新激光第三章 典型激光器03ppt课件

1、3.5 3.5 半导体激光器半导体激光器 以半导体材料为工作物质的激光器称为半以半导体材料为工作物质的激光器称为半导体激光器。它具有超小型、高效率、低成本、工作导体激光器。它具有超小型、高效率、低成本、工作速度快和波长范围宽等特点。它是激光光纤通信的重速度快和波长范围宽等特点。它是激光光纤通信的重要光源。目前在光存储、激光高速印刷、全息照相、要光源。目前在光存储、激光高速印刷、全息照相、激光准直、测距及医疗等许多方面广泛应用。而在光激光准直、测距及医疗等许多方面广泛应用。而在光信息处理、光计算机和固体激光器泵浦等方面却正是信息处理、光计算机和固体激光器泵浦等方面却正是方兴未艾。方兴未艾。 自自

2、1962年半导体砷化镓年半导体砷化镓GaAs同质结激光器同质结激光器问世后，半导体从同质结、单异质结、双问世后，半导体从同质结、单异质结、双 异质结到半异质结到半导体激光器阵列，波长范围履盖了可见光到长波红外，导体激光器阵列，波长范围履盖了可见光到长波红外，逐渐地成为现代激光器件中的应用面最广、发展最为逐渐地成为现代激光器件中的应用面最广、发展最为迅速的一种重要器件类型。迅速的一种重要器件类型。 欲使半导体材料产生激光，就要使半导体材欲使半导体材料产生激光，就要使半导体材料中电子能态发生变化，以形成一定的粒子数反料中电子能态发生变化，以形成一定的粒子数反转，并且要有一个合适的光学共振腔。但是，

3、由于半转，并且要有一个合适的光学共振腔。但是，由于半导体材料中电子运动的特殊性半导体激光器又有着许导体材料中电子运动的特殊性半导体激光器又有着许多不同于气体和固体激光器的特性。多不同于气体和固体激光器的特性。 构成半导体激光器的工作物质是半导体晶体。在构成半导体激光器的工作物质是半导体晶体。在半导体晶体中，电子的运动状态和单个原子时的情况半导体晶体中，电子的运动状态和单个原子时的情况大不相同，尤其是其外层电子有了明显的变化，即所大不相同，尤其是其外层电子有了明显的变化，即所谓的谓的“共有化运动共有化运动”。1 1能带能带一、半导体的能带结构和电子状态一、半导体的能带结构和电子状态 量子力学证明

4、：当量子力学证明：当N N个原子相接近形成晶体个原子相接近形成晶体时，由于共有化运动，原来单个原子中每一个时，由于共有化运动，原来单个原子中每一个允许能级要分裂成允许能级要分裂成N N个与原来能级很接近的新能级。个与原来能级很接近的新能级。在在实际的晶体中，由于原子数目实际的晶体中，由于原子数目N N非常大，新能级又与非常大，新能级又与原原原来能级非常接近，所以两个新能级间距离很小，几原来能级非常接近，所以两个新能级间距离很小，几乎可把这一段能级看作是连续的。我们便把这乎可把这一段能级看作是连续的。我们便把这N N个能个能级所具有的能量范围称为级所具有的能量范围称为“能带能带”。固体的能带固体

5、的能带不同的能带之间可以有一定的能量间隔，在这不同的能带之间可以有一定的能量间隔，在这个间隔范围内电子不能处于稳定状态，实际上形成一个间隔范围内电子不能处于稳定状态，实际上形成一个能级禁区，称为个能级禁区，称为“禁带禁带”。此间距用禁带宽度。此间距用禁带宽度 EgEg来来衡量。如图说明了电子轨道、能级及能带之间的对应衡量。如图说明了电子轨道、能级及能带之间的对应关系。关系。电子轨道电子轨道,能级能级,和能带和能带 在晶体中，由价电子能级分裂而成的能带在晶体中，由价电子能级分裂而成的能带叫做叫做“价带如某一能带被电子填满，则称之为价带如某一能带被电子填满，则称之为“满带满带”，而在未激发情况下无

