HFSS常见问题集锦(增强版)

1、1、HFSS仿真结果的疑问我在做一个0.3g-2.7g超宽带天线，用ansoft仿真结果也差不多了，可是同一模型当我把扫频围设定为0.3g-1g ,结果（方向图和驻波）变化很大，我进一步细化又把频率围设为0.3-0.6g时，结果再次变化，一次比一次变化大。我想问各位大虾，同一模型是不是每次频率设定围不一样，结果就差距很大，那我仿真时该设定多大围比较好呀？欢迎热心同志给予解释帮助，一多咯！ ！答：仿真频率围无谓，关键是在不同的频段仿真的时候你的空气盒子大下得相应的改变，为你仿真中心频段的1/4波长.如果仿真频段太宽，也可以分段仿真.2、请教：这个同轴是怎么加的图片：请问这个同轴是怎么加的垫片印刷

2、在介质板上使用50ohm同轴线馈电 请问同轴的轴外轴都是怎么加到天线上的我只将探针加到了介质上结果有一个谐振点总是畸变肯定是我的同轴馈电出了问题麻烦大家帮我看看我想了好久了答：建模时只要画出同轴与地板交界处端口就行了（心不变），重新画出地板（画一个面）从这个地板上讲端口和心减去（克隆），将心从端口中减去（克隆），再在端口处设置激励就行了。其实只要把你的模型发上来，一看就明白了，上面的回答应该是用集中端口设同轴线的做法，附一个例子给你看看，模型比较大，把端口放大就可以看到细节部分了下载 1fed by coax lumpedport.rar （6 K）下载次数:313、提一个关于Radiatio

3、n Boundary的问题如题，按照full book上的说法，只要将模型边界条件设置成Radiation Boundary,就相当于不受边界的约束，波可以辐射到无限远空间，换句话说求解的空间大小已经不会对求解结果产生影 响.但是我在做微带模型时对空气层的大小设置不同值后发现结果不同.请高人指点迷津！答：关于这个，可以参考金建铭的电磁场的有限元方法一书，电磁场的有限元方法中对于计算区域的截断的处理都不是非常的理想，辐射边界也是近似，至于辐射边界与计算目标的距离说法更是不一，论坛之前有帖子进行过大规模的讨论，我记得结果似乎是没有完全的定论，最常见到说法是0.25波长就”差不多：呵呵具体每种情况到

4、底差多少也不可一概而论。而且这个0.25的系数似乎不被金建铭很认可，书中的相关的有限元计算设置的都是0.3倍波长，吸收边界对大角度入射的情况，吸收效果不佳。0.25波长是针对高增益天线对低增益，由于大角度大电场强度入射的影响比较显著，需要扩大到0.5波长，从而减小入射角。这些在full book里面是有的，宝典一定要多读几遍啊。4、Hfss求解和空气盒设置问题我仿的一个超宽带天线，F为3.1-11,我设置的求解频率为 11,用fast扫频，空气盒高度将近1/2 波长,不知道这样的设置对不对，是不是空气盒的高度高点更好，还有这求解频率11有没错，希 望高手指导下答：求解频率设置为11没有什么问题

5、，不知道空气盒高度将近1/2波长”是按那个频率计算的，一般应选取最低频率 3.1的四分之一波长空气盒高度实际上是中心频率的6G的1/4*lamd,如果按照最低频率设置的话 ，像我今天仿的另外一个例子是1-11G,那空气盒的高度非常大，求解的速度非常的慢，甚至没法仿真，有没有 更好的方法来设置呢，能不能用中心频率来设置呢？频率太宽的话，可以 分段仿真，这样比较准确；天线距离空气边界要1/4波长，和相距1/2波长的仿真结果相差不大，我都用的是1/2波长；求解频率不应该是1 1吧，应该是中心频率.其次波长也以中心频率为准的5、HFSS中的端口问题在hfss中何时设置 waveport何时设置lump

