Sm_(0.6)Nd_(0.4)NiO_3LaAlO_3异质外延薄膜中的金属绝缘体转变

1、Sm_(0.6)Nd_(0.4)NiO_3/LaAlO_3异质外延薄膜中的金属绝缘体转变在凝聚态物理中 , 金属绝缘体转变 (MI 转变 ) 是一个存在已久的课题。 几十年来 , 人们一直试图从实验和理论上揭示金属绝缘体转变背后所蕴藏的基本机制。钙钛矿稀土镍酸盐 ReNiO3是一类典型的具有 MI 转变的电子强关联材料 , 这里 Re通常指除 La 以外的 La 系过渡金属元素 , 还包括如 Tl 、Bi 等重金属元素。随着温度的降低 , 这类材料从高温顺磁金属态向低温反铁磁绝缘态转变, 在MI 转变温度 (TMI) 附近有很大的电导率改变, 具有非常陡峭的金属 - 绝缘体转变。然而 , 目前

2、对 ReNiO3的 MI 转变性质并没有统一的认识, 而且由于 ReNi03 制备困难 , 即使是相同制备方法得到的样品也存在很大差异, 不同研究组之间样品的重复性差 , 因此 , 还需要更多的研究工作来分析ReNiO3中的 MI 转变、电子输运、结构变化以及体系内部各种相互作用之间的联系。现代电子技术的发展, 使得人们更加关注材料在室温附近的电学行为。因此 , 为了将来可能的应用前景, 我们针对 ReNiO3体系中转变温度在室温附近的开展研究。本论文分为四个部分( 四章 ) ：第一部分是文献综述；第二部分是 LaAl03 衬底上外延薄膜的制备及生长条件对其 MI 转变的影响；第三部分是关于施

3、加DC电流导致外延薄膜发生 MI 转变的研究工作；第四部分是外延薄膜 MI 转变点附近的结构变化。第一章是背景知识介绍以及相关工作最新研究进展的文献综述。首先介绍了关联电子氧化物中 MI 转变的几种机制如能带理论、 Mott 转变与Anderson 转变。其次介绍了钙钛矿稀土镍酸盐ReNiO3的研究历史与现状。最后说明了本论文的研究内容及方法。第二章是关于外延薄膜的制备及表征方面的工作。首先简单介绍了脉冲激光沉积( 简称 PLD)技术制备外延薄膜的基本原理。PLD是一种物理气相沉积技术 , 被公认是制备薄膜的最好方法之一。然后介绍了靶材的固相烧结法制备工艺, 以及所用衬底的考虑。接着介绍了外延

4、薄膜的 PLD生长工艺 , 并简单介绍了表征薄膜性质的各种手段, 如原子力显微镜 (AFM)对表面形貌的表征、 X 射线衍射 (XRD)对结构的表征、以及四探针法对薄膜电学性能的测试。最后 , 我们分析了生长氧压及衬底温度对外延薄膜MI 转变的影响：(1) 不同生长氧压的薄膜均表现出明显的 MI 转变 , 随着生长氧压的降低 , 薄膜中的氧空位浓度增加, 其 TMI由 365K 降至 220K,薄膜 out-of-plane 方向的晶格参数有轻微的减小 , 我们认为出现这种变化的原因是 Ni3+-Ni2+ 价态的变化、 Ni-O 键长的变大、 Ni-O-Ni 键角的变小以及 Ni3- O2-N

5、i3+ 电荷有序态的形成四者相互竞争的结果。(2) 尽管薄膜的外延结构随衬底温度从 7000C上升到 900几乎不变 , 但其 MI转变出现了很大的变化。其中8500C生长的薄膜 TMI 为 280K,具有最陡峭的MI转变 , 可以用作下一步的实验研究。 第三章讨论了 DC电流对薄膜 MI 转变的影响。首先我们分析了外延薄膜的结构、表面形貌以及电阻率随温度变化的关系 (p-T 曲线 ) 等基本性质。随后对其p-T 曲线进行了拟合 ,发现薄膜在低温绝缘态下的电导性质受变程跳跃机制(VRH)与热激发机制同时作用的 Dual-conduction机制控制。接着我们报道了TMI 随 DC电流增加从 2

6、80K单调连续降低至200K 的现象 , 并构建了薄膜的 MI 转变相图。最后根据薄膜的非线性 - 曲线 , 我们认为当温度低于 TMI 时, 对样品施加 DC电流破坏了薄膜中原有的Ni3+ O2-Ni3- 电荷局域有序态 , 使薄膜由绝缘态向金属态转变。第四章是外延薄膜在 MI 转变点附近 Ni06 八面体旋转的原位同步辐射高分辨XRD表征工作。氧八面体旋转与金属绝缘体转变、 磁相变等密切相关 , 通过测量由 Ni06 八面体旋转引起的 Bragg 半指数衍射峰 , 可以了解外延薄膜中的结构变化与 MI 转变的关系。我们发现：在温度引起的MI 转变中 ,(1/21/23/2)半指数衍射峰强度在MI转变温度上下发生了明显的改变, 而 (1/202) 则没有改变 , 表明伴随 MI 转变 ,Ni06八面体沿 010 方