硬件培训高速电路

1、咼速电路传输硬件培训4 郑超由于高速电路有很多参考资料，本文并不侧重全面讲述原理、各种匹配和计算方法，而是侧重评析一些高速电路的优缺点，并对常用电路进行推荐使用。高速信号简介:常见的高速信号有几种：ECL电平、LVDS电平、CML电平其中ECL电平根据供电的不同还分为：ECL 负电源供电一般为一5.2vPECL正5V供电LVPECL 正3v3供电，还有一种 2.5V供电一般情况下，常见的高速信号都是差分信号，因为差分信号的抗干扰能力比拟强，并且自身产生的干扰比拟小，能够传输比拟高的速率。几种常见的高速信号:1、PECL电平从开展的历史来说，ECL信号最开始是采用一5.2V供电的为何采用负电源供

2、电 下面会详细说明，但是负电源供电始终存在不便，后来随着工艺水平的提升，逐渐被 PECL电平5V供电所替代，后来随着主流芯片的低电源供电逐渐普及，LVPECL也就顺理成章地替代了 PECL电平。OUT-f£fl-cVCL<«our-卩ECL "1'erminationPECL output structurePECL 信号的输出门特点：A、 输出门阻抗很小，一般只有45欧姆左右：a、输出的驱动能力很强；直流电流能到达 14mA ；b、 同时由于输出门阻抗很小，与PCB板上的特征阻抗 Z0 一般差分100欧姆，相差 甚远当终端不是完全匹配的时候，信号传

3、到终端后必然有一定的反射波，而反射波 传会到源端后，也不能在源端被完全匹配，这样必然发送二次反射。正因为存在这样的二次反射，导致了 PECL信号不能传输特别高的信号。一般155M、622M的信号还都在使用 PECL/LVPECL 信号，到了 2.5G 以上的信号就不用这种信号了。c、B、 PECL信号的回流是依靠高电平平面即VCC回流的，而不是低电平平面回流。 所以， 为了尽可能的防止信号被干扰，要求电源平面干扰比拟小。也就是说，如果电源平面干 扰很大，很可能会干扰 PECL 信号的信号质量。a、这就是 ECL 信号出现之初为何选用负电源供电的根本原因。一般情况下，我们认为 GND 平面是比拟

4、干净的平面。 因为我们可以通过良好的接地来实现 GND 的平整 即干扰很小 。b、 从这个角度来说，PECL信号和LVPECL信号都是容易受到电源VCC干扰的， 所以必须注意保证电源平面的噪声不能太大。C、对于输出门来说， P/N 二个管脚不管输出是高还是低，输出的电流总和是一定的即恒流输出。恒流输出的特性应该说是所有的差分高速信号的共同特点LVDS/CML 电平也是如此。这样的输出对电源的干扰很小，因为不存在电流的忽大忽小的变化，这样 对电源的干扰自然就比拟小。而普通的数字电路，如 TTL/CMOS 电路，很大的一个弊 病就是干扰比拟大，这个干扰大的根源之一就是对电源电流的需求忽大忽小，从而

5、导致 供电平面的凹陷。D、PECL的直流电流能到达 14mA，而交流电流的幅度大约为 8mA 800mV/100ohm，也 就是说 PECL 的输出门无论是输出高电平还是低电平，都有直流电流流过，换一句话说PECL 的输出门三极管始终工作在放大区，没有进入饱和区和截至区，这样门的切 换速度就可以做得比拟快，也就是输出的频率能到达比拟高的原因之一。下面是 PECL 电平的输入门结构：其中分为二种： 一种是有输入直流偏置的， 一种是没有输入直流偏置， 需要外接直流偏 置的。一般情况下， ECL/PECL/LVPECL 信号的匹配电阻差分 100欧姆都是需要外加的， 芯片内部不集成这个电阻。大家可以

6、看到， VCC-1.3V 为输入门的中间电平 即输入信号的共模电压 ，对于 LVPECL 来说大约为2V，对于PECL来说为3.7V。也就是说， 我们要判断一个 PECL/LVPECL 电平输入能否被正常接收， 不仅要看交流幅 度能否满足输入管脚灵敏度的要求，而且要判断直流幅度是否在正常范围之内即在VCC-1.3V 左右，不能偏得太大，否那么输入门将不能正常接收 。在这一点上与 LVDS 有很 大的差异，务必引起注意。IN+IN-VCCI3Vklibi Without on-chip binsinu(ii) With on-chip high-inipcdLincc bkidiig1 2 PE