6、port ,他们有什么区别？在端口设置时，有时 提示画线有时没有， 这是怎么回事，和哪里的设置有关？那里新建的线是积分线吗？何时是 终端线？还有何时要画积分线，要画终端线？他们各代表什么意思？6、HFSS中的求解器问题在 hfss 中何时用 drivenmodel /driven terminal / eignmode 呢？分另1J有什么区另U?7、激励阻抗归一化的作用在设置激励时的,默认阻抗是50欧，还有一项是 post processing里有两个选项 do notrenormalize 和renormalize这个有什么作用，代表什么意思？8、请问：交叉极化度是什么概念？请教各位：交叉极

7、化度是什么概念？指点！讨论：用于发射或接收给定极化波的天线不能发射或接收其正交极化波，交叉极化隔离度为一个波束在给定极化最大辐射方向上的功率与其接收的正交极化波在此方向上的功率之比。不是不能接收正交极化波吗怎么会有功率那接收的功率是0了假如线极化纯度很高，确实完全不能接收正交极化波，正交极化方向分量的功率为0。但事实上天线极化都不可能这么纯，所以有些情况就需要讨论交叉极化鉴别率了交叉极化鉴别率定义：在给定方向上（一般指主极化最大值方向）上，天线辐射的主极化分量与交叉极化分量的功率密度之比。如果主极化是垂直极化，则水平极化分量为交叉极化，如果主极化是右旋圆极化，则左旋圆极化为交叉极化。交叉极化鉴

8、别率越大，极化纯度越高。事实上没有天线能作到完全接收不到正交极化波，因此引入了交叉极化隔离度的概念，以判断该天线接收交叉极化波的能力大小，当然接收得越少越好。弱弱的问一下：交叉极化隔离度和交叉极化鉴别率是一个概念吗说实话，我以前一直以为是同一个概念的，多亏楼上问了，“催”我去看了看，感觉不同的书定义有所不同。这是摘自民谊，蔡镇远编著卫星通信天线中的一段话：交叉极化隔离度XPI:本信号在本信道产生的主极化分量E11与在另一信道中产生的交叉极化分量E12之比，由定义可知，由于天线系统本身的反射面所产生的交叉极化分量，会影响到工作在同一频率的另一通道的正常通信，这时的交叉极化可定义为交叉极化隔离度（

9、XPI）,它是天线自身产生的。交叉极化鉴别率XPD:本信道的主极化分量 E11与另一信道在本信道产生的交叉极化分量E21之比，由定义可知，由于天线系统中其他通道所产生的交叉极化分量，会影响到工作在同一频率的本通道的正常通信，这时的交叉极化可定义为交叉极化鉴别率（XPD）,两种定义都是衡量交又极化分量的大小，但两者的出发点不同，XPI在单极化和双极化系统中都存在，而XPD只存在于双极化系统中。我上面说过的交叉极化鉴别率的定义感觉跟这里的交叉极化隔离度同概念，有时间再研究研究了呵呵，也多你提出这个问题，对大家都很有帮助。任何天线都很难做到完全抑制正交极化波，或多或少会接受一些正交极化波。极化隔离度

10、越好，交叉极化越小。形象点说：设计一个圆极化微带天线，看仿真后的方向图，会有一个RLCP, 一个LHCP。如果希望收发RHCP,则从方向图上看，LHCP越小，交叉极化越小我也有偃R题，那跟事由比有什麽差别？?？轴比是衡量圆极化程度的.把电场矢量的终点轲迹看作一椭圆，其长轴与短轴的比.衡量圆极化的女?坏.交叉极化度是衡量天线对两种极化方式的能力的还想请教一下：在建立分析设置时，求解频率是不就是中心频率?求解频率应该高于你的扫频的中心频率是剖分网格的依据在result中solution data 里看的Z： waveport1:1和Port Z0分别是指天线输入阻抗和馈线的 特性阻抗。解答：Zo指

11、的是端口的特性阻抗，Z11应该是从端口向负载端看去的端口阻抗，简单的说对Zo可以说是传输线的特性住抗，z11是输入彳抗。Z0可以取50, 75.100什么都可以，主要看你的传输线的情况，z11嘛是你要匹配到z0的天线的住抗。没有那么理想的情况即便是你实测的匹配比较好的天线的输入阻抗也是有一点虚部的有没有人知道怎么在hfss中加隔离电阻啊加个面画条积分线那那个阻值怎么体现薄膜电阻呀？选则集总参数的端口我还是不怎么懂啊，你有做过的实例吗，给以发给我看看吗boundaries-LumpRLC嘿嘿，我知道了，不用请各位高手指点一下，在HFSS 10.0中怎样通过仿真结果判断微带天线的线性化、圆极化（左

