模拟电路部分习题答案【精选文档】

1、模拟电路部分习题答案【精选文档】模拟电路部分习题答案第二章 晶体二极管及应用电路21填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素;P型半导体是在本征半导体中掺入 三价元素 。（2）当温度升高时,二极管的反向饱和电流会 增大 。（3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 (4）晶体管的三个工作区分别是 放大区、截止区和饱和区。在放大电路中,晶体管通常工作在 放大区 区。（5)结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该 反偏 。(正偏、反偏)22判断下列说法正确与否。(1)本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。( )(2)P型半导体带正电，N型半导体带负电.( ）(3）结型

2、场效应管外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点.（ ）（4)只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（ ）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（ )（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。（ ） （7)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，则其输入电阻会明显减小。（)答案：（1）对;温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。（3)对；结型场效应管在

3、栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。（6）对; N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7)对；PN结在无光照、无外加电压时,处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。（8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影

4、响输入电阻。2-3怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止?输出电压为多少？ 本题可以通过二极管端电压的极性判断其工作状态。一般方法是断开二极管，并以它的两个极作为端口，利用戴维南定理求解端口电压,若该电压是二极管正偏，则导通,若反偏则截止。（a）图将二极管断开,从二极管的两个极为端口向外看，如题21解（a）图所示,则AB间电压为12-6=6V，二极管处于正偏，导通。(b）图将二极管断开，从二极管的两个极为端口向外看，如题21解（b)图所示,则AB

5、间电压为3-2=1V，二极管处于正偏，导通。（c）当有两只二极管时,应用以上方法分别判断每只管子的状态。如题2-1解（c）图所示首先断开上面二极管D1，则下面二极管D2截止，所以D1两端电压为正偏导通；然后再断开下面二极管D2，如题2-1解（d）图则D1两端电压为正偏导通，则D2两端电压为负截止，综上所述，D1导通、D2截止。(d)根据前面分析方法,可知D1、D3截止，D2、D4导通。2-5电路如题211图所示,稳压管的稳定电压UZ=8V，设输入信号为峰值15V三角波，试画出输出uo的波形。解：如图所示。三角波正半周时，当电压幅值小于稳压管的稳压值时,稳压管截止，当等于大于稳压值时，稳压管反向

6、击穿,输出电压为稳压管稳压值；三角波负半周时，稳压管正向导通，假设正向电阻为0，则输出电压为零。2-6如题2-12图所示,电路中两只稳压管完全相同，UZ=8V,试画出输出uo的波形。解：如图所示。三角波正半周时,当电压幅值小于稳压管的稳压值时,下面一只稳压管截止,当等于大于稳压值时，稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值；三角波负半周时，上面一只稳压管截止，当等于大于稳压值时,稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值. 27、28、29略210电路及二极管伏安特性如图所示，常温下UT26mV，电容C对交流信号可视为短路，ui为正弦波,有效值为10mV，问（1）二极管在输入电压为零时的电流和电压各

7、为多少?（2)二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：在分析这类电路时，应首先分析静态电流和电压，即静态工作点Q，然后求出在Q点下的动态电阻，再分析动态信号的作用.（1）利用图解法可以方便地求出二极管的Q点。在动态信号为零时，二极管导通,电阻R中电流与二极管电流相等。因此，二极管的端电压可写为，在二极管的伏安特性坐标系中作直线，与伏安特性曲线的交点就是Q点，如图所示。读出Q点的坐标值，即为二极管的直流电流和电压,约为（2)根据二极管动态电阻的定义,Q点小信号情况下的动态电阻为根据已知条件，二极管上的交流电压有效值为10mV,故流过的交流电流有效值为 第三章 晶体三极管及其应用电路3-1 试画

8、出用PNP、NPN型三极管组成的单管共射放大电路的原理图,标出电源电压的极性，静态工作电流IB、IC的实际方向及静态电压UBE、UCE的实际极性。解：用PNP型三极管组成的单管共射放大电路的原理图如题3-4图(a)所示。 其中静态工作电流IB、IC的实际方向如图中箭头所示，静态电压UBE0。7V、UCE-0。3V。用NPN型三极管组成的单管共射放大电路的原理图如题34图(b）所示。 其中静态工作电流IB、IC的实际方向如图中箭头所示，静态电压UBE>0.7V、UCE0.3V。32电路如图35所示。说明这些电路能否对交流电压信号进行线性放大，为什么？分析：解决此问题需要进行以下几个方面的判

