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文档简介
1、CMC·泓域咨询 /长春IGBT项目投资决策报告报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资30641.13万元,其中:建设投资24257.34万元,占项目总投资的79.17%;建设期利息504.40万元,占项目总投资的1.65%;流动资金5879.39万元,占项目总投资的19.19%。项目正常运营每年营业收入64900.00万元,综合总成本费用53576.37万元,净利润8275.11万元,财务内部收益率19.88%,财务净现值9567.32万元,全部投资回收期6.06年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告
2、产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。新能源碳中和趋势推动IGBT供不应求,价格与拉货周期均为上涨态势IGBT除了新能源汽车也常被用于光伏、风电、工控、家电、轨交等领域;受益于碳中和趋势推动,IGBT迎来广阔的成长空间。IGBT目前生产大多以8英寸晶圆为主,需求增速大幅高于供给增速,因此8英寸晶圆需求一直保持高位。供需缺口使得IGBT产品货期持续拉长,截至2021年Q3仍未出现缓解的现象;英飞凌与Microsemi部分IGBT产品的交货周期已延长至50周,且相关产品价格也表现出上
3、涨的趋势。目录第一章 市场分析10一、 汽车半导体量价齐升,市场空间正快速扩大10二、 IGBT结构不断升级,协同第三代半导体技术创新13第二章 项目绪论19一、 项目名称及项目单位19二、 项目建设地点19三、 可行性研究范围19四、 编制依据和技术原则20五、 建设背景、规模21六、 项目建设进度22七、 原辅材料及设备22八、 环境影响22九、 建设投资估算23十、 项目主要技术经济指标23主要经济指标一览表24十一、 主要结论及建议25第三章 项目投资背景分析26一、 电动化+数字互联带动功率模拟芯片、控制芯片、传感器需求提升26二、 国内IGBT模块百亿级市场空间,占全球40%以上2
4、7三、 提升产业链现代化水平28四、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心28五、 新能源发电为IGBT带来持续发展动力29六、 晶圆产能持续紧缺,IGBT供不应求或延续较长时间30第四章 选址可行性分析32一、 项目选址原则32二、 建设区基本情况32三、 创建先行先试政策先导区38四、 推动产业集群集聚39五、 扩大有效投资加强新基建投资39第五章 建设方案与产品规划41一、 建设规模及主要建设内容41二、 产品规划方案及生产纲领41产品规划方案一览表42第六章 发展规划分析44一、 公司发展规划44二、 发展思路45第七章 法人治理结构48一、 股东权利及义务48二、 董事53三、 高
5、级管理人员57四、 监事59第八章 SWOT分析说明62一、 优势分析(S)62二、 劣势分析(W)64三、 机会分析(O)64四、 威胁分析(T)65第九章 原辅材料供应及成品管理73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理73第十章 项目节能方案75一、 项目节能概述75二、 能源消费种类和数量分析76能耗分析一览表76三、 项目节能措施77四、 节能综合评价78第十一章 工艺技术设计及设备选型方案80一、 企业技术研发分析80二、 项目技术工艺分析82三、 质量管理83四、 设备选型方案84主要设备购置一览表85第十二章 进度实施计划86一、 项目进度安
6、排86项目实施进度计划一览表86二、 项目实施保障措施87第十三章 环境保护方案88一、 编制依据88二、 环境影响合理性分析89三、 建设期大气环境影响分析90四、 建设期水环境影响分析91五、 建设期固体废弃物环境影响分析91六、 建设期声环境影响分析92七、 环境管理分析92八、 结论及建议95第十四章 投资计划方案97一、 编制说明97二、 建设投资97建筑工程投资一览表98主要设备购置一览表99建设投资估算表100三、 建设期利息101建设期利息估算表101固定资产投资估算表102四、 流动资金103流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表105六、 资金筹措与投
7、资计划105项目投资计划与资金筹措一览表106第十五章 项目经济效益评价107一、 基本假设及基础参数选取107二、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表109利润及利润分配表111三、 项目盈利能力分析111项目投资现金流量表113四、 财务生存能力分析114五、 偿债能力分析114借款还本付息计划表116六、 经济评价结论116第十六章 风险评估117一、 项目风险分析117二、 项目风险对策119第十七章 项目总结分析122第十八章 补充表格124主要经济指标一览表124建设投资估算表125建设期利息估算表126固定资产投资估算表127流动资