12、旋、右旋）还是椭圆极化？怎样得出S21参数的图形？!画增益曲线图，那个增益越大，就是那种极化。例如，左旋圆极化增益大于右旋圆极化增益， 就是左旋圆极化天线。我天线结构是采用共面波导馈电，所以，我就选用了 Lumped Port ，然后使用Driven Terminal模式，但是出现两个问题，一是Driven Terminal比Driven Modal仿出来的增益高很多，二是我在HFSS11版本中使用 Driven Terminal模式加Lumped Port的时候，HFSS程序报错关 闭。请问这些是什么问题啊？请问怎么在HFSS中看天线的极化特性 0一直没有找到看天线极化特性的地方，请高手指导

13、一下可由GainPHI GainTHETA GainGHCP GainLHCP来看出趣化是水平 垂直 左旋 右旋！!polarization ratio 和 axial ratio 至U底是什么概念 0有什么区别，分辨一个天线是圆极化还是线极化应该看哪一个参数polarization ratio衡量交叉极化的axial ratio衡量圆极化的如果能用waveport就用waveport , lumped是个模拟的端口，在很多情况下结果不是很能 保证精确性gain 与 realized gain。请问看天线增益时 gain与realized gain有什么区别啊？！Gain=4piU/PaccU

14、 is the radiation intensity in watts per steradian in the direction specified.Pace is the accepted power in watts entering the antenna.Realized Gain=4piU/PincidentU is the radiation intensity in watts per steradian in the direction specified.Pincident is the incident power in watts.这几个值的大小可以在antenna

15、 parameters 中查看.对于你说的线馈微带贴片天线而言RealizedGain就是考虑上馈线损耗后的增益，Gain则不考虑。gain可能是指不考虑馈电电路网络损耗时的天线的增益，而 realized gain是指包括馈电电 路网络损耗在的天线的增益。关于Er的讨论这个不奇怪！天线剧烈小型化的产物/ er=90甚至er=100+的，都有人在做，而且已经产品化！各位，起初我也在考虑这个问题， 一般做天线的最多用到 er=20的材料，当er继续增大时， 天线的效率会降低，为了保证天线的效率， 抑制surface waves必须保证，介质厚度h/lambda 小于0.3/2*pi* (er)

16、0.5,才可以忽略表面波的影响。但是这个 er, 100+的天线已经产品化 导航。问题是，高er材料必然导致高 Q,和很窄的BW,很高的LOSS,很低的效率。希望与大家探讨，高 er天线应用问题有介重彳系数90的材料，但是目前很少人用来生崖.有言己得台湾的硕士文有人H谩介重彳系数90材料，台湾大阜H善专官可以查得到.大都有全文下载.另外，一般用的介重保数都是 30-60.及10左右的.如果用介重彳系数那麽高，可能不是那麽好幅射且 size也太敏感.除非没有其它材料，建H别用介90,光找材料就有得你找了 别做出成品.太高的介电常数带来的主要的问题是Q的急剧升高，带宽的急剧缩小。两方面分析，一假设

17、一点损耗没有，那 Q应该非常大，带宽必然非常小。二假设损耗非常大，那 Q非常小， 带宽非常大，但是并没有达到信号传递的目的。所以我认为应该是取中间某个折衷，这主要根据你的系统设置来考虑了。应用这种材料会带来的问题我不太清楚，但是就材料来说，这样的材料肯定是存在的啊；开始的几位怎么说世界末日呢90的话，能量都被吃掉了。不是天线了。是热得快了。一般小于10的。升值还有1的(空气介质)上的理，做天不用那麽高 er的，不太合逾.介电常数90的微波介质瓷早已产业化并且广泛应用了呀。真正少见的是介电常数40-60之间的介质瓷材料。我现在在用的就是 ER90的瓷材料 color=#ffffff微波仿真论坛-

