[整理]HT2770应用指导.

1、HT2770应用指导基于HT2770的5W反激电源适配器方案一.概要:HT2770采用原边控制技术，待机功耗不到100m，内置了线损补偿，峰值电流补偿，使得在全电压范围内能提供精准的恒压和恒流模式，采用PFM控制，并且带有随机频率抖动功能，减小了系统的EM。采用HT2770来设计系统，可以省去光耦，次级反馈控制电路，环路补 偿，降低系统成本。.基本特性:-内置前沿消隐-逐周期限流保护过压保护-开路保护-欠压锁定 低待机功耗，小于120mW. 低启动电流 原边反馈，PFM控制模式.内置线损补偿内置峰值电流补偿内置随机频率抖动三.芯片内部模块图：CS匚VCCn6恒流控制5_Cable补偿OCP阈值

2、选择TonsDectectorCPCnFB匚QR S二 f PCO0.5VOCP阈值选择RC滤波Pre-OCPP8CVCCRegulator vdd_5V& BIAS1 OUT GND图1：内部结构图四.应用电路图:R8C8卜100R 102/100V+/VVYYL11mHR3R1C11 4.7uF/400+ C2I 4.7uF/4002MR22M200K <7 二p150R"lR10C4222/1KVSR240D7+C6470uF/16V470uF/16VR92.4K5V/1AL24.7uHD6FR107R5HT2770FR107FB&匚GND CPCVCC

3、CS127KR710KNauxR42KQ113003M C5104/100V="/AR61.3R图2: HT2770应用电路五. DEM板实物图:图4:反面视图图3:正面视图六. 电路原理:90V-265V交流输入电压VIN经保险F1送入全桥整流电路D1D4，后经畀型滤波电路C1 , L1，C2，L2输出120 375VDC。保险F1的使用是为了防止大冲击电流损坏整流桥。整流后的高压(120 375VDC )一端通过变压器的原边接高压功率管 BJT Q1的集电极，另 一端接芯片的GND脚。为了将高压功率管BJT的集电极峰值电压限制在其集电极-基极 Breakdown Voltage

4、(13003此电压为700V)以下，D5、R3、C4、R10构成一箝位电路，它可 以将高压BJT在关断时集电极电压箝位在700V以下。R1、R2为启动电阻，在系统刚上电的时候为 C3电容充电，当此电容电压达到芯片启动电压 芯片即可工作，输出开关方波驱动 Q1o为降低芯片的启动损耗，在芯片启动以后由变压器的辅 助绕组、D6、C3构成的环路给芯片供电。HT3770采用原边反馈技术，可以省掉次级反馈电路如 431、光耦等器件。因为在Q1关断期 间，变压的辅助绕组电压是与次级绕组输出电压成正比的，所以控制此时的辅助绕组电压就可 以达到稳定输出电压的目的。R5、R7是分压电阻，将辅助绕组电压的变化送入芯

5、片与内部基准 比较，进而控制输出电压。变压器的副边输出经D7整流，C6、C7滤波后得到5V输出电压。C8、R8是高频噪声抑制 电路，有助于改善EMI特性。R9是假负载，防止系统空载电压过高。C5是输出cable线损补偿电容，可以避免重载时线端电压过低。R4是峰值电流补偿电阻，用于保证整个输入电压范围内输出的恒流精度 。七. 电气参数和BOM此适配器的主要电气参数如表1，电路的元器件在成本和可靠性方面作了折中，元器件的 数目已减到最低程度。表2是详细的材料表。表一：电气参数表输入电压范围90VAC 264VAC输出电压5VDC ± 5%输出电流1.0A ± 5%电源调整率&l