8、金估算表127总投资及构成一览表128项目投资计划与资金筹措一览表129营业收入、税金及附加和增值税估算表130综合总成本费用估算表131利润及利润分配表132项目投资现金流量表133借款还本付息计划表134第一章 市场分析一、 汽车半导体量价齐升,市场空间正快速扩大纯电动车有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。新能源汽车根据发动机主要可以分为HEV(混合电动汽车)、PHEV(插电式混合电动汽车)、BEV(纯电动汽车)。其中,HEV是最常见的混合动力类型,它的动力驱动方式可以通过使用燃料的发动机和带有电池的电动机。PHEV电池容量比较大,由较长的纯电续航里程,且有充电接口,一般需要专用的供电桩
9、进行供电,在电能充足的时候,采用电动机驱动车辆,而电能不足时,发动机发电给动力电池。BEV则不需要燃油机,只需要依靠电池提供能量,所以会配置较大容量的电池。BEV的优势在于零排放。受益于国家的双碳计划,BEV有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。中国新能源汽车销量增速高于全球,02020年中国新能源汽车销量达到7136.7万辆。根据EV-volumes公布的数据,2014年全球新能源汽车销量为32.1万辆,2020年达到324万辆,2014-2020年复合增长率为47%;根据中国汽车工业协会公布的数据,2014年中国新能源汽车销量为7.5万辆,2020年达到136.7万辆,2014-2020年
10、复合增长率为62%;整体来看全球与中国新能源汽车销量皆快速增长,且中国的增速高于全球。双碳计划促进新能源汽车发展,新能源汽车的碳减排潜力相较传统燃油车更具优势。国内要实现双碳目标,可能性路径包括中国工业和公路交通等领域加速电气化、加速部署可再生电源等零碳电源等。受益于双碳目标,新能源汽车替代传统燃油车已是大势所趋。在车辆使用阶段,新能源汽车的碳减排潜力有明显优势。纯电动汽车与油车相比,单车运行阶段减排比例介于243%。若电动汽车的电耗降低,新能源电力使用比例提高,新能源汽车减排量比例还会进一步提升。2021年上半年全球新能源汽车销量同比接近翻倍,全球各国家销量皆大幅度提升。根据EV-volum
11、es预测,2021年全球新能源汽车销量预计达到640万,相较于2020年同比增长98%。全球轻型汽车市场已从2020年上半年的-28%的低迷中部分恢复,同比增长28%。2021年上半年部分地区新能源汽车由于基数较低因此呈倍数增长,欧洲同比增长157%,中国同比增长197%,美国同比增长166%,其余市场同比增长达到95%;除日本外,所有主要市场在今年上半年的电动汽车销量和份额均创下新纪录。中国新能源汽车渗透率预计在2025年达到20%,预计中国新能源汽车销量超过600万辆。国务院办公厅印发新能源汽车产业发展规划(20212035年)提出,新能源汽车新车销售量达到汽车新车销售总量的20%左右;此
12、外中汽协预测2025年中国汽车销量或到3000万辆,根据保守线性推算,我们预计2025年中国新能源汽车销量达到600万辆,年复合增速达到34.4%。根据中汽协预测未来五年中国新能源汽车销量年均增速40%以上的预测,2025年新能源汽车销量预计达到735万辆。2020年新能源汽车半导体价值量4834美金。根据英飞凌、IHS、AutomotiveGroup等多家机构测算,2020年FHEV、PHEV、BEV单车半导体的成本到了834美元,相较于传统燃油车的汽车半导体价值417美元,单车半导体价值量翻倍成长;相较于48V轻混合车,单车半导体价值量增加45.8%。预计2025年,48V轻混车、FHEV
13、/PHEV/BEV销量分别将达到1880万辆、2100万辆,基于2020年单车半导体BOM静态测算,2025年车用半导体市场规模将达到282.7亿美元。新能源汽车半导体价值量持续增加,保守估计52025年中国市场规模达到070亿美元。随着汽车电动化、智能化、网联化发展,半导体在单车上的整体价值也越来越高,根据Gartner预测的数据,2024年单辆汽车中的半导体价值有望超过1000美元,根据前四年的年复合增长率预测,预计2025年达到1046美元,中国2025年新能源汽车预计达到600-700万量,经测算中国新能源汽车半导体市场规模在2025年有望达到62.8亿-73.2亿美元。汽车半导体国产
14、化率仅10%,前八大欧美日企业占整体市场的63%。根据ICVTank数据,2019年汽车半导体前八大企业为欧美日公司,包含恩智浦、英飞凌、瑞萨半导体、意法半导体、德州仪器等,占整体市场规模的63%。从自主汽车芯片产业规模来看,欧美日占据整体市场的93%,欧洲、美国和日本公司分别占37%、30%和25%市场份额;中国公司仅为3%,根据中国汽车芯片产业创新战略联盟数据显示,国内汽车行业中车用芯片自研率仅占10%,国内汽车芯片市场基本被国外企业垄断,并且具备90%的替代空间。二、 IGBT结构不断升级,协同第三代半导体技术创新IGBT是一个电路开关,透过开关控制改变电压。IGBT(绝缘栅双极型晶体管
15、,InsulatedGateBipolarTransistor)是一个三端器件,也是重要的分立器件分支,属于分立器件中的全控型器件,可以同时控制开通与关断,具有自关断的特征,即是一个非通即断的开关。IGBT拥有栅极G(Gate)、集电极C(Collector)和发射极E(Emitter),其开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定;在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通。IGBT结合了TMOSFET与与TBJT的优势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点,既有MOSFET的开关速度快,输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关