18、/color 在彳patch antenna强烈鄙视下1到7楼，高介电常数高 Q瓷介质早已大量用于微波电路中，比如介质谐振振荡器，一个很大的优点是尺寸小，有利路的小型化。我不想鄙视各位，不过希望各位不要对楼主冷嘲热讽。另外回复下12、13、17楼，高Q意味着辐射效率低不假，不过这是介质主模的结论，比如TE01、TM01等。而介质中存在混合模 HEM模，其Q值较低，可用作天线。HEM模介质天 线这方面早有多篇论文发表，不过是否投入实际应用我并不清楚。er=9o，很正常啊，目前80到110间介电常数的 GPS天线已有商业化批量的产品在卖啦，大 家汽车里用的GPS就是用er=9o的微波瓷材料做的，才

19、有那马的小巧！技术天天都在革新 回楼上，汽车里常用的GPS天线用的瓷材料没有 90那么高的介电常数。印象中不超过40的。GPS常用的L1频率天线也完全没有必要使用那么高的介电常数，用到3040天线的尺寸就够小了。天啊，是不是都快变成金属了？这样的材料如果真的存在，那就是用减缩天线尺寸的，或者减缩RCS的，人家不怕耗电多最近一直在用HFSS做螺旋天线的仿真对于creat report中的S11的图看不明白，不明白如何去判断一个天线设计的好坏现在只是对仿真的过程有了大概的了解我想请教的是 S11这个图有什么意义？另外就是同轴线的的画法，大家是如何画的？我只是画一个同轴线截面，然后在加激励时用集总端

20、口的仿真，所以仿真总是不准确，3D的同轴线如何该画呢？还有就是在那儿实现阻抗匹配呢？我的仿真就是仿真天线没有考虑到阻抗匹配的问题笨方法却比较实用：一个圆柱，就是中心导体；再套一个大一点的圆柱， 挖掉中心导体部分，就是绝缘体；再套一个更大点的圆柱，挖掉绝缘体和中心导体部分，就是外导体；对中心导体、绝缘体、外导体三部分分别设置相应的材料即可； 今天刚学了画一个大圆柱，同时外表面设置perf E然后掏空小圆柱，然后设置介质，然后再在里面加个小圆柱，设置为铜但是要注意阻抗的问题，一定要把所画同轴线的阻抗设置成50欧姆；主要靠控制外导体的尺寸和绝缘体的介电常数来确定（必要的时候可以自定义材料）S11 一

21、般指的是天线的输入端的反射特性，也就是所谓的天线的阻抗是否匹配；同轴线的的画法，2楼已经介绍了，就不多说，至于加激励时用集总端口的仿真，那是不对的，应该用波端口激励；阻抗匹配直接在设置激励端口时，软件有提示，阻抗默认一般都是50,不需要更改的至于参数意义问题，S21是传输系数，就是从1端口到2端口的传输能力的表征； S11为反 射系数，1端口进1端口出，很显然是看反射回来波的情况； 一般来说当然是 S11越小，S12 越大比较理想（当然希望能量能多传输一些过去），具体的可以参看微波技术HFSS中怎么看3dB带宽可以先画出远场增益图，在图上显示在最大增益处分别加减3DB,利用MARK分别读的加3

22、DB和 减 3DB 的 角 度，其 差 值即 为 3DB 带 宽.工建立通区修覆盖图n建立1D远区场赧生帐图：l选网T*中的哦词陵震CKmln)河僵山弼冠(CtrairRwfO，建立楠省窗口，a)攫告类室： 胭岛(TirfkMa)b)显不方式！辄射骷 RaatiaD PartenL)“点由口氏持粗c,机透窗口解瓶方案 f L量9?的0皿刎也加“凡出雅状(GMMtr-h ff.2dQ在拍描4价一标要主帕指I在名彝栏选抨网，井在下岫装早中选择X,d)在陶蚱宴中肿桀增赧Cain，同.i Qaaniity： CainH(7P, CainRHCP函羲 Fw4mbi)i dB。疯生完康(Bo0控楣.斜 &

