【统整复习一】电晶体基本概念

1、【統整複習一】電晶體基本概念【觀念】老師解說電晶體的三個接腳分別稱為(A)射極、源極、基極 (B)射極、源極、集極 (C)射極、集極、基極 (D)射極、集極、源極學生演練若有一電晶體位於作用區，則其、的關係為何？(A) (B) (C) (D)老師解說對電晶體而言，下列公式何者為正確?(A) (B) (C) (D)學生演練有一電晶體，給予適當偏壓後，量得、，則Ic之值為(A)1.01mA (B)0.505mA (C)0.99mA (D)0.707mA老師解說若定義流入雙極性電晶體各極電流為正值，已知基極、集極上的電流分別為0.3mA與2.1mA，則射極電流為(A)1.8mA (B)2.4mA (

2、C)1.8mA (D)2.4mA學生演練某一電晶體工作在作用區內，若其值為49，射極電流，且忽略所有的逆向電流，則其基極電流為(A)1.96mA (B)0.98mA (C)0.04mA (D)0.01mA老師解說關於電晶體頻率速度的特性之敘述，下列何者為真？(A)PNP型高於NPN型 (B)NPN型高於PNP型 (C)NPN型與PNP學生演練在不考慮漏電流之關係時，下列有關BJT之描述何者錯誤?(A) (B) (C) (D)小試身手若有一電晶體位於作用區，則其、的關係為何？(A) (B) (C) (D)小試身手電洞流動的方向即為(A)電流方向 (B)電子流方向 (C)在PNP型中，為電子流方向

3、 (D)在NPN型中，為電子流方向小試身手下列有關電晶體之描述何者錯誤？(A)BJT之構造是對稱的，因此射極與集極可對調使用 (B)FET優點之一為其（低頻）輸入阻抗甚高 (C)若BJT的基極與射極之接面為順向偏壓，基極與集極之接面亦為順向偏壓，則該BJT工作在飽和區 (D)為使BJT具有線性放大作用，必需偏壓在作用區（active region）小試身手一般未特別附加說明，所指的電晶體是(A)雙極性接面電晶體 (B)三極性接面電晶體 (C)單極性接面電晶體 (D)場效應電晶體【統整複習二】三層接面之比較【觀念】老師解說接面電晶體其三層間摻雜濃度為(A)EBC(B)CBE(C)BEC(D)CE

4、B。學生演練電晶體的三層半導體中，電阻係數中，最大的是，最小的是。【統整複習三】、與IE、IB、IC【觀念】老師解說一NPN電晶體共射極放大器，若 、，則其值為(A)98 (B)99 (C)100 (D)101學生演練有一電晶體，給予適當偏壓後，測得、，則該電晶體的參數為(A)0.90 (B)0.99 (C)90 (D)99老師解說假設由 0.98變化至0.985，則增加的百分率為(A)5% (B)34% (C)49% (D)98%學生演練於工作區工作之共射極電晶體放大器，若，則2a+b應為(A)151 (B)154 (C)301 (D)304老師解說有一電晶體，給予適當偏壓後，測得、，試問此

5、電晶體的參數值為多少？(A)0.49 (B)49 (C)0.98 (D)98學生演練有一電晶體，給予適當偏壓後，量得、，此電晶體的、參數值為多少？(A)= 100、= 0.99 (B)= 0.99、= 100 (C)= 99、= 0.99 (D)= 0.99、= 99老師解說下列有關雙極性電晶體的特性參數何者錯誤?(A)值接近1 (B) (C)值通常在數十以上 (D)學生演練有值為0.99的電晶體，若射極電流化2mA，固定，則集極電流變化為(A)0.02mA (B)0.495mA (C)1.98mA (D)3.96mA老師解說若電晶體之值由0.96變化至0.98，則值的變化為(A)由24至49

6、 (B)由48至49 (C)由24至48 (D)由96至98學生演練若電晶體之值為0.98，則其值應為(A)88 (B)49 (C)66 (D)99老師解說有一電晶體，給予適當偏壓後，測得、，則該電晶體的參數為(A)0.90 (B)0.99 (C)90 (D)99學生演練共射極接法之電晶體的由0.95變至0.958，則值由(A)19增至23 (B)25增至46 (C)30增至58 (D)45增至72小試身手某電晶體= 100 ，測得基極電流，集極電流，則此電晶體作用於何區？(A)工作區 (B)飽和區 (C)截止區 (D)負電阻區有一電晶體，其集極電流為2mA，若= 0.96，則基極電流為(A)