16、损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,此外为了提升IGBT耐压,减小拖尾电流,结构相对复杂。IGBT被各类下游市场广泛使用,是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT工艺与设计难度高,产品生命周期长。IGBT芯片结构分为正面(Emitterside)和背面(Collectoerside)。从80年代初到现在,IGBT正面技术从平面栅(Planar)迭代至沟槽栅(Trench),并演变为微沟槽(MicroPatternTrench);背面技术从穿通型(PT,PunchThrough)迭代至非穿通型(NPT,NonPunchThrough),再演变为场截止型(FS,Fiel
17、dStop)。技术的迭代对改善IGBT的开关性能和提升通态降压等性能上具有较大帮助,但是实现这些技术对于工艺有着相当高的要求,尤其是薄片工艺(8英寸以上的硅片当减薄至100200um后极易破碎)以及背面工艺(因正面金属熔点的限制,所以背面退火激活的难度大),这也是导致IGBT迭代速度较慢。此外,IGBT产品具有生命周期长的特点,以英飞凌IGBT产品为例,该产品已迭代至第七代,但其发布于2000年代初的第三代IGBT芯片技术在3300V、4500V、6500V等高压应用领域依旧占据主导地位,其发布于2007年的第四代IGBT则依旧为目前使用最广泛的IGBT芯片技术,其IGBT4产品的收入增长趋势
18、甚至持续到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散热功能是IGBT未来发展趋势。英飞凌作为全球IGBT龙头企业,产品技术已成为本土厂商的对标。截至2021年,英飞凌产品已迭代至第七代。其中,第五代与第六代均属于第四代的优化版(第五代属于大功率版第四代,第六代属于高频版第四代)。IGBT器件需要承受高电压和大电流,对于稳定性、可靠性要求较高。未来,IGBT会朝着更小尺寸、更大晶圆、更薄厚度发展,并通过成本、功率密度、结温、可靠性等方面的提升来实现整个芯片结束的进步。此外,IGBT模块的未来趋势也将朝着更高的热导率材料、更厚的覆铜层、更好的集成散热功能和更高的可靠性发展。第三代半导体物理特性相较
19、于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段,相较而言,第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅(Si)和锗(Ge),于20世纪40年代开始登上舞台,目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低,且属于间接带隙结构,在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈,因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。新材料推进新产品发展,高压高频领域适用SiC。碳化硅在绝缘破坏电场界强度为硅的10倍,因此SiC可以以低电阻、薄膜厚的漂移层实现高耐压,意味着相同的耐压产品SiC的面积会比Si还要小,比
20、如900VSiC-MOSFET的面积是Si-MOSFET的1/35。因此,硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的产品,SiC可以做到1700V以上且低导通电阻。Si为了改善高耐压化所带来的导通电阻增大主要采用IGBT结构,但由于其存在开关损耗大产生发热、高频驱动受到限制等问题,所以需借由改变材料提升产品性能。SiC在MOSFET的结构就可实现高耐压,因此可同时实现高耐压、低导通电阻、高速,即使在1200V或更高的击穿电压下也可以制造高速MOSFET结构。SiCMTOSFET具备一定优势,但成本较高。就器件类型而言,SiCMOSFET与SiMOSFET相似。但是,SiC是一种宽带隙(WBG)
21、材料,其特性允许这些器件在与IGBT相同的高功率水平下运行,同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势,包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。然而,受制于制造成本和产品良率影响,SiC产品价格较高。由于Si越是高耐压的组件、每单位面积的导通电阻变高(以耐压的约22.5倍增加),因此600V以上的电压则主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少数载子之正孔于漂移层内,比MOSFET可降低导通电阻,另一方面由于少数载子的累积,断开时产生尾电流、造成开关的损耗。SiC由于漂移层的电阻比Si组件低,不须使用传导度调变,可用高速组件构造之MOSFET以兼顾高耐压与低电阻,可实现开关损
