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文档简介
1、Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主
2、; Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 &
3、#160; Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device
4、60; 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region
5、160; 有源(放大)区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件
6、60; Aluminum(Aluminium) 铝 Aluminum oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的
7、 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom
8、; 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anod
9、e 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger
10、; 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩
11、 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward &
12、#160; 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond
13、0; 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙
14、Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 &
15、#160; Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching &
16、#160; 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Base
17、-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 &
18、#160; Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的
19、 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带
20、0; Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 &
21、#160; Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点
22、160; Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃
23、 Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 Break down
24、0; 击穿 Break over 转折 Brillouin 布里渊
25、60; Brillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 &
26、#160; Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 Bulk generation 体产生
27、; Bulk recombination 体复合 Burn - in 老化 Burn out
28、160; 烧毁 Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区
29、160; Can 外壳 Capacitance &
30、#160; 电容 Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 Carrie
31、r 载流子、载波 Carry bit 进位位 Carry-in bit 进位输入
32、160; Carry-out bit 进位输出 Cascade 级联 Case
33、60; 管壳 Cathode 阴极 Center 中心
34、60; Ceramic 陶瓷(的) Channel 沟道 Channel breakdown 沟道击穿
35、60; Channel current 沟道电流 Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 Channel width 沟道宽度
36、60; Characteristic impedance 特征阻抗 Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 Charge conservation 电荷守恒
37、160; Charge neutrality condition 电中性条件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光
38、 Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 Cl
39、amping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 Clock rate 时钟频率 Clock genera
40、tor 时钟发生器 Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 Close-loop gain 闭环增益
41、60; Collector 集电极 Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 Commo
42、n-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入
43、; Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 Compensated i
44、mpurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体 Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) 互补金属氧化物半导体场效应晶体管 Complementary err
45、or function 余误差函数 Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制 造 Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 Conduction band (edge)
46、0; 导带(底) Conduction level/state 导带态 Conductor 导体 Conductivity
47、; 电导率 Configuration 组态 Conlomb 库仑 Conpled Configuratio
48、n Devices 结构组态 Constants 物理常数 Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 Contact
49、 接触 Contamination 治污 Continuity equation 连续性方程
50、160; Contact hole 接触孔 Contact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 Contra doping
51、; 反掺杂 Controlled 受控的 Converter 转换器
52、160; Conveyer 传输器 Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 Covalent
53、 共阶的 Crossover 跨交 Critical 临界的
54、 Crossunder 穿交 Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶 格
55、60; Current density 电流密度 Curvature 曲率 Cut off
56、60; 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 Custom
57、 integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 Czochralshicrystal 直立单晶 Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J) Dangling bonds
58、; 悬挂键 Dark current 暗电流 Dead time 空载时间 Debye leng