7、0.15mA (B)0.13mA (C)0.1mA (D)0.08mA、的關係式為(A)=+1 (B)= 1 (C) (D)在一共射極電晶體電路中，射極電流為5mA，基極電流為0.1mA，則此電路之電流增益為 （A）500 （B）60 （C）61 （D）49。【統整複習四】偏壓判別【觀念】老師解說一NPN電晶體偏壓於活動區，則(A) (B) (C) (D)學生演練若NPN電晶體操作於飽和區（Saturation region）模式下，則此NPN電晶體三端（E、B、C）之電壓大小關係為何？(A) (B) (C) (D)老師解說若NPN電晶體操作於作用區（Active region）模式下，則此N

8、PN電晶體三端（E、B、C）之電壓大小關係為何？(A) (B) (C) (D)學生演練若電晶體位於截止區（Cutoff Region），則各接面的偏壓特性為何？(A)EB接面順偏、CB接面順偏 (B)EB接面順偏、CB接面逆偏 (C)EB接面逆偏、CB接面順偏 (D)EB接面逆偏、CB接面逆偏老師解說若電晶體位於飽和區（Saturation Region），則各接面的偏壓特性為何？ (A)EB接面順偏、CB接面順偏 (B)EB接面順偏、CB接面逆偏 (C)EB接面逆偏、CB接面順偏 (D)EB接面逆偏、CB接面逆偏學生演練電晶體位於飽和區時，下列各極間偏壓狀況何者正確?(A)BE順偏，CB反偏

9、 (B)BE反偏，CB反偏 (C)BE反偏，CB順偏 (D)BE順偏，CB順偏老師解說有一NPN電晶體偏壓於工作區，則(A) (B) (C) (D)學生演練若電晶體位於飽和區，則電壓特性為(A)順偏，順偏 (B)順偏，逆偏 (C)逆偏，逆偏 (D)逆偏，順偏老師解說若電晶體位於作用區，則電壓特性為(A)順偏，順偏 (B)順偏，逆偏 (C)逆偏，逆偏 (D)逆偏，順偏學生演練電晶體當放大器使用時，此時電晶體各接面的偏壓情形是(A)B-E接面順向偏壓、C-B接面順向偏壓 (B)B-E接面順向偏壓、C-B接面逆向偏壓 (C)B-E接面逆向偏壓、C-B接面逆向偏壓 (D)B-E接面逆向偏壓、C-B接面

10、順向偏壓【統整複習五】工作區域判別【觀念】老師解說電晶體使用於放大電路時，應處於(A)作用區 (B)飽和區 (C)截止區 (D)飽和區與截止區學生演練電晶體截止時是在(A)IE = 0且IB = 0(B)IB =0且IC為最大(C)IE>IC(D)IB>IC。老師解說設電晶體之射極電流，基極電流，若= 0.99，則此時電晶體工作於(A)作用區 (B)飽和區 (C)截止區 (D)不一定學生演練下列敘述何者錯誤?(A)BJT當開關使用時是工作於飽和區(Saturation region)或截止區(Cut off region) (B)BJT當放大器使用時是工作於作用區(Active r

11、egion) (C)BJT在作用區(Active region)的偏壓方式是B-E接面順向偏壓，B-C接面逆向偏壓 (D)BJT在飽和區(sATURATION REGION)的偏壓方式是B-E接面逆向偏壓，B-C接面逆向偏壓老師解說若將雙極性電晶體當成開關使用，則此電晶體工作於那兩區？(A)作用區與截止區 (B)飽和區與作用區 (C)飽和區與截止區 (D)作用區、飽和區與截止區都可以學生演練當電晶體欲作為線性放大器使用時，須工作於(A)飽和區（Saturation Region） (B)作用區（Active Region） (C)截止區（Cutoff Region） (D)空乏區（Deplet

12、ion Region）老師解說電晶體當作線性增量放大時主要是工作在(A)工作區(B)截止區(C)飽和區(D)反向模式。學生演練某電晶體處於作用區內，若= 0.95，射極電流，逆向漏電流不計，則基極電流為(A)0.05mA (B)0.1mA (C)0.5mA (D)1mA【統整複習六】電晶體時間【觀念】老師解說脈波的上升時間是指最大波幅的百分之多少，到百分之多少？(A)0100(B)595(C)1090(D)1585。學生演練脈波的儲存時間是指最大波幅的百分之多少，到百分之多少？小試身手飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關速度慢，其主要因為(A)延遲時間較長(B)上升時間較長(C)下降時間較長(D

13、)儲存時間較長。 【統整複習七】組態比較【觀念】老師解說對於電晶體的三種基本組態而言，下列敘述何者錯誤?(A)共射極組態功率增益最大 (B)共基極組態中輸出與輸入信號相位180° (C)共集極組態常作為阻抗匹配之用 (D)共集極組態電壓增益約為1學生演練兼具電壓與電流放大作用的電晶體放大器是(A)共基極組態 (B)共射極組態 (C)共集極組態 (D)達靈頓組態老師解說電晶體共射極組態的電路中，其輸入信號和輸出信號的相位(A)相同(B)相差45度(C)相差90度(D)相差135度(E)相差180度。學生演練電晶體放大器三種連接方式中，輸入阻抗最大的是(A)共基極放大器(B)共射極放大器