22、耗的大幅削减与冷却器的小型化。SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求,因此SiCMosfet价格较SiIGBT高。根据功率器件的特性,不同功率器件的应用领域各有不同。虽然IGBT结合了MOSFET与BJT的优势,但三者根据各自的器件性能优势,都有适合的应用领域。BJT更强调工作功率,MOSFET更强调工作频率,IGBT则是工作功率与频率兼具。BJT因其成本优势,常被用于低功率低频率应用市场,MOSFET适用于中功率高频率应用市场,IGBT适用于高功率中频率应用市场。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面将继续发展,因此在较长一段时间内仍会是汽车电动化的主流器件。SiC组件具有高压、高频和
23、高效率的优势,在缩小体积的同时提高了效率,相关产品则主要用于高压高频领域。部分IGBT厂商已开始布局SiC产业。SiC具有较大发展潜力,已吸引多家功率器件厂商进行布局。英飞凌于2018年收购德国厂商Siltectra,弥补自身晶体切割工艺,又于2018年12月与Cree签署长期协议,保证自身光伏逆变器和新能源汽车领域的产品供应,旗下CoolSiC系列产品已走入量产。2019年,意法半导体与Cree签署价值2.5亿美元的长单协议,且收购了瑞典SiC晶圆厂商NorstelAB,以满足汽车和工业客户对MOSFET与二极管的需求。2021年,意法半导体宣布造出8英寸SiC晶圆。此外,斯达半导、华润微、
24、等本土厂商也已在SiC领域布局。第二章 项目绪论一、 项目名称及项目单位项目名称:长春IGBT项目项目单位:xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx,占地面积约71.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析;2、建设规模的确定;3、建设场地及建设条件;4、工程设计方案;5、节能;6、环境保护、劳动安全、卫生与消防;7、组织机构与人力资源配置;8、项目招标方案;9、投资估算和资金筹措;10、财务分析。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、中华人民共和国国民经济和
25、社会发展第十三个五年规划纲要;2、中国制造2025;3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册(第三版);4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。(二)技术原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规,认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定;2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线,提高项目的竞争力和市场适应性;3、设备的布置根据现场实际情况,合理用地;4、严格执行“三同时”原则,积极推进“安全文明清洁”生产工艺,做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行,注意可持续发展要求,具有可操作弹性;5、形成以人为本、美观的生产环境,体现企业文化和企业形
26、象;6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求;7、充分估计工程各类风险,采取规避措施,满足工程可靠性要求。五、 建设背景、规模(一)项目背景IGBT既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT可以看做由BJT(双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)组成的复合功率半导体器件。BJT即三极管,是电流驱动器件,基本结构是两个背靠背的PN结,基极和发射极之间的PN结称为发射结,基极和集电极之间的PN结称为集电结,通过控制输入电压和基极电流可以使
27、三极管出现电流放大或开关效应。MOSFET是电压型驱动器件,以常用的N沟道MOS管为例,通过在P型半导体上方加入金属板和绝缘板,即栅极,在使用中保持源级和漏级电压不变,栅极加正电压,MOS管呈导通状态,降低栅极电压,MOS管呈关闭状态。由于栅极所带来的电容效应,使得MOS管只需要很小的驱动功率即可实现高速的开关作用。BJT通态压降小、载流能力大,但驱动电流小,MOSFET驱动功率小、快关速度快,但导通压降大、载流密度小。IGBT可以等效为MOS管和BJT管的复合器件,在保留MOS管优点的同时增加了载流能力和抗压能力,自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速,成为电力电子领域中最重要的功率
28、开关器件之一,在6500V以下的大功率高频领域逐渐取代了晶闸管和功率MOSFET器件。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积47333.00(折合约71.00亩),预计场区规划总建筑面积76425.18。其中:生产工程56965.18,仓储工程6879.85,行政办公及生活服务设施7918.04,公共工程4662.11。项目建成后,形成年产xx个IGBT的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 原辅材料及设备(一)项目主要原
