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1、试题一答案 一、1:4; 2:O2-离子做面心立方密堆积,Na+填全部四面体空隙; 3:=4CN O2-=8 NaO4ONa8; 4:O2-电价饱和,因为O2-的电价=(Na+的电价/Na+的配位数)×O2的配位数; 5: 二、1:Al4Si4O10(OH)8;2:单网层状结构;3:一层硅氧层一层水铝石层且沿C轴方向堆积;4:层内是共价键,层间是氢键;5:片状微晶解理。三、1:点缺陷,线缺陷,面缺陷;2:由低浓度向高浓度的扩散;3:坯体间颗粒重排,接触处产生键合,大气孔消失,但固-气总表面积变化不大;4:按硅氧比值分类或按硅氧聚和体的大小分类;5:表面能的降低,流动传质、扩
2、散传质、气相传质和溶解-沉淀传质;6:随自由能的变化而发生的相的结构的变化,一级相变、二级相变和三级相变。四、 1:OVNa +VCl 2:AgAgAgi+VAg 3:3TiO23TiNb+VNb+6OO2TiO22TiNb+Oi+3O0Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x 4:NaClNaCa+ClCl+VCl五、一是通过表面质点的极化、变形、重排来降低表面能,二是通过吸附来降低表面能。 1:t=195h2:t=68h七、当O/Si由24时,熔体中负离子团的堆积形式由三维架状转化为孤立的岛状,负离子团的聚合度相应的降至最低。一般情况下,熔体中负离子团的聚合度越高,特别是
3、形成三维架状的空间网络时,这些大的聚合离子团位移、转动、重排都比较困难,故质点不易调整成规则排列的晶体结构,易形成玻璃。熔体中负离子团的对称性越好,转变成晶体越容易,则形成玻璃愈难,反之亦然。八、晶界上质点排列结构不同于内部,较晶体内疏松,原子排列混乱,存在着许多空位、位错、键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态,具有较高能量,质点在晶界迁移所需活化能较晶内为小,扩散系数为大。九、二次再结晶出现后,由于个别晶粒异常长大,使气孔不能排除,坯体不在致密,加之大晶粒的晶界上有应力存在,使其内部易出现隐裂纹,继续烧结时坯体易膨胀而开裂,使烧结体的机械、电学性能下降。工艺上常采用引入适当的添加剂,以减缓晶界
4、的移动速度,使气孔及时沿晶界排除,从而防止或延缓二次再结晶的发生。十、 PRSZA2010455B10604585C70301010十一、略试题二答案 一、(1)1、(010)(111) 111101;(4分)3、1;Ti4+添八面体空隙,八面体空隙利用率1/4,四八面体空隙全;(3分)4、否,因为Ti4+和O2-间没有明显的共价键成分。(2分) (2)1、岛状结构;(1分);2、O2-与一个SiO4、三个 MgO6配位:4/4×1+26×3=2= O2-的电价,O2-的电价(2分);3、结构中有两种配位多面体SiO4、MgO6 (2分);SiO4呈孤立的岛状,
5、中间被MgO6隔开,SiO4与 MgO6之间共顶或共棱连接,同层的MgO6之间共棱、不同层的MgO6之间共顶连接;(4分)4、不易,因为镁橄榄石的Si/O=1/4,最低,网络连接程度弱,结构中络阴离子团尺寸小,迁移阻力小,熔体的粘度低,冷却过程中结构调整速率很快。(2分)二、写出下列缺陷反应式(10):1、O?VNa +VCl2、AgAgAAi+VAg3、3TiO23TiNb+VNb+6O0 2TiO22TiNb+Oi+3O0Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x三、1(2分)粘度增加;2(2分)扩散也可以从低浓度向高浓度进行;3(2分)都是晶界移动的结果。正常长大是晶粒平