7、CL input structure2、CML电平CML电平是一种比拟简洁的电平， 它内置匹配电阻输入输出都有50欧姆的电阻, 这样用户使用的是否特别简单，不需要象ECL电平一样加一堆的偏置电阻和匹配电阻。CML电平的输出门和输入门：A、由于输出门也有50欧姆的匹配电阻，使得二次反射信号也能被这个电阻匹配掉，这样就防止了屡次反射导致的信号劣化振铃现象。在这一点，与 ECL电平相比有很大的改良，所以 CML电平所能支持的速率比拟高，一般情况下，2.5G/10G这样的高速信号都是采用 CML电平来传输，不再采用 LVPECL 信号。从光口的抖动指标来看，CML电平具有抖动指标小的特性。比照3种电平

8、抖动方面的性能：CML最优、ECL次之、LVDS比拟差。这就是一般情况下LVDS信号很少做为光接口驱动信号的原因之一当然，输出信号幅度比拟小、电流驱动 能力比拟弱应该也是原因之一吧。B、同样的，CML电平也是采用恒流驱动方式。C、CML电平的输出AC摆幅能到达800mVD、一般情况下，CML电平可以是直流耦合方式对接，也可以是交流耦合方式对接。E、Figure 3. CML output structurefigure 5 CML input circuit configurationOLT +(a) DC-Coupkil with 50Q to VCCOUT+A3、LVDS电平LVDS电平与

9、PECL和CML电平来说有几个比拟显著的特点：A、LVDS电平的驱动电流很小才 4mA，所以功耗特别小，输出摆幅为400mV。当系统种有很多这种信号的时候如TDCS6440G芯片有64对的622M 的LVDS收发),它的功耗优势就能表达出来。在我们设计系统的过程中，芯片的功耗和系统的散热一直是重点考虑的问题。B、 LVDS电平可以做成支持热插拔，从而支持做为背板驱动，而PECL/LVPECL 和CML电平一般情况下不支持热插拔，不能用在背板驱动。从电路的结构上我们也可以看到LVDS的输出门结合了 PECL电平和CML电平的特点，并且 通过串阻的限流，可以限制浪涌电流的产生，防止门的损坏，CML

10、电平也能做成支持热插拔，但是普通的 CML电平不一定能支持热插拔。C、LVDS的输入门与其他输入门有一个显著的特点，前面有一个类似于直流电平 漂移适配电路(ADAPTIVE LEVEL SHIFTER )，这个电路能够适应直流电 平(common-mode voltage )的变化的，使得输入直流电平变化范围可以很宽(0.2V2.2V )。也正因为这样，LVDS比其他信号有更强的共模抗干扰能力。因为LVDS的差分线一般情况下离得比拟近，一旦有干扰，P、N二个信号会同时受到干扰，这样导致 P/N同时上升或者下降， 而LVDS通过这个均衡电路 就能很好地适应这种干扰，从而提高共模抗干扰能力。这一点

11、与 PECL电平有显著的差异，PECL信号是要求直流电平在VCC-1.3V左右，偏差不能太大，否那么就不能正常接收。D、另外，LVDS输入门内部集成了 100欧姆的匹配电路，所以芯片外部就不需要加匹配电阻了，大大简化了设计的难度。如果在BGA下需要加一堆的匹配电阻的话，其设计难度确实不是一般的大。E、 另外，LVDS还能容忍收发器之间的 GND电平差到达+ 1V左右。这个特性 使得LVDS在用于二个不同系统之间的互连的时候就显得特别方便，它可以不 要求二个系统的 GND平面完全等电势。例如，主框与从框之间可以通过 LVDS 信号互连起来。& 6. jL X/DS Qut/DutOUT

