光电技术总复习(DOC)

1、文档来源为：从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持.第一章紫外区 0.01科m0.38科m可见光区 0.38科m0.78科m红夕卜区 0.78科m1000Wm光学谱区0.01科m7000 dm光子能量公式h?iv 1?c 詈4 683川&可见光光子的能量范围为3.21.6eV ;太赫兹波303000 dm辐射度学是一门研究电磁辐射能测量的科学，辐射度量是用能量单位描述光辐射能的客观物理量。光度学是一门研究光度测量的科学，光度学量是描述光辐射能为平均人眼接收所引起的视觉刺激大小的强度。电磁波(Emission ) 辐射度量，Xe可见光(Visible light )光度量，Xv

2、1 .辐射能Qe以辐射的形式发射、传播或接受的能量。单位： J2 .辐射通量e单位时间内通过某截面的所有波长的总电磁辐射量，又称辐射功率，是辐射能的时间变化率。单位：W J/sdQe10文档来源为：从网络收集整理.word版本可编辑.e 4 IeC.各向异性的辐射源，其辐射强度随方向而变化，即Ie Ie ,点辐射源在整个空间发射的辐射通量为:2e Ie , d 0 d 0 Iesin d3 .辐射强度 在给定方向上的立体角元内，辐射源发出的辐射通量与立体角元之比立体角：一个锥面所围成的空间部分称为“立体角”。以锥体的顶点为心作球面，锥体在球S表面上所截得的表面积和球半径平方之比度量。-4r计算

3、辐射强度时注意三种情况：a.所有方向上辐射强度都相同的点辐射源，有限立体角内发射的辐射通量为：e Ieb.所有方向上辐射强度都相同的点辐射源，在空间所有方向上发射的辐射通量:4 .辐射出度Me与辐射亮度Le5 .辐射出度Me :单位面发出的辐射通量6 .辐射亮度Le :垂直辐射方向上单位面积、单位立体角发出的辐射通量dS光谱辐射量是该辐射量在波长入处的单位波长髀内阳3又叫辐射量的光谱密度, 是辐射量随波长的变化率Me辐射度量与光度量间的换算关系发光强度单位一坎德拉(Candela),记作cd,定义为555nm辐射光在给定方向上的辐射强度为1/683W/sr时，该方向的发光强度为1cd。即入=5

4、55 nm时，有例1-1已知某He-Ne激光器的输出功率为 3mW,试计算其发出的光通量为多少lm?解 He-Ne激光器输出的光为光谱辐射通量，它发出的光通量为辐射度学与光度学的两条基本定律J，1 .辐射强度余弦定律“余弓白辐射体”2 .距离平方反比定律3 .2半导体的基础知识1 .原子能级与晶体能带1.价带中电子，价电子一一不能参与导电2 .导带中电子，自由电子一一能参与导电3 .价电子-自由电子， 要吸收能量本征半导体结构完整、纯净的半导体称为本征半导体，又称I型半导体。杂质半导体半导体中可人为掺入少量杂质包括N型半导体和P型半导体N型半导体：施主能级P型半导体：受主能级总结：N型半导体与

5、P型半导体的比较半导体所掺杂质多数载流子（多子） 少数载流子（少子）特性N型施主杂质电子 空穴电子浓度nn>>空穴浓度pnP型受主杂质空穴 电子电子浓度np<<空穴浓度pp热平衡态一个不受外界影响的封闭系统，其状态参量（如温度、载流子浓度等）与时间 无关的状态称为热平衡态。载流子的分布导带中电子的浓度价带中空穴的浓度载流子的分布服从费米统计分布规律热平衡条件下，能量为E的能级被电子占据的概率为：Ef费米能级Ef的意义是电子占据率为 50%时所对应的能级（x）=0（1 r）e- a x为消光系数本征吸收：光子能量足够大，价带中的电子注dip的c t产生出一空穴 对非本征吸

6、收：光子能量不足以使价带中的电用激储产带，包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶格吸收.0产生：-使非平衡载流子浓度增加的运动复合：-使非平衡载流子浓度减小的运动2.非平衡载流子的寿命2.非平衡载流子的寿命°c的物理意义：表征复合的强弱。c决定线性光电导探测器的时间特性T c的大小与材料的微观复合结构、掺杂及缺陷等因素有关。T c的适应条件：本征吸收和杂质吸收，弱注入1.2.5载流子的扩散与漂移1 .扩散载流子因浓度不均匀而发生的定向运动称为扩散。扩散系数D和扩散长度L2 .漂移载流子受电场作用所发生的运动称为漂移。电子迁移率 科1）PN结的形成浓度差异，扩散，形成：离子区 耗尽