29、辅材料该项目主要原辅材料包括xx、xx、xxx等。(二)主要设备主要设备包括xx、xx、xxx等。八、 环境影响本项目的建设符合国家政策,各种污染物采取治理措施后对周围环境影响较小,从环保角度分析,本项目的建设是可行的。九、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资30641.13万元,其中:建设投资24257.34万元,占项目总投资的79.17%;建设期利息504.40万元,占项目总投资的1.65%;流动资金5879.39万元,占项目总投资的19.19%。(二)建设投资构成本期项目建设投资24257.34万元,包括工程
30、费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用20494.89万元,工程建设其他费用3095.21万元,预备费667.24万元。十、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入64900.00万元,综合总成本费用53576.37万元,纳税总额5466.40万元,净利润8275.11万元,财务内部收益率19.88%,财务净现值9567.32万元,全部投资回收期6.06年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积47333.00约71.00亩1.1总建筑面积76425.181.2基底面积26979.811.3投资强度万元/亩32
31、7.342总投资万元30641.132.1建设投资万元24257.342.1.1工程费用万元20494.892.1.2其他费用万元3095.212.1.3预备费万元667.242.2建设期利息万元504.402.3流动资金万元5879.393资金筹措万元30641.133.1自筹资金万元20347.323.2银行贷款万元10293.814营业收入万元64900.00正常运营年份5总成本费用万元53576.37""6利润总额万元11033.48""7净利润万元8275.11""8所得税万元2758.37""9增值税万
32、元2417.88""10税金及附加万元290.15""11纳税总额万元5466.40""12工业增加值万元18427.95""13盈亏平衡点万元26546.51产值14回收期年6.0615内部收益率19.88%所得税后16财务净现值万元9567.32所得税后十一、 主要结论及建议经分析,本期项目符合国家产业相关政策,项目建设及投产的各项指标均表现较好,财务评价的各项指标均高于行业平均水平,项目的社会效益、环境效益较好,因此,项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本,制定好项目的详细规划及资金使用计划
33、,加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理,特别是加强产品生产的现金流管理,确保企业现金流充足,同时保证各产业链及各工序之间的衔接,控制产品的次品率,赢得市场和打造企业良好发展的局面。第三章 项目投资背景分析一、 电动化+数字互联带动功率模拟芯片、控制芯片、传感器需求提升半导体是汽车发展趋势(电驱化、数字互联)的核心。汽车在电动化、智能化、网联化的发展过程中,半导体是发展的核心支撑。1)电驱化(电动化),电动与混动汽车的发展要求动力传动系统向电气化迈进,其中由电池、电机、电控组成的三电系统主要以功率半导体为主,包含IGBT、MOSFET等。2)数字互联(智能化、网联化),智能化发展带动具
34、备AI计算能力的主控芯片市场规模快速成长;此外智能与网联相辅相成,核心都是加强人车交互,除了加强计算能力的主控芯片外,传感器、存储也是核心的汽车半导体,包含自动化驾驶的实现使传感器需求提升、数据量的增加带动存储的数量和容量的需求提升。汽车半导体绝对值在增长,从分类中功率半导体价值量增加幅度最大。新能源汽车相比传统燃油车,新能源车中的功率半导体价值量提升幅度较大。按照传统燃油车半导体价值量417美元计算,功率半导体单车价值量达到87.6美元,按照FHEV、PHEV、BEV单车半导体价值量834美元计算,功率半导体单车价值量达到458.7美元,价值量增加四倍多。二、 国内IGBT模块百亿级市场空间
35、,占全球40%以上根据英飞凌年报,2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6%,斯达半导2.5%,英飞凌IGBT器件产品市占率32.5%,士兰微2.2%。2019年斯达半导IGBT模块营业收入7.6亿元,士兰微IGBT器件营业收入约1亿元,由此可推算2019年全球IGBT模块市场规模约300亿元,IGBT器件市场规模约45亿元。根据ASMC研究显示,全球IGBT市场规模预计在2022年达到60亿美元,全球IGBT市场规模在未来几年时间仍将继续保持稳定增长的势头。根据中国产业信息网和头豹研究院数据整理,2014年,我国IGBT行业市场规模为79.8亿元,预测到2020年,我国IGBT行业将实现1