23、pc ZOMAtwR CMfWdnet*14:M:5ARMlMln PErb1HF BSMocfcr I k * * i i* 1 h *，於 i *a. k * “T注$*T13.0I P，N T；h先画出远区场方向增益图，在图上最大增益处分别加减3dB,减3dB的角度，其差值即是。2、在 Output Variable 中 定义一个变量 GainBW = if(max_swp(dB(GainTotal)- dB(GainTotal) 3,0, dB(GainTotal),画 GainBW 曲线，可以很直观地表示出3dB 带宽。HFSS中如何看天线输入阻抗的Smith原图?上育昆ReporE

24、larget Desigh：Report Type: MEH S疝tig D日郭口咚&需侬HBK，CancelFuklAtd BlankT pacaRrrwvie AJIit匚七三匚ntextStreets 口后Dp切:|，“kjlion: pSerupI: LastAdaptivt 二 |Celsgory:Omritku;Functon;Oubut Variazles.Add T i1白匚 eApplyCartel激励端口就是天线的馈电点吗?请教大家，激励端口是一种允许能量进入或导出几何结构的边界条件。HFSS中设置的激励端口是否就是接收天线的馈电点？Wave Ports和Lumped Po

25、rts又有什么区别？是顾名思义，我认为波端口是用来加电磁波的，集总端口是用来加电压或者电流的楼上正解！补充楼上的一点，一般来说waveport的仿真结果要更加可信一些，但是在某些情况，比如端面设置不能满足我们需要（微带口的端面就要有5倍以上的宽度吧，两三个并排就会overlap 了嘛），这个时候万不得已也可以拿lambport ,因为它的设置没有端面的严格要求。lumped port 与 lump rlc仿真负载电阻是用lump rlc吧，那能不能用lumped port呢？跟lump rlc 一样设置。两者区 别是什么？ ！如果负载是50Ohm ,则用RLC和集总端口是一样的。用 lump

26、port的时候，这个端口实际 上是个负载,因此要看激励端口的S11, S11的意义是2端口匹配时1端口的反射系数。如果负载不是50Ohm ,那么lump port的特性阻抗要该成负载的阻抗。我的理解是：如果把lumped port作为2端口负载，那么计算S11时，因为S11是2端口接 匹配负载时1端口的反射系数，所以这时不管你原来把 2端口的lumped port阻值设为多少， 软件都会把它变为与2端口匹配的阻值，使得这个端口没有反射从而算出S11。而如果把lump rlc作为负载接在2端口，则这时它是一个固定阻值的电阻，当它与2端口不匹配时，计算S11时在2端口就会产生反射。所以在一般情况下

27、两种情况的结果是不一样的，而我 实际仿真出来就是不一样的，但因为我实际天线还没加工出来，所以我还不能确定哪个跟实际更接近，但我想应该是用lump rlc更接近实际。不知道我的这个理解正确与否，忘高手指正。！上面说的不太对，lumped port的阻值是特性阻抗，匹配应该是天线部分与特性阻抗匹配， 所以如果从二端口看天线的阻抗和lump port的特性阻抗不相等时，一样是有反射的。请教hfss的端口阻抗问题1设计了一个天线，仿真的时候，怎么求天线的输入阻抗呢，results里的Z sparameter得到的是不是 天线的输入阻抗？比如我要把天线的输入阻抗匹配到50欧姆，是不是先看 Zsparam

28、eter的阻抗大小，然后把这个阻抗匹配到 50欧姆就行了呢？2 lump或者wave port里面的阻抗是不是馈线的特性阻抗，在仿真一个天线的时候，将这个值从50欧改到150欧，发现反射系数没有明显的变化，不知道是什么原因。输入阻抗可以通过反射系数求出来，Z sparameter不是输入阻抗，而是网络的Z参数。result里面有个port Z ,这个是端口的特性阻抗。lump或者wave port设置的阻抗是该端口的端接阻抗，得到的S参数就是在端接该阻抗时候的S参数（打引号的原因是，真正的S参数应该是在端接匹配负载时候测试得到的，而这里是在端接特定阻抗时候得到的）对于天线的单端口网络，可以认为

