模电填空+选择+大题共224道题目和答案

1、- 1 -0001 01A1在纯净的半导体中掺入 5 价元素杂质，形成（ ）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（ ） 。0002 01A1在纯净的半导体中掺入 3 价元素杂质，形成（ ）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（ ） 。0003 01A1 PN 结的导电特性是 。0004 01A2 为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度 ；（2）集电结面积比发射结面积 。0005 02A1 夹断电压是（ ）型场效应管的参数，开启电压是（ ）型场效应管的参数。0006 02A1 场效应管有（ ）种载流子导电，场效应管是（ ）控制（ ）型器件。0007 02A1 共射

2、放大电路中输出电压与输入电压相位 。0008 02A1 在放大电路中，晶体管通常工作在 工作区。0009 02A1 双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结 ，集电结 。0010 02A1 场效应管三个电极分别为 极、 极和 极。0011 02A1在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性 。0012 02A2在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性 。0013 02A2 场效应管放大电路有共 、共 和共 三种基本形式 。0014 02A2 场效应管从结构上可以分为（ ）和（ ）型两大类型0015 02A2 单管共射极放大器，当工作点 Q 选择较高时，易出现 失真。0016 02A2

3、在电子线路中，一般用输出电阻 RO来衡量放大器带负载的能力，RO越小，则带负载的能力 。0017 02A2双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结 ，集电结 。0018 02A2 双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结 ，集电结 。0019 02A3 单管共射极放大器，当工作点 Q 选择较低时，易出现 失真。 0020 02A3 某放大电路在负载开路时的输出电压为 6V，当接入 2K 负载电阻后，输出电压降为 4 V，这表明该放大电路的输出电阻为 。0021 02A3 如果信号源接近于理想电压源，通常希望放大电路的输入电阻 ；如果信号源接近于理想电流源，通常希望放大电路的输入电阻 。0022 0

4、3A1 设计一个输出功率为 20W 的推挽放大器，若用乙类 OCL 电路，则应选功放管的最大允许管耗 Pcm必须大于（ ）W。 0023 03A1 多级放大电路中常见的耦合方式有： ， ， ， 。0024 03A1 对差动放大电路来说，有用的或要放大的信号是 信号；无用的或需要抑制的信号是 信号。0025 03A1 大小相等、极性相反的信号称为 信号；大小相等、极性相同的信号称为 信号0026 03A2 乙类推挽功率放大器的（ ）较高，但这种电路会产生（ ）失真。为了消除这种失真应使推挽功率放大器工作在（ ）类状态。0027 03A2 在设计 OTL 功率放大器时，选择功率放大管时要特别注意

5、PCM大于（ ） ，V（BR）CEO大于（ ） ， ICM大于（ ）三个条件。0028 03A2 在乙类互补对称功率放大器中，因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做 。0029 03A2 多级直流放大电路最主要的问题是 问题，解决的办法是采用 电路。0030 03A2 甲类放大电路功放管导通角等于 ；乙类放大电路功放管导通角等于 ；甲乙类放大电路功放管导通角为 。0031 03A3 正常时 OCL 功率放大器的中点电压应为（ ） ，OTL 功率放大器的中点电压应为（ ） 。0032 03A3 在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，功放管导通角最小的是 类放大电路- 2 -0033 03A3 电

6、流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高 ，因为电流源的 很大。0034 04A1 理想运算放大器的开环电压增益为 ，输出电阻为 。0035 04A1 理想集成运放的主要性能指标：Aod= ，rid= ；rod= 。0036 04A1 集成运算放大器的两个输入端：同相输入端和反相输入端。前者的极性与输出端 ，后者的极性同输出端 。0037 04A2 差动放大器KCMR越大，表明其对 信号的抑制能力越强。0038 04A2 为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用 耦合方式。0039 04A3 直接耦合多级放大器既能放大 信号，也能放大 信号。0040

7、05A1 深度负反馈的条件是 。0041 05A2 为了稳定静态工作点，应该引入 负反馈。0042 05A2 某负反馈放大电路的开环电压放大倍数为 75，反馈系数为 0.04，则闭环放大倍数为 。0043 05A2 若引回的反馈信号削弱输入信号而使放大电路的放大倍数降低，这种反馈称为 反馈；若引回的反馈信号增强输入信号而使放大电路的放大倍数提高，这种反馈称为 反馈。0044 05A3 在放大电路中，为了稳定输出电压，应引入 反馈；为了稳定输出电流，应引入 反馈；为了使输出电阻降低，应引入 反馈；为了使输入电阻提高，应引入 反馈。0045 05A3 已知某放大器的输入信号为 2mV 时，输出电压

8、为 2V。加上负反馈后，输出电压为 2V，则输入信号需变为 20mV。则该电路的反馈深度为 dB。0046 06A1正弦波振荡器持续振荡的相位条件： 。0047 06A2 LC 并联谐振回路在正弦波振荡电路中的主要作用是做 网络，组成正弦波振荡电路。0048 06A2 有源滤波器通常分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器，其缩写符号按顺序依次为 、 、 、 。0049 07A1 直流稳压电源由电源变压器、 、 和 组成。0050 07A2在直流电源中，滤波的目的是滤除整流电路输出电压中的 成分。 0051 01B1 常温下，硅二极管的开启电压约（ ）V，导通后在较大电流下的正向压降

