模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案精华版

1、模拟电子技术基础第1章常用半导体器件1.1 选择合适答案填入空内。(l)在本征半导体中加入(A )元素可形成N型半导体，加入(C )元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A.增大B.不变(A)。C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当 的0约为(C )。IB从12 uA增大到22 uA时，IC从lmA变为2mA ,那么它A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流 Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gmW( A )。A.增大;B.不变;C.减小1.2电路如图P1.2所示，已知ui 10sint (V),试画出Ui与Uo的波形

2、。设二极管导通电-37压可忽略不计。图 P1.2解：Ui与Uo的波形如解图Pl.2所示。1.3电路如图P1.3所示，已知ui5sint (V),二极管导通电压 UD=0.7V。试画出Ui与Uo的波形图，并标出幅值。图 P1.31.4电路如图P1.4所示，二极管导通电压解图P1.3Ud=0.7V,常温下UT 26mV ,电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mVo试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?CIIR500 n解：二极管的直流电流ID (V Ud)/R 2.6mA其动态电阻：rDUT/ID 10图 P1.4故动态电流的有效值：1d Ui /rD 1mA1.5 现有两只

3、稳压管，稳压值分别是6V和8V,正向导通电压为 0.7V。试问:若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V; 14V; 6.7V; 8.7V。(2)并联相接可得2种：0.7V; 6Vo1.6 已知图Pl.6所示电路中稳压管的稳定电压 UZ 6V ,最小稳定电流IZ min 5mA,最大稳定电流 I Z max 25mA。(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压 UO的值;(2)若UI 35V时负载开路，则会出现什么现象？为什么?解：(1)只有当加在稳压管两端的 0O0 +

4、电压大于其稳压值时，输出电压才为6Vo十：u110V时，uoRRLR-UI 3.3V；3D2£s加普U I15V 时，UoRLUI 5V;一R RLRUI 35V 时，Uo U I 11.7V UZ, Uo U Z 6V。R Rl-Ui UZ、”当负载开路时，IZ - 29mA IZmax 25mA ,故稳压管将被烧毁R1.7 在图Pl.7所示电路中，发光二极管导通电压 Ud =1.5V ,正向电流在 515mA时才能正常工作。 试问：(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光？(2)R的取值范围是多少？解：(1)S闭合。(2) R的范围为：Rmin(V UD)/lDmax 233R

5、max(V UD)/lDmin 700图 P1.72.8 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数Ro解：答案如解图Pl.8所示。放大倍数分别为a 1mA/10 A100 和 b 5mA/100A 502.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是错管。图 P1.9解:如解图1.9解图1.91.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE0.7V , =500 试分析 VBB 为 0V、IV、3V三种情况下T的工作状态及输出电压 UO的值。解

6、：（1）当 Vbb0 时，T 截止,Uo 12V当Vbb1V时，因为I BQVbb U beq60 AI cq I bq 3mAUo Vcc IcqRc9V图 P1.10所以T处于放大状态。当 Vbb3V 时，因为 Ibq VBB UBEQ 460 A,八VccIcq Ibq 23mA? & CCU CES-CES 11.3mA,所以t处于饱和状态。Rc1.11 电路如图Pl.11所示，晶体管的3=50 ,U be 0.2V ,饱和管压降Uces 0.1V ；稳压 管的稳定电压UZ 5V ,正向导通电压 UD 0.5V。试问：当uI 0V时uO ?；当12 V)Ui5V 时 Uo ?解

7、：当uI0V时，晶体管截止，稳压管击穿，uOUZ 5VO当Ui5V时，晶体管饱和，Uo0.1V 。因为：图pi.11Ib| Ui UBE 480 A，Ic Ib 24mA, Uec VccIc & 0Rb1.12 分别判断图Pl.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。（d）（e）图 P1.12解：（a）可能；（b）可能；（c）不能；（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能。、的电位分别为 4V、8V、12V , MOS管、增强型、耗尽型），并说明、1.13 已知放大电路中一只 N沟道场效应管三个极 管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、 、与G、S、D

8、的对应关系。解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极、与G、S、D的对应关系如解图Pl.13所示。谷 门 . I A 0I*11 I I® I解图Pl.131.14 已知场效应管的输出特性曲线如 图Pl.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。图 Pl.14(a)(b)解图Pl.14解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14 (a)所示)，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及Ugs值，建立iDf(UGs)坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图Pl.14 (b)所示。1.15 电路如图P1.15所示,T的输出特性如 图Pl.14所示,分析当Ui =4V、8V、