29、Z sparameter就是其输入阻抗，只有一个 z（1,1）改了端口阻抗S11变化不大，你看一下是不是端口设置的时候post processing选项没有选do not renomalize , 可能是这个原因HFSS里的smith圆图可以看归一化输入阻抗，特性阻抗可以通过port Z0获取。HFSS仿天线的增益问题仿真之后的报告里面，天线增益的单位是dB,能不能换成dBi?dBi, dB是相对值，我在仿真的时候拿什么来做参照呢？意思是我如何知道自己仿真的天线增益是好是坏呢？可能这个问题有点小白了，达人赐教HFSS里面增益的dB指的就是dBi,这个可以肯定，而且我记得在帮助文件里面是可以看到

30、的。平时习惯简化了，所以往往省略掉了后面的io主你自己就可以做碓言忍了,先一彳固理想的 dipole,Matching 不要太差，跑一下不用一分 ，看Gain是几dB.拿出以前上谩 antenna的U料，看dipole的Gain是几dBi.比封一下就知道现在 HFSS是dBi, 逮是dB,逮是dBd.1 概念辨析：dBm,dBi,dBd,dB,dBc,dBuV概念辨析：dBm,dBi,dBd,dB,dBc,dBuV1、 dBmdBm是一个考征功率绝对值的值，计算公式为：101gp(功率值/1mw )。例1如果发射功率 P为1mw ,折算为dBm后为0dBm。例2对于40W的功率，按dBm单位进

31、行折算后的值 应为：10lg (40W/1mw)=10lg(40000)=10lg4+10lg10+101g1000=46dBm。2、dBi 和 dBddBi和dBd是考征增益的值(功率增益)，两者都是一个相对值，但参考基准不一样。dBi的参考基准为全方向性天线，dBd的参考基准为偶极子，所以两者略有不同。一般认为，表示同一个增益，用 dBi表示出来比用dBd表示出来要大2. 15。例3对于一面增益为16dBd的天线，其增益折算成单位为dBi时，则为18.15dBi (一般忽略小数位，为18dBi)。例 4 0dBd=2.15dBi。例5 GSM900天线增益可以为 13dBd (15dBi)

32、, GSM1800天线增益可以为 15dBd (17dBi)。3、dBdB是一个表征相对值的值，当考虑甲的功率相比于乙 功率大或小多少个 dB时，按下面计算公式：10lg (甲功率/乙功率）例6甲功率比乙功率大一倍，那么101g （甲功率/乙功率）=101g2=3dB 。也就是说，甲的功率比乙的功率大 3 dB。例7 7/8 英寸GSM900馈线的100米传输损耗约为 3.9dB。例8如果甲的功率为 46dBm，乙的功率为 40dBm , 则可以说，甲比乙大 6 dBo例9如果甲天线为12dBd,乙天线为14dBd,可以 说甲比乙小2 dBo4、dBc有时也会看到dBc,它也是一个表示功率相对

33、值的单位，与dB的计算方法完全一样。 一般来说，dBc是相对于 载波（Carrier）功率而言，在许多情况下，用来度量与 载波功率的相对值，如用来度量干扰（同频干扰、互调 干扰、交调干扰、带外干扰等）以及耦合、杂散等的相对量值。在采用dBc的地方，原则上也可以使用 dB替代。5、 dBuV根据功率与电平之间的基本公式VA2=P*R ,可知 dBuV=90+dBm+10*log（R）,R 为电阻值。载PHS系统中正确应该是 dBm=dBuv-107，因为其天馈阻抗为50欧。6、dBuVemf 和 dBuVemf:electromotive force（电动势）对于一个信号源来讲，dBuVemf是

34、指开路时的端口电 压,dBuV是接匹配负载时的端口电压pva凯瑟琳的软件 算天线方向图的软件。我对HFSS存不足的总结情况1,物理存小，同时虚拟存也开得很小，导致存不足。 解决办法：把虚拟存加大或者增加物理存情况2,物理存大，比如 4G,或者虚拟存开得大，比如说也开到4G,这时候已经到达 32位xp可以管理的存上限了，但是在hfss仍然可能出现out of memory ,用任务管理器看，发现存使用量才不到 3G,并未到达存上限。这个问题实际是由于 32位XP对应用程序进程的 限制，及默认情况下应用程序的每个进程占用存不能大于2G,所以到hfss中的hf3d进程(或者是slove进程，具体哪个