7、区 空间电荷区，内建电场（结电场），漂移，扩散=漂移。一个平衡系统只能有一个费米能级黑体辐射和光辐射源能够在任何温度下全部吸收所有波长辐射的物体叫绝对黑体-简称黑体1.基尔霍夫定律 2.普朗克辐射定律 3.维恩位移定律4.斯蒂芬玻尔兹曼定律-光谱辐射能分布-峰值波长总辐射出度普朗克辐射公式维恩位移定律.2斯蒂芬-玻尔“定律2eIf必须满足上述三个激光产生的条件:发光二极管（Light Emitting Diode ,简称LED）和半导体激光器（laser Diode,简称LD） 都属于发光器件，都采用 pn结或异质结的注入式场致发光的方法发光。它们之间的主要区 别是：发光二极管靠注入的载流子自

8、发复合的自发辐射，发射的是非相干光；而半导体激光器靠受激辐射，发射的是相干光，光的单色性、方向性和亮度等都比发光二极管的好得多。与其它发光器件相比，半导体发光器件具有体积小、工作电压低、功耗低、机械性 能好、调制方便等优点。因而有着广阔的应用前景，目前主要用在信息的传递、处理、存贮 和显示方面。LED多用于各种仪器仪表的指示器，数字、文字及其它符号的显示，光通信、 精密测距及其它物理检测的光源。LD在通信、测距、光集成、信息的存贮和处理等方面具有重要的应用。可是这两类器件，目前还存在发光效率低、成本高、寿命还不够长等缺点， 尚待进一步研究解决。第二章2.1半导体的光电效应光电效应：入射光辐射与

9、光电材料中的电子相互作用，改变电子的能量状态， 从而引起各种电学参量的变化。包括：光电导效应、光伏效应、光电子发射效应、光子牵引效应和光磁电效应利用光电效应制成的光电探测器称为光子探测器，如光电导探测器、 光伏探测器、光电子发射探测器等。1 .光电导效应当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化，因而导致材料电导率变化，这种现象称为光电导效应。2 .光伏效应PN结受到光照时，可在 PN结的两端产生电势差，这种现象则称为光伏效应。3 .光电子发射效应金属或半导体受到光照时，电子从材料表面逸出这一现象称为光电发射效应。又称外光电效应。逸出物质表面的电子叫做光电子。真空能级E0电磁真

10、空中静止电子能量（体外自由电子最小能量）4 .2光电探测器的噪声噪声的表示方法用均方噪声探测器的噪声 1.热噪声（Johnson噪声）2.散粒噪声3.产生复合噪声4. 1/f噪声 5.温度噪声1 .热噪声（Johnson噪声）（白噪声）热噪声是由于载流子的 热运动而引起电流或电压的随机起伏。2 .散粒噪声（Shot噪声）光电探测器的散粒噪声是由于探测器在光辐射作用或热激发下引起光电子或载流子的随机起伏。3 .产生复合噪声又称为gr噪声半导体器件中由于载流子的产生与复合而引起的平均载流子浓度的随机起伏。I总的平均电流；M为光电增益4 . 1/f噪声1/f噪声通常又称为电流噪声也称为闪烁噪声hC剩

11、号.2405 .温度噪声0-（um）热探测器中由于器件本身吸收同导等的Eg热交换引起的温度起伏 。2.3光探测器的特性参数光电特性是指电学参量与光辐射参量之间的函数关系。灵敏度是表征探测器将入射光信号转换成电信号能力的特性参数，又称为响应度（率）。灵敏度是表征探测器赞入延斗信号转幽电信号能J的特性参数，又勺为f应率。su（入）或si（入）随。长涌勺变氤系f为您褊轨谱eMI （曲线机。灵敏度与量子效率Rf3 .噪声等效功率当探测器输出的信号电流 绿般）压g等您制器本身的噪声电流 （或电压）均方根值时，入 射到探测器上的信号辐射疝1融为M声率k力率（简称NEP）噪声等效功率-又称为最小可探测功率4

12、 .比探测率愈大愈好-习惯用单位带宽和单位面积的噪声电流来衡量探测器的探测能力。第三章光电导探测器本征型 硫化镉CdS确镉汞Hg1-xCdxTe 睇化锢InSb 硫化铅PbS杂质型 错掺汞Ge： Hg 错掺铜Ge： Cu 错掺锌Ge： Zn 硅掺神Si： As本征型光敏电阻：杂质型光敏电阻：光照时：无光时：（1）响应时间（上升时间）等于载流子寿命且为常数（2）稳态光电导 与产生率成线性关系，即 与辐射通量成正比光电导探测器平均光电流：由此可得到两个结论：（1）.光电导探测器为受控恒流源（2）.光电导探测器光敏面做成蛇形光电阻Rp0-平均光照时光敏电阻的阻值U- 光电阻Rp0上的分电压。使用条件

