内存条上文字及字母标识的含义

1、内存条上文字及字母标识的含义一、SamSUng 内存具体含*释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第1位一一芯片功能K，代表是内存芯片。第2位一一芯片类型4，代表DRAM。第3位一一芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、 G 代表 SGRAM。第4、5位一一容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也 会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量； 28、27、2A 代表 128Mbit 的容量；56、55、57、5A 代表 256Mbit 的容量； 51代表512Mbit的容量。第6、7位一一数据线引脚个

2、数，08代表8位数据；16代表16位数据； 32代表32位数据；64代表64位数据。第11位连线。第 14、15 位一一芯片的速率，如 60 为 6ns; 70 为 7ns ； 7B 为 7.5ns(CL=3)； 7c 为 7.5ns(CL=2); 80 为 8ns ； 10 为 10ns(66MHz)°知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它 的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0 颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”表该颗粒是128MbitS，第6、7位“08”表该 颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算

3、出该内存条的容量是128MbitS (兆数位)x16 片/8bits=256MB (兆字节)。注：“bit为数位” “Bw字节”byte,” 一个字节为8位则计算时除以&关于 内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位 数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还 增加了 8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠 正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片 或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。、Hyni

4、x(Hyundai)现代 '是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。（4=4颗芯片；8=8颗 芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片） 指内存的 bank （储蓄位）。（仁 2 bank； 2=4 bank ； 3=8 bank） '彳弋 2 表”接口 类型为 SSTL_2。 （1 =SSTL_3 ； 2=SSTL_2 ； 3=SSTL_18） "是'内核代号为第3代。（空白=第1代；人=第2代；3=第3代；C=第4 代） 能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为 空，因此为普通型。封装类型用示，即 TSoP 封装。（T=TSoP

5、 ； Q=LoFP ； F=FBGA ；FC=FBGA）封装堆栈，空白=普通；S=Hynix ； K=M&T ； J=其它；M=MCP （Hynix）； MU=MCP （UTC），上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。封装原料，空白=普通；P=铅；H=卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材 料。 " D 表示内存的速度为 DDR400。 （D43=DDR400，3-3-3;D4=DDR400，3-4-4 ； J=DDR333 ； M=DDR333， 2-2-2 ； K=DDR266A ； H=DDR266B ；L=DDR200）工作温度，一般被省略。1=工业常温（-4085度）

6、；£=扩展温度（-2585度）现代内存的含义：HY5DV641622AT-36Hy1234567891011121、HY代表是现代的产品2、内存芯片类型：（57=SDRAM 、 5D=DDRSDRAM）；3、处理工艺及工作电压：（空白=5V ； V ： VDD=3.3V & VDDQ=2.5V ；U ：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V ； W : VDD=2.5V & VDDQ=1.8V ； S ： VDD=1.8V &VDDQ=1.8V）4、芯片容量密度和刷新速率：16=16MNts、4KRef ； 64 : 64M 4K刷新； 64=64M

7、bits、8KRef ； 65=64Mbits、4KRef ； 66 ： 64M 2K 刷新；28 ： 128M 4K 刷 新;128= 128MNts、8KRef ； 129=128MHts、4KRef ； 56 ： 256M 8KNU新；57 ： 256M 4K 刷新；256=256Mbits、16KRef; 257=256MbitS、8KRef ; 12： 512M 8K 刷新；1G： 1G 8K刷新5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、 16位和32位6、BANK数量：1、2、3分另IJ代表2个、4个和8个Bank,是2的幕次关系7、I/O 界面：1 :

8、SSTL_3、2:SSTL_28、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越 新9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片10、内存芯 片封装 形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP- n ， TD=13mmTSOP-U, TG=16mmTSOP- H11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、 4:250MHZ、33:300NHZ、LDR200、HDR266B、KDR266A现代的mBGA封装的颗粒补充二：现代内存条(例如：HY内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43这串编号是由14组数字组

9、 成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下： “ H是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 “5是内存芯片类型为DDR , 57则为SD类型。 “代表处理工艺及电压为 2.5V。(V ： VDD=3.3V&VDDQ=2.5V ; U : VDD=2.5V&VDDQ=2.5V ； W : VDD=2.5V&VDDQ=1.8V ； S ： VDD=1.8V&VDDQ=1.8V) “ 5代6”表芯片容量密度和刷新速度是256M8K刷新。(64 ： 64M4K 刷新；66 : 64M2K 刷新；28 : 128M4K 刷新；56 : 256M8

