磁性材料第一部分

1、无论是电子技术、电力技术、通信技术、还是空间技术、计算技术、生无论是电子技术、电力技术、通信技术、还是空间技术、计算技术、生物技术，乃至家用电器，物技术，乃至家用电器，从从1902年年P.塞曼和塞曼和H.A.洛伦兹获得诺贝尔奖，到洛伦兹获得诺贝尔奖，到1998年华裔的崔琦先生获诺贝尔年华裔的崔琦先生获诺贝尔物理学奖，至少有物理学奖，至少有24次诺贝尔奖得主在磁学领域作出了杰出的贡献；次诺贝尔奖得主在磁学领域作出了杰出的贡献；公元前公元前2500年我国已有磁性指南年我国已有磁性指南司南的记载，其开创了人类对磁学和磁性司南的记载，其开创了人类对磁学和磁性材料研究的先河；材料研究的先河；以磁科学进行

2、研究的创始者当数吉尔伯特，后经安培、奥斯特、法拉第等人开以磁科学进行研究的创始者当数吉尔伯特，后经安培、奥斯特、法拉第等人开创性的发现和发明，初步奠定了磁学科学的基础。创性的发现和发明，初步奠定了磁学科学的基础。从从1900年到年到1930年，先后确立了金属电子论、顺磁性理论、分子磁场、磁畴概年，先后确立了金属电子论、顺磁性理论、分子磁场、磁畴概念、念、X射线衍射分析、原子磁矩、电子自旋、波动力学、铁磁性体理论金属电子射线衍射分析、原子磁矩、电子自旋、波动力学、铁磁性体理论金属电子量子论、电子显微镜等相关的的理论。从而形成了完整的磁学科学体系。在此量子论、电子显微镜等相关的的理论。从而形成了完

3、整的磁学科学体系。在此后的后的2030年间，出现了种类繁多的磁性材料。年间，出现了种类繁多的磁性材料。我国的磁学前辈当数叶企孙（我国的磁学前辈当数叶企孙（1924年从美国哈佛大学获博士学位回国）、施汝年从美国哈佛大学获博士学位回国）、施汝为先生（为先生（1931年在国内发表了第一篇磁学研究论文），现我国已有十余所高校、年在国内发表了第一篇磁学研究论文），现我国已有十余所高校、十几个研究所及几百个生产企业从事磁学研究、教学和生产。十几个研究所及几百个生产企业从事磁学研究、教学和生产。 磁性材料是功能材料的重要分支；磁性材料是功能材料的重要分支； 磁性元器件具有转换、传递、处理信息、存储能量、节约

4、能源等磁性元器件具有转换、传递、处理信息、存储能量、节约能源等功能功能, , 应用于能源、电信、自动控制、通讯、家用电器、生物、医疗卫应用于能源、电信、自动控制、通讯、家用电器、生物、医疗卫生、轻工、选矿、物理探矿、军工等领域生、轻工、选矿、物理探矿、军工等领域, ,尤其在信息技术领域尤其在信息技术领域已成为不可缺少的组成部分。已成为不可缺少的组成部分。 信息化发展的总趋势是向小、轻、薄以及多功能、数字化、智能信息化发展的总趋势是向小、轻、薄以及多功能、数字化、智能化方向发展化方向发展; ;要求磁性材料制造的元器件不仅大容量、小型化、要求磁性材料制造的元器件不仅大容量、小型化、高速度高速度,

5、,而且具有可靠性、耐久性、抗振动和低成本的特点。而且具有可靠性、耐久性、抗振动和低成本的特点。(1)(1)加强磁性材料的基础研究和应用基础研究加强磁性材料的基础研究和应用基础研究. . (2)(2)改造和完善现有的磁性材料改造和完善现有的磁性材料, ,提高其磁性能提高其磁性能, ,优化制备优化制备工艺工艺, ,降低生产成本降低生产成本. .(3)(3)发展新型的磁性材料发展新型的磁性材料, ,特别是纳米磁性材料纳米磁性材特别是纳米磁性材料纳米磁性材料是纳米材料中最早进入工业化生产的功能材料料是纳米材料中最早进入工业化生产的功能材料, ,应用广应用广泛泛, ,性能优异性能优异, ,特别是在信息存