36、97.7亿元的收入,年复合增长率达16.32%。预计到2023年中国IGBT行业整体市场规模有望达到290.8亿元,市场前景广阔。根据Yole预测,2024年我国行业IGBT产量预期达到0.78亿只,需求量达到1.96亿只,仍存在巨大供需缺口。IGBT市场长期被英飞凌、富士电机等海外公司垄断,英飞凌占据绝对领先的地位。2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6%,器件产品全球市占率32.5%,IGBT模块领域国内斯达半导是唯一进入前十的企业,市占率2.5%,IGBT器件领域国内士兰微是唯一进入前十的企业,市占率2.2%。国内产品供需不平衡,“国产替代”将是未来IGBT行业发展的主要方向。三、
37、提升产业链现代化水平围绕提供融入国内国际双循环优质产品供给,强化供给侧结构性改革,打造品牌经济,加快产业集聚,构建具有国际竞争力、面向未来的产业生态和产业体系。四、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心新能源车的制动原理是利用电磁效应驱动电机转动,IGBT优异的开关特性可以实现交直流转换、电压转换和频率转换几个核心功能,电动车充电时,通过IGBT将外部电源转变成直流电,并把外部220V电压转换成适当的电压给电池组充电。电动车制动时,通过IGBT把直流电转变成交流电机使用的交流电,同时精确调整电压和频率,驱动电动车运动。一台车的加速能力、最高时速、能源效率主要看车规级功率器件的性能,硅基IGB
38、T作为主导型功率器件,在新能源车中应用于电动控制系统、车载空调系统、充电桩逆变器三个子系统中,约占整车成本的7%-10%,是除电池以外成本第二高的元件,也是决定整车能源效率的关键器件。新能车市场销量:根据中汽协发布的数据统计,2019年新能源车新产销分别完成124.2万辆和120.6万辆,其中绝大部分为纯电动汽车,产销为102万辆和97.2万辆,插电式混合动力汽车产销为22.0万辆和23.2万辆,2020年国内新能源车销量为136.7万辆。2021年5月,新能源汽车产销环比略增,同比继续保持高速增长,产销均为21.7万辆,环比增长0.5%和5.4%,同比增长1.5倍和1.6倍。单台新能源车用量
39、:电动汽车单车IGBT的价格在A00级车的主控IGBT模块价值量800-1000元,A级车1500左右,混动车在2000元左右,再综合空调、充电等部分,平均电动汽车单车IGBT价值量为1000-4000不等。根据Yole的统计,2016年全球电动车IGBT管用量约为9亿美元,单车的IGBT管用量约为450美元。新能源车IGBT市场空间推算:据IDC预计,受政策推动等因素的影响,中国新能源汽车市场将在未来5年迎来强劲增长,2020年至2025年的年均复合增长率(CAGR)将达到36.1%,假设单台车IGBT用量3000元左右来预估,至2025年,国内新能源车IGBT模块市场规模为191亿左右。五
40、、 新能源发电为IGBT带来持续发展动力目前新能源发电以光伏和风力发电为主,以光伏发电为例,在太阳光照射下太阳能电池阵列产生电能输出直流电,但输出的电能不符合电网要求,需通过逆变器将其整流,再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。以往光伏发电系统是采用MOSFET构成的逆变器,然而随着电压的升高,MOSFET会因其通态电阻过大而导致增加开关损耗,IGBT因其通态电流大、耐压高、电压驱动等特点,在中、高压容量的系统中更具优势,在实际项目中IGBT已逐渐取代MOSFET作为光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件,新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT行业持续增长的全新动力。据欧洲光伏产业协会预测,全
41、球光伏装机量未来5年将保持15%以上的复合增速,假设光伏逆变器出货量每年保持15%增长,预计到2025年全球光伏IGBT市场规模将达到53亿元。国内逆变器厂商在全球光伏市场上持续突破,据Solaredge数据,2018年华为在全球逆变器市场的份额达22%。据阳光电源2020年报披露,公司2015年起出货量首次超越连续多年排名全球发货量第一的欧洲公司,销售收入7.51亿元,全球市占率27%,已批量销往德国、意大利、澳大利亚、美国、日本、印度等150多个国家和地区,国内光伏逆变器厂商的快速发展也为国产IGBT替代带来更多产品应用的机会。六、 晶圆产能持续紧缺,IGBT供不应求或延续较长时间晶圆供应
42、维持紧张,代工厂产能利用率不断攀升。随着下游需求持续向上,带动功率器件、模拟芯片、MCU等产品需求的增长,该类产品多在8英寸晶圆厂生产,导致8英寸晶圆需求一直保持高位。同时,疫情催生需求增长,导致晶圆供应紧张华虹等代工厂产能利用率持续保持增长态势;世界先进晶圆出货量也持续增长。全球主要功率器件制造商投入扩产,目标提升IGBT产品供应能力。去年年底以来,全球芯片短缺不断加剧,并蔓延至汽车、手机、家电等多个领域。由于晶圆制造产能不足,功率半导体市场出现供不应求的现象。为满足下游需求并提升自身供应能力,国内外诸多功率半导体厂商纷纷宣布扩产。东芝、英飞凌、士兰微、华润微、赛晶科技等国内外厂商均加大了对
