芯片测试规范

1、芯片测试规范测试规范1 .适用范围1.1 本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，以验证和确认新物料是否适合批量生 产；.2 .目的2.1 使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。3 .可靠性测试3.1 :如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次）3.2 :如果替代料是DDR的话，我们也需要验证 DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次）PS : 1.拷贝次数=（FLASH 可用容量 *1024M/500M） -12 .DDR验证只需要验证运行稳定性，

2、所以一般做3-5个循环就OK 了, FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上；3 .考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响， 故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。7 .常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H ,安卓我们一般运行 MP4-1080P 持续老化12H ,老化后需要评估休眠唤醒是否正常；8 .高低温老化：环境（60度，-10度）基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高 低温老化，我们PND 一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行 MP4各持续老化12H。从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏

3、感。9 .自动重启测试：一般做50次/PCS,需要每次启动系统都能正常启动；- 一般是前面恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到；10 .复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是否存在掉程序的现象，一般做 20次/PCS,要求系统能够正常启动。1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用 X-RAY评估，LGA封装的话 就需要SMT制程工艺规避空洞率；2 .功能测试；3 .休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好 3-5次/PCS, 休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大；4 .容量检查，容量标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；-大货时

4、这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选；5 .恢复出厂设置：我们一般做 50次/PCS,运行正常的话界面会显示 50次 测试完成，如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源；6 .FLASH压力测试：这部分需要分开来说明4 .测试环境温度：25±2C湿度：60%70%;大气压强：86kPa 106kPa。5 .测试工具可调电源（最好能显示对应输出电流）可调电子负载示波器万用表6 .测试参数表1电源芯片测试参数待测参数必测项选测项测试方法简要说明输入电压范围V1）调节电子负载，保证电源芯片满载工作；2）调节可调电源输出为下限值VIN_MIN，记录此时对应输出电压，记为V13）

5、调节可调电源输出为下限值VIN_MAX，记录此时输出电压，记为 V24）电源芯片额定输出为V05）分别计算|V1-V0|/V0180 % ,|V2-V0|/V0180%,判断此时的输出是否满足精度要求输出精度V记录电源芯片所有可.能的输出电压最大值、最小值，进行计算纹波及噪声V如图2所示，测试时，在输入端磁片电容两侧焊 接两“牛角”引线，示波器探头去掉负端夹子， 将示波器探针和负端金属环直接贴在磁片电容 的两“牛角”上。开关频率V测试纹波的同时，记录相应的纹波频率， 即为开 关频率电压调整率V1）设置可调电子负载，使电源满载输出；2）调节电源芯片输入端可调电源的电压，使输入电压为下限值，记录对

6、应的输出电压U1;3）增大输入电压到额定值，记录对应的输出电压U0;4）调节输入电压为上限值，记录对应的输出电压U2;5按卜式计算：电压调整率=（U- U0）/U0 X100%式中：U为U1和U2中相对U0变化较大的值；负载调整率V1）输入电压为额定值，输出电流取最小值，记 求取小负载里的输出电压 U1 ;2）调节负载为 50%满载，记录对应的输出电压 U0;3）调节负载为满载，记录对应的输出电压U2;4）负载调整率按以下公式计算：调整率=（U- U0）/U0 X100%式中：U为U1和U2中相对U0变化较大的值；电源效率V电源效率随负载大小变化，如图3所示。25 C、80%负载情况下电源效率

7、测试方法如下：1）调节电子负载，保证输出电流为80%满载情况；此时对应的输出电压记为 U0,电流记为I0；2）调节输入端可调电源，保证给电源芯片提供 额定输入电压 U1,并记录此时可调电源的输 出电流，记为I1;3）电源效率按以下公式计算：电源效率=（U0XI0）/（U1 K） 100%输出取大功率V该参数与环境温度有美，如图 4所示。该测试可借助高温环境实验进行空载对应芯片功耗V电源输出端为空载时， 记录此时对应PJ调电源对 应的电压、对应电流，分别记为U、I,则：空载功耗=UX I;隔高电压V只针对隔离DC/DC隔高电阻V只针对隔离DC/DC芯片最大温升（结温）V如果手册给出芯片结-壳之间

8、热阻系数。JC:1）将温度传感器或点温计贴于待测电源芯片壳 体表面；2）调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为 P0;3）待电源芯片工作稳定后，读出对应芯片壳体表面温度，记为T0;4）则芯片结温=T0+ P0刈JC;如果手册给出的是芯片结-环境之间的热阻系数0 JA:1）调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为 P0；2）记录测试现场对应环境温度，记为T0;3）则芯片结温=T0+ P0应JA比较计算所得芯片结温（T1）与该电源芯片所允许最大结温（T2）,设公司要求的此类电源温度 降额为T3,贝U验证T2-T1>T3?工作环境温度V借助高、低温实验进行，观察在高温、低温环境 下，电源对应的输出是否满足相应精度要求存储环境温度V借助环境实验进行， 在进行存储之后，电源对应 的输出是否满足相应精度要求示波器图2电源纹