6、储、处理与传输中占据重要特别是在信息存储、处理与传输中占据重要地位地位, ,其基础研究和应用开发正方兴未艾其基础研究和应用开发正方兴未艾. .(4)(4)加强研究、生产、应用三方面的结合加强研究、生产、应用三方面的结合, ,不断开拓磁性材不断开拓磁性材料新的应用领域并促使其发展料新的应用领域并促使其发展. .磁性材料的研究和发展将主要集中在以下几个方面磁性材料的研究和发展将主要集中在以下几个方面: :教学内容和要求教学内容和要求 熟悉金属磁性材料理论基础包括金属结构与磁特熟悉金属磁性材料理论基础包括金属结构与磁特性的关系，结晶织构与磁织构对磁性能的关系，性的关系，结晶织构与磁织构对磁性能的关系

7、，相变热力学，相变动力学，过饱和固溶体分解原相变热力学，相变动力学，过饱和固溶体分解原理在磁性材料研究中的应用。理在磁性材料研究中的应用。(6)(6) 掌握金属软磁材料的结构与特性要求如工程纯铁，掌握金属软磁材料的结构与特性要求如工程纯铁，铁镍系等。铁镍系等。(2)(2) 掌握金属及稀土永磁材料的结构与特性要求包括掌握金属及稀土永磁材料的结构与特性要求包括AlNiCoAlNiCo，SmCoSmCo，NdFeBNdFeB，SmFeNSmFeN。(2)(2) 非晶态磁性材料的制备工艺及磁特性。非晶态磁性材料的制备工艺及磁特性。(2)(2)5 5熟悉尖晶石铁氧体的晶体结构与基本特性熟悉尖晶石铁氧体的

8、晶体结构与基本特性; ;掌握软磁铁氧掌握软磁铁氧体的特性要求与参数、软磁铁氧体的磁谱特性、软磁铁氧体的特性要求与参数、软磁铁氧体的磁谱特性、软磁铁氧体损耗特性、软磁铁氧体的稳定性。体损耗特性、软磁铁氧体的稳定性。 (14)(14)6 6熟悉石榴石铁氧体的晶体结构、石榴石铁氧体的饱和磁化熟悉石榴石铁氧体的晶体结构、石榴石铁氧体的饱和磁化强度、石榴石铁氧体的磁晶各向异性、石榴石铁氧体的光强度、石榴石铁氧体的磁晶各向异性、石榴石铁氧体的光特性、钙钛石型铁氧体。掌握旋磁铁氧体材料的特性要求特性、钙钛石型铁氧体。掌握旋磁铁氧体材料的特性要求与参数、旋磁铁氧体材料的损耗、高功率条件下旋磁铁氧与参数、旋磁铁

9、氧体材料的损耗、高功率条件下旋磁铁氧体材料的损耗、常用旋磁铁氧体材料、特殊性能旋磁铁氧体材料的损耗、常用旋磁铁氧体材料、特殊性能旋磁铁氧体材料。体材料。(6)(6)教学内容和要求教学内容和要求7 7熟悉磁铅石铁氧体的晶体结构、磁铅石铁氧体的饱和磁化熟悉磁铅石铁氧体的晶体结构、磁铅石铁氧体的饱和磁化强度、磁铅石铁氧体的磁晶各向异性。掌握永磁铁氧体材强度、磁铅石铁氧体的磁晶各向异性。掌握永磁铁氧体材料的特性要求与参数、常用永磁铁氧体材料、永磁铁氧体料的特性要求与参数、常用永磁铁氧体材料、永磁铁氧体材料的稳定性与发展。材料的稳定性与发展。(4)(4)8 8本课程开出相关实验本课程开出相关实验1212