35、进程忘了，反正就是hfss中最占存的那个进程)占用存达到2G 时，就出现 out of memory 。解决办法：通过在修改 C盘根目录下 boot.ini 文件，在 multi(0)disk(0)rdisk(0)partitionWINDOWS=Microsoft Windows XP Professional这句话后面加上参数“/3GB”，然后重启电脑，就可以使得单个进程的存占用上限到达3G。情况3, HFSS进程要占用超过 3G以上存解决办法：装 54位xp。HFSS在64位xp下的破解方法貌似论坛里有帖 子讨论过。考虑到 64位xp对很多32位软件兼容性不好，建议大家装双系统，1个32

36、xp ,1个64xp,平时用32xp,算HFSS的时候用64xp对HFSS停止运算的一些看法：HFSS有时候会停止运算，有些人说是破解的问题，有些人认为是开双核的问题，但我的感觉应该是用了太多虚拟存的缘故，建议大家有条件都用物理存，由于数据在硬盘中搬运很慢，所以导致 cpu在搬运期间无事可做，才导致看起来似乎 停止计算了，我以前用1G存+3G虚拟存，开双核选项，老出现这个问题。加到 4G存后，仍然开双核选项，就几乎没出现过了定义上讲，增益是假设匹配良好的前提的，也就是认为回波损耗很小。考虑上回波损耗之后，就跟实际测量的情况一样了，回波损耗大，测到的增益肯定偏低。天线的增益和天线形式有关的，置天

37、线和环境有关如天线地的大小与地远近有关还和支架的介电常数有关。回波损耗和匹配程度有关，匹配越好回波损耗越大，即反射越小。天线的集合绕射和反射等都会给天线的增益有一定的损失的S11的对数形式就是回波损耗，国期刊上很多也叫“反射损耗”，即 20 * log |反射系数|S11定义的是其他端口接匹配负载时1端口的反射波与入射波之比。如果是天线，如果只有单口馈电，那么 S11就是反射损耗(回波损耗)了。一般来说就是这样。S11和反射损耗是不一样的，S11是从端口角度定义的，它描述的是PORT1道彳固端口的各种电气特性，如 Return Loss,Insertion Loss,Simth Chart 网

38、络参数与一般参数的定义不一样。回波损耗(RETURN LOSS)定义为反射功率/入射功率反射系数ro定义为 反射电压/入射电压VSWR (电压驻波比)定义为波腹电压/波节电压二卷关系：VSWR=(1+ro)/(1-ro)S11=20lgro.以上各参数的定义与测量都有一个前提，就是其它各端口都要匹配。驻波比（VSWR是指微波传输过程中，最大电压与最小电压之比，是一个比值。回波损耗（Return Loss）是指反射功率，单位是 dB, RL和驻波比可以换算,RL= -20 lg （ VSWR-1 ） / （ VSWR + 1 ）以二端口网络为例，如单根传输线，共有四个 S参数：S11, S12,

39、 S21, S22, 对于互易网络有S12= S21,对于对称网络有S11 = S22,对于无耗网络，有 S11*S11+S21*S21=1,即网络不消耗任何能量，从端口1输入的能量不是被反射回端口 1就是传输到端口 2上了。在高速电路设计中用到以二端口网络为例，如单根传输线，共有四个S参数：S11, S12, S21, S22,对于互易网络有S12=S21,对于对称网络有S11 = S22,对于无耗网络， 有S11*S11+S21*S21=1,即网络不消耗任何能量，从端口1输入的能量不是被反射回端口 1就是传输到端口 2上了。在高速电路设计中用到的微带线或带状线， 都有参考平面，为不对称结构

40、（但平行双导线就是对称结构），所以 S11不等于 S22,但满足互易条件，总是有 S12=S21。假设Port1为信号输入端口， Port2 为信号输出端口，则我们关心的S参数有两个：S11和S21, S11表示回波损耗， 也就是有多少能量被反射回源端（Port1） 了，这个值越小越好，一般建议S110.7, 即一3dB,如果网络是无耗的，那么只要Port1上的反射很小，就可以满足S210.7 的要求，但通常的传输线是有耗的，尤其在GHz以上，损耗很显著，即使在Port1 上没有反射，经过长距离的传输线后，S21的值就会变得很小，表示能量在传输 过程中还没到达目的地，就已经消耗在路上了。对于由

