极管三极管场效应管试题

1、半导体器件测试题、填空（40分）1、纯净的半导体称为 ,它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素，可形成 P型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ,少数 载流子为。2 、如图，这是 材料的二极管的 曲线，在正向电压超过V后，二极管开始导通，这个电压称为电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。当反向电压增大到 V 时， 即称为 电压。其中稳压管一般工作在区。3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通;给二极管加 电压，二极管截止。4、二极管的主要参数有 、和。5、晶体三极管是 控制器件。三极管按材料分为 和 两种类型，而每一种又有 和 两种结构形式。6

2、、三极管有放大作用的外部条件是发射结 ,集电结 。工作在饱和区时 发射结 偏；集电结偏。7、三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于 时，Ic=0 ;当三极 管工作于 区时，关系式Ic= 3 Ib才成立；当三极管工作在 区时Vce 0。8、三极管的电流分配关系是 9、场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。10、场效应管的转移特性曲线是指在一定的 下，和 之间的关系。场应管的输出特性曲线划分为 、和 三个区。二、判断题（14分）PN结。1、（）将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成2、（ ）P型半导体带正电，N型半导体带负电。3、（）硅的导通电压为，错的导通电压为

3、。4、（）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。5、（）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。6、（）三极管的中ICEO的值体现了温度稳定性，越大说明三极管热稳定性越高。7、（）对于三极管来说，只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。8、（）三极管可以用两个二极管来替代。9、（）三极管有放大作用，把基极能量放大成集电极电流输出。10、（）硅三极管比错三极管稳定。11、（）场效应管是电流控制型器件。12、（）结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。13、（）场效应管的跨导反映了 Vgs对 Id的控制能力。14、（）开启电压Vt是耗尽型场效应管和重要参数。三、选择题（26分）1、半导体

4、的导电能力（）。A.与导体相同 B.与绝缘体相同C.介乎导体和绝缘体之间2、当温度升高时，半导体的导电能力将（）。A.增强 B .减弱C.不变3、P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。A.带正电B.带负电 C.不带电4、将PN吉加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。A.变宽 B.变窄C.不变5、电路如图所示，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）1导通，D2、D3截止1、D2截止，出导通1、D3截止，D2导通1、D2、D3均截止p 12VD1R RK>1D3D2K3V6、二极管的死区电压随环境温度的升高而（）。A.增大B.不变C.减小7、测 得电路中

5、工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为 型铸管型铺管 型硅管 型硅管8、工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏9、某效应管的符号如图所示，则该场效应管应为（）。沟道耗尽型沟道增强型沟道增强型0V、和，则该管为（）10、某场效应管的转移特性如图所示，则此场效应管为（）A.绝缘栅N勾道耗尽型B.绝缘栅P勾道耗尽型C.绝缘栅N勾道增强型11、在焊接场效应管时，电烙铁需要有外接地线或先断电后再快速焊接，其原因是（）A.防止过热烧坏 B.防止栅极感应电压过高而造成击穿C.防止漏、源极间造成短路12、晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的，I cbo UBe的变化情况A.增大，I CB（f口 UB国小B.和ICB岁大，UB国小C.和UBeS小，ICBO曾大D., I CBO虫小8增大四、分析计算题（22分）V2状态求VAb （5分）1、如图，V1、V2为理想二极管。分析V2、图中，V为硅二极管。求 S分别与A、B接通时V的状态和Vmn的值（5分）or10V 工110VaT下VSZ1、3、判断图示三极