安森美半导体扩充高压功率方案系列推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET

1、    安森美半导体扩充高压功率方案系列，推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET     创新的单片设计提供更高的系统能效及更低的电磁干扰(EMI)噪声    安森美半导体 时间:2010年04月09日     字 体: 大 中 小        关键词:<"cblue" " target='_b

2、lank'>MOSFET<"cblue" " target='_blank'>二极管<"cblue" " target='_blank'>绿色电子<"cblue" " target='_blank'>EMI<"cblue" " target='_blank'>功率<"cblue" " Semiconductor&qu

3、ot; target='_blank'>ON Semiconductor<"cblue" " target='_blank'>安森美半导体       <"cblue" " Semiconductor " target='_blank'>ON Semiconductor <"cblue" " target='_blank'>

4、;安森美半导体            应用于<"cblue" " title="绿色电子">绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商<"cblue" " title="安森美半导体">安森美半导体(ON S<"cblue" " title="emi">emiconductor，美国纳斯达克

5、上市代号：ONNN)扩充N沟道<"cblue" " title="功率">功率<"cblue" " title="MOSFET">MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基<"cblue" " title="二极管">二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(m?)、3 m?及5 m?的最大导通阻抗(RDS(on)值，针对降压转换器应

6、用中的同步端而优化，达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及12.2 nC，确保开关损耗也保持最低。安森美半导体这些新的功率MOSFET典型应用包括用于服务器、电信网络设施、个人计算机(PC)、笔记本电脑及游戏机的直流-直流(DC-DC)转换、负载点(POL)转换及低端开关操作。安森美半导体功率MOSFET业务部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“集成肖特基二极管借助于集成在与初级FET结构相同的裸片中，减小死区时间导电损耗，因而提升能效及改善波形。这些新的器件为客户提供更宽阵容的产品及方案，解决他们独特的

7、设计挑战。”封装及价格NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低热阻抗的紧凑型5 mm x 6 mm SO-8FL封装。这些器件每10,000片批量的价格为0.45美元至0.90美元。更多信息请访问。关于安森美半导体安森美半导体(<"cblue" " Semiconductor" title="ON Semiconductor">ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、<"innerlink" " title="LED">LED照明、医疗、工业、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。更多信息请访问。 #  #  #安森美半导体和安森美半导体图标是Semiconductor Compo