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文档简介

1、附题1：考虑如图所示的n型半导体。在-L<x<L范围内，光照产生了恒定的过剩载流子产生率gp。假设少子的寿命无限，而且在x=-3L和x=3L处，过剩少子空穴的浓度为零。试求在小注入和无外加电场的情况下，稳态过剩少子浓度随x变化的函数。解：在-L<x<L区域，连续性方程为，通解为在-3L<x<-L和L<x<3L区域，连续性方程为，通解为由于-3L<x<-L和L<x<3L两个区域不连续，须要分别处理，所以，令-3L<x<-L， L<x<3L， 边界条件1：浓度在边界处连续且在边缘处（-3L和3L）浓度为

2、零边界条件2：浓度的梯度在边界处连续边界条件1和2得到，所以附加题2 光在t=0时入射到半导体样品，并在t>0时在整个半导体中均匀地产生过剩载流子，产生率为，n型硅在T300K时，有，Na0，令，并且，试确定t0时电导率的时间函数。附加题3 T=300K时，均匀的砷化镓半导体的掺杂浓度为。t=0时打开光源，均匀产生率为，无外加电场。(a) 推导过剩载流子浓度和复合率随时间变化的函数。(b) 稳态过剩载流子的最大浓度为，计算少子寿命的最大值，(c) 分别确定什么时候过剩少子的浓度处于以下状态： 稳态值的四分之三， 稳态值的一半， 稳态值的四分之一。附加题4 T=300K时，硅半导体的掺杂浓

3、度为，Na0平衡状态下的复合率为过剩载流子的浓度为，(a) 总复合率的增加速率是多少？(b) 过剩载流子的寿命是多少？附加题5 半导体材料掺入了浓度为的施主原子，t=0时打开光源，均匀产生率为，在时停止照射，令。在的范围内，确定过剩载流子浓度随时间变化的函数，并绘出图形。附加题6 T300K时，p型硅半导体的掺杂浓度为，无外加电场，如图5.14所示，光照射在半导体的一端x0时，过剩载流子的浓度为，其他参数为（忽略表面效应）： （a）推导稳态过剩电子和空穴浓度随距离变化的函数。（b）推导电子扩散电流密度随x变化的函数。附加题7掺杂浓度为的n型硅样品，在稳定光照下的产生率为。若，试计算电子和空穴相对于本征费米能级（假设）的准费米能级的位置，并画出能带图。附加题8 考虑如图5.25所示的n型半导体，其掺杂浓度为，过剩载流子的产生率为。假设且，无外加电场。（a）当x0处的表面复合速度为以下情况时，试计算稳态过剩少子浓度随x变化的函数；(a)（i）s0，（ii）s2000cm/s，（iii）。（b）当x0处的表面复合速度为以下情况时，试计算稳态过剩少子浓度：（i）s0；（ii）s2000cm/s，（iii）。附加题9 某p型半导体如图5.28所示，表面复合速度如图所示。半导体在W<x

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