43、于功率半导体产品的产能投入。第四章 选址可行性分析一、 项目选址原则项目选址应符合城市发展总体规划和对市政公共服务设施的布局要求;依托选址的地理条件,交通状况,进行建址分析;避免不良地质地段(如溶洞、断层、软土、湿陷土等);公用工程如城市电力、供排水管网等市政设施配套完善;场址要求交通方便,环境安静,地形比较平整,能够充分利.用城市基础设施,远离污染源和易燃易爆的生产、储存场所,便于生活和服务设施合理布局;场址上空无高压输电线路等障碍物通过,与其他公共建筑不造成相互干扰。二、 建设区基本情况长春,吉林省辖地级市、省会、副省级市、长春城市群核心城市,是中华人民共和国批复确定的中国东北地区中心城市
44、之一和重要的工业基地。截至2020年,长春下辖7个区、1个县、代管3个县级市,总面积24744平方公里。截至2020年11月11日,长春常住人口为906.6906万人。长春地处中国东北地区,位于东北的地理中心,东北亚经济圈中心城市,分别与松原、四平、吉林和哈尔滨接壤,是著名的中国老工业基地,是新中国最早的汽车工业基地和电影制作基地,有“东方底特律”和“东方好莱坞”之称,同时还是新中国轨道客车、光电技术、应用化学、生物制品等产业发展的摇篮,诞生了著名的中国第一汽车集团有限公司、中车长春轨道客车股份有限公司、长春电影制片厂、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院长春应用化学研究所、长春
45、生物制品研究所。长春是国家历史文化名城,具有众多历史古迹、工业遗产和文化遗存,是近代东北亚政治军事冲突完整历程的集中见证地;也是中国四大园林城市之一,享有“北国春城”的美誉,绿化率居于亚洲大城市前列;还是“中国制造2025”试点城市、“首批全国城市设计试点城市”,位列“自然指数-科研城市2021”全球第37名、中国第13名。综合实力达到新规模,经济结构实现新优化。到2020年,全市地区生产总值超过6600亿元,比2010年翻一番,占全省经济总量比重53.9%。固定资产投资5年累计超过9000亿元。地方财政收入超过440亿元。社会消费品零售总额年均增长4%。供给侧结构性改革深入推进,供给体系适应
46、性和灵活性不断增强,服务业对经济增长贡献率超过50%。民营经济增加值占GDP比重持续提升,所有制结构进一步优化。质量效益实现新提升,动能转换集聚新优势。城镇居民人均可支配收入达到4万元,农村居民人均可支配收入接近1.7万元,分别是2010年的2.2倍和2.5倍。粮食总产量达到232.8亿斤。税收收入占地方财政收入比重保持在70%以上,且逐年稳步提升。专利申请量年均增速超过10%,国家高新技术企业发展到1800户以上,市场主体总量超过100万户,大学生年留长人数突破10万人。红旗品牌汽车产销量突破20万辆,自主研发的时速400公里跨国互联互通高速动车组下线,“吉林一号”卫星在轨数量达到25颗。“
47、十四五”时期,世界正经历百年未有之大变局,新冠肺炎疫情全球大流行加速变局演化,我市内外环境变化深刻复杂。从外部看,我市正加快融入以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局,经济社会发展同时面临机遇和挑战,主要表现为“五个前所未有”。宏观形势复杂多变前所未有。国际经济、科技、文化等格局正在发生深刻调整,对我市的产业发展、科技创新、外资外贸等产生一系列深层次影响,但也为我市深度融入共建“一带一路”、扩大东北亚地区经贸合作带来新契机。经济稳中有进压力前所未有。受新冠疫情影响,世界经济低迷,经济再平衡和分工格局面临系统性调整,对我市维护产业链供应链安全构成挑战,但也为我市融入以国内大循环为
48、主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局提供机遇。科技领域加速变革前所未有。以人工智能、生物技术、航空航天等为代表的新技术,正广泛而深入地渗透到经济社会各领域,对我市传统优势产业发展带来冲击和挑战,但也为我市发挥科教优势,积极参与产业链分工、加快产业转型升级创造条件。区域竞争分化极化前所未有。国际国内经济地理空间结构深刻变化,大城市及城市群间竞争趋势明显,对我市争先进位形成较大压力,但也为我市集聚发展要素,加快推动现代化都市圈建设、改变城市间比较优势和发展位势创造有利条件。社会安全风险上升前所未有。传统安全风险明显上升,能源安全、网络安全、食品安全、气候变化等非传统安全风险易发突发,特别是新冠
49、疫情等公共卫生安全事件,对我市经济社会平稳健康发展带来挑战,同时对我市全面提升治理能力、提高防范化解风险水平、努力实现更高质量发展提出新的要求。从内部看,我市处于新时期全面振兴全方位振兴的关键阶段,主要呈现“五期叠加”的阶段性新特征。振兴发展进入加快突破期。“五大安全”战略地位凸显,“四大短板”挑战突出,要求我们必须全面提升服务国家战略大局的能力,推进现代化都市圈建设,深入落实老工业基地转型升级、争当农业农村现代化排头兵、发挥区域创新中心作用、构筑东北地区生态安全屏障、打造向北开放重要窗口和东北亚地区合作中心枢纽重大任务,在实现高质量发展上取得重大突破。产业结构进入加快变革期。新一轮科技革命和
50、产业变革蓄势待发,经济再分工格局面临系统性调整,要求我们必须整合要素资源,推动新旧动能转换,围绕汽车、轨道交通装备、农产品加工、光电信息、生物医药等优势产业,推动产业基础高级化和产业链现代化,实施一批富有前瞻性、全局性、基础性的重大项目,构建多点支撑、多业并举、多元发展的现代产业体系。城市空间进入加快优化期。新型城镇化水平需要持续强化,城市中心枢纽作用有待提升,要求我们必须全力加快现代化都市圈建设,着力打造国内大循环的战略支点、国内国际双循环的重要节点和引领振兴发展的强力引擎,努力构建核心引领、梯次推进、协调联动的空间发展新格局,推动“四大板块”率先发展、“两大基地”融合发展,长吉、长平一体化