6、均尺寸增加,反常长大是个别大晶粒尺寸异常增加。4(2分)正确5(2分)两个固相和一个液相四、表面上的原子产生相对于正常位置的上、下位移,称为表面弛豫。(2分)NaCl单晶中处于表面层的负离子只受到上下和内侧正离子的作用,而外侧是不饱和的。电子云将被拉向内侧的正离子一方而变形,使该负离子诱导成偶极子。这样就降低了晶体表面的负电场。接着,表面层离子开始重排以使之在能量上趋于稳定。为此,表面的负离子被推向外侧,正离子被拉向内侧从而形成了表面双电层。(4分)五、 (2分)(2分)因为<,所以铂丝向Cr2O3方向移动。(2分)六、由热力学可知,在等温、等压下有在平衡条件下,则有式中:0是相变的平衡
7、温度;为相变热。若在任意温度的不平衡条件下,则有若与不随温度而变化,将上式代入上式得:可见,相变过程要自发进行,必须有,则。(1)若相变过程放热(如凝聚、结晶等)。要使,必须有,即,这表明系统必须“过冷”。(2)若相变过程吸热(如蒸发、熔融等),要满足这一条件则必须,即,这表明系统要自发相变则必须“过热”。七、扬德方程1(1G)1/32=K4t t=194.6h(2分)金斯特林格方程12/3G(1-G)2/3=K6t t=68.1t=68.1(2分)扬德方程假设反应过程中扩散截面不变,而金斯特林格方程考虑了反应中扩散截面的变化。随反应的进行,反应物体积减小,扩散截面变小,所需反应时间要比扬德假
8、设所计算出的时间短。(2分) 八、陶瓷材料中晶粒的大小与物料的原始粒度、烧结温度和时间等因素有关;(3分)控制晶粒尺寸方法:控制原始粒度均匀细小,控制烧结温度和时间,添加剂等。(3分)九、1、见图,付三角形3分,界线性质1分,界线上温度降低的方向4.5分; 2、D,一致熔融二元化合物,高温稳定、低温分解;(1.5分) M,不一致熔融三元化合物;(1分)3、(4分)E1,单转熔点,E2,低共熔点,E3,单转熔点,E4,过渡点,4、(6分)L (结晶结束)S (产物C+B+M)5、E2温度(1分),H点所在温度(1分);过H点做副三角形BCM的两条边CM、BM的平行线HH1、HH2,C%
9、=BH2/BC×100%,B%=CH1/BC×100%,C%=H1H2/BC×100%(3分)。 试题三答案一、1 (100) (111) 111 0-11 各1分2 CNTi4+=6 TiO6 CNCa2+=12 CaO12 CNO2-=6 OTi2Ca4 各1分3 Z=1(1分) Ti4+ (1分)占据1/4八面体空隙(1分)4 因为:Z+=2/12*4+4/6*2=2=Z- 所以:饱和 (3分)5 不存在,因为是复合氧化合物。(2分)二、岛状、架状、链状、层状、组群状、链状 各1分三、(1)CaCl2VNa+2ClCl+CaNa(2分) NaC1-
10、2xCaxCl(1分)(2)OVNa +VCl(2分)(3)一是因为晶体中的间隙位置有限,二是因为间隙质点超过一定的限度会不破坏晶体结构的稳定性。四、SiO4为基本结构单元,四面体组成形状不规则大小不同的聚合力子团,络阴离子团之间依靠金属离子连接。(4分);从Na2OSiO2系统出发,随引入B2O3量的增加, BO3与游离氧结合,转变为BO4,使断裂的网络重新连接,系统粘度增加(3分);继续引入B2O3,B2O3以层状或链状的BO3存在,系统的粘度降低(3分)。五、固体表面通过表面质点的极化、变形、重排降低固体的表面能(3分);液体分子可自由移动,通过形成球形表面来降低表面能(2分);固体质点
