第一章：绪论

1、工工 艺艺器器 件件电电 路路器件的基础器件的基础电路的基础电路的基础差分放大器电路图差分放大器电路图5V5V 40db40db0.5mV0.5mV1010MHzMHzBVdssBVdss88V Vgm gm ro ro LayoutLayout工艺库：工艺库：spice modelspice model、DRCDRC、LVSLVS等等 来源来源: 中国电子报中国电子报来源来源: IC设计与制造设计与制造IC费用费用12英寸英寸8英寸英寸6英寸英寸45nm90nm0.18m0.5m0.5m1.0m制版费制版费（每套）（每套）450250190201212流片费流片费（12个晶圆）个晶圆）？12

2、8.46.06.0单位：万元人民币单位：万元人民币年年 份份全球半导体销售额全球半导体销售额（亿美元）（亿美元）比比 前前 增增 长长 率率20012000200624774.8%（前（前5年平均）年平均）201131065.0%（前（前5年平均）年平均）20123031-2.4%201331815.0%20143480（预计）（预计）9.4%数据来自：美国市场调查公司数据来自：美国市场调查公司IHS来源来源: 中国电子报中国电子报排名排名企业名称企业名称销售额销售额（亿元人民币）（亿元人民币）占行业收入比占行业收入比1中国华大中国华大14.616.5%2华为海思华为海思12.95.7%3展讯

3、通信展讯通信11.064.9%4大唐半导体大唐半导体10.794.8%5珠海炬力珠海炬力8.783.9%6无锡华润矽科无锡华润矽科8.53.8%7杭州士兰微杭州士兰微8.23.6%8北京中星微电子北京中星微电子7.063.1%9上海华虹上海华虹6.833.0%10清华同方微电子清华同方微电子4.572.0%2007年中国年中国IC设计销售额前十位企业排名设计销售额前十位企业排名 排名排名企业名称企业名称销售额销售额（亿美元）（亿美元）占行业收入比占行业收入比1华为海思华为海思212紫光紫光展讯展讯10.53大唐半导体大唐半导体3.964紫光锐迪科紫光锐迪科3.85北京南瑞智芯微北京南瑞智芯微3

4、.56格科微电子（上海）格科微电子（上海）3.07福州瑞芯微福州瑞芯微3.08杭州士兰微杭州士兰微2.939中国华大中国华大2.9110珠海全志珠海全志2.602013年中国年中国IC设计销售额前十位企业排名设计销售额前十位企业排名 排排名名企业名称企业名称销售额销售额（亿美元）（亿美元）占占TOP50（805亿美元）亿美元）收入比收入比1华为海思华为海思2紫光紫光展讯展讯3大唐半导体大唐半导体4北京南瑞智芯微北京南瑞智芯微5中国华大中国华大6中兴通讯中兴通讯7福州瑞芯微福州瑞芯微8紫光锐迪科紫光锐迪科9珠海全志珠海全志中国公司合计中国公司合计64.48%美国公司美国公司19个席位合计个席位合

5、计512.564%2014年中国年中国IC设计企业设计企业9个进入全球个进入全球50大大Fabless2014年全球前十大半导体厂营收排行榜年全球前十大半导体厂营收排行榜来源：研调机构来源：研调机构IHSIDM（Integrated Design and Manufacture）设计生产一体化设计生产一体化来源来源: OFweek电子工程网电子工程网12英寸英寸技术技术（nm）备备 注注中芯国际中芯国际345-28本土，上海本土，上海1、北京、北京2上海华力上海华力190-65-45本土、本土、“909”工程工程升级升级武汉新芯武汉新芯1本土本土大连因特尔大连因特尔1外商独资外商独资无锡海力士

6、无锡海力士1外商独资外商独资西安三星西安三星1外商独资外商独资合计合计88英寸英寸6英寸英寸备备 注注中芯国际中芯国际2天津天津1、深圳、深圳1上海华虹上海华虹1我国第一条生产线、我国第一条生产线、0.13um技术技术华润微电子华润微电子130.18um技术、模拟、数模混合、技术、模拟、数模混合、RF无锡海力士意法无锡海力士意法1和舰科技和舰科技(苏州苏州)1同新加坡合资同新加坡合资上海先进上海先进110.35um技术、模拟、数模混合、器件技术、模拟、数模混合、器件上海宏力上海宏力2成都成芯成都成芯1台积电（上海）台积电（上海）1首钢日电首钢日电1北京、北京、0.35um技术技术吉林华微吉林华

7、微1合计合计116体积大重量重功耗高可靠性差晶体管的发明者（肖克莱、巴丁、布拉顿）晶体管的发明者（肖克莱、巴丁、布拉顿） 因此发明获得诺贝尔奖因此发明获得诺贝尔奖1959年仙童公司制造的年仙童公司制造的IC 一种集成电路芯片一种集成电路芯片 一种完成装配和封装的一种完成装配和封装的MCU IC目的：降低成本目的：降低成本加深对微尺度的印象加深对微尺度的印象 45/40nm 2007 32/28nm 2011 22/20nm 2014 16/14nm 2015（TSMC/Intel） 10/7nm 研发中研发中集成薄膜电阻结构集成薄膜电阻结构集成扩散电阻结构集成扩散电阻结构-俯视图及剖面图俯视图及剖面图 集成集成MOS电容结电容结构俯视图及剖面图构俯视图及剖面图 基于基于CMOS工艺工艺 基于双极工艺基于双极工艺等效电路图等效电路图结构剖面图结构剖面图硅晶胞硅晶胞多晶硅结构多晶硅结构 单晶硅结构单晶硅结构晶向：晶胞在晶体中晶向：晶胞在晶体中的方向的方向