10、K 刷新； 57 : 256M4K 刷新；12： 512M8K 刷新;1G：1G8K 刷新） 是”存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。（4=4颗芯片；8=8 颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片） 指”存的 bank （储蓄位）。（仁 2bank； 2=4bank ； 3=8bank） “代 2” 表接口类型为 SSTL_2。 （1 =SSTL_3 ； 2=SSTL_2 ；3=SSTL_18） “是内核代号为第3代。（空白=第1代；人=第2代；8=第3代；C= 第4代）能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代 码为空，因此为普通型。封装类型用“T表示，即TSoP封

11、装。（T=TS0P； Q=LOFP;F=FBGA ； FC=FBGA）封装堆栈,空白=普通；S=Hynix ； K=M&T ； J=其它；M=MCP （Hynix）；MU=MCP （UTC），上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。封装原料，空白=普通；P=铅；H=卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装 材料。 “ D 表示内存的速度为 DDR4OO0 （D43=DDR400,3-3-3;D4=DDR400，344 ； J=DDR333 ； M=DDR333，2-2-2 ； K=DDR266A ；H=DDR266B ； L=DDR200）工作温度，一般被省略。1=工业常温（-4085度）；&

12、#163;=扩展温度（-25 85度）因此，通过编号“HY5DU56822BTD43的内存颗粒我们可以了角军至（J，这 是一款DDRSDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。由上面各个编号可以看出，其中最重要的是第13个编号，它明确的告诉 我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J,” 而又运行在DDR400的频率下，那么这款内存很可能是被超频使用，超 频使用的内 存不仅稳定性能大打折扣，而且其寿命也会受到影响。）三、InfineOn （英飞凌）Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司 InfineOn

13、生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mb让s的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存 队 列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨 别也是最容易的。HYB39S128400即128M射bits , “标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8Hts ； HYB39sl28160 即 128MBd6b依；HYB39s256800 即 256MBBbits。Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工

14、作 速率。-7.5表示该内存的工作频率是133MHz； -8表示该内存的工作频率是100MHz。例如：1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒 生产。其容量计算为：128MNtS （兆数位）x6片/8=256MB （兆字节）。1条RamaXel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗 粒 生产。其容量计算为：128MbtS （兆数位）超片/8=128MB （兆字节）。四、KINGMAX、ktiKINGMAX内存的说明Kingmax内存都是采用TinyBGA圭寸装（Tinyballgridarray

15、）。并且该圭寸装模 式是专利产品，所以我们看到采用KingmaX颗粒制作的内存条全 是该厂自己生 产。 Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128 M bits。在此可以将每种容量 系列 的内存颗粒型号列表出来。容量备注：KSVA44T4A0A 64MbitS , 16M地址空间x4位数据宽度；KSV884T4A0A 64MbitS , 8M地址空间X8位数据宽度；KSV244T4* 128MbitS, 32M地址空间x4位数据宽度；KSV684T4* 128MbitS, 16M地址空间位数据宽度；KSV864T4* 128MbitS, 8M地址空间x16位数据宽度。Kingma

16、x内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的 工作速率：- 7APC133/CL=2 ；- 7PC133/CL=3 ；- 8APC100/CL=2 ；-8PC100/CL=3。例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造， 其容量计算为：64MNtS （兆数位）x6片/8=128MB （兆字节）。五、Micron （美光）以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。含义：MTMicron的厂商名称。48内存的类型。48代表SDRAM ; 46代表DDR。LC供电电压。LC代表3V； C代表5V； V代表2.5V。

17、16M8内存颗粒容量为128MbitS，计算方法是：16M （地址）$位数据 宽 度。A2-内存内核版本号。TG封装方式，TG即TSoP封装。-75内存工作速率，75即133MHz ； -65 IP 150MHZ。实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒 制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。其容量计算为：容量32Mx 4bitx6片/8=256MB （兆字节）。六、Win bo nd （华邦）含义说明：WXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond生产2、代表显存类型：98为SDRAM 、 94为DDRRAM 3、代表颗

18、粒的版本号：常见的版本号为B和H ；4、代表封装，H为TSoP封装, B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率：0 : 10ns、100MHz ；8 ：8ns、125MHz ；Z ：7.5ns、133MHz ； Y : 6.7ns、150M H z ； 6 ： 6ns、166MHz ； 5 ： 5ns、200MHZ七、MOSel （台湾茂矽）台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对*供货不多，因此我们熟 悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为 64/8 = 8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit,从编号的最后3位T45可 知颗粒速度为4.5nSA ' NANYA （南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大