13、：光通量变化较小光敏电阻的光电流与入射光通量（光照度）之间的关系称光电特性强光一一丫为 0.5D鲁（W-1）弱光丫为1NEP 后”为电压指数，1Sg比例系数，与材料有关弱光线性（测量）强光非线性（控制）光电导探测器总的响应时间由探测器本身响应时间决定，与外接负载电阻大小无关。光敏电阻噪声：减小噪声途径：光调制技术致冷(F(T 要高一些。)(F )(F )合理偏置电路(1)光电导器件在方波辐射的作用下，其上升时间大于下降时间。(2)在测量某光电导器件的丫值时，背景光照越强，其丫值越小。(3)光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度(4)光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值

14、也随之升高。第四章光生电子和空穴在空间分开而产生光伏效应：光照使不均匀的半导体或者均匀半导体中 电势差的现象称为光伏效应。PV (Photovoltaic)光伏探测器：利用半导体光伏效应制作的器件称为光伏探测器，简称 探测器，也称结型光电器件。常见的光伏探测器1 .光电池2.光电二极管3.光电三极管4. PIN管5.雪崩二极管4)暗电流的影响：1.弱光的测量2.增大散粒噪声暗电流减小方法：1.降低温度2.偏压为零或为负等效电路 (意义：分析与计算)负载电阻RL-8,光伏探测器两端的电压称为开路电压负载电阻RL=0,流过光伏探测器称为短路电流光伏探测器的噪声主要包括器件中的散粒噪声和热噪声。信噪

15、比噪声等效功率6.响应时间和频率特性4.2.4 PIN光电二极管在掺杂浓度很高的 P型半导体和N型半导体之间夹着一层较厚的高阻本征半导体结电容变得更小，频率响应高，带宽可达10GHz;线性输出范围宽PIN和APD比较APD具有高灵敏度，其内增益能大大降低对前置放大器的要求,但需要上百伏的高压供电。当入射光功率在nW劄1 W W时，为空特性的线性m SNR pp贫较好， 但当入射功率较大时，M值下降,导致电流畸嚏第五章i24kT fin 2e(Ip Id) f RL光电发射效应金属或半导体受到光照时，电子从材料表面逸出这一现象称为光电发射效应。光电子发射探测器利用光电发射效应制成的器件叫光电子发

16、射探测器。具有外光电效应的材料光电子发射体光电子发射探测器中的光电子发射体又称为光电阴极良好光电发射材料应具备的条件：光吸收系数大；光电子在体内传输过程中的能量损失小;表面势垒低,灵物前逸出7tL蠹£ 兜参数2.负电子亲和势阴极人5.2.2光电倍增管结构：光窗光电阴极电/岁系统(电子透镜)电子倍增系统阳极内增益极高一一倍增原理 周光照射到光电阴极K上，发射光电子，经电子光学系统加速、聚焦到倍增极上NEP出笄三次电子；电子经 n级倍增极，形成放大的阳极电流，S在负载RL上产生放大的信号输心1.灵敏度9.噪声与噪声等效功率阳极散粒噪声=阴极散粒噪声+各级散粒噪声噪声等效功率：第六章利用光

17、热效应(Photothermal Effect )制作的器件称为热探测器，也称热电探测器。热探测器的特点：优点：1 .无需制冷2 .光谱特性的响应范围宽且平坦缺点：1 .响应率较低2 .响应时间较长热释电探测器缓解了这一矛盾！1 .热流方程CH热容量，探测器的温度升高1K所需吸收的热量，单位J/KG一热导，表征探测器与环境热交换程度，与环境、器件封装等因素有关，单位W/K2 .温度灵敏度温度噪声均方值3 .热探测器的噪声等M率T4 .2测辐射热计0热探测器：吸收辐射 Js_T某个量变化一测量吸收辐射一温升一电阻变化Bolometer又称为热敏电阻 热敏电阻温度变化1KW 6.3 热电偶和热电堆

18、 热探测器：吸收辐射一A 执由彳国 (Thermocouple七冷阻肥胪、(电阻-温度系数)NEPWT/J16Ad k fT5/T一某个量变化一测量日工D* '(.cm Hz"'热电堆(Thermopile)晶邮相璃廊第七章/光电成像器件窗II ”光电成像器件是一类能够输出图像信/”器。像管 没有扫描机构，不输出电视信号硒grN产心电堆m炳如像贩翻律)的雕景件，也称光电图像传感,可以象望远镜一样直接观涧物体。工皿摄像管图像一电视信号一还原图像1.扫描一一图像的分割与象素将光电图像分割为很多细小的单元，称为像素1Rt dT一行：水平扫描一场：垂直扫描一帧：扫描点从起始点出发再次回到该点，输出的全部图像信息称为一帧。逐行扫描方式根据人眼视觉时间特性，无闪烁显示活动图象要高于48次/秒场频隔行扫描方式根据视觉时间特性，无闪烁地显示活动图象要高于48次/秒的刷新速率正程和逆程行正程场正程显示信息行逆程场逆程消隐像管基本结构原理光电变换部分电子光学部分电光变换部分变像管不可见光图像可见光图像像