59、th 德拜长度 De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 Decibel (dB)
60、; 分贝 Decode 译码 Deep acceptor level 深受主能级
61、160; Deep donor level 深施主能级 Deep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 Defeat
62、60; 缺陷 Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 Degradation 退化
63、; Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 Delay 延迟 Density
64、; 密度 Density of states 态密度 Depletion 耗尽
65、60; Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 Depletion de
66、pth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 Depletion layer 耗尽层 Depletion
67、 MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 Deposition process 淀积工艺
68、60; Design rules 设计规则 Die 芯片(复数dice) Diode
69、 二极管 Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 Difference-mode input 差模输入
70、 Differential amplifier 差分放大器 Differential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 Diffusion
71、; 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity
72、; 扩散率 Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 Digital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极
73、畴 Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体
74、 Direct transition 直接跃迁 Discharge 放电
75、0; Discrete component 分立元件 Dissipation 耗散 Distribution
76、; 分布 Distributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 Displacement 位移
77、 Dislocation 位错 Domain 畴
78、 Donor 施主 Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant
79、0; 掺杂剂 Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. Drift
80、0; 漂移 Drift field 漂移电场 Drift mobility
81、; 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose
82、160; 剂量 Duty cycle 工作周期 Dual-in-line package (DIP) 双列直插式封装 Dynamics 动态
83、160; Dynamic characteristics 动态属性 Dynamic impedance 动态阻抗 Early effect
84、160; 厄利效应 Early failure 早期失效 Effective mass 有效质量 Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系 Electric Erase Programmable
85、Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器 Electrode 电极 Electrominggratim 电迁移 Electron affinity 电子亲和势
86、 Electronic -grade 电子能 Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光 Electron gas 电子气 Electron-grade water 电子级纯水
87、 Electron trapping center 电子俘获中心 Electron Volt (eV) 电子伏 Electrostatic 静电的 Element
88、60; 元素/元件/配件 Elemental semiconductor 元素半导体 Ellipse 椭圆 Ellipsoid 椭球
89、 Emitter 发射极 Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对 Emitter follower 射随器
90、 Empty band 空带 Emitter crowding effect 发射极集边(拥挤)效应 Endurance test =life test 寿命测试 Energy state
91、160; 能态 Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图 Enhancement mode 增强型模式 Enhancement MOS 增强性MOS Entefic (低)共溶的 Environmental test
92、60; 环境测试 Epitaxial 外延的 Epitaxial layer 外延层 Epitaxial slice
93、160; 外延片 Expitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效电路 Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子 &
94、#160; Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取(编程)存储器 Error function complement 余误差函数 Etch 刻蚀 &
95、#160; Etchant 刻蚀剂 Etching mask 抗蚀剂掩模 Excess carrier 过剩
96、载流子 Excitation energy 激发能 Excited state 激发态 Exciton 激子
97、 Extrapolation 外推法 Extrinsic 非本征的 Extrinsic semi
98、conductor 杂质半导体 Face - centered 面心立方 Fall time 下降时间 Fan-in
99、160; 扇入 Fan-out 扇出 Fast recovery 快恢复
100、 Fast surface states 快界面态 Feedback 反馈 Fermi level 费米能级
101、 Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布 Femi potential 费米势 Fick equation 菲克方程(扩散) Field effect transistor 场效应晶体管 Field oxide &
102、#160; 场氧化层 Filled band 满带 Film 薄膜
103、60; Flash memory 闪烁存储器 Flat band 平带 Flat pack
104、60; 扁平封装 Flicker noise 闪烁(变)噪声 Flip-flop toggle 触发器翻转 Floating gate 浮栅
105、160; Fluoride etch 氟化氢刻蚀 Forbidden band 禁带 Forward bias 正向偏置
106、 Forward blocking /conducting正向阻断/导通 Frequency deviation noise频率漂移噪声 Frequency response 频率响应 Function 函数 Gai
107、n 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾 Gamy ray r 射线
108、60; Gate 门、栅、控制极 Gate oxide 栅氧化层 Gauss(ian
109、) 高斯 Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合 Geometries 几何尺寸 &
110、#160; Germanium(Ge) 锗 Graded 缓变的 Graded (gradual) channel 缓变沟道 Graded junction
111、 缓变结 Grain 晶粒 Gradient 梯度
112、; Grown junction 生长结 Guard ring 保护环 Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型
