锑化铟磁阻特性测量实验报告(带数据)

1、精选文档曲阜师范高校试验报告试验日期：2020.5.23 试验时间：8：30-12：00姓名：方小柒 学号：*试验题目：锑化铟磁阻特性测量一、 试验目的：1、了解霍尔测试仪、霍尔试验仪等电磁学仪器的构造，把握它们的原理，正确读数和使用方法。2、把握计算出电阻值及电阻变化率的方法3、把握计算磁场较弱时的二次系数K；和磁场较强时，对应的一次系数a和b二、 试验仪器：霍尔测试仪、检流计、电压源、滑线式电桥、霍尔试验仪、滑线变阻器、四线电阻箱、单刀开关三、 试验内容：1.依据试验原理，正确进行试验连线；2.线路连接好以后，检流计调零；3.调整锑化铟片的位置，将其置于电磁铁中的最强均匀磁场处；4.选择合

2、适的电阻值并调整电桥平衡；5.测量锑化铟电阻与磁场强度之间的变化关系；6.记录数据，并处理试验结果。外加磁场较弱时，电阻相对变化率正比于磁感应强度B的二次方：RR=KB2（5）求出磁场较弱时，对应的二次系数K。 外加磁场较强时，与磁感应强度B呈线性函数关系：RR=aB+b（6）求出磁场较强时，对应的一次系数a和b。 四、 试验原理：如图1所示，当导电体处于磁场中时（电流方向与磁场方向垂直），导电体内的载流子将在洛仑兹力的作用发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。假如霍尔电场作用和某一速度的载流子受到的洛仑兹力作用刚好抵消，则小于此速度的电子将沿霍尔电场作用的方向偏转，而大于此速度的电子则

3、沿相反方向偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将削减，即沿电场方向的电流密度减小，电阻增大，也就是由于磁场的存在，增加了电阻，此现象称为磁阻效应。假如将图1中a、b短路，霍尔电场将不存在，全部电子将向b端偏转，使电阻变得更大，因而磁阻效应更明显。因此，霍尔效应比较明显的样品，磁阻效应就小；霍尔效应比较小的，磁阻效应就大。图1磁阻效应通常以电阻率的相对转变量来表示磁阻的大小，即用/(0)表示。其中(0)为零磁场时的电阻率，(B)为在磁场强度为B时的电阻率，则=(B)-(0)。由于磁阻传感器电阻的相对变化率R/R(0)正比于/(0)，这里R=R(B)-R(0)，R(0)、R(B)分别为磁场强度

4、为0和B下磁阻传感器的电阻阻值。因此也可以用磁阻传感器电阻的相对转变量R/R(0)来表示磁阻效应的大小。很多金属、合金及金属化合物材料处于磁场中时，传导电子受到猛烈磁散射作用，使材料的电阻显著增大，称这种现象为磁阻效应。通常以电阻率的相对转变量来表示磁阻，即（1）式中，B和o分别为有磁场和无磁场时的电阻率。在实际测量中，常用磁阻器件的磁电阻相对转变量R/R来争辩磁阻效应，由于R/R正比于/，R=R(B)-R(0)，则（2）其中，R(B)是磁场为时的磁电阻，R(0)为零磁场时的磁电阻。观看图2，不难发觉：外加磁场较弱时，电阻相对变化率正比于磁感应强度的二次方（3）外加磁场较强时，与磁感应强度B呈

5、线性函数关系，即：（4）图2磁阻效应曲线五、 试验步骤：、流程简述1.依据试验原理，正确进行试验连线；2.线路连接好以后，检流计调零；3.调整锑化铟片的位置，将其置于电磁铁中的最强均匀磁场处；4.选择合适的电阻值并调整电桥平衡；5.测量锑化铟电阻与磁场强度之间的变化关系；6.记录数据，并处理试验结果。外加磁场较弱时，电阻相对变化率正比于磁感应强度B的二次方：（5）求出磁场较弱时，对应的二次系数K。外加磁场较强时，与磁感应强度B呈线性函数关系：（6）求出磁场较强时，对应的一次系数a和b。、线上操作试验操作方法:(1)主窗口介绍成功进入试验场景窗体，试验场景的主窗体如下图所示：(2)试验连线当鼠标

