材料科学基础晶体结构缺陷课后答案

1、3-1纯金属晶体中主要点缺陷类型有肖脱基空位和弗兰克空位，还有和弗兰克空位等量的间隙原子。点缺陷附近金属晶格发生畸变，由此会引起金属的电阻增加，体积膨胀，密度减小;同时可以加速扩散，过饱和点缺陷还可以提高金属的屈服强度。3-2答：在一定的温度下总是存在一定浓度的空位，这是热力学平衡条件所要求的，这种空 位浓度为空位平衡浓度。影响空位浓度的主要因素有空位形成能和温度。3-3 解：由 CE 二 Aexp(-&/kT)CE850CE20Aexp( -EV / kT2)Aexp( -EV / kT1)1P(莎亠 300 =6.95 101311238.313-4 解:亘严心忙)二exp(丄CE300A

2、exp(-Ev / kT1)kT11kT2)EvEV =l nC008.617 10$ (In 106)/( 1)=1.98eV 或 190kJ/molCE300kT-!kT2573 8733-5 解：Ce = Aexp( -Ev / kT)Ci =A exp(-Ei / kT)由题设，A = A，Ev 二 0.76eV, E 3.0eV，所以当T=293K时q =Aexp(-Ev /kT) nexpU-EJ/kT =exp(3.0 -0.76)/(8.617 10 293) =3.39 1038 C Aexp(E /kT)当T=773K时生=Aexp(-Ev/kT) =exp(Ej Ev)/

3、kT =exp(3.0 -0.76)/(8.617 10* 773) =4.02 1014 CiAexp(Ej-/kT)3-6答：1为左螺旋位错，2为负刃型位错，3 为右螺旋位错，4为正刃型位错。b=3-7 答：a)令逆时针方向为位错环线的正方向，则A点为正刃型位错，B点为负刃型位错，D点为右螺旋位错，C点为左螺旋位错，位错环上其A他各点均为混合位错3-8 答：刃位错螺位错不 同 占 八、位错线方向和柏氏 矢量的方向关系垂直。刃型位错的滑移线不一定是直线， 可以是折线或曲线；平行。螺位错的滑移线一定 是直线。有无交滑移刃位错的滑移面只有一个。 无（位错线和柏氏矢量垂直所以其 构成的平面，不能改

4、变）。螺位错的滑移面不是 唯一的。有（位错线和柏氏矢 量平行，滑移可以从 一个滑移面到另一个 滑移面，滑移面可以 改变）。应力场刃位错周围的应力场既有切应力， 又有正应力；螺位错只有切应力而 无正应力。有无攀移有（有多余半原子面）无（无多余半原子面）相同点都是线缺陷。位错的运动都将使扫过的区间两边的原子层发生b的相对滑动，晶体两部分的相对移动量只决定于 b的大小和方向。3-9试说明滑移、攀移及交滑移的条件、过程和结果，并阐述如何确定位错滑移运动的方向。 答：发生滑移的条件是在滑移方向有足够大的分切应力，在切应力的作用下，位错线受到和位错线垂直的假想力的作用，使得其沿滑移面移动， 在滑移过的区域

5、相对于未滑移区域移动一个柏氏矢量。而攀移发生的条件是受到垂直于半原子面的正应力的作用，当正应力为拉应力时，发生正攀移，压应力时发生负攀移。交滑移只产生在螺位错运动时，由于螺位错的滑移面不是唯一的，当螺位错运动受阻时，滑移面会变到和原滑移面相交的另一个滑移面上， 位错继续在新的滑移面上运动，当再次受阻，滑移面会变回到原来的滑移面上发生双交滑移。 位错移动的方向和位错线垂直；晶体两部分的相对移动量只决定于柏氏矢量b的大小和方向，与位错线的移动方向无关。3-10答：全位错是指柏氏矢量等于点阵矢量的位错，而单位位错是指柏氏矢量为最短的点 阵矢量也即相邻的两个阵点连成的矢量。不全位错指柏氏矢量不等于点阵

6、矢量的位错；部分位错其柏氏矢量大小小于单位位错。fee单位位错：bcu单位位错；4-；1hw单位位错：3-11位错反应几何条件：柏氏矢量的各个分量反应前后相等 反应前柏氏矢量各个分量的和为：111a 1 a （1）a263111a 0a 2a263111a 1a （-1） a263r(0e ca2B C相距较远时:对比反应后柏氏矢量各个分量，所以反应前后满足几何条件能量条件：反应前的位错能量大于等于反应后的位错的能量所以这种位错反应可以进行。111a101是面心立方结构中的全位错，a121为肖克莱不全位错，a111为弗兰克不2631全位错。-a111的b垂直于滑移面，不是 fee晶体的滑移方向

7、，不能滑移，只可攀移。33-12答：割阶或扭折都会使得原来的位错线变长，所以需要外界作功，所以对原位错的运动起着阻碍作用3-13答：扩展位错是指两个不全位错夹一片层错的位错。3-14 :两个位错是同号，当位错源开动时，两个位错向同一方向拱弯，如下图(b)所示。在外力作用下，位错继续拱弯，在相邻的位错段靠近，它们是反号的，互相吸弓I,如图(c)中的P处所示。两段反号位错相吸对消后，原来两个位错连接一起，即形成 AD位错，余下一段位错，即BC位错，这段位错和原来的位错反号，如上图(d)所示。在外力作用下，BC位错也作位错源开动，但它的拱弯方向与原来的相反，如上图(e)所示。两根位错继续拱弯在如图(

8、f)的O及0处再相遇，因为在相遇处它们是反号的，所以相吸对消。最后，放出一个 大位错环，并回复原来的AB和CD两段位错，如上图(g)所示。这个过程不断重复增值位错。相距较近时:3-15能形成一个大的弗兰克-瑞德位错源，位错增殖过程如下：两个位错是反号，当位错源开动时，两个位错向相反方向拱弯，如下图（b）所示。在外力作用下，位错继续拱弯，在相邻的位错段靠近， 它们是反号的，互相吸引，如下图（c）中的P处 所示。两段反号位错相吸对消后，即形成AC和BD位错，如下图（d）所示。AC和BD位错继续滑动，它们在下图（e）的0及0处又相遇，在相遇处的位错也是反号的。反号位错相吸 并对消，放出一个大位错环，