12、kOUT»Figitre 1. LI/DS input 蛮恥协出三、高速信号的回流和匹配:1、信号回流:如上图，A、B是一个高速信号的差分对，A对应的回流为 C; B对应的回流为 D。A和B的电流大小相等，方向想法，同理C和D也是如此。当差分信号 A/B之间的距离足够近的情况下，C/D也是足够的近，那么由于 C、D大小相等，方向相反，所以流 过回流平面的电流为 0,也就是说，A和B的回流不依赖于回流平面，而是差分线之间 实现回流。当然前提条件是 C/D足够近，当然，在实际的应用中，只能实现大局部的电 流在差分线之间回流，还是有一局部的回流是经过回流平面的，所以回流平面还是要保 证完整

13、，否那么容易出问题。说到这里，我们顺便讲一下强耦合和弱耦合的说法，如果差分线之间的距离很近， 回流根本上是经过差分线之间，而很少通过回流平面，那么称之为强耦合；否那么称之为 弱耦合。可以说强耦合对回流平面依赖比拟低，而弱耦合对回流平面依赖比拟高。那么是不是设计的时候把差分线设计成越近越好呢，也不完全是这样，因为在实际的PCB设计过程中，为了确保差分线的等长，经常需要把其中的一根线拐弯打折，这样，对于强耦合来说，阻抗变化的影响就比拟大，而对于弱耦合来说， 阻抗变化就比拟小，此时弱耦合就比拟有优势了。讲到差分线，肯定会有等长的要求，那么一个差分线之间的等长应该控制到什么程 度就比拟合理呢，做完全等

14、长做不到，也不必要。其实一个差分线的不等长，就等效于 P、N信号存在相位差，其结果就是上升沿和下降沿变缓或者出现台阶，导致稳定局部 减少，也就是说，应该根据信号的速率综合考虑才对，信号速率越高，等长要求就越严 格。同时要注意的是，差分线二根线之间不等长的累加问题，如一个差分信号从一个单 板到另一个单板的情况下，存在本板内部、背板、另一个单板内部，都可能存在不等长， 所以板际的信号更应该严格控制等长。2、高速信号的匹配和对接的根本需求：不同电平之间的匹配和对接有很多种方式，不同的资料有不同的提法， 这些提种方式比拟好。对于高速信号的匹配和对接方面，从电气方面来考虑的话，主要考虑：AC信号的摆幅和

15、回路和DC电平的幅度和回路二个方面。如果从实际设计的方便和合理的角度来考虑的话，要把握几个根本原那么： 容易布板；功耗最小，匹配方式最简单阻容个数最少。一般情况下，如果是同一种电平信号的对接，根本上都是采用直流耦合方式对接就可以了。女口 PECL&PECL ； LVPECL&LVPECL ； LVDS&LVDS ； CML&CML 。 因为他们自己的输出和输入的 AC和DC肯定是匹配得上的。但是对于不同信号电平之间的对接来说，AC的幅度和DC的幅度不一定能够完全对应得上，所以必须考虑好 AC和DC的幅度。在这种情况下，采用交流耦合 的方式比拟常见，当然也可以直流

16、耦合一般情况下要用电阻分压等方式来实现 AC和DC的幅度相匹配RS-«2PECLLVDS±2-5V±400-1 OCOntV= 25Q-450mV120030071 V>4QQMbp5RS-122FELLLVDS创怕A盟书品讷山血.J.CiflA4,53.0 n&30 nsfMflK.)T.Q5.0 nsjMBt)电衢砲卡画第圭虫離无池肿态ttJIQ mA(MaxJ5阴400ps3、高速信号匹配和对接举例：a、LVPECL&LVPECL PECL 同理方式一：图 3-3 1图3 3 1的匹配方式是 PECL电路的根本匹配模型，其中：2个50欧

17、姆的作用,既是交流匹配的电阻， 所以应该在离输入端很近的地方；还是充当直流回路的偏置电阻。由于是同一种电平对接，AC摆幅和DC电平当然没有问题符合下表，Table !. PE CL Input and Output SpecificationsPARAMETERcoNornoNsMl>rv pMAXI NI ISOutput HighVdllagi；Ta = 0°C to T 85°CV(x" 1(J25Vpc * 0.88VTa二-40°CVcc-1.0K5VOutput l_owVoltageTA-O°C to+85°CVc