9、约( )V，锗二极管的开启电压约( )V，导通后在较大电流下的正向压降约( )V。A.0.3 , 0.5 , 0.5 , 0.7 B.0.5，0.7，0.3，0.5 C.0.5，0.7，0.1，0.3 D.0.3，0.5，0.1，0.20052 01B1 稳压管正常工作时工作在( )区。A.正向导通 B.反向击穿 C.反向截止 D.饱和区 0053 01B1 PN 结加正向电压时，耗尽层将（ ） 。 A 变宽 B 变窄 C 不变 D 不定0054 01B1 电路如图所示，假如锗管 VD1的导通压降为 U1=0.2V，硅管 VD2的导通压降为 U2=0.6V。流过 VD1、VD2的电流 I1和

10、I2分别为（ ）和（ ） 。A. I1 =10mA, I2 =0mA B. I1 =0mA ， I2=10 mA C. I1=5 mA ， I2=5 mA D. 以上都不是0055 01B2- 3 - 电路如图（a） （b）所示，设硅稳压管 VDZ1、VDZ2的稳定电压分别为 5V 和 10V，正向压降均为 0.7V，输出电压 UO分别为( )和( )。A. （a）5.7V（b）0.7V B. （a）5V（b）10V C. （a）5.7V（b）10V D. （a）5.0V（b）3.3V0056 01B2 在如图所示电路中，VDZ1、VDZ2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为 6V 和 7V，输

11、出电压 UO为（ ） 。A.1V B. 6V C.7V D.0V0057 01B2 电路如图所示，设tussin15V，稳压管 VDZ的稳定电压为 8V，R 为限流电阻，UO的波形为（ ）A.正半周在 8V 处出现切峰的正弦波 B.正、负半周最大幅度均为 15V 的正弦波C.正、负半周均在 8V 处出现切峰的正弦波 D.在+8V 处出现切峰，负半周均为-0.7V0058 01B2在如图所示电路中，整流二极管 VD 的反向击穿电压约为 100V，额定功耗为 250mW。外加 130V 反向电压，问该二极管反向电流最大会达到多少？之后二极管是否会损坏？ A.反向电流忽略不计，不会损坏 B.反向电流

12、 13mA，不会损坏C.反向电流 13mA，损坏 D.反向电流 3mA，损坏0059 01B2 以下特性中，半导体不具有的是 。A.掺杂特性 B.单向导电行 C.光敏特性 D.热敏特性0060 01B2二极管正向导通时 UD=0.7V。估算下图所示电路中，流过二极管的电流 ID和 A 点的电位 UA是（ ） 。A. UA=3.3V, ID=9.3 mA B. UA=3.3V , ID=0.033 mA C. UA=-5.3V , ID=0.53 mA D. UA=-5.3V , ID =1.3mA0061 02B1双极型晶体管工作在截止区的条件：发射结（ ） ，集电结（ ） 。A.反偏，正偏

13、B. 正偏 ，反偏 C. 反偏，反偏 D. 正偏，正偏 - 4 -0062 02B1 当晶体管工作在放大区时，下列说法正确的是（ ） 。A.发射结和集电结均反偏 B. 发射结和集电结均正偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏0063 02B1 当晶体管工作在饱和区时，下列说法正确的是( )。A.发射结和集电结均反偏 B. 发射结和集电结均正偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏0064 02B1 对于双极型晶体管，下列说法正确的是( )。A.发射极和集电极可以调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度相同B.发射极和集电极可以调换使用，因为发射极和集电极

14、的电流基本相同C.发射极和集电极不能调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度不相同发射区掺杂浓度比集电区高D. 发射极和集电极不能调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度不相同发射区掺杂浓度比集电区低0065 02B1 晶体管工作在放大区时的偏置状态为（ ） 。 A. b-e b- c 间均正向偏置 B. b-e、b-c 间均反偏 C. b-e 间正偏、 b-c 反偏 D. b - e 间反偏 b- c 正偏0066 02B1 在单管共射放大器中（ ） 。A iO与 Vi反相; B VO与 iO同相； C VO与 Vi同相; D VO与 Vi反相.0067 02B1 3DG6C 晶体管的极限参数为

15、 PCM=100mw, ICM=16mA，U（BR）CEO=20V，在下列几种情况能正常工作的是：（ ） 。 A UCE = 8V，IC = 15mA ; B UCE = 20V，IC = 15mA ; C UCE = 10V，IC = 8mA ; D UCE = 3V， IC = 25mA.0068 02B1 三极管三种组态放大电路中，电压放大倍数小于 1 的是（ ） A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 不能确定0069 02B1 三极管三种组态放大电路中，输出电阻最小的是（ ） A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 不能确定0070 02B2 双极型晶体管工作在放大区和饱

16、和区的电流放大系数之间的关系为( )。A.工作在饱和区的电流放大系数大于工作在放大区的电流放大系数B. 工作在饱和区的电流放大系数等于工作在放大区的电流放大系数C. 工作在饱和区的电流放大系数小于工作在放大区的电流放大系数D. 工作在饱和区的电流放大系数与工作在放大区的电流放大系数的关系不能确定0071 02B2 对于双极型晶体管，下列叙述正确的是( )。A.基区厚、掺杂浓度低 B. .基区厚、掺杂浓度高C.基区薄、掺杂浓度高 D. .基区薄、掺杂浓度低0072 02B2在放大电路中，测得双极型晶体管的 3 个电极的电位如图所示。管子的类型为( )；3 个电极：为( )；为( )；为( )。A

