正负片流程区别简介

1、正負片流程區別簡介正負片流程區別簡介制作者制作者：Leo _ Qiu1簡介簡介大綱大綱l名詞解釋名詞解釋l正片流程簡介正片流程簡介l負片流程簡介負片流程簡介l正正負片流程區別負片流程區別l正負片流程優缺點正負片流程優缺點2 正片流程 又稱tenting流程，所用底片為負片底片。 負片底片 “所見非所得”，底片透明部份是要保留圖形。名詞解釋名詞解釋透明部分是要保留的圖形3 負片流程 又稱pattern流程，所用底片為正片底片。 正片底片 “所見即所得”，底片黑色部份是要保留的圖形。名詞解釋名詞解釋黑色部份是要保留的圖形4正負片基本流程對照正負片基本流程對照一銅外層二銅蝕刻鑽孔外層AOI負片流程全

2、板電鍍外層鑽孔外層AOI正片流程5正片流程詳細介紹正片流程詳細介紹一全板電鍍 利用整板電鍍的方法，使孔銅和面銅達到RD要求。清潔板面，去除鑽孔後的burr。利用KMnO4的強氧化性，除去孔內膠渣，增加孔內表面積，提高孔銅與孔壁結合力。利用化學沉積方法，使Desmear後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。DeburrDesmearPTH整板電鍍鑽孔6正片流程詳細介紹正片流程詳細介紹二. 外層前處理壓膜曝光顯影經過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。將乾膜貼附在基板表面，為影像轉移做準備。所用乾膜貼附力好，tenting能力強。使用負片底片以UV光透過黑白底片照射乾膜

3、，乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發生聚合反應，從而使底片上的圖形轉移到乾膜上。利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。曝光負片底片顯影7正片流程詳細介紹正片流程詳細介紹二外層利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆蓋之銅咬蝕乾淨。酸性蝕刻液成份：H2O2/HCl系列或NaClO3/HCl系列利用去膜液（NaOH）將蝕刻後線路表面乾膜去除，使線路顯現出來。酸性蝕刻去膜外層AOI蝕刻去膜8負片流程詳細介紹負片流程詳細介紹一一銅目的：在孔壁上電鍍一層基銅，以便二銅電鍍。DeburrDesmearPTH一銅清潔板面，去除鑽孔後的burr。利用化學沉積方法，使Desmear後之非導體區覆蓋良

4、好導電薄膜即，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。一銅一銅利用KMnO4的強氧化性，除去孔內膠渣，增加孔內表面積，提高孔銅與孔壁結合力。9負片流程詳細介紹負片流程詳細介紹二外層前處理壓膜曝光顯影使用正片底片以UV光透過黑白底片照射乾膜，乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發生聚合反應，從而使底片上的圖形轉移到乾膜上。經過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。將乾膜貼附在基板表面，為影像轉移做準備。所用乾膜抗鍍性較好。利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。曝光正片底片顯影10負片流程詳細介紹負片流程詳細介紹三二銅電鍍二銅電鍍錫將孔銅&面銅鍍到RD要求鍍錫，保護蝕刻時圖形不

5、被蝕刻掉。二銅鍍二銅，並鍍錫11負片流程詳細介紹負片流程詳細介紹四蝕刻去掉乾膜，將不需要的銅顯露出來，以便藥水咬蝕。利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆盖之銅咬蝕乾淨，需要保留的圖形由錫保護，完成圖形。鹼性蝕刻液成份：氯化銨（NH4Cl）和氨水（NH3H2O）錫已完成使命，將錫去除。去膜鹼性蝕刻剝錫外層AOI去膜蝕刻剝錫12正負片流程區別正負片流程區別項目正片流程負片流程底片負片底片正片底片曝光髒點影響 底片上曝光髒點會形成線路缺口/斷路底片上曝光髒點會形成殘銅PTH/NPTHPTH需乾膜tenting保護，NPTH不需要。NPTH需乾膜覆蓋保護，PTH不需要。蝕刻液性質酸性蝕刻鹼性蝕刻蝕刻液主要成份

6、H2O2/HCl系列或NaClO3/HCl系列氯化銨（NH4Cl）和氨水（NH3H2O）阻蝕劑乾膜或液態感光油墨，耐酸不耐鹼。錫Sn ，耐鹼不耐酸。蝕刻咬蝕部位 蝕刻咬蝕全銅厚，虛影大。蝕刻咬蝕底銅+一銅，虛影小。乾膜要求所用乾膜貼附力好，tenting能力強。所用乾膜抗鍍性較好。13 正片流程正片流程優點：優點：1.能夠製作無Ring NPTH孔及較大的NPTH孔。（NPTH孔無需tenting保護）2.能夠製作外層兩面殘銅率較大的PCB。 （整板电镀不受殘銅率影響）3.流程短，成本相對低。缺點：缺點：1.無法製作較大的PTH孔。（Tenting能力限制）2.不宜製作高孔銅&厚面銅的PCB。 （面銅太厚，不易蝕刻） 負片流程負片流程優點：優點：1.能夠製作無Ring PTH孔及較大的PTH孔。 （PTH孔無需tenting保護）2.能夠製作高縱橫比&厚孔銅&厚面銅的PCB。 （蝕刻只需要咬蝕底銅+一銅）缺點：缺點：1.