6、电子填入的能带，而在未激发情况下无电子填入的能带叫做叫做“空带空带” ，若价带中的电子受激而进入空带，则此，若价带中的电子受激而进入空带，则此空带称为空带称为“导带导带”，同时，价带上由于价电子激发到导带，同时，价带上由于价电子激发到导带后留下一些空着的能级称为后留下一些空着的能级称为“空穴空穴”。本征半导体的能带纯真纯真( (本征本征) )半导体材半导体材料，如单晶硅、锗等，料，如单晶硅、锗等，在绝对温度为零的理在绝对温度为零的理想状态下，能带由一想状态下，能带由一个充满电子的价带和个充满电子的价带和一个完全没有电子的一个完全没有电子的导带组成。导带组成。 在纯净的、不含杂质的半导体中，由于

7、热运在纯净的、不含杂质的半导体中，由于热运动而产生的自由电子和空穴数量很少。但如果半动而产生的自由电子和空穴数量很少。但如果半导体中掺入杂质，情况就不同了。如导体中掺入杂质，情况就不同了。如GaAsIII一一V族化族化合物中掺入碲合物中掺入碲VI族元素），就会在导带下形成杂质族元素），就会在导带下形成杂质能级能级ED，如图，如图 （a）。杂质能级上电子很容易转移至导）。杂质能级上电子很容易转移至导带上去，这种杂质称为施主。掺施主杂质的半导体称为电带上去，这种杂质称为施主。掺施主杂质的半导体称为电子型半导体或子型半导体或N型半导体。而如果我们在型半导体。而如果我们在GaAs中掺入中掺入II族元素

8、如族元素如Zn，则会在价带上方形成受主杂质能级，如图，则会在价带上方形成受主杂质能级，如图 (b)。价带上的电子可跑到受主能级上去，从而在价带上。价带上的电子可跑到受主能级上去，从而在价带上产生许多空穴。这种半导体称为空穴型半导体或产生许多空穴。这种半导体称为空穴型半导体或P型半导型半导体。体。2.2.半导体类型半导体类型半导体的杂质能级半导体的杂质能级 一般低掺杂半导体中，杂质能级是一些位于禁带中的一般低掺杂半导体中，杂质能级是一些位于禁带中的分立能级。但当掺入杂质的浓度很大时，杂质能级也将分分立能级。但当掺入杂质的浓度很大时，杂质能级也将分裂成为裂成为“杂质能带杂质能带”。杂质浓度愈高，杂

9、质能带就愈宽，。杂质浓度愈高，杂质能带就愈宽，甚至出现杂质能带与导带或价带连成一片而形成甚至出现杂质能带与导带或价带连成一片而形成“带尾带尾”。此时禁带宽度由于带尾而变窄。此时禁带宽度由于带尾而变窄。3 3电子和空穴的统计分布电子和空穴的统计分布 统计物理学指出：满足泡里原理的电子集团，遵统计物理学指出：满足泡里原理的电子集团，遵循费米一狄拉克统计规律，即在热平衡条件下，循费米一狄拉克统计规律，即在热平衡条件下，一个电子在能带中的分布不再服从玻尔兹曼分一个电子在能带中的分布不再服从玻尔兹曼分布，而服从费米分布，能级布，而服从费米分布，能级E E被电子占据的几率为被电子占据的几率为 1( )1F

10、nE EkTfEel杂质半导体中费米能级的位置与杂质类型及杂质半导体中费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度有密切关系。如图给出了温度极低掺杂浓度有密切关系。如图给出了温度极低时的情况。时的情况。 费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度关系费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度关系二、二、 PNPN结和粒子数反转结和粒子数反转1. P-N结的双简并能带结构结的双简并能带结构 费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度关系费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度关系只有一个只有一个费米能级费米能级把把P P型和型和N N型半导体制作在一型半导体制作在一起，是否可能在结区产生两个起，是否可能在结区产生两个费米能级呢？费米能

11、级呢？ PN能带正向电压V时形成的双简并能带结构在这种非平衡态下，结区的在这种非平衡态下，结区的统一费米能级不再存在统一费米能级不再存在, ,形成形成结区的两个费米能级结区的两个费米能级 和和 ，称为准费米能级，如图。称为准费米能级，如图。 FEFE未加电场时，未加电场时， 电子和空穴的扩散运动电子和空穴的扩散运动 漂移运动漂移运动平衡时平衡时,P,P区和区和N N区的费米能级必然达到同一水平。区的费米能级必然达到同一水平。自建场自建场在在P-NP-N结上加以正向电压结上加以正向电压V V时，产生正向电流时，产生正向电流, ,即载即载流子注入流子注入. .在作用区内，同时存在大在作用区内，同时