51、联动发展。改革开放进入加快重塑期。重点领域改革需要突破,开放对经济拉动作用需要强化,要求我们必须把改革开放作为关键一招,加快破除体制机制瓶颈障碍,推动改革由夯基垒台、立柱架梁、全面推进向系统集成、积厚成势、协同高效转变,开放由内陆城市向重要窗口、开放高地转变,增强发展动能,重塑竞争优势,努力进入全国营商环境第一方阵。民生福祉进入加快提质期。人民群众的物质文化需求呈高品质、多元化发展,推进治理体系和治理能力现代化需要提升,要求我们必须立足实现共同富裕,在决胜脱贫攻坚、全面建成小康社会基础上,加快补齐民生领域短板,不断提高基本公共服务均等化水平,健全多层次社会保障体系,加快建设“平安长春”“法治长
52、春”,让人民群众共享改革发展振兴成果。综合判断,“十四五”时期,长春现代化都市圈建设进入加速推进期。我市自身发展格局更加清晰,全面融入国内国际双循环的基础扎实、前景广阔,科教创新资源优势逐步释放,产业转型升级明显提速,国家商品粮基地作用不断凸显,新型城镇化步伐进一步加快,综合交通枢纽功能得到强化,对外开放平台更加丰富,幸福城市美誉度不断提高,长春振兴发展其时已至、其势将起、其兴可待。但也要看到,发展不平衡不充分仍是我市最大市情,体制机制等重点领域和关键环节改革任重道远,产业结构调整和新旧动能转换需持续加力,开放窗口和合作中心功能需加快提升,城乡居民收入需加快提高,民生领域短板需加快补齐,安全发
53、展领域风险不容低估,要求我们必须进一步增强机遇意识和风险意识,善于在危机中育先机,于变局中开新局,推动全面振兴全方位振兴取得新突破。到2030年,实现新时代长春全面振兴全方位振兴,形成支撑全面振兴全方位振兴的市场体系、产业体系、城乡区域发展体系、绿色发展体系、全面开放体系、民生保障体系。营商环境进入全国第一方阵,国资国企改革取得重大进展,民营经济发展瓶颈得到根本破解。创新驱动能力显著增强,现代农业持续走在全国前列,先进制造业具有国际竞争力,新动能产业占比大幅提高。长春现代化都市圈更加成熟,新型城镇化和乡村振兴战略取得长足进步。生态产品价值实现机制基本建立,美丽长春建设取得重大进展。对内合作和对
54、外开放协同联动,开放合作短板基本补齐。人均地区生产总值和城乡居民收入进入国家先进城市行列,共同富裕水平显著提高。“十四五”时期,长春全面振兴全方位振兴取得实质性突破,以加快建设长春现代化都市圈为引领,把长春建设成为常住人口超1000万、经济总量迈向万亿的特大型现代化城市。经济发展实现新突破。经济实现高质量发展,年均增速达到6.5%左右。产业结构加快调整,农业农村现代化走在全国全省前列。规模以上工业总产值超过1.4万亿,长春制造品牌享誉全球。服务业占比超过55%,数字经济核心产业增加值占比超过全国平均水平,初步建成数字经济东北地区第一城。三、 创建先行先试政策先导区推动体制机制自主创新。积极争取
55、国家和省赋予示范区项目审批、财税金融等省级管理权限,以及独立职称政策制定权,高级专业技术资格评审委员会自主组建权等。配套出台人才、科技金融、成果处置等政策,探索实施支持高技术产业发展的土地利用优惠政策,在新型研发机构建设、人才引进、产学研结合、国际合作、创新创业孵化体系建设等方面进行探索。构建自主创新生态体系。推动创新链高效服务产业链,实现创新成果快速转移转化并推动产业结构转型升级。研究出台适应创新驱动高质量发展的先行先试政策体系。培育发展以特色产业基地为基础的产业链和产业集群,完善以项目为载体、企业为主体、市场为导向、产学研用相结合的自主创新生态体系。四、 推动产业集群集聚推动工业集群集聚发
56、展。以长春高质量发展“四大板块”为主战场,依托国家和省级经济技术开发区,推动汽车、装备制造、光电信息、医药等产业集群发展。发展循环经济产业开发区等专业化园区,强化要素整合和差异化发展。建设现代服务业集聚区。围绕文化创意、现代物流、科创服务等领域,引导资源配置向优势服务业集聚,建设现代服务业集聚区。加强集聚度高、特色突出、功能完善的集聚区和特色园区建设,积极完善配套政策,鼓励集聚发展,提升质量效益。促进现代农业优势特色产业集聚。依托农业农村现代化“两大基地”,推动优势产业向现代农业园区、重点“菜篮子”基地和特色产业板块集中,以皓月、国信等现代产业示范园为龙头,加快都市农业和设施农业规模化、集约化
57、发展。五、 扩大有效投资加强新基建投资聚焦新基建“761”工程,重点实施“两新一重”建设项目,加快新一代信息网络、5G应用、充电桩、换电站等新型基础设施建设。加强新型城镇化建设,加强交通、水利等重大工程建设。加强经济社会领域投资。围绕保居民就业、保基本民生、保市场主体、保粮食能源安全、保产业链供应链稳定、保基层运转等关键环节,加大重点社会事业领域投资。加强投资环境建设。实施开展“三抓三早”“专班抓项目”“项目中心”等系列有效政策举措,全面优化项目招商、落位、审批、达产等全要素全流程服务保障机制。鼓励引导民营资本进入电信、基础设施、公共服务等领域。到2025年,固定资产投资年均增速超过10%。第五章 建设方案与
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