41、2根或以上的传输线组成的网络，还会有传输线间的互参数，可 以理解为近端申扰系数、远端申扰系统，注意在奇模激励和偶模激励下的 S参数 值不同。需要说明的是，S参数表示的是全频段的信息，由于传输线的带宽限制，一般在 高频的衰减比较大，S参数的指标只要在由信号的边缘速率表示的EMI发射带宽围满足要求就可以了。回波损耗，反射系数，电压驻波比，S11这几个参数在射频微波应用中经常会 碰到，他们各自的含义如下：回波损耗(Return Loss):入射功率/反射功率，为dB数值反射系数(D：反射电压/入射电压，为标量电压驻波比(Voltage Standing Wave Ration):波腹电压/波节电压S

42、参数：S12为反向传输系数，也就是隔离。S21为正向传输系数，也就是增益。S11为输入反射系数，也就是输入回波损耗，S22为输出反射系数，也就是输出 回波损耗。四者的关系：VSWR=(1+1)/(1- D(1)S11=20lg(D(2)RL=-S11(3)以上各参数的定义与测量都有一个前提，就是其它各端口都要匹配。这些参数的共同点：他们都是描述阻抗匹配好坏程度的参数。其中， S11实际上就是反射系 数r,只不过它特指一个网络1号端口的反射系数。反射系数描述的是入射电压 和反射电压之间的比值，而回波损耗是从功率的角度来看待问题。而电压驻波的原始定义与传输线有关，将两个网络连接在一起，虽然我们能计

43、算出连接之后的 电压驻波比的值，但实际上如果这里没有传输线，根本不会存在驻波。我们实际 上可以认为电压驻波比实际上是反射系数的另一种表达方式，至于用哪一个参数来进行描述，取决于怎样方便，以及习惯如何。回波损耗与VSWR之间的转换关系，读者可以采用上面的式子1和2来手动计算.这里只针对 modal driven 和 terminal driven 做分析，至于 eigenmode 是解析谐振频率的，如滤波器，这个大家想必都了解。但是模式驱动， 终端驱动这两个分析类型该如何区分呢。很简单， hfss fullbook里面讲 了这样一段话 The Modal S-matrix solution co

44、mputed by Ansoft HFSSis expressed in terms of the incident and reflected powers of the waveguide modes.This description does not lend itself to problems where several different quasi-transverse electromagnetic modes can propagate simultaneously. For structures like coupled transmission lines or conn

45、ectors, which supportt multiple quasi-TEM modes of propagation,if is often desirable to compute the Terminal S-Parameters. ”其简约意思是讲：模式驱动对应的它的模式S参数矩阵是入射功率和反射功率的描述，但是这种模式S参数不能用于解决多准TEM模式，在这里大家一定要注意 several和quasi这两个单词，several 不是1个，而是指多个，而quasi是准TEM,而不是TEM。因而后面就 说了 for structure like耦合传输线或连接器是需要 termina

46、l drien来分析 的，故得出结论：1 .如果是耦合的微带线即差分微带线是必须要用终端驱动的，而单根的 微带是则是两者皆可，但并不是他们没区别，区别就是他们原理不同而已，但是我想算出来的结果差异并不大（前提是端口一定要大小合适），不过微带和带状线（即pcb的仿真），建议最好用终端驱动。2 .接下来就是连接器了，连接器的畴太大了，有的是完全封闭的，有的 是半封闭的，又有的是封闭一小部分的，又因 HFSS fullbook里仅说了 一个词Connector”,如果深究其原理那得去问Ansoft 了，因此我认为如果是连接器大家都用终端驱动就好了，可能有人会问我，全封闭的是TEM,不是quasi的啊，你怎么也用终端呢？其实我也不明白为什么 Ansoft没有把这个connector说的明白些，哎。不过本人已做过这两 种驱动模式仿真全封闭 connector , 一点差异都没有，所以建议以后都 用 Termi