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文档简介
1、I/O 各种不同的工作模式一、准双向口输出准双向口输出类型可用作输出和输入功能而不需重新配置口线输出状 态。这是因为当口线输出为1时驱动能力很弱,允许外部装置将其拉低。当引脚输出为低时,它的驱 动能力很强,可吸收相当大的电流。(准双向口有3个上拉晶体管适应不同的需要)准双向读外部状态前,要先锁存为 1',才可读到外部正确的状态.二、强推挽输出推挽输出配置的下拉结构与开漏输出以及准双向口的下拉结构相同,但当锁存器为1时提供持续的强上拉。推挽模式一般用于需要更大驱动电流的情况。三、仅为输入(高阻)输入口带有一个施密特触发输入以及一个干扰抑制电路。四、开漏输出配置(若外加上拉电阻,也可读)当
2、口线锁存器为0时,开漏输出关闭所有上拉晶体管。当作为一个逻辑输出时, 这种配置方式必须有外部上拉,一般通过电阻外接到Vcc。如果外部有上拉电阻, 开漏的I/O 口还可读外部状态,即此时被配置为开漏模式的I/O 还可作为输入 I/O 口。这种方式的下拉与准双向口相同。开漏端口带有一个施密特触发输入以及一个干扰抑制电路。关于I/O 应用注意事项:1 . 有些是I/O 口由低变高读外部状态时,读不对,实际没有损坏,软件处理一下即可。因为仃的8051单片机速度太快了,软件执行由低变高指令后立即读外部 状态,此时由于实际输出还没有变高,就有可能读不对,正确的方法是在软件设置 由低变高后加1至个空操作指令
3、延时,再读就对了 .有些实际没有损坏,加上拉电阻就OK了有些是外围接的是NPNE极管,没有加上拉电阻,其实基极,多大电阻,I/O 口就 应该上拉多大的电阻,或者将该I/O 口设置为强推挽输出.2 .驱动LED发光二极管没有加限流电阻,建议加1K以上的限流电阻,至少也要 加470欧姆以上做行列矩阵按键扫描电路时,实际工作时没有加限流电阻,实际工作时可能 出现2个I/O 口均输出为低,并且在按键按下时,短接在一起,我们知道一个CMOS 电路的2个输出脚不应该直接短接在一起,按键扫描电路中,此时一个口为了读另 外一个口的状态,必须先置高才能读另外一个口的状态,而8051单片机的弱上拉 口在由0变为1
4、时,会有2时钟的强推挽高输出电流输出到另外一个输出为低的I/O 口,就有可能造成I/O 口损坏.建议在其中的一侧加1K限流电阻,或者在软件处理上,不要出现按键两端 的I/O 口同时为低.一种典型三极管控制电路如果用弱上拉控制,建议加上拉电阻 R110K),如果不加上拉电阻 R110K), 建议R2IW®在15K以上,或用强推挽输出。典型发光二极管控制电路推挽/强上拉口,用拉电流驱动发光二极管弱上拉/准双向口,用灌电流驱动发光二极管限流电阻尽量大于1K,最小不要小于470,混合电压供电系统3V/5V器件I/O 口互连5V单片机连接器件时,为防止器件承受不了 5V,可将相应的5V单片机I
5、/O 先,一个330,的限流电阻到器件I/O 口,程,初始化时将5V器件的 I/O 口设置成开漏配置,断开内部上拉电阻,相应的器件I/O 口外部加10K上拉电阻到器件的Vcc,这样高电是,低电是0V,输入输出一切正常。3V单片机连接5V器件时,为防3V器件承受不了 5V,如果相应的I/O口是输入,可在该I/O 口上,接一个隔离二极管,隔离高压部分。外部信号电压高于单片机工作电压时截止,I/O 口因内部上拉到高电平,所以读I/O 口状态 是高电平;外部信号电压为低时导通,I/O 口被钳位在,小于时单片机读I/O 口 状态是低电,03V单片机连接5V器件时,为防止3V器件承受不了 5V,如果相应的I/O 口是输出,可用一个NPNE极管隔离如何让I/O 口上电复位时为低电平普通8051单片机上电复位时普通I/O 口为弱上拉高电输出,而很多实际应用要求上电时某些I/O 口为低电输出,否则所控制的系统(如马达)就会误动作,现STC1,歹,单 片机由于既有弱上拉输出又有强推挽输出,就可以很轻松的解决此问题。现可在STC1,列单片机I/O 口上加一个下拉电阻(1K/2K/3K),这样上电复位 时,虽然单片机内部I/O 口是弱上拉/高电输出,但由于内部上拉能力有限,而外部下拉电 阻又较小,无法将其拉高,所以该I/O 口上电复位时外部为低电,。如果要将
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