电晶体之认识和V-I特性曲线之测量ppt课件

1、實習四實習四 電晶體之認識與電晶體之認識與V-I特性特性曲線之測量曲線之測量 4-1 PNP與與NPN之判別之判別 4-2 E、B、C之判別之判別 4-3 值測試值測試 4-4 IE、 IB、 IC之關係之關係 4-5 輸出特性曲線輸出特性曲線 總目錄總目錄4-1 PNP與與NPN之判別之判別 NPN型電晶體型電晶體 PNP型電晶體型電晶體 判別電晶體的類型與好壞判別電晶體的類型與好壞 電晶體的外型、編號與規格電晶體的外型、編號與規格 目錄目錄4-2 E、B、C之判別之判別 NPN型電晶體型電晶體 PNP型電晶體型電晶體 目錄目錄4-3 值測試值測試 运用运用 hFE測試棒測試棒 运用运用 h

2、FE測試座測試座 目錄目錄4-4 IE、IB與與IC的關係的關係 電晶體的工作區域電晶體的工作區域 電流增益電流增益 電流增益電流增益 電流增益電流增益目錄目錄 4-5 輸出特性曲線輸出特性曲線圖圖4-18 電晶體的輸出特性曲線電晶體的輸出特性曲線目錄目錄電晶體的規格電晶體的規格編號編號向日本電子機械工業會（向日本電子機械工業會（EIAJEIAJ）登記的電晶體編號名稱）登記的電晶體編號名稱製造廠商製造廠商向向EIAJEIAJ登記該電晶體編號及規格的廠商名稱登記該電晶體編號及規格的廠商名稱用途用途該電晶體向該電晶體向EIAJEIAJ登記的用途登記的用途構造構造該電晶體的材料與構造該電晶體的材料與

3、構造最大規格最大規格在室溫（在室溫（2525）下，該電晶體的最大規格。其中）下，該電晶體的最大規格。其中I IC C表示集表示集極最大可承受的電流，極最大可承受的電流，P PC C表示集極最大可承受的功率表示集極最大可承受的功率電氣規格電氣規格在室溫（在室溫（2525）下，該電晶體的電氣規格。其中）下，該電晶體的電氣規格。其中h hFEFE表示電表示電晶體的電流放大率晶體的電流放大率外型外型規格表中所附外型表的編號規格表中所附外型表的編號編號編號廠商名稱廠商名稱用途用途構造構造最大規格最大規格電氣規格電氣規格外型外型2SC372東芝東芝RF,Conv,Mix,OscSi.EPIC100mAhF

4、E7040033PC200mW目錄目錄判別電晶體的類型與好壞判別電晶體的類型與好壞 判別電晶體的類型判別電晶體的類型NPN型或型或PNP型）型） 判別電晶體的好壞判別電晶體的好壞 目錄目錄NPN型電晶體型電晶體 NPN型電晶體是由兩層較厚的型電晶體是由兩層較厚的N型半導體夾著一層很薄的型半導體夾著一層很薄的P型半型半導體所組成。導體所組成。節目錄節目錄(a)結構(b)電路符號PNP型電晶體型電晶體 PNP型電晶體則是由兩層較厚的型電晶體則是由兩層較厚的P型半導體夾著一層很薄的型半導體夾著一層很薄的N型型半導體所組成半導體所組成 。節目錄節目錄(a)結構(b)電路符號電晶體的工作區域電晶體的工作

5、區域項目項目基基-射極射極(B-E)接面接面集集-基極基極(C-B)接面接面主要功用主要功用飽和區飽和區(saturation)順向偏壓順向偏壓順向偏壓順向偏壓開關電路開關電路(ON)主動主動區區(active)順向偏壓順向偏壓逆向偏壓逆向偏壓放大信號放大信號截止區截止區(cut off)逆向偏壓逆向偏壓逆向偏壓逆向偏壓開關電路開關電路(OFF)節目錄節目錄電晶體電晶體IE、IB與與IC的關的關係係CBEIII節目錄節目錄電流增益電流增益 是集極電流是集極電流IC與射極電流與射極電流IE的的比值比值 。ECII節目錄節目錄電流增益電流增益 是集極電流是集極電流IC與基極電流與基極電流IB的的比