113、; Gunn - effect 狄氏效应 Hardened device 辐射加固器件 Heat of formation 形成热&
114、#160; Heat sink 散热器、热沉 Heavy/light hole band 重/轻 空穴带 Heavy saturation 重掺杂 Hell
115、 - effect 霍尔效应 Heterojunction 异质结 Heterojunction structure 异质结结构 Heterojunction Bipolar Transistor(HBT
116、)异质结双极型晶体 High field property 高场特性 High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 归一化 Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器 Hot carrior
117、60; 热载流子 Hybrid integration 混合集成 Image - force 镜象力 Impact ionization 碰撞电离 Impedance&
118、#160; 阻抗 Imperfect structure 不完整结构 Implantation dose 注入剂量 Implanted ion&
119、#160; 注入离子 Impurity 杂质 Impurity scattering 杂志散射
120、Incremental resistance 电阻增量(微分电阻)In-contact mask 接触式掩模 Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物 Induced channel 感应沟道 Infrared &
121、#160; 红外的 Injection 注入 Input offset voltage 输入失调电压 Insulator
122、 绝缘体 Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET Integrated injection logic集成注入逻辑 Integration 集成、积分 Interconnection
123、0; 互连 Interconnection time delay 互连延时 Interdigitated structure 交互式结构 Interface
124、0; 界面 Interference 干涉 International system of unions国际单位制 Internally scattering 谷间散射 Interpolation
125、0; 内插法 Intrinsic 本征的 Intrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation
126、0; 反向工作 Inversion 反型 Inverter 倒相器 Ion
127、; 离子 Ion beam 离子束 Ion etching &
128、#160; 离子刻蚀 Ion implantation 离子注入 Ionization 电离
129、160; Ionization energy 电离能 Irradiation 辐照 Isolation land 隔离岛
130、 Isotropic 各向同性 Junction FET(JFET) 结型场效应管 Junction isolation 结隔离 Junction spacing
131、60; 结间距 Junction side-wall 结侧壁 Latch up 闭锁 Lateral
132、0; 横向的 Lattice 晶格 Layout
133、 版图 Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟 /晶格缺陷/晶格畸变 Leakage current (泄)漏电流 Level shifting 电平移动
134、60; Life time 寿命 linearity 线性度 Linked bond
135、 共价键 Liquid Nitrogen 液氮 Liquidphase epitaxial growth technique 液相外延生长技术 Lithography &
136、#160; 光刻 Light Emitting Diode(LED) 发光二极管 Load line or Variable 负载线 Locating and Wiring 布局布线 Longitudinal
137、0; 纵向的 Logic swing 逻辑摆幅 Lorentz 洛沦兹 &
138、#160; Lumped model 集总模型 Majority carrier 多数载流子 Mask 掩膜板,光刻板 Mask level
139、160; 掩模序号 Mask set 掩模组 Mass - action law质量守恒定律 Master-slave D flip-flop主从D触发器 Matching
140、0; 匹配 Maxwell 麦克斯韦 Mean free path 平均自由程 Meandered emit
141、ter junction梳状发射极结 Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间 Megeto - resistance 磁阻 Mesa 台面 MESFET-
142、Metal Semiconductor金属半导体FET Metallization 金属化 Microelectronic technique 微电子技术 Microelectronics 微电子学
143、60; Millen indices 密勒指数 Minority carrier 少数载流子 Misfit 失配 Mismatching 失配 &
144、#160; Mobile ions 可动离子 Mobility 迁移率 Module
145、 模块 Modulate 调制 Molecular crystal分子晶体 Monolithic IC 单片
146、IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管 Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管 Multiplication 倍增 Modulator 调制
147、; Multi-chip IC 多芯片IC Multi-chip module(MCM) 多芯片模块 Multiplication coefficient倍增因子 Naked chip 未封装的芯片(裸片) Negative feedback 负反馈 &
148、#160; Negative resistance 负阻 Nesting 套刻 Negative-temperature-coefficient 负温度系数 Noise margin
149、; 噪声容限 Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非挥发(易失)性 Normally off/on 常闭/开
150、; Numerical analysis 数值分析 Occupied band 满带 Officienay 功率 Offset
151、60; 偏移、失调 On standby 待命状态 Ohmic contact 欧姆接触 Open circuit 开路
152、 Operating point 工作点 Operating bias 工作偏置 Operational amplifier (OPAMP)运算放大器 Optical photon =photon 光子 &
153、#160; Optical quenching光猝灭 Optical transition 光跃迁 Optical-coupled isolator光耦合隔离器 Organic semiconductor有机半导体 Orientation &
154、#160; 晶向、定向 Outline 外形 Out-of-contact mask非接触式掩模 Output characteristic 输出特性
155、60; Output voltage swing 输出电压摆幅 Overcompensation 过补偿 Over-current protection 过流保护 Over shoot 过冲 &
156、#160; Over-voltage protection 过压保护 Overlap 交迭 Overload
157、 过载 Oscillator 振荡器 Oxide 氧化物
158、160; Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化层钝化 Package 封装
159、160; Pad 压焊点 Parameter 参数
160、; Parasitic effect 寄生效应 Parasitic oscillation 寄生振荡 Passination 钝化 Passive component
161、无源元件 Passive device 无源器件 Passive surface 钝化界面 Parasitic transistor 寄生晶体管 P
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