17、. NPN;C,E,B B. PNP;C,E,B C. NPN;B,E,C D. PNP;B,E,C0073 02B2在放大电路中晶体管 3 个电极的电流如图所示。电极、分别为( )、( )、( )；约为( )；管子类型为( )。- 5 -A.C,E,B;40;PNP B.C,E,B;40;NPN C.B,E,C;50;PNP D.B,E,C;50;NPN0074 02B2 二极管和晶体管均为硅管，判断图中各晶体管的工作状态。正确答案为（ ） 。A.VT1饱和、VT2饱和 B. VT1截止、VT2饱和C. VT1截止、VT2放大 D. VT1放大、VT2放大0075 02B2 晶体管的极限参数

18、 PCM=150mW ，uCEOBR)(=30V 和 ICM=100mA.若其工作电压 UCE=10V，则工作电流不得超过（ ）mA；若；若UCE=1V，则工作电流不得超过（ ）mA；若工作电流 IC=1mA，则工作电压不得超过（ ）V。A. 15；100；150 B. 15；150；150 C. 15；150；30 D. 15；100；300076 02B2某晶体管的 PCM=100mW ，uCEOBR)(=15V 和 ICM=20mA.若要工作在放大状态，在下列几种情况下，哪种可能是正常工作：（ ）A. UCE=15V，IC=10mA B. UCE=2V，IC=40mA C. UCE=6V

19、，IC=20mA D. UCE=8V，IC=10mA 0077 02B2 当温度升高时，晶体管的电流放大系数和反向饱和电流 ICEO（ ） ，发射结正向压降 UBE（ ） ；共射输入特性曲线将（ ） ；输出特性曲线将（ ） ；输出特性曲线之间的间隔将（ ） 。A. 变大，变小，左移；上移；增大 B. 变大，变大，右移；上移；增大C. 变大，变小，左移；下移；增大 D. 变小，变大，右移；上移；增大0078 02B2 改变双极型晶体管共射基本放大电路的集电极电阻 RC和电源电压 VCC，下列说法正确的是（ ） 。A.只改变直流负载线的斜率 B.改变直流负载线与两坐标轴的交点，但不改变直流负载线的

20、斜率C.改变直流负载线与两坐标轴的交点和直流负载线的斜率D.无任何影响0079 02B2 在双极型晶体管共射基本放大电路中，当一定时，在一定范围内增大 IE，放大电路的电压放大倍数将（ ） 。A.增大 B.减小 C.不变 D.不能确定0080 02B2 在双极型晶体管共射基本放大电路中，适当增大 RC，电压放大倍数（ ） ，输出电阻（ ） 。A.变大，变大 B.变大，不变 C.变小，变大 D.变小，变小0081 02B2共射基本放大电路，温度升高时，基极电流 IBQ将（ ） 。A.增大 B.减小 C.不变 D.不能确定0082 02B2 电压源电路的输出电阻越（ ） ，其稳压特性越好；电流源电

21、路的输出电阻越（ ） ，其稳定性越好。A.大；大 B.小；大 C.小；小 D.大；小0083 02B3 有两个电压放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大电路甲和乙，对同一个具有内阻信号源的电压进行放大。在负载开路的条件下- 6 -测得甲的输出电压小，哪个电路的输入电阻大？（ ） 。A.甲的输入电阻大 B.乙的输入电阻大 C.甲乙一样大 D.无法确定0084 02B3下图所示电路出现故障，测得 UE=0、UC=VCC。故障的原因是（ ） 。A. RC开路 B. RC短路 C. RE短路 D. Rb1开路0085 02B3 基本放大电路如图所示，已知 VCC =15V、RC =3K、Rb =390

22、K、RE=1.1K、RL=10K，UBE=0.7V，=99，C1、C2、CE足够大。晶体管的工作状态为（ ） 。A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.倒置状态 0086 02B3 共射放大电路如图（a）所示，其输出波形产生了图（b）所示的失真，则属于（ ）失真；如晶体管改为 PNP 管，电源改为负电源，电容 C1、C2改变极性，若出现的失真仍为底部失真，则属于（ ）失真。A饱和失真；截止失真 B. 截止失真 ；饱和失真C. 饱和失真；饱和失真 D. 截止失真；截止失真0087 02B3放大电路的负载所获得的能量主要是由（ ）提供的。A.输入端的信号源 - 7 -B.加在放大电路上的直流

23、稳压电源C.电路中的有源元件D.电路中的无源元件00870088 02B3 某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为 4V，接入 3K负载电阻后，输出电压有效值降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ） 。A.2 K B.5 K C.3 K D.1 K 0089 02B3 共集基本放大电路具有如下哪项特点：（ ）A. 输出与输入同相，电压增益略大于 1；B. 输出与输入同相，电压增益小于 1 但约等于 1，输入电阻大和输出电阻小C. 输出与输入同相，电压增益等于 1，输入电阻大和输出电阻小D. 带负载能力差0090 02B3 放大电路的幅频特性入图所示，中频电压放大倍数等于（ ） 。A.2