10、学时学时continue 教学内容和要求教学内容和要求 不同类型的磁性材料是如何分类的不同类型的磁性材料是如何分类的?按块体磁化率来划分按块体磁化率来划分: 抗磁性材料抗磁性材料 顺磁性材料顺磁性材料 强磁性材料强磁性材料(铁磁性、亚铁磁性铁磁性、亚铁磁性)(铁氧体材料、金属磁性材料铁氧体材料、金属磁性材料)按功能分按功能分: 软磁材料软磁材料 永磁材料永磁材料 矩磁材料矩磁材料 压磁材料压磁材料 旋磁材料旋磁材料1-1 软磁铁氧体材料的特性要求软磁铁氧体材料的特性要求一一.概述概述: 1.要求：要求： 四高四高-i、Q、fr、稳定性、稳定性( M、DF); 2.特点：容易获得磁性也容易失去特

11、点：容易获得磁性也容易失去,主要用于高主要用于高f弱场弱场二二.分类分类 第一章第一章 软磁铁氧体材料软磁铁氧体材料二二.分类分类 1.按晶体结构按晶体结构:尖晶石型尖晶石型;平面六角晶系平面六角晶系; 2.按材料应用性能分：按材料应用性能分： 1.高磁导率材料高磁导率材料(i = 2000-4 104)： 低频、宽频带变压器低频、宽频带变压器 及小及小 型型 脉冲变压器脉冲变压器 2.低损耗材料：电源磁芯低损耗材料：电源磁芯,高功率场合高功率场合; 3.低损耗高温定性材料低损耗高温定性材料:通信滤波器磁芯通信滤波器磁芯; 4. 高频大磁场材料：高频大磁场材料： 空腔谐振器、高功率变压器等空腔

12、谐振器、高功率变压器等 5.功率铁氧体（高功率铁氧体（高Bs）材料：）材料： 开关电源及低频功率变压器开关电源及低频功率变压器 6 高密度记录材料：用做录音高密度记录材料：用做录音,录象磁头录象磁头; 7电波吸收体材料：吸收电磁波能量，广泛应用于抗干扰电波吸收体材料：吸收电磁波能量，广泛应用于抗干扰 电子电子 技术技术1-1-1 1.起始磁导率起始磁导率I L：电感量（：电感量（mH）；）；R：电阻；：电阻；h、Di、Do：样品高，内径，外径：样品高，内径，外径2.磁损耗磁损耗: 品质因素：品质因素：Q=L / R; 损耗角正切：损耗角正切：tg=1/Q; 比损耗系数比损耗系数: tg /i

13、=1/iQ 一般材料一般材料i Q =常数常数.3.温度稳定性温度稳定性:温度系数温度系数 比温度系数：比温度系数： u/iHBHi0limrefrefrefe7210)ln(2ioDDhNL122910rrhInNRX 4.4.减落减落: :反映材料随时间的稳定性反映材料随时间的稳定性5.5.磁老化磁老化6.6.截止频率截止频率fr: fr: 由于畴壁或自然共振由于畴壁或自然共振, , 迅速下降致所对应的迅速下降致所对应的频率点频率点 , ,衡量材料应用频率的上限衡量材料应用频率的上限. .max21rrfr r1-2 软磁铁氧体的磁导率软磁铁氧体的磁导率一、起始磁导率的理论概述一、起始磁导

14、率的理论概述: 微观机理微观机理: 可逆畴转，可逆畴壁位移可逆畴转，可逆畴壁位移 i = i 转转+ i位位对于一般烧结铁氧体：对于一般烧结铁氧体： 1.如内部气孔较多如内部气孔较多,密度低密度低,壁移难壁移难, i 转为主转为主; 2.如晶粒大如晶粒大,气孔少气孔少,密度高密度高,以壁移为主以壁移为主. 磁化的难易程度决定于磁化动力磁化的难易程度决定于磁化动力(MsH)与阻滞之比与阻滞之比,比值比值高则易磁化高则易磁化;反之难磁化反之难磁化.dkMssi3212023 理论上提高磁导率的条件理论上提高磁导率的条件: : 1. 1.必要条件：必要条件： 1.Ms1.Ms要高要高( ( MsMs