12、存在大量的导带电子和价带空穴量的导带电子和价带空穴于是形成双简并能带结构于是形成双简并能带结构. .2. 粒子数反转粒子数反转 产生受激辐射的条件是在结区的导带底部和价产生受激辐射的条件是在结区的导带底部和价带顶部形成粒子数反转分布。带顶部形成粒子数反转分布。 激光器在连续发光的动平衡状态，导带底电子的激光器在连续发光的动平衡状态，导带底电子的占据几率为占据几率为221()1FNEEkTfEe价带顶空穴的占据几率可以用价带顶空穴的占据几率可以用P P区的准费米能级来区的准费米能级来计算计算 111()1FPEEkTfEe价带顶电子占据几率则为价带顶电子占据几率则为 1111()1()1FNPE

13、EkTfEfEe 在结区导带底和价带顶实现粒子电子数反转在结区导带底和价带顶实现粒子电子数反转的条件是的条件是gFFNNEEEEEEfEf1212)()(1. 半导体激光器的基本结构GaAs激光器的结构三、半导体激光器的工作原理和阈值条件三、半导体激光器的工作原理和阈值条件 中心中心:PN:PN结结解理面解理面: :构成谐振腔构成谐振腔2. 半导体激光器工作的阈值条件 激光器产生激光的前提条件除了粒子数发生反转激光器产生激光的前提条件除了粒子数发生反转还需要满足阈值条件还需要满足阈值条件 21ln21rrLaG内增益系数和粒子数反转的关系也取决于谐振腔增益系数和粒子数反转的关系也取决于谐振腔内

14、的工作物质内的工作物质 ftcnfAcnG复合2222221288结区电子结区电子的寿命的寿命3.半导体激光器的阈值电流半导体激光器的阈值电流 u低温下低温下, ,在一定的时间间隔内，注入激光器的电子在一定的时间间隔内，注入激光器的电子总数与同样时间内发生的电子与空穴复合数相等而总数与同样时间内发生的电子与空穴复合数相等而达到平衡达到平衡 2222121222222222128ln21 )(ln21888cedrrLaJfrrLaGJedfcGftcnfAcnGeItnLwd内阈内复合复合例例知知:GaAs:GaAs激光器激光器MHz1036121cm40rrlnL21内m84. 035. 3

15、m2d求求: :阈值电流密度阈值电流密度222221cm/A150ced8rrlnL21aJ 内阈四、同质结半导体激光器四、同质结半导体激光器 注入式同质结注入式同质结GaAs激光器是于激光器是于1962年最早年最早研制成功的半导体激光器，同质结是指研制成功的半导体激光器，同质结是指pn结结由同一种基质材料由同一种基质材料(如如 GaAs)的的 p型和型和N型构成，而注型构成，而注入式是指直接给半导体激光器通电，靠注入电流来激入式是指直接给半导体激光器通电，靠注入电流来激励工作物质的一种泵浦方法。励工作物质的一种泵浦方法。1. 同质结激光器的结构同质结激光器的结构 2粒子数反转分布粒子数反转分

16、布 粒子数就是载流子数。正常情况下，电子总粒子数就是载流子数。正常情况下，电子总是从低能态的价带填充起，填满价带后才填充导是从低能态的价带填充起，填满价带后才填充导带。如果我们能利用光或电注入的办法，使带。如果我们能利用光或电注入的办法，使Pn附近形成附近形成大量的非平衡载流子，在比其复合寿命更短的时间内电大量的非平衡载流子，在比其复合寿命更短的时间内电子在导带、空穴在价带分别达到暂时的平衡，则在这一段子在导带、空穴在价带分别达到暂时的平衡，则在这一段时间内简并化分布的导带电子和价带空穴就处于相对反转时间内简并化分布的导带电子和价带空穴就处于相对反转分布的状态。分布的状态。3. 同质结砷化镓同

