多晶硅块检验标准

1、精品多晶硅锭/块质量检验规范编制:审核:批准:感谢下载载年月日发布年月日正式实施1 .适用范围2 .引用标准3 .检验项目4 .检验工具5 .实施细则1 .硅锭/块电性能检测2 .多晶硅块阴影检验3 .硅块电性能阴影判定4 .多晶硅块外观尺寸检验附表1:硅锭/块性能检验标准附表2:硅块外观尺寸检验标准1 .适用范围本细则规定了多晶硅锭/块的电性能/阴影杂质/外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅锭/硅块的质量检验。2 .引用标准硅锭内控标准Q/BYL02太阳能级多晶硅片硅片切割工艺文件三.检验项目电阻率、少子寿命、导电类型、氧/碳含量、外观、几何尺寸

2、、硅块杂质/隐形裂纹四.检验工具四探针电阻率测试仪、导电类型测试仪、少子寿命测试仪、红外阴影扫描测试仪、游标卡尺（0.02mm精度）、万能角度尺、钢板尺五.实施细则1 .硅锭/块电性能检测1.1 硅块测试取样及测试面的选取16块规格的硅块每锭抽测A块、B块和F块三块，25块规格的硅锭每锭抽测A块、B块、G块、M块四块，若“测量样块”表面无法测试时可选用对称位置的其他硅块代替。（测量样块表面手感平整无明显“锯痕”、“台阶”等现象，测试时保证测试平面与少子寿命测试仪测试头无摩擦，防止损伤“测试头”，测试过程中“测试头”与测试平面距离（2±1mm）基本保持一致）。通常选择“测量样块”的第2

3、或3面（硅块上箭头所指方向为第1面，顺时针依次为2、3、4面）。若A块第2或3面质量不符合测试要求，则选取D块第3、4面或M块第1、2面或P块第1、4面其中一面进行测试；B、G、F、M样块的测量出现质量不符合测试要求的情况可按以上A块测量方式测量；并在记录中注明。ABCDEFGHIJKLMNOP16块规格ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXY25块规格注：电性能参数不影响209mm切割高度的生产锭：16块规格:A块代表该硅锭四角的硅块（硅块A、D、M、P块，共4块）；B块代表四周的硅块（B、C、E、H、I、L、N、O块，共8块）F块代表该硅锭中间的硅块（硅块F、G、J、K块，共4块

4、）；25块规格：A块代表该硅锭四周的硅块（硅块A、D、M、P块，共4块）；B块代表四周的硅块（B、C、D、F、J、K、O、P、T、V、W、X块，共12块）；G、M块代表中间的硅块（G、H、I、L、M、N、Q、R、S块，共9块）。电性能参数影响209mm切割高度的生产锭：根据实际情况进行测试，保证数据准确，并具有代表性，并在记录中注明。1.2 电阻率测试用四探针电阻率测试仪对报检硅块首、中、尾三个部位进行电阻率测试，（测试点+5+5要求距底100mm左右、距顶250mm左右、距侧棱大于7mm,电阻率测试采取5点取平均值法测试并符合附表1要求。（测试时，四个探针所在的平面平行于硅块底面，尽可能在同

5、一晶界内。）对于表面电阻率分布有一级、二级、不合格区域之分的“测量样块”，要将一级、二级、不合格区域划出分界线（此时样块不具备代表性，应逐块测量），并测量记录各高度。1.3 导电类型测试用导电类型测试仪测试样块各表面导电类型为p型，以样块导电类型判定其硅锭导电类型；如有“反型现象”，在4个面反型最低点作出标记线（如样块反型高度影响有效切割高度时，样块不具备代表性，应逐块测量），并测量记录反型高度。1.4 少子寿命测试1.4.1 仪器的选定及校对a.正常生产中的工序少子寿命检验，可使用Semilab公司生产的“WT-2000”和GT公司生产的“GTLSS-100”。b.设备使用前需进行标准校对，

6、通过标准块少子寿命曲线比对来确定仪器的准确性。c.当对测试仪测试的结果产生疑问时，应进行复测比对。1.4.2 测量前的准备使用测试仪时，检验员先测试、查看存放的标准硅块的少子寿命，比较少子寿命图的一致性，以确定测量仪器的准确性；每班至少一次。1.4.3 具体测试用少子寿命测试仪测试“样块”少子寿命，将少子寿命曲线存入计算机。使用Semilab“WT-2000”设备时，记录少子寿命的平均值（指去除底部14mm以上剩余的209mm高度内硅块少子寿命的平均值）。1.5 合格判定根据硅锭的内控标准，电阻率、平均少子寿命有一项以上符合二级品等级的硅块或硅块相应区域，判定为二级品或二级区域；有一项以上存在