18、c- 1.!Vg - L62VTa-叽I.S3VK - 1 55VInput High Voltaic.I 6ViX- OrKSVInput I.ou VoltageVcc- 1.81Ver - L4KV优缺点：只有二个匹配电阻，电阻个数最少，但是二个电阻都必须靠输入端比拟近的地方放 置，PCB布板可能有点困难。最大的缺点就是需要VCC-2V的电源，如果这种电路的路数很多，为此提供VCC-2V还是可以的，如果路数不多，那么就不值得了。经过演化变化成图3 3-2方式图 3 3 2图 3 3 2 是从图 3 3 1 演化而来，R仁 130/R2=82 (3v3); R仁 82/R2=130 (5v

19、 )。 其中R1/R2既充当交流匹配电阻(50欧姆)，也充当直流偏置电阻。缺点是：4个电阻都必须放在离输入端很近的地方，对PCB布板造成困难。匹配电阻功耗比拟大，如果路数很多的话， 对单板的功耗来说是一个比拟大的问题(静态电阻很小)。所以，在实际的布板过程中，我们并不提倡使用这种电路Z0LVPECLR1R2图 3- 3-3图3 3 3是一种资料上很少提，但是却很有用的电路方式，其中R1=140200欧姆3v3，R1=270330 欧姆5V，R2=100 欧姆。R1为输出门提供偏置电流，R2为交流信号提供匹配。 输入门的直流电平直接利用输出门的直流电平，并不需要外来的上下拉电阻来提供。这种电路的

20、优点：电阻个数很少，只有 3个。只有R2 一个电阻必须放在离输入门比拟近的地方，R1放置的地方可以比拟随便，只要不引入过长的线头过长的线头会导致反射就可以了。PCB布板比较容易处理。这种电路的功耗比图 3 3 2小得多。这种电路是一个优选电路。b、 LVPECL&PECL对于LVPECL和PECL来说，虽然 AC的摆幅相同800mV ，但是直流电平 不一样，所以无法之间用DC耦合对接起来。在这种情况下，我们可以考虑用AC耦合方式来处理。方式一图 3 3 4其中:R1=140200欧姆 属于直流偏置电阻C1为耦合电容，可以放在线上的任何一个地方，不一定在源端，也不一 定要在末端。R2=1

21、00欧姆属于交流匹配电阻，一定要放在末端。R3、R4为K级别的电阻，必须满足 R4/R3+R4=VCC-1.3V/VCC 的比值 就可以了。R3/R4是为输入端提供直流电平，所以对PCB上的位置没有特殊要 求，只需要不引入长线头就可以了。优点：对于交流耦合来说，器阻容器件的个数算是比拟少的了；只对一个 电阻的位置R2有要求，其他的没有要求；功耗也比拟小。这种电路还带来另外一个优点，那就是当LVPECL输出没有交流信号的时 候，那么输入端却可以依靠100欧姆的电阻，使得 P/N维持一个电压差，从而保证输入端的稳定恒为“ 0或者“1。大家可以联想到芯片LOS信号的检测机制一一看输入的信号是否为长“

22、0或者长“1。为芯片的正确检测 LOS提供了保证。而图 335的匹配方式是无法解决这个问题的。属于优选电路类型。这种方式可以推广到LVPECL&LVDS ; LVDS&LVPECL等电平的对接。方式R2R3工 )rOll. PECL电跑创交流耦合图 3 3 5图3 3 5电路是很多资料推荐使用的，从原理上分析没有错， 但是从实用的角度来说并不是最正确方案。电路a种的R2/R3既做为交流匹配电阻， 又做为输入直流电平，由于R2/R3共4个电阻必须放在输入引脚附近，所以可能导致PCB布板困难。同时功耗也比较大。电路b应该说有比a比拟大的改良，虽然从电阻的个数上来说还多了一 个，但是

23、PCB布板容易，并且功耗比拟小。其R2/R3阻值可以是K级别的。此方案不提倡使用。图 3 3 6图3 3 6从原理上来说也没有错， 但是R2/C1/R3/R4等7个阻容必须放输入 端很近，把它当作一个点才行。所以对于PCB布板来说肯定还不如方式二方便，更不要说方式一了。此方案不推荐使用。C、LVPECL&LVDS对于LVPECL输出，LVDS输入的信号来说，LVPECL的直流输出电平为 2V 左右，而LVDS的直流输入可以为 0.2V2.2V，所以直流电平本身不是关键。对于 交流电平来说LVPECL输出最大为800mV ,甚至超过1V,而LVDS的输入交流电 平一般不能承受800mV的