17、质结砷化镓(GaAs)激光器的特性激光器的特性 伏安特性伏安特性: : 与二极管相同，也具有单向导电性。与二极管相同，也具有单向导电性。阈值电流密度阈值电流密度: : 影响阈值的因素很多影响阈值的因素很多 GaAs激光器的伏安特性激光器的伏安特性方向性方向性: : 如图为半导体激光束的空间分布示如图为半导体激光束的空间分布示意图。意图。 激光束的空间分布示意图 横模特性：横模特性： 一般只有条型异质结激光器在一定条件下一般只有条型异质结激光器在一定条件下可实现单横模运转。实际振荡的模式比较复杂可实现单横模运转。实际振荡的模式比较复杂,可以可以由一套模式占主导变化为另一套模式占主导。在实由一套模

18、式占主导变化为另一套模式占主导。在实际激光器中经常出现多模振荡。当作用区的厚度较际激光器中经常出现多模振荡。当作用区的厚度较薄薄,条宽较窄时条宽较窄时,在阈值附近容易得到基横模振荡。在阈值附近容易得到基横模振荡。光谱特性光谱特性: :如图是如图是GaAsGaAs激光器的发射光谱。其激光器的发射光谱。其中图中图(a)(a)是低于阈值时的荧光光谱，谱宽一般为是低于阈值时的荧光光谱，谱宽一般为几百埃，图几百埃，图(b)(b)是注入电流达到或大于阈值时的是注入电流达到或大于阈值时的激光光谱，谱宽达几十埃。激光光谱，谱宽达几十埃。 GaAs激光器的发射光谱仍比气、固宽得多外微分量子效率外微分量子效率:

19、: ViiPeiihPeiihPPththDththD)()()()(功率效率功率效率: :功率效率定义为激光器的输出功率与输功率效率定义为激光器的输出功率与输入电功率之比入电功率之比 2PSPiVi R转换效率转换效率: :注入式半导体激光器把电功率直接转换为光功注入式半导体激光器把电功率直接转换为光功率，转换效率极高。率，转换效率极高。五、异质结半导体激光器 同质结激光器难以得到低阈值电流和实现室温连续同质结激光器难以得到低阈值电流和实现室温连续任务。为此任务。为此, ,在同质结的基础上发展了异质结半导体激光在同质结的基础上发展了异质结半导体激光器器, ,从而大大提高了半导体激光器的实际应

20、用价值。从而大大提高了半导体激光器的实际应用价值。 1.异质结及其特点异质结及其特点 如图对于如图对于GaAs类半导体激光器类半导体激光器,由同种材由同种材料料GaAs构成的构成的p-n结即为同质结。若一侧结即为同质结。若一侧为为GaAs, 而另一侧为而另一侧为GaAlAs所构成的结为所构成的结为“异质结异质结”。若整个半导体激光器仅有一个异质结则称为单异质结若整个半导体激光器仅有一个异质结则称为单异质结(SH)激光器激光器,有两个异质结则为双异质结有两个异质结则为双异质结(DH)激光器。激光器。同质结、异质结结构示意图2.对异质结两侧的材料的技术要求对异质结两侧的材料的技术要求: (1)要求

21、两种材料的晶格常数尽可能相等要求两种材料的晶格常数尽可能相等,若在结合的界若在结合的界面处有缺陷面处有缺陷,载流子将在界面处复合掉载流子将在界面处复合掉,不能起到有效的注不能起到有效的注入、放大和发光的作用入、放大和发光的作用;(2)为了获得较高的发光效率为了获得较高的发光效率,要求要求GaAlAs材料材料是竖直跃迁型的是竖直跃迁型的;(3)为了获得高势垒为了获得高势垒,要求两种材料的禁带宽度要求两种材料的禁带宽度有较大的差值有较大的差值. 光在半导体晶体中传播时光在半导体晶体中传播时,折射率主要与材料的原子折射率主要与材料的原子结构和晶格结构有关。结构和晶格结构有关。(1)对同一光波对同一光

22、波,掺杂浓度愈大掺杂浓度愈大,GaAs的折射率的折射率n愈低愈低; (2)在在GaAlAs材料中材料中,折射率随折射率随Al含量含量x变化。当变化。当x=0时时,即即GaAs的折射率为的折射率为n=3.59,而而x=1时时,即即GaAlAs的折的折射率为射率为2.971。由此可见。由此可见,当当GaAs和和GaAlAs构成异质结构成异质结时时,界面处将产生折射率突变界面处将产生折射率突变;(3)一般折射率随温度升高而增大。一般折射率随温度升高而增大。3.GaAs材料中折射率的变化特点材料中折射率的变化特点4.单异质结半导体激光器单异质结半导体激光器:激活区厚度激活区厚度md2阈值电流密度降低阈