7、不合格等级的硅块或硅块相应区域，判定为不合格品或不合格区域1.6 记录a.根据硅块的一级品高度、二级品高度、不合格高度，填写硅锭质量检验记录表：计算该锭一、二等级高度、不合格高度及最终结果。b.对于少子寿命的测量，在指定文件夹内保存测试结果图（文件名命名规则：“锭号-硅块规格-电阻率值-面号”）。2 .多晶硅块阴影检验2.1 阴影的分类2.1.1 形状水平带状 珊瑚状圆斑状分散点状单独点状竖直条状2.1.2位置顶部中部底部2.1.3颜色2.2 判定方法2.2.1 杂质一般存在顶部、底部、局部团聚（较硬）、分散细点状（较软），中部圆形、顶底花形、颜色较黑。（1）硅块杂质的判定a.自顶部开始向下连

8、续延伸的直接沿下边缘去除，并查看切割断面是否有杂质未去除完全。精品b.自底部向上延伸的珊瑚状阴影直接沿上边缘去除,并查看切割断面是否有杂质未去除完全（*特例）特例：底部向上延伸的杂质中，存在颜色较浅阴影,般类似带状、竖状，阴影比较平滑，颜色均匀无需去除c.圆斑在实验切割过程中没有断线，但切出的硅片表面存在明显的因杂质导致锯痕或黑色点状杂质，只是杂质没有形成大面积（10mm2）团聚。此类杂质一般存在硅块中下部，颜色较淡，无需去除。d.分散/独立点状杂质一般存在硅块中上部，一股破锭过程中会产生锯痕，此感谢下载载精品类杂质硬度较大，需要直接去除，并查看切割断面是否有杂质未去除完全。e.阴影中的核状(

9、核状阴影或竖状的阴影)杂质一般存在于微晶或带有生长缺陷的硅块，实验切出来的硅片带有黑点儿状并伴随亮线。中间部位正常切割;顶底部位的去除2.2.2 微晶：集中同一水平面、带状、阴影线平行于锯痕、颜色较深的多为微晶，颜色较浅的多为正常块。(1)硅块不合格微晶判定a.表面有可视微晶，只要有一个面微晶的横向贯穿长度大于80mm,判为微晶块b.表面有可视微晶，相邻两面微晶的横断面积大于30mmx30mm ,判为微晶块c.表面有可视微晶，分布在三个面以上，横向长度之和大于50mm ,判为微晶块注:以上阴影不作为判定依据。图例阴影仅作为可视微晶形状参考d.表面无可视微晶，阴影扫描后在四个面上都显示明显且颜色

10、较浓阴影的，判为微晶块。感谢下载载e.阴影在距底部2/5（100mm）区域内的除外（2）处理方法B2的区域）B2的区域）a.去除微晶不合格高度后，如果剩余有效切割高度（包括可能产生大于等于175mm的硅块，直接切片。b.去除微晶不合格高度后，如果剩余有效切割高度（包括可能产生小于175mm的硅块，整块回收。c.出现其它状况的，由质检部和技术部共同商讨判定。2.3记录1 .用钢板尺测量记录杂质、裂纹的不合格高度。2 .认真填写记录表格。3 .在指定文件夹内保存测试结果图（文件名命名规则：“锭号-硅块-面号”）附：硅块电性能阴影判定a在红外硅块扫描过程中，会发现有些硅块顶部存在较亮线型区域，经试验

11、证明这部分亮线区域为反型区，对于硅块检验样块以外的硅块反型（线型区域）影响切割高度的，需使用导电型号测试仪进行复测。如图（椭圆圈中部分）：b硅块阴影扫描过程中，出现下图所示图形较暗的情况，一般为电阻率较低硅块，需在电阻率测试过程中注意。3.多晶硅块外观尺寸检验3.1 表面外观目测，应符合（附表2）标准要求。3.2 侧面宽度用游标卡尺测量侧面宽度符合（附表2）检验标准相关要求，对于侧面宽度存在一级、二级区域的硅块报检时应分区做出标记，如未做出标记的则视为一次报检不合格。3.3 角度用万能角度尺测量直角度符合（附表2）中相关要求。3.4 倒角用游标卡测量倒角符合（附表2）中相关要求。注：125*1

12、25mm尺寸规格硅块应满足技术要求或根据实际生产要求进行检验。注意事项1对车间报检的硅块外观和几何尺寸进行测量，核实硅块实际长度，对于报检硅块进行全检。2对于硅块报检标记不完整、标记清晰、标记错误的硅块，要求报检人重新标记后再报检。一次报检不合格，检验员作出不合格记录。返修自检后，二次报检。3对正常生产锭因电性能、裂纹、尺寸小影响有效切割长度或整块回收的，应在报检时注明原因。4硅块标记侧面宽度与实际值超过土0.2mm时，检验员在质量跟踪单标注实际长度并盖章。3.5 记录附表1:硅锭/块性能检验标准性能检验标准在舁厅P项目级品二级品1导电类型P型P型2电阻率p(Qcm)0.7<p<2Qcm2<p<43少子寿命阳)T421<t<24*氧含量<1X1018atoms/cm3<1X1018atoms/cm35*碳含量<8X1017atoms/cm3<8X1017atoms/cm3附表2:硅块外观