11、不能自由移动,只能通过表面质点的极化、变形、重排降低表面能,因此表面能总是高于同组成的液体的表面能(3分)。六、由公式D=D0exp(-Q/RT);(1分)计算D=6.72*10-7;(1分) D=2.7*10-8(1分);DD;(1分)因为体心结构较面心结构疏松(2分)。七、由热力学可知,在等温、等压下有 在平衡条件下, =0,则有 式中: 0是相变的平衡温度; 为相变热。若在任意温度T 的不平衡条件下,则有 若 与 不随温度而变化,将上式代入上式得: 可见,相变过程要自发进行,必须有<0,则<0 。(3) 若相变过程放热(如凝聚、结晶等)<0。要使<0,必须有>
12、;0,即T0>T,这表明系统必须“过冷”。(4) 若相变过程吸热(如蒸发、熔融等)>0,要满足<0这一条件则必须<0,即T0<T,这表明系统要自发相变则必须“过热”。八、选择Mg(OH)2、-Al2O3(3分);因为反应活性高,结构不稳定(3分)。九、蒸发冷凝、表面扩散十、1见图(6分); 2S1二元不一致熔融化合物,S2二元不致熔融化合物,S3三元不一致熔融化合物;(各1分)3P1:过渡点A+BS;P2:双转熔点L+B+S1=S3;P3:低共熔点L=B+C+S3;P4:单转熔点L+A =S2+S1;P5单转熔点L+S1= S2+S3;P6低共熔点 L
13、=C+S2+S3;(各1分)4(4分)L: (结晶结束)S:(产物S1+ S2+S3)5P3,H,B:C:S3=CC1:BB1:B1C1 (5分)试题四答案一、填空题(第1题每空0.5分,其它每空1分,总计20分)1. 晶胞参数,三斜,正交(斜方),立方。2. 化学位梯度,浓度梯度的,定向迁移。3. 原子排列状况相同但位向不同,数字相同、数序和正负号不同。4. 沸石>萤石>TiO2>MgO。5. 烧结初期、烧结中期和烧结后期,再结晶和晶粒长大。6. 是,固体质点不能自由移动。7. 在垂直于表面的方向上原子间距不同于该方向上晶格内部原子间距的表面,驰豫表面。8. 相界面上的化学
14、反应和反应物通过产物层的扩散,相界面上的化学反应速率远小于反应物通过产物层的扩散速率。9. 镁橄榄石>辉石>长石。10. 垂直 平行。二、(10分)解:(1) D=D0exp(-Q/RT) 2分 T=563+273=836K时,D=3×10-14cm2/s 2分
15、60; T=450+273=723K时,D=1.0×10-14cm2/s 2分 代入上式可求 Q=48875J,D0=0.34×10-11cm2/s 2分
16、; (2) D=D0exp(-Q/RT) =1.1×10-14 cm2/s 2分三、(10分)解:(1)有两种配位多面体,SiO4,MgO6,同层的MgO6八面体共棱,如59MgO6和49MgO6共棱75O2-和27O2-,不同层的MgO6八面体共顶,如1MgO6和51MgO6共顶是22O2-,同层的MgO6与SiO4共顶,如TMgO6和7SiO4共顶22O2-,不同层的MgO6与SiO4共棱,TMgO6和43SiO4共28O2-和
17、28O2-;2.5分(3)z=4(2.5分);(4)Si4+占四面体空隙=1/8,Mg2+占八面体空隙=1/2。(2.5分) 四、 1、 G·GV· 令 则 已知:GV3.6×106J/cm3;0.15 J/cm2
18、160; 8.33×108cm(5分) 2、个 (5分)五、1如右图,I表示核化速率,u表示晶化速率(5分); 2在阴影部分以外的温度对形成玻璃有利,因为此时核化速率与晶化速率都较小或只存在一种情况(5分)。六、1 1)(2分) (2分) 2)(1分) 2 体心立方点阵的晶胞结构图 (2分),