24、0 B.40 C.60 D.1000091 03B1 图中所示的耦合方式为（a） （ ）,(b)（ ）,(c)（ ）.A. 直接耦合、变压耦合和阻容耦合 B. 直接耦合、阻容耦合和变压耦合C. 阻容耦合、直接耦合和变压耦合 D. 阻容耦合、直接耦合和电感耦合0092 03B1 直接耦合放大电路可以传输（ ）甚至直流信号，因而温度等级缓慢变化引起的电信号可以通过直接耦合放大电路。在放大电路中，因温度等因素的影响，会是放大电路的静态工作点偏离初始值，产生（ ） 。阻容耦合和变压器耦合放大电路只能传输（ ） 。A. 低频，零点漂移，交流信号 B. 高频，零点漂移，交流信号C. 低频，零点漂移，直流信

25、号 D. 高频，零点漂移，直流信号- 8 -0093 03B1 在阻容耦合放大电路中各级的静态工作点（ ） ，且可阻挡零点漂移，但不易集成；在变压器耦合放大电路中，前级、后级的静态工作点（ ） ，也可阻挡（ ） 。又可以通过变压器一二次侧的匝数比进行（ ） ，使负载上得到最大的输出功率。A. 独立，不独立，零点漂移，阻抗变换 B. 不独立， 独立，零点漂移，电压放大C. 不独立，不独立，零点漂移，电压放大 D. 独立，独立，零点漂移，阻抗变换0094 03B1 直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（ ） 。A.晶体管参数受温度的影响 B.晶体管参数的分散性C.电阻阻值有误差 D.电容值有误

26、差0095 03B1 集成运算放大器的输入级一般采用差分放大电路，是因为差分放大电路可以（ ） 。A.提高共模抑制比 B.提高开环电压增益 C.提高电路的输入电阻 D.实现单端输入变双端输出0096 03B1 差分放大电路一般有两个输入端：（ ）和（ ） ，有两个输出端，组合起来就有四种连接方式：（ ） 、 （ ） 、 （ ）和（ ） 。A. 基极输入，集电极输入，双入双出，双入单出，单入双出，单入单出B. 同相输入端，反相输入端，双入双出，双入单出，单入双出，单入单出C. 射极输入，集电极输入，双入双出，双入单出，单入双出，单入单出D. 射极输入，基极输入，双入双出，双入单出，单入双出，单入

27、单出0097 03B1 一对差模信号是指两个（ ） 、 （ ）的双端输入信号；一对共模信号是指两个（ ） 、 （ ）的双端输入信号。A. 幅度不等，极性相反，幅度相等，极性相同B. 幅度不等，极性相反，幅度不等，极性相同C. 幅度相等，极性相反，幅度相等，极性相同D. 幅度相等，极性相反，幅度相等，极性不同0098 03B1 为了克服乙类功放的交越失真现象，可以采用（ ） 。A.减小输入信号幅值 B.加大输入信号幅值C.改用单电源供电 D.甲乙类功放0099 03B1 功率放大电路的最大输出功率是指（ ） 。A.晶体管上得到的最大功率 B.电源提供的最大功率C.负载上获得的最大输出功率 D.电

28、源提供的功率0100 03B2 如图所示功率放大电路是（ ） ；输出信号在过零处出现的失真是（ ）失真。A.OCL 功放，交越失真 B.OTL 功放，饱和失真C.甲类功放，截止失真 D.甲乙类功放，频率失真0101 03B2 如图所示电路是（ ） ，如果输入为正弦信号，VT1 和 VT2 的饱和管压降可以忽略，则电路的最大不失真功率为（ ） 。- 9 -A.OTL 功率放大电路，RVLcc4/2 B.甲类功率放大电路，RVLcc8/2C.甲乙类功率放大电路，RVLcc2/2 D.乙类功率放大电路，RVLcc8/20102 03B2 由两个三极管复合组成的复合管，共有（ ）种类型。A 2 B 4

29、 C 8 D160103 03B2差动放大电路的共模信号是两个输入端信号的（ ） 。A 差值 B 和值 C 平均值 D 有效值0104 03B2 功放电路的效率是指（ ） 。A 输出功率与功放管所消耗的功率之比 B 最大输出功率与电源提供的功率之比C 功放管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 D 输出功率与电源提供的平均功率之比0105 03B2 为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用（ ） 。A 共射电路 B 共集电路 C 差动放大电路 D 互补对称电路0106 03B2集成运放是一种采用（ ）耦合方式的放大电路，因此低频性能（ ） ，最常见的问题是（ ） ，其主要原因是（ ） 。A.直

30、接；好；零漂（温漂） ；晶体管的、UBE和 ICEO与温度有关B.阻容；坏；零漂（温漂） ；晶体管的、UBE和 ICEO与温度有关C.阻容；坏；静态工作点独立；晶体管的与温度有关D.变压器；好；静态工作点独立；晶体管的与温度有关0107 03B3多级放大电路的电压放大倍数等于各级电压放大倍数的（ ） 。一般有两种求解总电压放大倍数的方法，第一种方法是将后一级的输入电阻作为前一级的（ ）考虑，简称输入电阻法；第二种方法是将后一级与前一级开路，计算前一级的开路电压放大倍数，然后将前一级的输出电阻作为后一级的（ ） ，简称开路电压法。A. 和，负载电阻，信号源内阻 B. 积，输入电阻，信号源电阻C.