6、t;± 0.2%恒流精度< ± 5 %输出纹波< 100mV输出过压保护有输出过流保护90V 1 07A / 264V 1 14A短路保护打嗝待机功耗<0 12W平均效率> 75.63%表二：电源适配器BOM元件号类型型号数量封装F1Fuse250V , 1A1直插R1碳膜电阻2MQ 5%1直插R2晶片电阻2MQ 5%11206R3晶片电阻200KQ 5%11206R4晶片电阻2KQ 5%10805R5晶片电阻27KQ 1%10805R6晶片电阻1.3 Q 5%11206R7晶片电阻10KQ 1%10805R8晶片电阻100Q 5%10805R9晶片

7、电阻2.4K Q 5%11206R10晶片电阻150Q 5%11206C1,C2电解电容4.7uF/400V1直插C3电解电容6.8uF/50V1直插C4电瓷片电容222/1KV1直插C5晶片电容104/100V10805C6,C7电解电容470uF/10V1直插C8晶片电容102/100V10805D1-D4二极管1N40074直插D5 二极管FR1071贴片D6二极管FR1071直插D7二极管SR2401直插L1P色环电感1Mh 1W1直插L2色环电感4.7Uh 1W1直插Q1三极管130031直插U1PWMHT27701SOT23-6T1变压器1直插八.变压器结构参数:546843ooo

8、oooodooooooodooooooodooooooodBOBBINTAPE 7.5mm *2TN4TAPE 7.5mm *2TN3TAPE 7.5mm *2TN2TAPE 7.5mm *2TN1图5:变压器结构图表三变压器绕法及参数Win ginMaterialStartTurnsFi nishg N10.14mm*1P 2UEW353T4TAPETAPE W=7.5mm2N20.5mm*1P 2UEW89T6TAPETAPE W=7.5mm2N30.14mm*1P 2UEW453T5TAPETAPE W=7.5mm2N30.14mm*1P 2UEW225T1TAPETAPE W=7.5m

9、m2磁芯EE16 PC40或同等材料骨架卧式10针4脚去掉电感量1.7mH-1.9mH 3、5脚间测量 频率1KHz漏感100uH MAX N2, N4 短路3、5脚间测量 频率10KHz九.测试数据:表四：输入输出数据输入电压 /Vac输出电压输入功率/W平均效 率(%)Vout 0A/VVout 0.5A/VVout 1.0A/V905.084.934.976.6574.86% :1155.104.934.976.5176.13%230:5.09:4.955.06.4276.73% 2645.094.955.016.4476.37%备注：效率是在带1.0米AWG22线条件下测得的。79.0

10、0%78.00%77.00%76.00%75.00%74.00%73.00%72.00%71.00%Effcieney_ave专1/4负载 1/2负载3/4负载满载90V115V230V264VAC图6: Vi n = 90- 264Vac效率曲线图7:待机功耗曲线十.输出I-V曲线:HT2770 I-V 曲线ytuo6284462842628405544 332211oo一 90V- 115135180230V- 2640.6 0.8Iout/A11.21.4图 8: Vi n二90- 264Vacl-V 曲线1一.测试波形:M Poe： 5.6D0us图9: Vin=90Vac时输出电压纹

11、波波形Io=1.0A保存Birt Hap 类型 位團Stop wwiiiiii i ri rrrrrrAV: 13 Firn VVa： -52.&1V Vb： BBOmVBit Hap类型存储位置0LLlUhJl保存M 10.0mZ -KJOmV存储泣置O3H5I 500mVJI图10: Vin=264Vac时输出电压纹波波形Io=1.0AII,T；TT保存保存1114M 1.00s CHI Z -800m¥M200ms CHI Z -BOOmV类型 位團Bit Map 类型 位图 1111111 I i r r r iT： 2.640s VAT； 378.7m图11: Vi

12、n=90Vac 时输出电压动态响应波形图12: Vin=264Vac时输出电压动态响应波形图13: Vin=90Vac时启动延时波形Io=1.0A图14: Vin=264Vac时启动延时波形Io=1.0A图15: Vin=90Vac上升延时波形Io=1.0A图16: Vin=264Vac上升延时波形Io=1.0A存储位置保存C.G2HZ -564.0ni5 SOOl.OrasCh2 Off M 100msCHI Z -B00m¥M Pasi 400.000m£ Birt Map ISHII TTTTTTT FUF B iTTAL 64.00msVAT：Ta：Tbi类型 位團