19、 (112)晶面和 晶向 (各1.5分)。 3 选择Mg(OH)2、-Al2O3;因为反应活性高,结构不稳定。(3+2)七、1、见图;(6分) 2、G,一致熔融二元化合物; F,不一致熔融二元化合物;H,不一致熔融三元化合物 (3分) 3、E1,单转熔点, E2,低共熔点, E3,低共熔点,
20、 E4,单转熔点, E5,单转熔点, E6,多晶转变点,(6分) 4、 L: (结晶结束)(B消失)(4分) S: (产物A+F+H) (2分) 5、E2温度,M2点所在温度;过M2点做副三角形CGH的
21、160; 两条边GH、GC的平行线M2X、M2Y,C%=YH/HC×100%, H%=CX/HC×100%,G%=XY/HC×100%。(4分) 试题五答案一、填空题(1´10=10分)1. 6 ,12 。2. 。3. 结构相同或相似,或具有相似的原子排列,或接触角为0,或接触角较小。4. 环境的作用。5. 晶粒长大和再结晶。6. 较低,速度较慢;反应开始明显进行的温度或较高。7.一定的温度。8. 垂直。二、晶体结构分析(2
22、0分)1、 1)Ca2+面心立方堆积,简单立方堆积;(4分)2) 钙的配位数为8,CaF8立方体;F的配位数为4,FCa4四面体;(4分)3) CaF8立方体之间共棱(共用2个顶点)连接;(2分)4) 见图(1分),平行(111)面存在同号离子层,外力作用下沿平行(111)面方向有解理现象(3分)。2、Si/O=1/2,架状结构;Si/O=4/10,层状结构;Si/O=4/11,双链结构;Si/O=2/6,单链结构;Si/O=2/7,组群状(双四面体)结构;Si/O=2/7,组群状(双四面体)结构;Si/O=1/3,组群状(环状)结构
23、;Si/O=1/4,岛状结构;(6分)三、晶体结构缺陷(10分)1、都不对(2分)。若B进入顶点位置,则形成固溶体化学式为,简化后得, x取1到8的整数,全部取代顶点位置的质点,得AB(4分)2、间隙型固溶体: (2分)Al2xMg12xO1x或 Al2xMg22xO2x (1分)置换型固溶体: (2分) Al2xMg13xO或Al2xMg33xO3 (1分)四、(10分)长石<辉石(MgO·SiO2)<镁橄榄石(2分) 长石辉石(MgO·SiO2)镁橄榄石(2分)|
24、 理由:从长石、辉石(MgO·SiO2)到镁橄榄石,熔体结构从架状、链状到岛状,络阴离子团尺寸减小,作用力矩减小,因此表面张力增大;同理,长石熔体具有架状结构,氧硅比2,网络连接程度好,冷却过程中不易规则排列而容易形成玻璃,镁橄榄石具有岛状,氧硅比4,硅氧四面体孤立存在,冷却过程中易规则排列而最不容易形成玻璃,辉石形成玻璃的能力居中。(6分)五(10分)、1、(2分)接解角大于90°,所以液态银不能润温氧化铝瓷件表面(2分)最有可能实现的措施:在液态银中加入表面活性剂,降低(Ag,液/ Al2O3,固),可使其润湿。(2分) 2、PbI2> C
25、aF2(2分)。与Ca2和F相比,Pb2与I具有较大的极化性能,因此表面双电层的厚度较厚(2分)。 六、(10分)1、Tm10831356K 1分 T1356(853273)230K 1分 2分 (个) 2分2、R*r
26、*1.28×107cm 1分 h0.2R*=0.2×1.28×107=0.256×107cm 1分
27、160; 1分 (个) 1分七、(5分)固溶体类型不同,扩散机制不同,导致扩散系数差别很大。1分氢在面心立方铁中形成间隙固溶体,按间隙扩散机制进行扩散,其扩散