31、 积，输入电阻，输出电阻 D. 积，负载电阻，信号源内阻0108 03B3在图所示电路中，晶体管 VT1和 VT2的参数对称，RC1= RC2 Rb1= Rb2，ui1=-ui2=100sintmV。在两集电极 C1和 C2之间接入一个指针零点居中的直流电压表。选择正确答案（ ） 。- 10 -A.指针偏向右侧 B.指针居中不动C.指针偏向左侧 D.指针左右摆动0109 03B3通用型集成运算放大器的输入级大多采用（ ）电路，输出级大多采用（ ）电路。A.基本放大电路；互补功率放大电路 B. 差分放大电路；互补功率放大电路C.共射放大电路；差分放大电路 D. 共集电极放大电路；差分放大电路01

32、10 03B3 测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为（ ） 。A.10000 B.大于 10000 C.小于 10000 D.1000111 03B3 共模抑制比 KCMR是（ ）之比。KCMR越大，表明电路（ ） 。A.AAuduc,放大能力越强 B.AAucud，抑制零点漂移能力越强C. AAuduc，输出功率越大 D. AAucud，带负载能力越强0112 03B3 恒流源差分放大电路采用恒流源偏置的目的是（ ） 。A.提高差模放大倍数 B.抑制共模信号C.抑制差模信号D.放大共模信号0113 04B1 理想运算放大器的放大倍数

33、 Au=（ ） ，输入电阻 Ri=（ ） ，输出电阻 RO=（ ） 。A.，0， B.0， C. ，0 D.0，00114 04B1 集成运放的两个输入端：同相输入端和反相输入端。前者的极性与输出端（ ） ；后者的极性同输出端（ ） 。A.相同，相反 B.相同，相同 C.相反，相同 D.相反，相反0115 04B1 如图所示电路的名称为（ ） 。A.过零比较器 B.任意电平比较器 C.滞回比较器 D.窗口比较器0116 04B2在图 20 所示电路中，ui=0.5V，输出电压 uo为（ ） ，负载电流 IL（ ）.- 11 -A. uo =-1V IL=-0.1mA B. uo =-2V IL

34、=-0.1mA C. uo =-1V IL=-0.3mA D. uo =-1V IL=-0.03mA0117 04B2电路如图所示，ui1=0.3V、ui2=0.4V，输出电压 uo的值为（ ） 。A. uo=0.45V B. uo=-0.45V C. uo=0.9V D. uo=0.15V0118 04B2 电路如图所示，输出电压 uo与输入电压 ui1、ui2的函数关系为（ ） 。A. uo=10 ui1+11 ui2 B. uo=10 ui1-11 ui2C. uo=11 ui2-10 ui1 D. uo= ui1+10 ui20119 04B2由理想运放构成的电路如图所示。该电路的电压

35、放大倍数为（ ） 、输入电阻为（ ） 、输出电阻为（ ） 。该电路起（ ）作用。A. ；0；阻抗变换或缓冲 B.1；阻抗变换或缓冲C. 1；0；阻抗变换或缓冲 D.1；0；放大0120 04B3电路如图所示，设 A 为理想运放，输入、输出的关系式为（ ） 。A.)()(10tRCttuui B. )()()(210ttRCttuuuiiC. )()(11)(210sssCRsCsUUUii D. )()(1)(120sssCRsUUUii0121 04B3如图所示，已知 ui1=1V， ui2=-1V，R1=R3=900，R2=200，uo的值为（ ） 。- 12 -A. uo=10V B.

36、uo=-10V C. uo=20V D. uo=0V0122 04B3如图所示电路中，uo的表达式为（ ） 。A. u0=uRRRRRi42431)( B. u0=uRRRRRi41432)(C. u0=uRRRRRi41432)( D. u0=uRRRRRi21433)(0123 05B1直流负反馈是指（ ） 。A.直接耦合电路中的负反馈 B.放大直流信号时的负反馈C.有隔直电容的负反馈 D.直流通路中的负反馈0124 05B1为了提高放大电路的输入电阻并稳定输出电流，应引入 。 A 电压并联负反馈 B 电压串联负反馈 C 电流并联负反馈 D 电流串联负反馈0125 05B1对于放大电路，所

37、谓开环是指（ ）A 无信号源 B 无反馈通路 C 无电源 D 无负载0126 05B1对于放大电路，所谓闭环是指（ ）A 考虑信号源内阻 B 存在反馈通路 C 接入电源 D 接入负载0127 05B1已知放大器输出噪声电压是由电路内部产生的，为抑制这种噪声应（ ） 。A.减小开环增益 Au B.引入交流负反馈C.引入交流负反馈，并降低闭环增益 Auf D.引入交流电压负反馈0128 05B2如图所示电路中只存在交流负反馈的电流是（ ） ；只存在直流负反馈的电路是（ ） ；交直流负反馈都存在的是（ ） ；存在正反馈的电路是（ ） 。- 13 -A.a;b;c;d B.b;d;c;a C.b;c;

38、d;a D.a;c;b;d0129 05B2下列说法正确的是： 。A、 电压串联负反馈使输入电阻，输出电阻都增大；B、电压并联负反馈使输入电阻，输出电阻都减小；C、电流串联负反馈使输入电阻，输出电阻都减小；D、 电流并联负反馈使输入电阻，输出电阻都增大；0130 05B2判断图中所示电路的级间反馈类型，选择正确答案：（ ） 。A.电流串联负反馈 B.电压并联负反馈C.电压串联正反馈 D.电流串联正反馈0131 05B2某负反馈放大电路的开环电压放大倍数为 75，反馈系数为 0.04，则闭环放大倍数为（ ） 。A.3 B.18.75 C.1875 D.250132 05B2图中所示电路的电压增益

