三极管的识别与检测

1、市工业学校教案课题三极管的识别与检测授课时间第13周地点教室/实训室课时5班级16电工课题分析本课题包括：三极管的根本构成，电感，三极管的分类，三极管的主要 参数，三极管的识读、三极管的检测学生状况 分析学生根底知识薄弱或者根本就为零，由于学生学习积极性缺乏，注意力 分散，动手能力一般。教学目标1. 专业能力：三极管的识别与检测的根本技能2. 方法能力：理论知识的学习，技能的训练3. 社会能力：团结合作，老实守信，爱国敬业教学重点 难点1. 教学重点：三极管的识别与检测2. 教学难点：三极管的识读教学设计 说明1. 教学过程设计说明：启发学生积极思考，主动参与教学活动2. 教法运用说明：讲授法

2、、启发引导、练习、自学3. 教学评价说明：现场提问打分教学准备1. 场所：教室、实训室2. 设备：星科实训台3. 教具：多媒体电脑、投影仪4. 资料：网络5. 分组与座位：11组板书设计1 / io教学过程时间教学阶段任务或问题教师活动学生活动教学方法媒体与手段可能出现的问题与解决方案预期效果5复习提问上节课知识点提问思考、答复提冋、引导不熟练。强化练习回忆旧知10合作自学根本知识点巡视、指导讨论、自学启发、点拨不理解。与时预习新知10教师讲解重点、难点讲解、分析学习、思考讲授、引导注意力不集中。提醒化解难 点、剖析 重点15强化训练知识的运用指导、辅导思考、讨论、练习练习、辅导知识运用偏差。

3、纠正掌握知识占八、5小结任务总结总评回忆、总结归纳系部审 核意见审核人员签字附件：【任务书】或【学案】2 / 10?三极管的识别与检测?任务书教学过程：一、知识：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电 流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作 无触点开关。晶体三极管，是半导体根本元器件之一，具有电流放大作用，是电子 电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三局部，中间局部是基区，两侧局部是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。可用来对微弱信号进展放大和作无触点开关。它具有

4、结 构结实、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。二、合作自学：1、三极管的外形特点：有三个电极，故称三极管o羯封二极管iliiillllIhMHimiiinmit Z2、三极管的结构三极管是由两个PN结构成的，其根本特性是具有电流放大作用。三极管按其3 / 10结构不同分为NPN型和PNP型两种。相应的结构示意图与电路符号如图2.1所示有三个区一一发射区、基区、集电区； 两个PN结一一发射结(BE结)、集电结(BC结)；三个电极 一一 发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C)； 两种类型 PNP型管和NPN型管。工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少

5、；集电区比发射区体积 大且掺杂少。三极管部结构分为发射区、基区和集电区，相应的引出电极分别为发射极 e、 基极b和集电极c。发射区和基区之间的 PN结称为发射结，集电区和基区之间的 PN结称为集电结。电路符号中，发射极的箭头方向表示三极管在正常工作时发射极电流的实际方向。 三极管在制作时，其部结构特点是：(1) 发射区掺杂浓度高；(2) 基区很薄，且掺杂浓度低；(3) 集电结面积大于发射结面积。 以上特点是三极管实现放大作用的部条件3、晶体三极管的符号箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向 按部结构分：有NPN型和PNP型管；文字符号：V三、教师讲解：1、晶体三极管的分类按工作频率分：有低频和

6、咼频管； 按功率分：有小功率和大功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。2、三极管的电流放大作用 三极管放大的条件三极管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏，此时，各电 极电位之间的关系是：NPN型UC UB UEPNP型UCv UBv UEU) NPNft3、晶体三极管在电路中的根本连接方式有三种根本连接方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接 法。电流分配管电流的分配和放大作用亠IE = I C + IB 因IB很小，那么IC ? IE由上述实验结果可知，当IB有一微小变化时，能引起IC较大的变化，这种现 象称为三极管的电流