23、值电流密度降低 由于有源区宽度和光波导传输差这两个原因由于有源区宽度和光波导传输差这两个原因, ,致致使同质结受激发射的阈值电流密度较高使同质结受激发射的阈值电流密度较高, ,在室温下在室温下, ,脉冲工作的典型阈值电流密度达脉冲工作的典型阈值电流密度达3X1045X104A/cm2,3X1045X104A/cm2,而异质结而异质结(SH)(SH)激光器的阈值电激光器的阈值电流密度降低至约流密度降低至约8000A/cm28000A/cm2。 单异质结激光器的单异质结激光器的Jth虽虽比同质结小若干倍比同质结小若干倍,但仍但仍d较较高高,所以常与同质结器件一所以常与同质结器件一样用作脉冲器件。这

24、种器件样用作脉冲器件。这种器件的脉冲功率可达数十瓦的脉冲功率可达数十瓦,寿寿命可达数万小时以上命可达数万小时以上. 在单异质器件中在单异质器件中,有源区宽度有源区宽度d值是关键值是关键因素。如图为因素。如图为SH的的Jth-d实验曲线。可见它实验曲线。可见它存在最佳值存在最佳值.这是因为若这是因为若d值过大值过大,则异质结对则异质结对载流子的限制作用减弱载流子的限制作用减弱;d值太小则在非对称值太小则在非对称波导内光波传输的损耗过大。对于波导内光波传输的损耗过大。对于质量好的典型单异质结激光器质量好的典型单异质结激光器,d值的范围在值的范围在22.5um之间。之间。5.5.双异质结半导体激光器

25、双异质结半导体激光器: : 在激活区的两侧有两个在激活区的两侧有两个异质结。激活区厚度变窄，异质结。激活区厚度变窄，同时同时“光波导效应非常显著，使得光波传输损耗光波导效应非常显著，使得光波传输损耗大大减小，结果双异质结激光器的阈值电流密度更大大减小，结果双异质结激光器的阈值电流密度更低，低，102103A/cm2. 102103A/cm2. 若使器件形成若使器件形成p-p和和p-n两个异质结两个异质结,激活区为激活区为p-GaAs,其厚度其厚度d0.5um,则激活区内的非平衡载流子将则激活区内的非平衡载流子将受到异质结的限制。因此受到异质结的限制。因此,载流子浓度大为提高载流子浓度大为提高,

26、反转粒反转粒子数就愈多子数就愈多,从而增益提高从而增益提高.另一方面另一方面,双异质结在激活区双异质结在激活区两侧都有大于两侧都有大于5%的折射率变化的折射率变化,光波导的损耗也大为减光波导的损耗也大为减少。所以少。所以,DHL的阈值电流密度的阈值电流密度Jth低约低约2个数量级。个数量级。室温下可获得几毫瓦室温下可获得几毫瓦 几十毫瓦的连续功率输出。几十毫瓦的连续功率输出。1.可见光半导体激光器可见光半导体激光器 可见光激光二极管可见光激光二极管(VLD) 用于高密度光信息处理用于高密度光信息处理系统，如光盘、激光束打印机和条形码读出器，也是系统，如光盘、激光束打印机和条形码读出器，也是塑料

27、光纤通信系统的重要光源。这些应用领域对短波塑料光纤通信系统的重要光源。这些应用领域对短波长长(60Onm波长区波长区)激光光源的需求日益增长激光光源的需求日益增长,有力地有力地促进了促进了VLD的研发。目前的研发。目前,在激光准直、指示和激光在激光准直、指示和激光教学中教学中,半导体可见光二极管激光器将以其方便、可半导体可见光二极管激光器将以其方便、可靠、廉价和高效率逐渐代替传统的靠、廉价和高效率逐渐代替传统的He -Ne等气体激等气体激光器。可见光半导体激光器于光器。可见光半导体激光器于1988年开始实用化年开始实用化,它它的发展主要是围绕着缩短发射波长和提高输出功率。的发展主要是围绕着缩短