14、(C)共集極放大器(D)以上三者皆相同。老師解說下列何者為射極隨耦器的特性？(A)輸入阻抗非常低(B)輸出阻抗非常高(C)電壓增益約為1(D)電流增益約為1(E)輸入信號與輸出信號相位相反。學生演練下列有關共基極組態電路之陳述何者不正確？(A)其高頻響應較共極組態為佳(B)可做為定電流源使用(C)具有高輸入阻抗(D)電壓增益大於1。兼具電流放大與電壓放大作用的雙極性電晶體放大器為(A)共基極組態 (B)共射極組態 (C)共集極組態 (D)射極隨耦器關於電晶體放大電路的三種基本組態(CE、CB、CC)，下列描述何者錯誤?(A)輸入阻抗由大至小排列為:CC>CE>CB (B)輸出阻抗由

15、大至小排列為:CB>CE>CC (C)電壓增益由大至小排列為:CB>CE>CC (D)電壓增益由大至小排列為:CE>CC>CB老師解說關於電晶體放大電路的三種基本組態(CE、CB、CC)，下列敘述何者錯誤?(A)共基極(CB)電路具有最低的輸入阻抗及最高的輸出阻抗 (B)共集極(CC電路的電壓增益小於並趨近於一 (C)共射極(CE)電路具有最高的輸入阻抗及最低的輸出阻抗 (D)共基極(CB)電路的電流增益小於並趨近於一學生演練關於電晶體三種基本放大電路組態的特性比較，下列何者是錯誤的?(A)電流增益最大的是共基極(CB) (B)電壓增益最小的是共集極(CC)

16、 (C)功率增益最大的是並射極(CE) (D)輸入阻抗最大的是共集極(CC) (E)輸出阻抗最大的是共基極(CB)老師解說電晶體共射集(CE)，共基集(CB，共集極(CC)三種放大電路特性比較，下列敘述何者錯誤?(A)輸入阻抗以CC電路最高 (B)輸入阻抗以CC電路最低 (C)功率增益以CB最高 (D)CC之電壓增益比1小，接近於1學生演練電晶體放大電組態(CE、CB、CC)的功率增益依序為(A)CC>CB>CE (B)CE>CB>CC (C)CB>CC>CE (D)CC>CE>CB小試身手下列敘述何者錯誤？(A)共基極組態由於米勒效應，所以頻寬

17、較共射極組態為窄 (B)共射極組態中，輸出與輸入向位差 (C)共集極組態可作為阻抗匹配之用 (D)共射極組態功率增益最高小試身手射極隨耦器之主要功用為下列何者？(A)提高電壓增益(B)降低電流增益(C)阻抗匹配用(D)推動高阻抗負載用。小試身手電晶體的三種組態中，具有最低輸出阻抗為 （A）共基極（CB） （B）共射極（CE） （C）共集極（CC）。小試身手電晶體的三種組態中，具有最高輸出阻抗為 （A）共基極（CB） （B）共射極（CE） （C）共集極（CC）。小試身手電晶體的三種組態中，那一種組態具有最高輸入阻抗 （A）共基極（CB） （B）共射極（CE） （C）共集極（CC）。小試身手兼具電

18、流與電壓放大作用的電晶體放大器是 （A）共基極組態 （B）共射極組態 （C）共集極組態。小試身手射極接地式電晶體放大電路之電流增益 （A）大於1 （B）等於1 （C）小於1 （D）等於零。小試身手電晶體之集極與射極對調連接則 （A）耐壓提高，增益低 （B）耐壓低，增益不變 （C）耐壓不變，增益降低 （D）耐壓低，增益亦低。【統整複習八】電晶體外型及編號【觀念】老師解說功率電晶體之集極與外殼接在一起，其最主要的目的為(A)易於辦認 (B)散熱較佳 (C)製造方便 (D)美觀大方學生演練編號2SD261的電晶體 為下列哪一種用途及型態的元件?(A)高頻用NPN型 (B)低頻用NPN型 (C)高頻用PNP型 (D)低頻用PNP型老師解說下列編號，何者不是電晶體(A)CS9014 (B)2N2222 (C)CS9013 (D)2N3055 (E)1N4001自我評量電流放大因數通常在(A)7080(B)8090(C)9099.5(D)比1大。若電晶體之值為0.99，則其值應為：(A)79(B)86(C)91(D)99(E)97.5。某一電晶體電路，已知0.98，50，ICO10A，IE2mA，則IB (A)0.02mA (B)0.03mA (C)0.5mA (D)0