28、活化能比较小,故扩散系数大; 2分而镍在面心立方铁中形成置换固溶体,按空位扩散机制进行扩散,其扩散活化能比较大,故扩散系数小。2分或答原子半径小,在相同的扩散基质中进行扩散,阻力小,活化能低,扩散系数大。(5分) 八、(5分)选择MgCO3、Al2O3较好。 3分MgCO3在加热到350400分解为MgO和CO2,具有比较高的反应活性; 1分Al2O3在加热到950时转变为Al2O3,由于发生晶格重排,会使晶格活化,具有比较高的反应活性。 1分 九、(20分)1 见图。三个副三角形,各0.5分,计1.5
29、分;温降箭头和性质各0.5分,计3分。合计4.5分;2 不一致熔融二元、低温稳定高温分解的化合物,各0.5分,合计1.5分;3 E:三元低共熔点 J1:过渡点 J2:单转熔点 各1分,合计3分; 4(液相消失,结晶结束,产物C+B+D),3分。B%=xy/CD, C%=yD/CD, B%=Cx/CD,1.5分。合计4.5分5(液相消失,结晶结束,产物C+B+D),3分。
30、L%=fM2/f J1, A%= J1M2/f J1*Bf/AB, B%= J1M2/f J1*Af/AB,1.5分。A先消失,因为此时系统中A与B的比小于化合物D中A与B的比,2分。合计6.5分。试题六答案一、填空(0.530=15分):1、6 12 四面体 八面体 2、硅氧比(或Si/O或O/Si) 层状3、柏氏矢量(或柏格斯矢量或) 一致(或相同或平行)4、位错 高5、温度 组成 可逆的与渐变的 6、弹性能 数值上7、F=C-P+n(或F=C-P+2)
31、60; 淬冷法(或其他方法)8、 质点的热运动 化学位梯度 质点由低浓度区域向高浓度区域迁移9、一级相变 二级相变 如析晶 如熔融态向玻璃态的转变(举例正确即可)10、 相界面上的化学反应 反应物通过产物层的扩散11、系统的表面张力 扩散传质 气相传质 溶解-沉淀传质二、作图题(10分)1、4分2、图4分,驰豫表面(或双电层结构)2分三、(12分)1、 4;(2分)2、Ca2+离子做面心立方密堆积(2分)
32、;四面体空隙100%(1分)、八面体空隙全空(1分) 3、CNF-=4 CN Ca2+=8 Ca F8 FCa 4;(2分)4、F -电价饱和,因为F -的电价= (Ca2+的电价/ Ca2+的配位数)×F - 的配位数;(2分) 5、111面网上存在相互毗邻的同号离子层,静电斥力将起主要作用,在平行于111面网的方向上易发生解理,呈八面体解理(2分)四、(10分)1、 两个方程写出一种即可,4分2、
33、60; 3分3、 或 3分五、(10分)答:熔体粘度对玻璃形成具有决定性作用。熔体在熔点时具有很大粘度,并且粘度随温度降低而剧烈地升高时,容易形成玻璃。(4分)在硅酸盐熔体中,加入R2O,随着O/Si比增加,提供游离氧,桥氧数减小,硅氧网络断裂,使熔体粘度显著减小。(3分)加入B2O3,加入量少时,B2O3处于三度空间连接的BO4四面体中,使结构网络聚集紧密,粘度上升。随着B2O3含量增加,B3+开始处于BO3三角形中使结构网络疏松,粘度下降。(3分)六、(8 分)1(5分)、此阶段适用于杨德方程转化率
34、0; 2分 1分代入抛物线方程,得 1分 1分2(3分)、方法1 其中G1=15%,t1=1h; G2=100%,t2=? 代入得t2=367h方法2:金斯特林格方程解
35、 t2=123h七、(5分)(1分) 以下三种情况,答出一种即可1、图2分,说明当1/T1/Tc时以晶界扩散为主2分 2、图3分,说明在整个温度范围内以晶界扩散为主1分。 3、图3分,说明在整个温度范围内以晶界扩散为主1分 八、(10分) (r*表达式4分,自由能表达式2分)个(公式2分) 九、1、见图一