15、2 2 ); ); 2.k 2.k1 1, , s s0; 0; 2. 2.充分条件充分条件: : 1.1.原料杂质少原料杂质少, , ; ; 2.2.密度要提高密度要提高 ( P ( P ),),即材料晶粒尺寸要大即材料晶粒尺寸要大( D( D ); ); 3.3.结构要均匀结构要均匀 ( (晶界阻滞晶界阻滞 ); ); 4.4.消除内应力消除内应力 s s ; ; 5.5.气孔气孔 , ,另相另相 ( (退磁场退磁场 ) )二、提高二、提高i 的方法的方法（一）（一）. .提高材料的提高材料的Ms Ms 尖晶石铁氧体尖晶石铁氧体 Ms = | MMs = | MB B - M- MA A|

16、 | 1.1.选高选高MsMs的单元铁氧体的单元铁氧体 如如:MnFe:MnFe2 2O O4 4(4.6-5 (4.6-5 B B); NiFe); NiFe2 2O O4 4 (2.3 (2.3 B B) ) 2.2.加入加入Zn,Zn,使使M MA As s降低降低 另外另外: : CoFeCoFe2 2O O4 4 (3.7 (3.7 B B) )磁晶各向异性磁晶各向异性 FeFe3 3O O4 4(4 (4 B B) ) 电阻率低电阻率低,K,K也较大也较大 LiLi0.50.5FeFe2.52.5O O4 4(2.5 (2.5 B B) ) 烧结性差烧结性差,1000,10000

17、0C, LiC, Li挥挥发发( (二二).).降低降低 k k1 1和和 s s 1.1.选选L=0L=0的单元铁氧体的单元铁氧体; MnFe; MnFe2 2O O4 4 , Li, Li0.50.5FeFe2.52.5O O4 4, , MgFe MgFe2 2O O4 4 2.2.选择选择L L被淬灭被淬灭; NiFe; NiFe2 2O O4 4 ,CuFe,CuFe2 2O O4 4 3.3.离子取代降低离子取代降低k k1 1, , s s 1.1.加入加入ZnZn2+2+, ,冲淡磁性离子的磁各向异性冲淡磁性离子的磁各向异性 2.2.加入加入CoCo2+2+: :一般铁氧体一般

18、铁氧体k k1 10, Co 0,0,正正 负负k k补偿；补偿； 3.3.引入引入FeFe2+2+,Fe,Fe2+2+在在MnZnMnZn表现为正表现为正k,k,可正负补可正负补 偿调整偿调整k; k; 4.4.加入加入TiTi4+4+, 2Fe, 2Fe3+ 3+ FeFe2+2+Ti+Ti4+4+; ;55高磁导率的成分范围高磁导率的成分范围( (三三).).显微结构：显微结构： 1.1.结晶状态结晶状态: : 晶粒大小、完整性、均匀性；晶粒大小、完整性、均匀性； 2.2.晶界状态晶界状态: : 厚薄、气孔、另相；厚薄、气孔、另相； 3.3.晶粒内气孔晶粒内气孔, ,另相另相: : 大小

19、、多少和分布；大小、多少和分布； 高高材料材料: :大晶粒大晶粒, ,晶粒均匀完整晶粒均匀完整, ,晶界薄晶界薄, ,无气无气孔和另相孔和另相( (四四).).内应力对内应力对的影响：的影响： 1.1.有磁化过程中的磁致伸缩引起，它与有磁化过程中的磁致伸缩引起，它与 s s 成正成正 比；比； 2.2.烧结后冷却速度太快，晶格应变和离子、空位烧结后冷却速度太快，晶格应变和离子、空位 分布不均匀而产生畸变；分布不均匀而产生畸变； 3.3.由气孔、杂质、另相、晶格缺陷、结晶不均匀由气孔、杂质、另相、晶格缺陷、结晶不均匀 等引起的应力，与原材料纯度和工艺有关等引起的应力，与原材料纯度和工艺有关。 1