39、为（ ） 。A.-1 B.1 C.10 D. 110133 05B2图中所示电路的电压增益（ ） 。- 14 -A.10 B.-10 C.11 D.-110134 05B2若希望放大器从信号源索取的电流小，可采用（ ） ；若希望电路负载变化时，输出电流稳定，则可引入（ ） ；若希望电路负载变化时，输出电压稳定，则可引入（ ） 。A. 串联负反馈；电流负反馈；电压负反馈 B. 电流负反馈；串联负反馈；电压负反馈C. 串联负反馈；电压负反馈；电流负反馈D. 并联负反馈；电流负反馈；电压负反馈0135 05B2判断图中所示电路的反馈类型；图 a：（ ） ；图 b：（ ） ；图 c：（ ） 。A.电压

40、并联，电压串联，电流串联 B.电压串联，电压并联，电流串联C.电压并联，电流串联，电流并联 D.电流并联，电压串联，电流串联0136 05B3已知某放大器的输入信号为 2mV 时，输出电压为 2V。加上负反馈后，输出电压为 2V，则输入信号需变为 20mV。则该电路的反馈深度为（ ） 。A.40dB B.10dB C.60dB D.20dB0137 05B3下面说法正确的是（ ） 。A. 负反馈提高 Ri，正反馈则相反 B. 串联负反馈提高 Ri，并联负反馈则相反C. 串联反馈提高 Ri，并联反馈则相反 D. 并联负反馈提高 Ri，串联负反馈则相反0138 05B3为满足下列要求，应引入何种组

41、态的负反馈？（ ）（1）组成电压控制电压源，应引入（ ）负反馈；（2）组成电流控制电压源，应引入（ ）负反馈；（3）组成电压控制电流源，应引入（ ）负反馈；（4）组成电流控制电流源，应引入（ ）负反馈。A. 电压串联；电压并联；电流串联；电流并联 B. 电压并联；电压串联；电流串联；电流并联C. 电流并联；电流串联；电压串联；电压并联D. 电压串联；电流串联；电压并联；电流并联0139 06B1正弦波振荡电路的起振条件是（ ） 。A.A= F；FA.1 B. A+ F=2n；FA.1 C. A+ F=2n；FA.=1 D. A= -F；FA.=10140 06B2从FA.1 到FA.=1，是振

42、荡的建立过程。在此过程中，下面说法正确的是（ ）AA.变小，F.不变 B. A.变小，F.变小- 15 -C. A.变小，F.变大，但FA.变小 D. A.不变，F.变小0141 06B2电路如图所示。电阻 R1=10k，为使该电路产生较好的正弦波振荡，则要求（ ） 。A.Rf=10k+4.7k（可调） B. Rf=47k+4.7k（可调）C. Rf=18k+10k（可调） D. Rf=4.7k+4.7k（可调）0142 06B2正弦波振荡电路如图所示，R1和 Rf取值合适，R=100 k，C=0.01F，运放的最大输出电压为10V。当 Rf开路时，其输出电压的波形为（ ） 。A.幅值为 10

43、V 的正弦波 B.幅值为 20V 的正弦波C.幅值为 0V（停振） D.近似为方波，其峰峰值为 20V0143 07B1在直流电源中整流的目的是（ ） 。A.利用二极管的单向导电性，将交流电压变为单向脉动电压B.将正弦波变为方波C.将高频信号变为低频信号D.改变交流信号的输出幅度0144 07B1在直流电源中滤波的目的是（ ） 。A.将交流变直流B.将高频变低频C.滤除整流电路输出电压中的脉动成分D.将正弦波变化为锯齿波0145 07B1图中所示电路中，流过每个二极管的电流 ID为（ ） 。A.Io/4 B.Io/2 C.4Io D.Io0146 07B1整流电路如图所示，负载电流为 Io，变

44、压器二次电压有效值为 U2，求 ID、UO。 （ ）- 16 -A.1/2IO,0.9U2 B.1/2IO，2U2 C.IO，0.9U2 DIO，0.45U20147 07B1桥式整流电路在接入滤波电容后，二极管的导通角（ ） ，滤波电容容值增大，则二极管的导通角（ ） 。A.增大，增大 B.减少，减少 C.不变，减少 D.增大，不变0148 07B2如图所示电路中 U2=10V，若电容 C 脱焊，则 Ui(AV)=（ ） 。A.4.5V B.9V C.2V D.4V0149 07B2如图所示电路中 U2=10V，若二极管 VD2接反，则（ ） 。A.变压器有半周被短路，会引起元器件损坏B.变

45、为半波整流C.电容 C 将过压击穿D.稳压管将过流损坏0150 07B2如图所示电路中 U2=10V，若二极管 VD2脱焊，则（ ） 。A.变压器有半周被短路，会引起元器件损坏B.变为半波整流C.电容 C 将过压击穿D.稳压管将过流损坏0151 07B2在直流稳压电源电路中，采用桥式整流、电容滤波，负载为电阻。若滤波电容增加，二极管的导通角（ ） 。- 17 -A.增加 B.不变 C.不变且等于 1800 D.减小0152 07B2电路如图所示，晶体管=50，UBE=0.7V，稳压管 UZ=8.2V，UO=（ ） 。A.8.9V B.7.5V C.8.2V D.都不是0153 07B3电路如图