24、输入具体还得看芯片资料的说明，一般是认为最大在 400mV左右。所以如何把交流幅度调整到LVDS能够接受的范围才是关键。(b) LVPECL LVDS interfiiwX-LAKft IJRWEKWHI5叫"WV-dffcli图 3 3 7以上是LVPECL到LVDS的DC和AC二种耦合的示意图。 具体的电阻值请参考其他资料，自行计算。d、LVPECL&CML对于LVPECL输出CML输入的信号来说，LVPECL的输出交流摆幅比拟大, 可能会超过CML电平的最大输入摆幅，所以一般情况下应该加衰减。同时也要关 注直流电平。同样，有AC耦合和DC耦合二种。图 3-3 8一般情况

25、下，二种不同直流电平的信号 即输出信号的直流电平与输入需求的 直流电平相差比拟大，我们比拟提倡使用AC耦合，这样输出的直流电平与输入 的直流电平独立。e、CML&LVPECL对于CML输出，LVPECL输入来说，由于直流电平相差很大，所以一般采用交流耦合方式。而CML输出的交流幅度一般不会大于LVPECL接收的交流幅度，所以交流方面只需要考虑匹配就可以了，不需要考虑幅度。有些资料提供的匹配电路图如下：c LVPECL苦片内有直淹偏置情况图 3 3 9本人认为，图a b存在图3 3 5、图3 3 6所描述的相同弊病, 最好采用如图3 3 10结构的电路。同样，本人认为图c的100欧姆电阻

26、放在电容后面对于 PCB布板来说 更方便一些，从匹配的角度来说更好一些。f、LVDS&LVDS应该说LVDS之间的对接是最简单的对接了。图 3 3 11g、CML&CMLNnHS由CML电平一般情况下使用直流耦合就可以了。当然如果二个芯片的供电电源不同就必须用交流耦合了。因为此时二个芯片直接的直流电平不同，不能直接对接。h、LVDS&CML ； CML&LVDS一般情况下，不会存在LVDS与CML之间的对接，因为 CML电平一般用在高速信号，如 2.5G/10G等场合。而LVDS 一般很难用在那么高的速率。在这里要注意的是，输出交流幅度是否落在输入交流幅度之内。

27、图 3-3 13四、1、其他几个知识点的补充电流驱动和电压驱动方面的差异：在传输线理论分析的时候，我们总是分析一个电压波形的传递，并未考虑电流能力驱动电流的大小，而事实上，对于高速信号来说，为了要快速响应，或者 长距离传输，都是采用电流驱动的。LVDS/LVPECL/CML 电平，在输入端都有匹配电阻50/100欧姆，这些电阻都是对于输入门来说承当的是把电流转换成电压的任务。因为对于一个输入门来 说，它对电流的需求并不大， 它需要的是足够的电压幅度。既然芯片需要的是电压幅度，为何输出端不直接把电压传递过来呢。那是因为电压传递速度比拟慢，并且容易受到干扰。而电流驱动反响速度快，抗干扰能力强。同样

28、的道理，E1/T1驱动也是电流型驱动，在接收端有一个电流转成电压的电 路这个电路同时也承当着匹配的任务。大家可以在理解一下 TTL/CMOS电路，如果驱动能力比拟弱的话，信号的上升沿和下降沿就会很缓，能传的频率就会很低。虽然单端信号如TTL/CMOS信号的频率特性与驱动电流有关，但还是应该称这类的信号为电压驱动类型的信号。耦合电容的选取耦合电容的大小选择与信号的频率最低频率有关，对于时钟信号来说最低 频率就是它本身的频率，但是对于数据来说， 就必须考虑最长的连 “0和“1 了。下列图就很好地解释了电容量小，会导致电容饱和，从而导致信号劣化的情况。巴丘'K I -'LF PD.I12.V遢:;Um.bik儿：;匚：芒广知识点：在SDH中有一个扰码的概念，扰码其中的一个很重要的作用就是打 破长连“ 0和“ 1。那么从技术的角度来说，是不是耦合电容容量越大越好呢，那么请看下面的电容的等效电路图。II其中R1就是我们平常所说的 ESR等效串