6、值，又稱為比值，又稱為hFE 。BCII節目錄節目錄電流增益電流增益 是射極電流是射極電流IE與基極電流與基極電流IB的的比值比值 。BEII節目錄節目錄電晶體的外型電晶體的外型圖圖4-5各類電晶體的外型各類電晶體的外型 節目錄節目錄電晶體的接腳電晶體的接腳圖圖4-6各類電晶體的接腳各類電晶體的接腳 節目錄節目錄日本系列電晶體的編號日本系列電晶體的編號第一項第一項第二項第二項第三項第三項第四項第四項第五項第五項2SC372A數字數字說明說明0光電晶體或光二極體光電晶體或光二極體1二極體二極體2三極體。例如電晶體、三極體。例如電晶體、FET、SCR等等3四極體。例如雙閘極四極體。例如雙閘極FET

7、、SCS等等文字文字說明說明S表示半導體表示半導體(Semiconductor)文文字字說明說明A高頻用高頻用PNP型電型電晶體晶體B低頻用低頻用PNP型電型電晶體晶體C高頻用高頻用NPN型電型電晶體晶體D低頻用低頻用NPN型電型電晶體晶體FSCRGPUTJP通道通道FET數數字字說明說明372表示電晶體的序號，表示電晶體的序號，依照廠商註冊的順序依照廠商註冊的順序編號，從編號，從11開始。開始。文文字字說明說明AD表示改良的序號。例表示改良的序號。例如如2SC372A是是2SC372的改良品的改良品節目錄節目錄美國系列電晶體的編號美國系列電晶體的編號第一項第一項第二項第二項2N3569文字文

8、字說明說明1N二極體二極體2N三極體。例如電晶體、三極體。例如電晶體、FET、SCR等等3N四極體。例如雙閘極四極體。例如雙閘極FET、SCS等等數字數字說明說明3569表示電晶體登記註冊的序表示電晶體登記註冊的序號號節目錄節目錄歐洲系列電晶體的編號歐洲系列電晶體的編號第一項第一項第二項第二項第三項第三項BC546文字說明A以鍺(Ge)為製造材料B以矽(Si)為製造材料C以金屬氧化物(MOS)為製造材料D輻射檢波器用材料文文字字說明說明A小功率二極體小功率二極體C小功率音頻小功率音頻(AF)用電晶體用電晶體D大功率音頻大功率音頻(AF)用電晶體用電晶體E隧道二極體隧道二極體F小功率射頻小功率射

9、頻(RF)用電晶體用電晶體H電場探測器電場探測器K霍爾效應發生器霍爾效應發生器L大功率射頻大功率射頻(RF)用電晶體用電晶體S小功率開關小功率開關U大功率開關大功率開關Y大功率二極體大功率二極體Z稽納二極體稽納二極體數字數字說明說明546表示電晶體登記註冊的表示電晶體登記註冊的序號序號節目錄節目錄判別電晶體的類型判別電晶體的類型NPN型或型或PNP型）型）步驟步驟1將三用電表撥至將三用電表撥至1 1k檔檔 ，並作歸，並作歸 零調整。零調整。步驟步驟2任選電晶體的兩個接腳，將測試棒接觸此兩個任選電晶體的兩個接腳，將測試棒接觸此兩個 接腳，使三用電表指針大幅偏轉，此時這兩個接腳，使三用電表指針大幅

10、偏轉，此時這兩個 接腳中必有一個接腳為基極。接腳中必有一個接腳為基極。節目錄節目錄步驟步驟3將任一個測試棒移至空接的接腳，此時若三將任一個測試棒移至空接的接腳，此時若三 用電表指針仍然大幅偏轉，表示電晶體用電表指針仍然大幅偏轉，表示電晶體B-E接接 面與面與B-C接面皆為順向偏壓，則測試棒未移動接面皆為順向偏壓，則測試棒未移動 的那隻接腳即為基極的那隻接腳即為基極B），如圖），如圖4-3(a)所所 示。反之，如果將測試棒移至空接的接腳時，示。反之，如果將測試棒移至空接的接腳時， 若三用電表指針未偏轉，則測試棒移動的那隻若三用電表指針未偏轉，則測試棒移動的那隻 接腳即為基極接腳即為基極B），如圖