46、所示，RP0，U0的表达式为（ ） 。A.RRUPL120 B. RRUPL120 C. VU120 D. VU1200154 07B3由三端稳压器构成的直流稳压电路如图所示。已知 CW7805 的输出电压为 5V，IW=8mA，晶体管 VT 的=50，|UBE|=0.7V，输入电压U1=16V，输出电压 U0=（ ）V。A.9V B.8V C.5V D.16V0155 01c1二极管电路如图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出两端电压。设二极管是理想的。0155（1）D2 优先于 D1 导通。所以 D2 导通，D1 截止。VAO=-6V（2）D 截止。 VAO=-12V0156 01

47、c1二极管电路如图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出两端电压。设二极管是理想的。- 18 -0156D1截止，D2导通，VAO=15V； D 导通，VAO=-6V0157 01C1试判断图中二极管导通还是截止，为什么？（假设二极管是理想的）0157VA=1V,VB=0.5V,D 正偏导通；VA=1V,VB=2.5V,D 反偏截止；0158 01C1设硅稳压管 Dz1与 Dz2的电压分别为 5V 和 10V，求图中各电路的输出电压 Uo已知稳压管的正向压降为 0.7V。 0158 (a) VO=15V, (b)VO=1.4V0159 01C1设硅稳压管 Dz1与 Dz2的稳一电压分别为

48、 5V 和 10V，求图中各电路的输出电压 Uo已知稳压管的正向压降为 0.7V。 0159(c) VO=5V, (d)VO=0.7V0160 01c1电路如图所示，D1、D2 为硅二极管，当 i =6 sint V 时，试分析输出电压 VO 的波形。- 19 -01600161 01C1两只全同的稳压管电路如图所示,假设它们的参数 VZ=6V,假设为理想，假设为硅管。试绘出它的传输特性。设 i =15 sint V，画出输出波形。01610162 01C1电路如图所示，稳压管 DZ的稳定电压 VZ=8V，限流电阻 R=3K，假设是硅管，设 i=15 sint V,试画出 VO的波形。0162

49、- 20 - 0163 01C1电路如图所示，1D, 2D为硅二极管，当6sinivwt（V）时，试用恒压降模型分析电路，绘出输出电压Ov的波形。0163 解：图解3.4.9电路的恒压降等效电路如图解3.4.9(a)所示。iv3.7V时，1D导通，2D截止，Ov =3.7V时，iv-3.7V时, 2D导通，1D截止，Ov =-3.7V；-3.7Viv3.7V时，1D，2D均截止，Ov=iv。Ov波形如图解3.4.9（b）所示。0164 02C1电路如图题所示，设 =100，RS=2K。试求：（1）Q 点；（2）电压增益 AV1=Vo1/VS和 AV2=Vo2/VS;（3）输入电阻 Ri;（4）

50、输出电阻 Ro1和Ro2。- 21 -0164解：（1）ICIE =1.8MaVCE=VCCIc(Re+Rc)=2.8V0165 02C1电路如图所示，设 C1、C2足够大晶体管的 =100，UBEQ=0.7V, rbb= 300（1）求电路的静态工作点；（2）求电路的电压放大倍数 Au和 Aus值。（3）求电路的输入电阻 R1输出电 阻 R0的值。 0165IB1=0.01mA ,IC=1mA ,VCE=11V,AV=-38,AVS=-19,RI=18K,RO=6.85K0166 02C2共基极电路如图所示。射极电路里接入一恒流源，设 =100，RS=0,RL=。 1） 求 Q 点，2）试确

51、定电路的电压增仪 3）求输入电阻和输出电阻。- 22 -A0166kRcRciViIeViRiIbrRLRcIbViVoAvIbrViRLRcIbVoKIrmAIbbebeEbeE5 . 728)1 (268)/(),/(8 . 226)1 (20001. 10167 02C2电路如图所示，设 BJT 的 =80，VBE=0.6V，ICEO、VCES可忽略不计，试分析当开关 S 分别接通 A、B、C 三位置时，BJT 各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流 IC。12V4k40k500 kBSAC20 k12VT =800167A 当 S、A 相连时mAVVRVIbACCB3

52、 . 010406 . 0123当 VCC=VCES=0 时，饱和电流BCCCBSImAARVI038. 010480123故工作于饱和区mARVIIICCCBSCSC3B.当 S、B 相连时,BSbBBECCBImAARVVI0228. 0105006 . 0123,工作在线性放大区，因此mAmAIIBC84. 1023. 080- 23 -C.S、C 相连时，VBVE,故 BE 结反向偏置，工作在截止区，IC=0。0168 02C20168 （a）VBE=VB-VE=0.7V,VCE=6V,放大区；（b）VBE=VB-VE=2.-1.3=0.7V,VCE=6-1.3=4.7V,放大区；（c

