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文档简介
1、上海交通大学硕士材料科学基础真题2005年(总分:150.00,做题时间:90 分钟)一、单选题(总题数:25,分数:75.00)1._ 化学键中既无方向性又无饱和性的为 。(分数:3.00)A. 共价键B. 金属键VC. 离子键解析:2._ 立方结构的(112)与(113)晶面同属于晶带轴(分数:3.00 )A.VB.C.解析:3._ 晶体的对称轴中不存在(分数:3.00 )A. 3 次对称轴B. 4 次对称轴C. 5 次对称轴V解析:4._ 半结晶期是指(分数:3.00 )A. 结晶时间进行到一半时对应的时间B. 固相量为一半时对应的时间VC. 上述(A)和解析:5._ fcc 晶体若以
2、100 面为外表面,则表面上每个原子的最邻近原子数为 _个(分数:3.00 )A. 12B. 6C. 8V解析:6._最难以形成非晶态结构的是(分数:3.00)A. 陶瓷B. 金属VC. 聚合物解析:7._下面关于 Schottky 和 Frenkel 缺陷的表述中,错误的为_(分数:3.00)A. Schottky 缺陷同时包含空位和间隙原子VB. Frenkel 缺陷的形成能通常较 Schottky 缺陷大C. 同温度下,通常 Schottky 缺陷的浓度大于 Frenkel 缺陷 解析:8. 下列 Burgers 矢量可能表示了简单立方晶体中的全位错:(分数:3.00 )A. 100VB
3、. 1/2110C. 1/3111解析:9. 下面关于位错应力场的表述中,正确的是 _。(分数:3.00 )A. 螺型位错的应力场中正应力分量全为零VB. 刃型位错的应力场中正应力分量全为零C. 刃型位错的应力场中切应力分量全为零解析:10._能进行滑移的位错为。(分数:3.00 )A. 肖克利不全位错VB. 弗兰克不全位错C. 面角位错解析:11.铁素体(bcc,点阵常数 ab=0.287nm)与奥氏体(fcc,点阵常数 af=0.365nm)间可形成 K-S 关系(分数:3.00 )A.VB.C.解析:半共格界面上沿111b方向上的位错间距为(111b/ 110f,则在12.共晶层片(a+
4、B)共在特定过冷度下生长时,扩散所消耗的驱动力约为(分数:3.00)A. 固相与液相自由能差的全部B. 固相与液相自由能差的 1/2VC. 上述(A)和解析:13.由纯 A 和 A_B 固溶体形成的互扩散偶(柯肯达尔效应),(分数:3.00 )A. 俣野面两侧的扩散原子其化学势相等:B. 该扩散为上坡扩散C. 空位迁移方向与标记面漂移方向一致 解析:14.高分子材料存在不同构象的主要原因是主链上的碳原子可以(分数:3.00 )A.n键的自旋转B.a键的自旋转VC. 氢键的自旋转解析:15.离子化合物中,阳离子比阴离子扩散能力强的原因在于(分数:3.00 )A. 阴离子的半径较大VB. 阳离子更
5、容易形成电荷缺陷C. 阳离子的原子价与阴离子不同解析:16._室温下橡胶与塑料的不同柔顺性表明(分数:3.00 )A. 塑料的链段可动性比橡胶低VB. 塑料的链节比橡胶长C. 塑料比橡胶的相对分子质量大解析:17._包辛格效应属于。以下表述正确的是_由纯 A 和 A_B 固溶体形成的互扩散偶(柯肯达尔效应),以下表述正确的是_ (分数:3.00 )A. 塑性形变现象B. 弹性的不完整性现象VC. 黏弹性现象解析:18. 单晶材料压缩时若发生扭折,则以下表述错误的为 _(分数: 3.00 )A. 扭折区域的 Schmid 因子最大VB. hcp 结构较 fcc 结构容易产生扭折C. 扭折区域可能
6、产生孪晶解析:19. 多晶体塑性变形时,至少需要 _ 独立的滑移系 (分数: 3.00 )A. 3 个B. 8 个C. 5 个V解析:20. 下面关于回复与再结晶机制的差别中,正确的为 _(分数: 3.00 )A. 回复不需要孕育期,而再结晶需要孕育期VB. 回复不需要激活能,而再结晶需要激活能C. 回复不能降低形变态的应变能,而再结晶将降低形变态的应变能 解析:21. 下面关于对再结晶温度影响的说法中,错误的为 _ 。(分数: 3.00 )A. 冷形变程度越小则再结晶温度越高B. 在同样的冷变形程度下,原始晶粒尺寸越小则再结晶温度越低C. 第二相粒子分布越弥散则再结晶温度越低V解析:22.
7、晶体长大时如生长速率与动态过冷度成正比,则 _(分数: 3.00 )A. 该晶体与液相的界面为粗糙界面VB. 该晶体与液相的界面为光滑界面C. 该晶体藉螺型位错长大解析:23.由 A-B-C 组元形成的三元相图,其等边成分三角形(ABC)内平行于 AB 的直线上任意一点表示 _分数: 3.00 )A. C 组元的浓度为定值VB. B 与 A 组元的浓度比为定值C. 上述(A)和解析:24.包晶成分的的合金在平衡凝固时(L+aB)(分数:3.00 )A. 高熔点组元由a向B内扩散VB. 高熔点组元由 L 向a内扩散C. 高熔点组元由 L 向B内扩散解析:25._高分子材料结晶时,晶片越厚,则熔点
8、(分数:3.00 )A. 不变B. 越低C. 越高V解析:二、论述题(总题数:5,分数:75.00)26.VC 为 NaCI 品体结构,其晶胞的点阵常数 a=0.426nm,试计算其密度(已知 V 的相对原子质量为 51, C 的 相对原子质量为 12);试举该晶体在哪个晶面上全为 V 离子或全为 C离子?(分数:15.00 ) 正确答案:(密度=(51+12)X4/6.02/1023/(4.26X10-10)3=5414.7kg/m3(111)面)解析:27.若金属中的空位形成能E/,与温度无关,试证明空位的组态熵(S)随温度的升高而增加。已知微观状态数 W=(N+n)!/(N!n!)。(分
9、数:15.00 ) 正确答案:(空位浓度 c=Aexp(E/(kT) ,T 升高,c 升高。因为 S=klnW, W 升高,所以 S 升高。)解析:28.某 fee 晶体中(点阵常数 a=0.354nm),刃位错 b=a/2(1)试指出该全位错在分解前多余的半原子面指数。(2)试根据几何条件和能量条件写出分解反应。若该金属的层错能为 0.02J/m2,剪切模量为 7X1010Pa,求层错宽度(分数:15.00 )正确答案:在(111)面上分解形成 Shockky 不全位错。(1)半原子面指数解析:29.下图为 A-B 两组元形成的相图。(1)图示在共晶反应温度 仃E)时的成分一自由能曲线。画出原始成分为 30%B 勺合金(yy 虚线)经平衡冷却到室温时的组织。(3)若该合金在共晶反应开始前为正常凝固,而在共晶反应时为平衡凝固,求共晶反应刚结束后 体内的相对量(百分含量)。(分数:15.00 )经杠杆定律求得共晶中a相为 2/3,所以相对
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