椭偏仪操作规程

1、椭偏仪操作规程一.目的 使用椭偏仪测量经PECVD镀膜后的SiN膜的厚度(d)和折射率(n).二.适用范围 适用于CENTECH公司的SE 400advanced型号的椭偏仪三.设备主要性能及相关参数 3.1 设备型号：SE 400advanced 3.2 设备构成： A 光学系统部分：由支架、定位显微镜、线偏振光发射器（包括632.8nm激光源）、椭圆偏振光接受和分析器组成。此部分完成整个光学部分的测试。 B PC机部分。此部分完成数据的分析和输出。四.运行前的检查 主要检查设备光学仪器部分是否损坏和电脑是否可正常使用。五. 设备操作1. 启动软件将椭偏仪控制器和PC的电源打开，为了仪器快速

2、可用和延长激光器寿命，推荐将椭偏仪控制器连续运转。SE 400advanced程序通常被安装在文件夹： C:program filesSE 400AdvApplicationFrameSiAFrame.exe.使用资源管理器或者直接双击桌面的SE 400advanced图标，启动软件。Fig. Error! No text of specified style in document.1: SE 400advanced图标软件打开时会自动进入上次退出时的登陆用户界面。Fig. Error! No text of specified style in document.2: SE 400adva

3、nced 用户认证通过菜单"Logon"，能够添加、更改或删除用户和用户权限。2. 用户主窗口Fig. Error! No text of specified style in document.3: SE 400advanced主窗口最后一次使用的模式会被自动加载。通过菜单，工具栏或模式列表，能够选择另外的模式。在软件界面的右下角，一个图标（2）用来显示椭偏仪控制器的连接状态，它通常显示为绿色。如果显示不为绿色，请检查椭偏仪和控制器之间的网络连接是否正常，并检查屏幕右下角的任务栏的网络状态。3. 样品测试1）在recipe下拉菜单中选择08 Si3N4 on silico

4、n 100 nm .2）将样品平放于测试台，并定位3）通过按来开始测量，测量完成后，结果被显示在主结果区（3）和protocol区（4）。4. 测量选项在"Measurement options"页面中，能够按照测量的数值计算方法、数值极限和结果报告，对一些设定进行更改。此外，设定入射角度和对多角度测量所使用角度的选择，也能够在这里进行。Fig. Error! No text of specified style in document.4: 模式选项 (测量)测量任务Psi, Delta椭偏角度的测量。Substrate ns, ks使用free surface.模型时，

5、基底的复折射率。Thickness使用单层透明膜模型，并指定指定膜层折射率和基底折射率时，膜层的厚度；开始膜厚由用户给出或由CER测量给出。Thickness + n使用单层膜模型时，膜层的厚度和折射率。(基底的复折射率作为固定值);开始膜厚由用户给出或由CER测量给出Thickness + n + absorption多角度测量情况下，膜层的厚度、折射率和吸收系数，使用“Thickness + n”模型，椭偏仪需要用多角度测量。Two layers多角度测量情况下，双层膜的厚度。 5. 模型选项页面"Model"包含了所有对测量进行分析的参数。软件所使用的默认模型为在吸收

6、基底上的三层吸收膜。模型的参数能够被直接输入在相应的区域，另一种方法是使用SENTECH材料库，可通过膜层名字右边的按钮使用材料库。Fig. Error! No text of specified style in document.5: : 模式选项(模型)Fig. Error! No text of specified style in document.6: : SE 400advanced 材料库模型参数的描述在下表给出：Ns基底折射率Ks基底吸收系数Na周围环境的折射率 (空气: n=1)Ka周围环境的吸收系数 (空气: k=0)Phi入射角(垂直时入射角= 0°)La激光

7、波长 (nm)Nu上层膜的折射率Ku上层膜的吸收系数(通常为负)Du上层膜的厚度Nm中间层膜的折射率Km中间层膜的吸收系数Dm中间层膜的厚度Nl底层膜的折射率Kl底层膜的吸收系数Dl底层膜的厚度Tab. Error! No text of specified style in document.1: 三层膜模型的参数总结6.退出软件点击右上角的按钮，关闭SENTECH软件界面，就可以退出SE 400advanced程序。六. 注意事项1. 被测片放于测试台，测试时注意片子不要移动，以使测试准确。2. 测试时若参数有较大偏差（n 约为，d约为84-92nm），应先考虑PECVD工艺问题，再考虑椭偏仪本身是否测试准确。测试频次3. 测试时其Degree of polarization(偏振度)应大于0.996。4. 定期检查光路准确情况： 1）首先在70度位置测量SiO2标准片，看是否在误差范围内。 2）70度时在Service and configaration窗口内看其图形是否对