28、发射波长和提高输出功率。 相对于传统的近红外半导体激光器相对于传统的近红外半导体激光器,可见光激光器输出可见光激光器输出 的较短的波长能提供较高的能见度的较短的波长能提供较高的能见度.六、新型半导体激光器六、新型半导体激光器(1)(1)缩短波长缩短波长使用晶向偏离衬底使用晶向偏离衬底;采用采用AlGaInP四元有源层四元有源层;利用量子阱结构。利用量子阱结构。(2)(2)提高输出功率提高输出功率异质势垒阻挡结构异质势垒阻挡结构(HBB).(HBB).它是利用同型异质结之间它是利用同型异质结之间的电压差来限制电流。这种结构使的电压差来限制电流。这种结构使VLDVLD达到较低的达到较低的阈值电流阈

29、值电流(56mA)(56mA)和稳定的横模和稳定的横模, ,输出功率可达输出功率可达51mw,51mw,在在4040时可保持时可保持2OmW2OmW的高功率工作的高功率工作,30mW,30mW时实现基时实现基横模的稳定振荡。横模的稳定振荡。 另一种大功率另一种大功率VLDVLD采用选择性隐埋脊形导结构采用选择性隐埋脊形导结构(SBR),(SBR), 它是有抗反射和高反射涂层的宽有源区它是有抗反射和高反射涂层的宽有源区InGaAlPInGaAlP的的 VLDVLD。在室温下输出。在室温下输出100mw100mw时的光波长为时的光波长为670nm670nm。 2.大功率激光二极管阵列大功率激光二极

30、管阵列 一般单个腔二极管激光器只能发射几十至几百一般单个腔二极管激光器只能发射几十至几百毫瓦光毫瓦光,为提高输出功率发展了二极管阵列激光器。这些为提高输出功率发展了二极管阵列激光器。这些阵列中的二极管在电气上并联耦合阵列中的二极管在电气上并联耦合,发射一致发射一致,形成了部分形成了部分相干光束。近年来由于采用了先进的制作工艺和冷却技术相干光束。近年来由于采用了先进的制作工艺和冷却技术,高功率二极管阵列激光器的发展极快。目前半导体二极管高功率二极管阵列激光器的发展极快。目前半导体二极管阵列阵列(线阵线阵)连续输出功率已达连续输出功率已达120W,二极管面阵泵浦的二极管面阵泵浦的固体激光器平均输出

31、功率超过千瓦固体激光器平均输出功率超过千瓦,成为激光器发展中最成为激光器发展中最为活跃的领域。为活跃的领域。 阻碍激光二极管大功率化的原因阻碍激光二极管大功率化的原因,一是随注入电流产生一是随注入电流产生的结温升的结温升,二是端面激射区的高光功率密度引起的突发性二是端面激射区的高光功率密度引起的突发性光学损伤。解决第一个问题的办法是降低阈值光学损伤。解决第一个问题的办法是降低阈值,提高量子提高量子效率。实现的途径是采用特殊工艺把有源区厚度控制在几效率。实现的途径是采用特殊工艺把有源区厚度控制在几十纳米以内。解决第二个问题的办法是扩大器件的发光区十纳米以内。解决第二个问题的办法是扩大器件的发光区

32、面积面积,另一个就是采用阵列技术。另一个就是采用阵列技术。 常见的线阵激光二极管是由许多平行排列的常见的线阵激光二极管是由许多平行排列的激光二极管组成。如图为线阵激光二极管的结构。激光二极管组成。如图为线阵激光二极管的结构。其中的每一个二极管的发光面有大于微米的宽度其中的每一个二极管的发光面有大于微米的宽度,二极管之间的中心距为二极管之间的中心距为10um,每一线阵由几十至几百个每一线阵由几十至几百个二极管组成二极管组成.它可工作在连续或在低重频长脉冲的准连续它可工作在连续或在低重频长脉冲的准连续工作状态。工作状态。线阵激光二极管线阵激光二极管 若把多个二极管线阵重叠若把多个二极管线阵重叠可组成二维面阵激光器。它可组成二维面阵激光器。它取得的输出功率更大取得的输出功率更大,例如由例如由13个线阵激光二极管组成的个线阵激光二极管组成的大面阵大面阵,其发射面积为其发射面积为0.4cm2时时,其准连续输出功率可达其准连续输出功率可达800W.但二极管面阵的发热问但二极管面阵的发热问题比线阵更严重题比线阵更严重,一般只工作在较低的重复频率和较低一般只工作在较