春季电子技术应用期末考试答案

1、电子技术应用高一2014年春季期末考试姓名：- 班级：- 总分：-选择题（每小题2分，共60分）123456789101112121415161718192021222324252627282930判断题（每小题2分，共40分）1234567891011121314151617181920一、选择题：（每小题2分，共60分）1、单极型半导体器件是（ C ）。A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。A、导通状态； B、截止状态

2、； C、反向击穿状态； D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K，说明该二极管（ C ）。A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE2.1V，VB2.8V，VC4.4V，说明此三极管处在（ A ）。A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波

3、形为（ C ）。A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM； B、集射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM； D、管子的电流放大倍数。10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。11、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。A、直流成分； B、交流成分； C、交直流成分均有。12、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。A、直流

4、信号； B、交流信号； C、交直流信号均有。13、分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（B）。A、截止失真； B、饱和失真； C、晶体管被烧损。14、共发射极放大电路的反馈元件是（B）。A、电阻RB； B、电阻RE； C、电阻RC。15、功放首先考虑的问题是（A）。A、管子的工作效率； B、不失真问题； C、管子的极限参数。16、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A）。A、放大电路的电压增益； B、不失真问题； C、管子的工作效率。17、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）A、带负载能力强； B、带负载能力差； C、减轻前级或信号源负荷。18、功放电路易出现的

5、失真现象是（C）。A、饱和失真； B、截止失真； C、交越失真。19、基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。A、截止区； B、饱和区； C、死区。20、射极输出器是典型的（C）。A、电流串联负反馈； B、电压并联负反馈； C、电压串联负反馈。21、理想运放的开环放大倍数Au0为（A），输入电阻为（A），输出电阻为（B）。A、； B、0； C、不定。22、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（C）。A、扁平式； B、圆壳式； C、双列直插式。23、由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（C）。A、反相放大器； B、差分放大器； C、电压比较器。24、理想运放的

6、两个重要结论是（B）。A、虚短与虚地； B、虚断与虚短； C、断路与短路。25、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。A、正反馈与负反馈； B、线性与非线性； C、虚断和虚短。26、（B）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。A、同相； B、反相； C、双端。27、集成运放的线性应用存在（C）现象，非线性应用存在（B）现象。A、虚地； B、虚断； C、虚断和虚短。28、各种电压比较器的输出状态只有（B）。A、一种； B、两种； C、三种。29、基本积分电路中的电容器接在电路的（C）。A、反相输入端； B、同相输入端； C、反相端与输出端之间。30、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使

7、用的概念是（B）。A、虚地； B、虚短； C、虚断。二、判断正误：（每小题2分，共40分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 （错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。 （错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。 （对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。 （错）9、双

8、极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 （错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （错）11、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。 （错）12、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。 （对）13、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。 （错）14、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。 （对）15、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。 （对）16、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。 （错）17、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。 （对）18、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。（错）19、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。 （错）20、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。 （对）21、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。 （错）22、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。 （对）23、放大电路通常工作在小信号状态下，功放电路通常工作在极限状态下。 （对）24、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。 （对）25、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。 （错）26、放大电路的集电极电流超过极限值ICM