9、断。1 判别三极管是否满足发射结正偏、集电结反偏的条件，具备合适的静态工作点。2 判断有无完善的直流通路。3 判断有无完善的交流通路.4 在前三个条件满足的条件下，最后根据电路给出的参数进行计算,根据计算结果判断三极管是否工作在放大区.但是如果电路没有给出电路参数，该步骤可以省略。默认电路参数取值合适。解：a不能。没有直流偏置,不能提供合适的静态工作点。b不能。电源VCC使发射结反偏，不能提供合适的静态工作点。c 不能。基极电压VBB使发射结满足正偏条件，但是集电结不是反偏，电路不具备合适的静态工作点。d不能。电容使集电极交流接地，从而使输出电压交流部分为零.e能.有合适的直流偏置电路，输入能

10、加到三极管上，输出也能够送到负载上。33 放大电路如题3-9图所示。已知VCC=3V，UB=0。7V,RC=3 k，RB=150 k，晶体管VT的输出特性曲线如题39图a所示。试求：1放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ;2若RL=,求输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值；3若RL=7k，输出最大不失真电压的幅值。解:1 放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。根据题39图所示电路列写直流负载线方程如下：分别令IC=0，UCE=0，代入直流负载线方程，得到负载线上两个坐标点,M（3，0），N（0，1），连接M、N得到直流负载线。根据直流通路，得基极静态工作电流为直流负载线MN

11、与iB=IB=15.3A的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点.Q点坐标为2 RL=时，输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。若RL=，交流负载线斜率与直流负载线斜率相同，为如题3-9图b所示。输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为 3若RL=7k，交流负载线斜率为输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为 36如题312图所示放大电路中，已知晶体管的=100，UBE=0。3V.1估算直流工作点ICQ和UCEQ.2若偏置电阻RB1、RB2分别开路,试分别估算集电极电位UC值，并说明各自的工作状态；3若RB1开路时,要求ICQ=2mA，试确定RB2应该取多大的

12、值.解：1直流工作点ICQ和UCEQ估算。2若偏置电阻RB1开路，管子的静态工作电流为此时三极管的发射结正偏、极点结反偏，管子处于放大状态。 若偏置电阻RB2开路, 此时管子处于截止状态. 3若RB1开路时,有37在电路如题313图中，已知VCC=6V，UBEQ=0。7V，RS=500，RC=4k,RB=300k，晶体管VT的hfe=50，rbb=300.（1）估算直流工作点ICQ.(2）画出放大电路的简化h参数等效电路。（3）估算放大电路的输入电阻和RL=时的电压增益AU.(4）若RL=4k时，求电压增益AU=uO/ui和AUS=uO/uS。解: 1估算直流工作点ICQ。2放大电路的简化h参

13、数等效电路如题313图a。3估算放大电路的输入电阻和RL=时的电压增益AU.4若RL=4 k时，电压增益AU和AUS的计算.3-8 在题3-15图所示放大电路中，已知晶体管的UBE=0。7V,=100,rbb'=100，Rs=200，各电容足够大。1画出直流通路；计算静态工作点。2画出交流通路及交流等效电路，计算ri、rO、AU、AUs。解：1 直流通路如题315图a；静态工作点计算如下。2交流通路及交流等效电路如题3-15图b、题3-15图c所示.。ri、AU、AUs、rO的计算如下。310如题3-16图所示电路，已知Rs=50，RB1=33K，RB2=10K，RC=1K，RL=1K

14、,晶体管的hie=1。2 K，=50.1画出交流通路及简化h参数等效电路.2计算ri、AU、AUs、rO。解：1交流通路及简化h参数等效电路如题3-16图a、题3-16图b。2ri、AU、AUs、rO计算如下。313已知共基放大电路如题3-21图所示.已知晶体管VT的hfe=50,rbb=50，UBEQ=0。7V,电路中的电容对交流可视为短路。1求静态工作点.2画出h参数等效电路；求中频电压增益U，输入电阻和输出电阻。分析:题321图电路为CB组态放大电路.在进行低频小信号分析时,可以使用CB组态的h参数模型，也可以使用比较熟悉的CE组态的h参数模型.解：方法一： 1 直流电路如题321图a所示。2利用CB组态的h参数模型进行交流特性分析。交流等效电路如题321图b所示。方法二: 1 静态工作点的计算方法同方法