20、. 1.原材料：纯度高、活性好、杂质少原材料：纯度高、活性好、杂质少, ,对对MnZnMnZn材料材料 而言粒度最好在而言粒度最好在0.150.150.25 0.25 m m范围内。特别注范围内。特别注 意半径较的大杂质混入；意半径较的大杂质混入； 2.2.配方除满足高配方除满足高MsMs，更重要是满足，更重要是满足k k1 1 0, 0, s s 0 0； 一般当要求一般当要求i i在在50005000以下时以下时, ,可以加入必要的添可以加入必要的添 加剂如加剂如 CaO, TiOCaO, TiO2 2, LaO,CuO, Bi, LaO,CuO, Bi2 2O O3 3, B, B2 2

21、O O3 3, BaO, , BaO, V V2 2O O5 5,ZrO,ZrO2 2 等，以改善损耗特性及其它性能的作用等，以改善损耗特性及其它性能的作用 3.3.保证获得高密度及优良显微结构，造成磁化过程保证获得高密度及优良显微结构，造成磁化过程 以壁移为主。用二次还原烧结法和平衡气氛烧结以壁移为主。用二次还原烧结法和平衡气氛烧结 法是获得稳定优良性能必不可少的条件；法是获得稳定优良性能必不可少的条件； 4.4.采用适当的热处理工艺进一步改善显微结构性能，采用适当的热处理工艺进一步改善显微结构性能， 促使均匀化，消除内应力，调节离子、空位的稳促使均匀化，消除内应力，调节离子、空位的稳 定分

22、布状态。定分布状态。1-3 软磁铁氧体的磁谱软磁铁氧体的磁谱一、软磁铁氧体磁谱及形状一、软磁铁氧体磁谱及形状 磁谱：软磁材料在弱交变磁场中，复磁导率磁谱：软磁材料在弱交变磁场中，复磁导率r r = = r r - - r r 随频率变化的曲线随频率变化的曲线frr1234一般软磁铁氧体材料的磁谱一般软磁铁氧体材料的磁谱铁氧体磁谱分区：铁氧体磁谱分区： 1.1.低频低频( f10( f10( f 101010Hz)-Hz)-交换区交换区fcL=n/2举例： f=106Hz，=103，=30，=173cm影响磁谱的因素影响磁谱的因素1.1.畴壁共振：畴壁共振： m m 有效质量；有效质量； ：劲度

23、系数（劲度系数（P56P56） ：为畴壁在其能谷中离开最低能量的平衡位置时为畴壁在其能谷中离开最低能量的平衡位置时所受到的回复力大小的量度，是一个结构灵敏常数所受到的回复力大小的量度，是一个结构灵敏常数2.2.自然共振自然共振: : 外加交变场，磁晶各向异性场和退磁场联合作用；外加交变场，磁晶各向异性场和退磁场联合作用； 1.1.单畴单畴: : r r = r = rH Hk k 2.2.多畴多畴:H Hk k r r 1MHz,f 1MHz,以以NiZnNiZn为主为主; ; f 100MHz,f 100MHz,以平面六角结构材料为主以平面六角结构材料为主; ;3.3.加入磁晶各向异性很强的

24、离子加入磁晶各向异性很强的离子 CoCo2+ 2+ 1.1.冻结畴壁的移动冻结畴壁的移动, ,提高畴壁共振频率提高畴壁共振频率 2.2.形成形成CoCo2 2Y Y相相, ,增大材料的磁晶各向异性增大材料的磁晶各向异性; ;4. 加入低熔点物质加入低熔点物质PbO,CuO 掺入低熔点物质，可使掺入低熔点物质，可使T烧烧降低降低150200 C;提高密提高密度度, 细化晶粒细化晶粒, 磁化过程主要以畴转为主磁化过程主要以畴转为主,在在MnZn,NiZn 中都可以运用中都可以运用;5. 降低烧结温度降低烧结温度,细化晶粒细化晶粒; 形成多孔细晶粒结构形成多孔细晶粒结构:利用形状各向异性利用形状各向