53、）VBE=6-5.4=0.6V,VB-VC=6V,VCE=VBEVCES,饱和区；（d）VBE=4-3.6=0.4V0.60.7V,截止区；（e）VBE=4-3.4=0.6V,VCE=3.6-3.4=0.2VCES,饱和区; 0169 02C2画出如图所示电路的小信号等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并注意标出电压、电流的正方向。0169解：(a),(b)为共射放大电路;(c)为射极跟随电路；（d）为共基放大电路。0170 02C2单管放大电路如图所示，已知 BJT 的电流放大系数 =50.（1）估算 Q 点；（2）画出简化 H 参数小信号等效电路；（3）估算 BJT 的输入电阻 rbe;

54、(4)如输入端接入 4K 的电阻负载，计算 AV=VO/VI及 AVS=VO/VS。0170（1）由 KVL 定律：IBQRb+VBEQ=VCC因此 IBQ=bBEQCCRVV40A则集电极电流为ICQ=IBQ=5040A=2mA于是VCEQ= VCC- ICQRC=12-24=4V所以静态工作点 Q（VCEQ，ICQ）为（4V,2 mA）.（2）简化 H 参数小信号等效电路如图解 4.3.9（a） （b）所示。（3）由 BE 结导通电阻定义已知 rbe=200+（1+）EQImA26又因为 IEQICQ所以rbe=200+（1+50）mAmV226=863（4）加负载后的小信号等效电路如图解

55、 4.3.9（c）:当 RL=4k时V0=-ib(RCR)vi=ibrbe- 24 -于是电压增益 Av=-beLcrRR |=-508631023-115.87由图解 4.3.9（b）可知bebbebsisrRrRRvv|（分压公式）于是电源电压增益：vsiiosvsAvvvvvvA0bebbebsrRrRR|=-115.87863300863300500863300863300kkkk-73.360171 02C2放大电路如图所示，已知 VCC=12V,BJT 的 =20。若要求 AV100，ICQ=1mA,试确定 Rb、RC的值，并计算 VCEQ。设 RL=。0171由 BE 结正向电阻

56、定义，得rbe=200+（1+）EQImV26=200+（1+20）mAmV126750IBQ=BQBEQCCRVV,又因为 IBQ=1ICQ=50A于是Rb=BQBEQCCRVV5012106=240k由于 Av=)(|LbecbeLCRrRrRR100Rc100rbe=20100750=3.75k又 KVL 定律，VCEQ=VCC-ICQRc12-13.75=8.25V因此，RC可取 3.75，此时 VCEQ为 8.25V0174 07C2射极偏电路图题所示，已知 =60。 （1）用估算法置求 Q 点；（2）求输入电阻 rbe；（3）用小信号模型分析法求电压增益 Av；（4）电路其他参数不

57、变，如果要使 VCEQ=4V，问上偏流电阻为多大？- 25 -0174 静态时，IB很小，于是由分压公式可估算得VBQ=212bbbRRRVCC=60202016V=4V有 KVL 定律:IEQ=eBEQBQRVV=27 . 04=1.65mA。故 ICQ1.65mAIBQ=1EQI=16065. 1mA27.05AVCEQ=VCC-ICQ(Rc+Re)=16-1.65(2+3)=7.75V(2)rbe=rb+(1+) 65. 126mA1.2k(3)由交流小信号等效模型图解 4.4.3 可知)|(cLORRvvi=ibrbe于是，Av=beLeOrRRviv)|(=100102 . 1106

58、3636033VCEQ=4V.由 KVL 定律 VCC=(Rc+Re)+ VCEQ,将 VCC=16V，VCEQ=4V，Re=3k，Rc=3k，代入，可得ICQ=23416=2.4mA由 KVL 定律：VBQ=ICQRe+VBEQ=2.420.7=4.8+0.7=5.5V因为Rb2=20kVBQ=212bbbRRRVCC所以kRVVVRbBQBQCCb2 .38205 . 55 . 516210179 02C2在如图所示的电路中，已知 Rb=260k,Re=RL=5.1 k,Rs=500,VEE=12V, =50,试求：（1）电路的 Q 点；（2）电压增益 Av、输入电阻 Ri及输出电阻 Ro

59、；（3）若 vs=200mV,求 vo。- 26 -0179（1）由 KVL 定律：(1+)IBQRe+IBQRb=VEE-VBEQ于是(1)EEBEQBQbeVVIRR(1)EEbeVRR1226051 5.1mA=23A于是ICQ=iBQ=5023=1.15mA由 KVL 定律：VECQ=VEE-ICQRe=12-1.155.16.13VVCEQ=- VECQ=-6.13V(2)电路的小信号模型等效电路见图解 4.5.2（a） ，于是vi=vo+rbeIbvo=(1+)ib(ReRL)所以共集电压放大倍数(1)|(1)|obeLvibe bbeLvI RRAvr II RR(1)|(1)|

60、eLbeeLRRrRR其中26(1)bebEQmVrrI260.2511.15=1.35 kReRL=5.12.552k所以51 2.550.991.3551 2.55vA输入电阻 Ri=Rbrbe+(1+) ReRL 87.3K(|)obsbbeobbovIRRrRIIi |1sbbeRRr所以输出电阻- 27 -RO=RoRe|()361sbbeeRRrR(3) iiovsvsissvRvAAvRRv所以输出电压: 87.3200 0.9919787.30.5iosvisRvv AmVRR0180 03C3电路如图所示，已知 1=2=3=100，A 为电位器中点，设 AB 间交流电阻大小为