36、6.5分(附三角形0.5*5=2.5,箭头加性质0.25*16=4)2、D:不一致熔融三元化合物 E:一致熔融三元化合物2分(0.5*4)3、(3分)E1,低共熔点, E2,低共熔点E3,单转熔点 E4,低共熔点E5,多晶转变点, E6,单转熔点,4、见图二(5分)L: (结晶结束)(B消失)
37、60; S:(产物C+D+E) 5、E3温度(1分),N点所在温度(1分);过N点做副三角形CBD的两条边BD、CD的平行线NG、NH,C%=GB/BC×100%,B%=CH/BC×100%,D%=HG/BC×100%(1.5分)。 图一 &
38、#160; 图二试题七答案一、填空题(共20分,每个空1分)1、组成、结构、制备过程(合成加工过程)2、空间点阵、结构基元3、弗伦克尔、肖特基4、增加、降低5、温度、粘度6、 减小、增大7、 扩算系数、空位或者(空位扩散)8、 成核-生长相变、连续型相变
39、或不稳分解相变或斯宾那多分解9、 界面、扩散10、 越低二、判断题(共10分,每题1分)×1、× 2、 3、 4、× 5、× 6、 7、× 8、× 9、 10、×三、作图题(共6分,前2个图3分,后1个图3分) 四、晶体结构(14分)1、3分。结构中O2-作面心立方最紧密堆积,Mg2+填充在四面体空隙,Al3+离子占据八面体空隙。
40、60; Mg2+填充四面体空隙的1/8,而Al3+离子占据八面体空隙的1/2。2、3分。O2-离子的配位数为4,配位多面体为OMgAl3。 Mg2+离子的配位数为4,配位多面体为MgO4。 Al3+离子的配位数为6,配位多面体为AlO6。3、3分。O2-的电荷数为:Z,与O2离子电价相符,所以O2-的电价是饱和的。4、2分。由于一个尖晶石晶胞中含有8个Mg2+离子,所以晶胞中含有8个尖晶石分子,即8 MgAl2O4。5、3分。在尖晶石结构中,如果A离子占据四面体空隙,B离子占据八面体空隙,则称为正尖晶石。 如果半数的B离子占据四面体空隙,A离子和
41、另外半数的B离子占据八面体空隙,则称为反尖晶石。五、缺陷反应方程式(共6分,每个2分)1、2、3、六、问答题(共9分,每题3分)1、最容易形成玻璃的是Na2O·2SiO2,最不容易形成玻璃的是NaCl(1分),因为NaCl是例子晶体,离子键化合物形成熔体其结构质点是正、负离子,在熔融状态以单独离子存在,流动性大,粘度很低,在凝固温度靠静电力迅速组成晶格,不易形成玻璃(1分)。硅酸盐熔体形成玻璃倾向的大小和熔体中负离子团的聚合程度有关,聚合程度越低,越不容易形成玻璃,Na2O·2SiO2中O/Si小于Na2O·SiO2,硅氧负离子团大,所以容易形成玻璃。(1分)2、
42、烧结分成初期、中期和后期三个阶段(1分);特征(1分):烧结初期胚体中颗粒重排,接触处产生键合,大气孔消失,但总的比表面积变化不大;烧结中期传质开始,粒界增大,空隙进一步缩小变形,单仍然联通呈隧道状;烧结后期传质继续进行,粒子长大,气孔变成孤立闭气孔,制品强度提高,密度大理论密度的95%以上。烧结推动力是系统过剩的表面能(1分)。3、因为-石英转变成-磷石英(1000)属于重建性转变,转变速度慢(1分),在实际生产中的正常加热或冷却速度下,体系温度变化速度快于多晶转变速度,因此往往转变不及发生就偏离转变温度,体积效应不明显;而-石英转变为-石英(537)属于位移性转变,转变速度很快(1分),转变速度快于体系变化速度,因此位移性体积效应非常突出,在升温和降温过程中如果控制不当,往往使制品开裂或影响使用寿命。(1分)七、
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