25、异性,退磁场作用退磁场作用 (气孔气孔),在在NiZn 中普遍采用；中普遍采用；6.应用时应用时: 对对 k10( s0( s0)压力压力; 开气隙开气隙,使使i ; 加直流偏磁场加直流偏磁场(固定畴壁固定畴壁);1-4 1-4 软磁铁氧体的损耗软磁铁氧体的损耗一、一、.概述概述产生原因产生原因:软磁材料在弱交变场软磁材料在弱交变场,一方面会受磁化一方面会受磁化而储能而储能,另一方面由于各种原因造成另一方面由于各种原因造成B落后于落后于H而而产生损耗产生损耗,即材料从交变场中吸收能量并以热能即材料从交变场中吸收能量并以热能形式耗散形式耗散. )sin( ),cos(00mmmmHBHBchet

26、antantantancaBefmitan2二二. .磁损耗分类磁损耗分类: : 非共振区（损耗较小）非共振区（损耗较小）: : 1. 1.涡流损耗涡流损耗; ; 2. 2.磁滞损耗磁滞损耗; ; 3. 3.剩余损耗剩余损耗; ; 共振区（损耗较大）共振区（损耗较大）: : 4. 4.尺寸损耗尺寸损耗; ; 5. 5.畴壁损耗畴壁损耗; ; 6. 6.自然共振自然共振（一）、（一）、 涡流损耗涡流损耗涡流损耗涡流损耗：由于电磁感应引起涡流而产生。：由于电磁感应引起涡流而产生。一般铁氧体一般铁氧体 很高时很高时, ,可忽略涡流损耗可忽略涡流损耗; ;对高对高 材料，材料，由于由于FeFe2+2+

27、含量较高，（含量较高，（ =10=10-2-21010 m m），），涡流损耗涡流损耗较大。较大。降低涡流损耗的有效方法是降低涡流损耗的有效方法是: :提高提高 ( (晶粒内部的晶粒内部的 , ,晶界的晶界的 ) )effdiie2231tan2 1. 1.晶粒内部晶粒内部: : 防止防止FeFe2+2+出现出现, ,如配方中如配方中FeFe2 2O O3 350mol%50mol%则在则在还原气氛下烧结还原气氛下烧结; ;主要在高频主要在高频NiZnNiZn要防止要防止FeFe2+2+产生产生, ,则在氧气氛下烧结则在氧气氛下烧结; ; 采用缺铁配方采用缺铁配方, Fe, Fe2 2O O3

28、 350mol%, P n n型型导电导电; ; 加入适量的加入适量的MnMn2+2+,Co,Co2+2+, ,抑制抑制FeFe2+2+; ;原因原因:Mn:Mn2+2+,Co,Co2+2+的电子扩散激活能高于的电子扩散激活能高于FeFe2+2+, ,使得使得即使存在部分即使存在部分FeFe2+2+也使也使 . . MnMn2+2+,Co,Co2+2+在高温烧结中在高温烧结中具有比具有比NiNi对氧的亲和力还要强对氧的亲和力还要强, ,由二价由二价 三价三价, ,而而低温还原性强由三价低温还原性强由三价二价；二价； 降低降低T T烧烧, , 因因FeFe2+ 2+ 随随 T T烧烧 而而 (

29、(高温时高温时O O2 2少少);); 2.提高晶界的提高晶界的 (主要对主要对MnZn) 对于高对于高材料材料,只能选择添加剂只能选择添加剂;二次球磨加入二次球磨加入:CaO SiO2、V2O5 SiO2、 BaO SiO2;如如 SiO2量偏高量偏高,不能再加不能再加,否则将引起异常晶粒否则将引起异常晶粒生长生长; 加入加入 Nb2O3、TaO、PbO、LaO、CuO 可降低可降低T烧烧 , 促进晶粒细化促进晶粒细化, 晶界增多晶界增多,提高电阻率提高电阻率; 加入加入TiO2, 即使即使 Fe2+ 限制在限制在 Ti4+ 附近附近, 防止防止 Fe2+Fe3+ +e导电机构形成导电机构形