6、移动到试验仪器接线柱的上方，拖动鼠标，便会产生“导线”，当鼠标移动到另一个接线柱的时候，松开鼠标，两个接线柱之间便产生一条导线，连线成功；假如松开鼠标的时候，鼠标不是在某个接线柱上，画出的导线将会被自动销毁，此次连线失败。依据试验电路图正确连线，连线操作完成，如下图所示：(3)试验仪器初始化1)检流计调零线路连接完毕后，断开电源开关，打开检流计调整界面，按下检流计的电计按钮，旋转检流计的档位旋钮至直接当（白点所在位置），旋转调零旋钮，并观看检流计的指针，当检流计的指针指向零点，调零成功。如下图所示：2)滑动变阻器双击打开滑动变阻器界面，调整至适当位置。如下图所示：3)滑线式电桥双击打开滑线式电

7、桥界面，调整至适当位置。如下图所示：(4)双击打开电阻箱，调解电阻箱，选取合适的电阻值。如下图所示：(5)双击打开霍尔试验仪，调整锑化铟片至均匀磁场处，如下图所示：(6)调整励磁电流大小，电流每转变0.05A，调整滑线式电桥使电桥平衡，并记录L1的大小，填入试验表格。如下图所示：(7)依据惠更斯电桥的对应比例关系，计算出锑化铟电阻值及电阻变化率的值，并填入试验表格。如下图所示：(8)依据试验数据，计算磁场较弱时的二次系数K；和磁场较强时，对应的一次系数a和b。如下图所示：六、 试验数据：1、从小到大缓慢调整磁铁线圈的励磁电流的大小，电流每转变0.05A，调整滑线式电桥使电桥平衡，并记录一次金属

8、丝长度L1（平衡时，划线式电桥零刻度到金属划片的长度），共记录16组数据。选择的标准电阻箱阻值（单位）R= 400 电磁铁的高斯系数G（Gs/A） 5130 Im/A磁场强度B(T)金属丝长度L1（cm）锑化铟电阻值（）电阻变化率R/R（0）0.000.0000050.06409.10.0000.050.0256549.45472.00.0300.100.0513045.56480.00.2000.150.0769544.65498.00.2450.200.1026043.84516.00.2900.250.1282542.91534.00.3350.300.1539042.13551.90.

9、3800.350.1795541.46570.00.4250.400.2052040.72587.90.4700.450.2308539.80605.90.5150.500.2565039.31623.90.5600.550.2821538.55641.90.6050.600.3078037.91659.90.6500.650.3334537.31677.90.6950.700.3591036.70696.90.7410.750.3847536.06713.90.7852、已知：在外加磁场较弱时，锑化铟片的电阻相对变化率（R/R(0)）正比于磁感应强度B的二次元方程R/R（0）=KB2；随磁场

10、的加强，电阻相对变化率（R/R(0)）与磁感应强度B呈线性函数关系R/R（0）=aB+b；接受最小二乘法线性拟合。1、求出磁场较弱时，对应的二次系数K= 106.42、 求出磁场较强时，对应的二次系数a= 1.75553、 对应的一次系数b= 0.1098七、 思考题：1. 磁阻效应是怎样产生的？磁阻效应和霍尔效应有何内部联系？ 答：当导体或半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛伦兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场，在霍尔电场和外加磁场的共同作用下，沿外加电场方向运动的载流子数量将削减，电阻增大，即产生了磁阻效应磁阻效应和霍尔效应都是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力产生的，且磁阻效应是在霍尔电场和外加磁场的共同作用下而产生的2. 试验时为何要保持霍尔工作电流和流过磁阻元件的电流不变？ 答：遵循单一变量法则，使其它因素不影响到B与R/R(0)的关系，得到单一变量的关系曲线3. 不同的磁场强度时，磁阻传感器的电阻值与磁感应强度关系有何变化？ 答：当外加磁场较弱时，电阻相对变化