A17A16A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0最小地址最小地址00010000000000000000最大地址最大地址0001111111111111111132K字字RAM的地址范围表的地址范围表第第7 7章章 存储器存储器1存储器系统设计举例v【例【例7-37-3】某】某80868086系统工作于最小模式下的系统工作于最小模式下的存储器系统如图所示。图中存储器系统如图所示。图中8086CPU8086CPU芯片上芯片上的地址、数据信号线经锁存、驱动后成为的地址、数据信号线经锁存、驱动后成为地址总线地址总线