30、成; 烧结后热处理使晶粒表面吸氧烧结后热处理使晶粒表面吸氧: Fe2+ Fe3+ (3000C以上以上)（二）、（二）、 磁滞损耗磁滞损耗磁滞损耗：是指软磁材料在交变场中存在不可逆磁磁滞损耗：是指软磁材料在交变场中存在不可逆磁化而形成磁滞回线，所引起材料损耗，大小正比于化而形成磁滞回线，所引起材料损耗，大小正比于回线面积回线面积.原因原因:不可逆的壁移不可逆的壁移,使使B落后于落后于H.降低损耗的方法降低损耗的方法: 1.低场下低场下,防止不可逆磁化过程产生防止不可逆磁化过程产生,降低损耗与提降低损耗与提 高高i的方法一致的方法一致; 但同时应注意但同时应注意 防止不可逆防止不可逆壁壁移的出现

31、移的出现 2.高场下高场下,使不可逆磁化过程尽快完成使不可逆磁化过程尽快完成,减少磁滞回减少磁滞回线面积线面积.磁滞损耗的表达式：磁滞损耗的表达式：其中其中 ; b= d; b= di i /dH (b/dH (b为瑞利系数为瑞利系数) )1.1.如如 b b不变不变, ,在相同的在相同的BmBm条件下条件下, , i i , , 但当但当i i , ,往往仍可使往往仍可使b b 。2.2.如如 i i不变不变, ,使使b b 即减少不可逆壁移所占比例，即减少不可逆壁移所占比例， 。 因此使晶粒尺寸因此使晶粒尺寸 , ,并使并使k k1 10,0,使磁化以使磁化以可逆壁移、畴转为主。（如叵明伐

32、效应冻结壁，不可逆壁移、畴转为主。（如叵明伐效应冻结壁，不可逆壁移难于发生）可逆壁移难于发生）mmmiinBBaBbtg338338ibaintgintg 从上面看出从上面看出, 降磁滞损耗方法：降磁滞损耗方法： （一）在低场作用下：（一）在低场作用下： 1.tg n 与与 i 一致一致,即要使可逆磁化为主即要使可逆磁化为主: 2.但随但随i 不可逆磁化易产生不可逆磁化易产生,即即b ,故须采用故须采用 i 与与不不 一致的方法一致的方法: 晶粒较小晶粒较小,均匀均匀,完整完整;晶界相对较厚晶界相对较厚,气气孔少。孔少。 举例：举例： 在在MnZn中中,如用如用Ti4+取代部分取代部分Fe3+

33、， Ti4+取代使取代使 k10；可可降低降低T烧烧,，晶粒生长较小，气孔率低，晶粒生长较小，气孔率低; 在在NiZn中加入中加入Co(少量少量)形成形成Ku(单轴各向异性单轴各向异性);产生产生叵明法效应叵明法效应: 等导型等导型 ;蜂腰型蜂腰型(在弱场下）；在弱场下）；（二）在强场作用下（二）在强场作用下: 加速不可逆磁化的发生加速不可逆磁化的发生(在小在小H发生发生)要要Hc小小, i ,使磁使磁滞回线面积滞回线面积 : 配方原则配方原则: k10, s 0原料要求纯原料要求纯,活性好活性好,与与i 一致一致(高高材料材料); 工艺原则工艺原则: 高密度高密度,较大晶粒较大晶粒,均匀均匀,完整完整,无异相掺杂无异相掺杂,内应力内应力 ; 晶界薄而整齐晶界薄而整齐,气孔少气孔少;与高与高Bs材料基本一致；材料基本一致；叵明法效应叵明法效应: : 磁滞回线具有下列特性称为叵明法效应