13、保存M5I 20CVH：i七k 十十4166Hz54.00ms30.00ns：Ch2 0告 M 500msQ CHI Z -S00m¥M Past 40.000ms1111111 ii i i rrrrFFFATt 24j00ns :ViTTa：:Tb：存储位置 a13M Poe： 3.640s存储位置保存378.7mHz -3.9605 6.600sM5I 200VHmth H Posi -584.000 ms Bit Map存储位置保存Ch2 200748.5mHz48.00ms -1334sM5I 20.0V Hmth M Paar -S.GOOus"1 1 '

14、; ' 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 r 凶：14 Dm即 Vai -72&nV Vb： GEjOmV存储位置9SB! 500mV Ch2 Off M SOOms hlmt卜i 訂于于jj GHI F 40jDVBi七类型M Pear -S.GDOus 1 ' ' 1 I ! 1 1 1 1 1 r 11 曲、166；mVVai -SaOftVVb: 76.0mV存诸位壹10SSI SOOmV Gh2 Off hl 50 0ms 治曲 D幵iiUHi / -OQuOiUBi± Hp 类型I. W5I 2OCV Hath Oft62.50H-284

15、.0ms jO.OmsM .0ms CHI 7.2OV i w w w i i i i t t r r r r f f f f 也 T； 16.00(h± ViT：Ta： Tb：M Past -200.000ms Bit Map类型位图存储位置15保存M5I 200VH航h Ch2 200V M 100ms CHI 7.20VM Fos -4L10 (JO 3ms Brt Map类型位图存储位置16保存图17: Vin=90Vac 关机保持时间波形lo=1.0A 图18: Vin=264Vac 关机保持时间波形Io=1.0AM Poe：-I.OOOue f 旨；'；Va； -

16、aO&nVVb： S2a>¥Birt Map 类型 位图保存；T位團22352»VW5I 200mVMm七h 口卡千存储位置保存M200usM Ros： WOOusy写議'Va： -&0&1V存储位置Q24Ch2 100V M 20 Ous CHI Z 352mV图 19: Vin=90Vac Vdrain Vcs 波形 lo=0.5A 图 20:Vin=90Vac Vdrain Vcs 波形 Io=1.0A存储泣置2S保存一且列P'432mV24.DmV456mVM Post I.OOOlis Bit hLap类型 位團H5I

17、 200mVCh2 如3 M IOjOus GUI f 352强Birt Hap 类型 位图4保存H5I 200mV存诸位置O28M Poe： I.OOOus wwiiiiii i ri rrrrrFF 翻：464胡 Va： ->3.00m V Vb： 456nVJ J I I I i i , I. 上r n d d d丄Ch2 200? M IOjOus CHI Z 352mV图 21: Vin=264 Vac Vdrain Vcs 波形 Io=0.5A 图 22: Vin=264 Vac Vdrain Vcs 波形 Io=1.0AOftCh2 50.0V M lOOus CHI Z

18、3.B4VStopM Pcjel 564 000us图23: Vin=90 Vac Vdrain Vcs 输出短路波形Birt Hap 类型 位图存储位置Q17保存M Poel 564.000usH5I 2.D0VMath Off存储位置O18保存M lOOus Z 3.84VBirt Map 类型 位图图 24: Vin=264 Vac Vdrain Vcs输出短路波形十二.注意事项:峰值电流补偿为了使系统在90-264VAC范围内都有良好的恒流（CC）精度，HT2770内置了线电压补 偿，使得线电压越高，实际的过流保护（OCP）阈值越低。通过改变R4的阻值，可以任意设定补 偿的量，从而获得了良好的线电压补偿效果 Cable补偿一般的手机充电器或者电源适配器在使用时都会通过一根比较长的输出线连接到手机或者其 他的用电设备上，由于输出线存在电阻，当