7、放大作用。电流放大作用的实质是通过改变基极电流 IB的大小，到达控制IC的目的，而并不 是真正把微小电流放大了，因此称三极管为电流控制型器件。I B5、三极管的特性曲线输入特性曲线三极管的输入特性曲线如图2.5所示由图2.5所示的输入特性曲线可以看出：曲线是非线性的，也存在一段死区，当外加 LBE电压小于死区电压时，三极管不能 导通，处于截止状态。三极管正常工作时，LBE变化不大，对于硅管，LBE约为0.7V 左右，锗管的约为0.3V左右。输出特性曲线当IB取值不同时，就有一条不同的输出特性曲线，如图2.6所示。t mA)1U6饱和饭-丄r=H 放大区 ；B-140pA- xEJ 20|tAt

8、ti lOOfiA% H04A-_60j.lA /| 4)pA-fp-2Gg A21012 MCC(Vu止区三极管的三个工作区(1)三极管输出特性曲线中，IB=0的输出特性曲线以下，横轴以上的区域称为截 止区。其特点是：发射结和集电结均为反偏，各电极电流很小，相当于一个断开的 开关。(2)输出特性曲线中，截止区以上平坦段组成的区域称为放大区。其特点是：发射 结正偏，集电结反偏。此时I C受控于I B;同时I C与UCE根本无关，可近似看成恒 流。此区三极管具有电流放大作用。 输出特性曲线中，UCEC UBE的区域，即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。 饱和区的特点是：发射结和集电结均为正偏。饱

9、和时的UCE称为饱和压降，用UCES表示，UCES很小，一般约为0.3V。工作在此 区的三极管相当于一个闭合的开关，没有电流放大作用。6三极管主要参数1共发射极电流放大系数：直流放大系数、交流放大系数电流放大系数一般在10 100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳 定。一般取30 80 为宜。2集电极一 一基极反向饱和电流ICBQ集电极发射极反向饱和电流ICEQ反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化围大的工作环境应选用硅管。3)集电极最大允许电流ICM三极管工作时，当集电极电流超过I

10、 CM时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管 子。集电极最大允许耗散功率PCM 当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。集电极发射极间反向击穿电压 V(BR)CEO管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子 将发生电击穿，假设电击穿导致热击穿会损坏管子。四、强化训练：三极管的简单测试1、硅管或锗管的判别2丄6三极符的简单测试硅管或绪管的判别/ 当nt乖a tv时，为硅骨当OA 0 IV 吋为箱管*L判别硅管利错管的测试电路估计比拟戸的大小NPN管估测电路如下图。万用表设直在R 小 如 测量并比拟开关拜断开和搖通时 妁电阻值.覇后商个读数

11、相差絶大，说明骨子的趣高，即电 流放大能力越大口估测PMP浮时.将万用表两只表雀对换位置口估测的电跑三估NPN管佔测电路如下图.所测阻值趣大，说明管子的 越小。假设阻值无穷犬，三极管开路；假设阻值为零，三极 骨短路测PNP型骨时红、黒表笔对爲 方法同前.f CIO俊估测四* NPN 型和PNF管型的判断将万用表设置在12竄lk或RxlOOk挡，用黑表笔和任一 管脚相接假设它是基极b7红表笔分别和另外两个骨脚相 接，如果测得两个阻值都很小，那么黑表笔所连接的就是基极， 而且是NPN型的管子。如图5所示.如果按上述方法测得的 结果均为高阻值刚黑表笔所连接的是PNP管的基极.如图 b所示*Mb的判断五、j I八f三个管脚的判断如下图，首先确定三极管的基极和管型，然后采用估测 值的方法判断匚、此极方法是先假定一个待定电极为集电极另一个假定为发射 极接入电路，记F电阻表的樸动懾度.然后再把葫个待定电 极对调一下接入电路，并记下电阻表的摆动幅度IMkQ 一CZZFP 黑笔估测0的电路摆动幅度大的一次黒 表笔所连接的管卿是集电极 J红表举所连接的管脚为发 射极為测PNP管时，只要把图 示电路屮红、黒表笔对调位 置，仍照上述方法测试口五、评价标准实训容评分标准分值得分8min完成6只三极管的识别工 作并记录1、元件识别错误每次扣2分。2、引脚识别有误差每次扣2分40分5min