11、），如圖4-3(b)所示。所示。4-3(a)4-3(b)節目錄節目錄步驟步驟4若接觸基極若接觸基極B的測試棒為黑色，則此電晶的測試棒為黑色，則此電晶 體為體為NPN型，如圖型，如圖4-4(a所示，反之，接觸基所示，反之，接觸基 極極B的測試棒為紅色，則此電晶體為的測試棒為紅色，則此電晶體為PNP 型，如圖型，如圖4-4(b)所示。所示。節目錄節目錄4-4(a)4-4(b)判別電晶體的好壞判別電晶體的好壞 用三用電表測量用三用電表測量B、E接腳或接腳或B、C接腳時，接腳時， 均順向導通、逆向不通如同二極體的均順向導通、逆向不通如同二極體的特特 性），表示電晶體是良好的。性），表示電晶體是良好的。

12、 若順向、逆向皆導通，或順向、逆向皆不若順向、逆向皆導通，或順向、逆向皆不導導 通，則表示電晶體是損壞的。通，則表示電晶體是損壞的。 節目錄節目錄NPN型電晶體型電晶體步驟步驟1先自行假設集極先自行假設集極C與射極與射極E接腳後，接腳後， 如圖如圖4-7所示。將三用電表黑棒接於假設的集所示。將三用電表黑棒接於假設的集 極極C），紅棒接於假設的射極），紅棒接於假設的射極E後，以後，以 手指當作電阻接於基極手指當作電阻接於基極B與集極與集極C之之 間，再記錄間，再記錄LI的刻度值。的刻度值。節目錄節目錄圖圖4-7 C、E 接腳假設正確接腳假設正確(NPN型型)步驟步驟2 再將先前假設的集極再將先前

13、假設的集極C與射極與射極E接腳接腳 對調後，如圖對調後，如圖4-8所示。將三用電表黑棒接於所示。將三用電表黑棒接於 假設的集極假設的集極C），紅棒接於假設的射極），紅棒接於假設的射極 （E後，以手指當作電阻接於基極後，以手指當作電阻接於基極B與集與集 極極C之間，再記錄之間，再記錄LI的刻度值。的刻度值。節目錄節目錄圖圖4-8 C、E 接腳假設錯誤接腳假設錯誤(NPN型型)PNP型電晶體型電晶體步驟步驟1先自行假設集極先自行假設集極C與射極與射極E接腳後，接腳後， 如圖如圖4-9所示。將三用電表黑棒接於假設的射所示。將三用電表黑棒接於假設的射 極極E），紅棒接於假設的集極），紅棒接於假設的集極

14、C後，以後，以 手指當作電阻接於基極手指當作電阻接於基極B與集極與集極C之之 間，再記錄間，再記錄LI的刻度值。的刻度值。節目錄節目錄圖圖4-9 C、E 接腳假設正確接腳假設正確(PNP型型)步驟步驟2再將先前假設的集極再將先前假設的集極C與射極與射極E接接 腳對調後，如圖腳對調後，如圖4-10所示。將三用電表黑所示。將三用電表黑 棒接於假設的射極棒接於假設的射極E），紅棒接於假設的），紅棒接於假設的 集極集極C後，以手指當作電阻接於基極後，以手指當作電阻接於基極 （B與集極與集極C之間，再記錄之間，再記錄LI的刻度的刻度 值。值。節目錄節目錄圖圖4-10 C、E 接腳假設錯誤接腳假設錯誤(P

15、NP型型)步驟步驟3比較步驟比較步驟1與步驟與步驟2的的LI刻度值，較大刻度值，較大 者為假設正確。者為假設正確。 節目錄節目錄运用运用 hFE測試棒測試棒步驟1先判別電晶體的類型、好壞與電晶體的E、 B、C三隻接腳。步驟2將三用電表撥至11k檔 ，並作歸零調整。步驟3將 hFE 測試棒中的黑色測試夾接於電晶體 的基極B），紅色測試夾接於電晶體的集極 （C），如圖4-11所示。節目錄節目錄圖圖4-11 hFE測試棒測試棒節目錄節目錄步驟步驟4若電晶體為若電晶體為NPN型，如圖型，如圖4-12(a)所示，則所示，則 hFE 測試棒接於三用電表的端，並將接在三用測試棒接於三用電表的端，並將接在三用 電表電表+端的黑色測試棒接於電晶體的射極端的黑色測試棒接於電晶體的射極E） 後，直接讀取刻度中的數值。反之，若電晶體後，直接讀取刻度中的數值。反之，若電晶體