9、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解：根据图P1.14所示T的输出特性可知，其开启电压为 5V ,根据图Pl.15所示电路可知UGSUI 。当UI=4V时，UGS小于开启电压，故 T截止。当Ui =8V时，设T工作在恒流区，根据输出特性可知 iD 0.6mA,管压降 uDS VDD iDRd 10V ,因此，Ugd Ugs Uds2V ,小于开启电压，说明假设成立，即 T工作在恒流区。图 Pl.15当Ui =12V时，由于Vdd12V ,必然使T工作在可变电阻区。1.16 分别判断图Pl.16所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。(a)(b)(c)(d)图 P1.16解：(a

10、)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。补充1.电路如补图P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 UZ 3V , R的取值合适，UI的波形如图(c)所示。试分别画出 uO1和uO2的波形。M,悔Di AQO O(a)(b)补图P1解：波形如下图所示of !*跖巧|! Im,八八 一 0补充2.在温度20oc时某晶体管的1cBO _4 _ _4 一一斛 :ICBO60 I CBO20 2 2 2 32o ,赭八“二 Kx(c) c 110 |I|iI I 1 | 1111T/ 072 A,试问温度是60oC时的I CBO ?A。补充3.有两只晶体管，一只的3=200 , ICEO 200

11、A；另一只的炉100 , ICEO 10 A, CEOCEO其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么?解：选用3=100 , ICEO 10 A的管子，因其B适中，ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。补充4.电路如补图P4所示，试问0大于多少时晶体管饱和?解：取Uces U BE ,若管子饱和，则VCCU beVCCRbRcubeB,即 RbRc所以，Rb- 100时，管子饱和。Rc第2章基本放大电路2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。图 P2.1解：(a)将-Vcc 改为+Vcc。(b)在+Vcc与基极之

12、间加 Rbo(c)将Vbb反接，且在输入端串联一个电阻。(d)在Vbb支路加Rb,在-Vcc与集电极之间加 Rc2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。(a)(a)(b)图 P2.2解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略(b)(c)(d)(c)(d)图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示;(c)(d)解图P2.22.3分别判断图P2.2(a)、(b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出Q、A、RD Ro的表达式。解：图 (a): I BQ ， I CQ I BQ , U ceqVcc(1)1 bqRc 0RR2(1)R3A&quo

13、t;R3, Rrbe / Ri, RoR2/ R3rbepR2 .、一 ,图(b)： IBQ (VccU beq )/ R2 / R3(1)R，ICQ I bq ,R2R3U ceq VccI cq R4I eq Ri °-R4, RrbeR1/,RoR4 o12.4 电路如图P2.4 （a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时 U beq 0.7V。利用图解法分别求出RL和Rl 3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom （有效值）解：空载时：ibq20 A , I CQ 2mA,U CEQ 6V ；最大不失真输出电压峰值约为5.3V ,有效值约为3.75V 。带载时：Ib

14、q 20 A,Icq 2mA,UcEQ 3V ；最大不失真输出电压峰值约为2.3V ,有效值约为1.63V 。如解图P2.4所示。解图P2.4图 P2.52.5 在图P2.5所示电路中，已知晶体管的3=80, rbe =1kQ,U& 20mV ,静态时U BEQ0.7V,U CEQ 4V , I BQ 20A。判断下列结论是否正确，在括号内打“声口 "x表示。AuAu420 10 380 5200 (>)Au120 k 20400 (>)Au0.780 2.55.71(>)200 J3k1k(>)(6) R10.7 , k 35k(>)0.02(

15、>)(8) R1k (J(9) Ro 5k(10) Ro 2.5k(>)(11)U&S20mV (12)U&S 60mV (42.6电路如图P2.6所示，已知晶体管 3=120, Ube=0.7V,饱和管压降Uces=0.5V。在下列情况下, 用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？（1）正常情况；Rbi短路；（3）Rbi开路；（4）Rb2开路；（5）Rb2短路；（6）Rc短路；图 P2.6图 P2.7IB 1.32mA,解：(i)IBVCC-UE UBE 174 163 11 A,ICMRb1UcVccIcRc8.3V Rb1 短路，Ic Ib 0, U

16、C 15VRb1开路，临界饱和基极电流I bs VCC一U-CES23.7 A ,Rc实际基极电流Ib Vcc U be 174 AoRb2由于 Ib I bs，管子饱和，：U C UCES0.5V。Rb2开路,无基极电流，U C Vcc 15VRb2短路，发射结将烧毁， U c可能为15V(6) Rc短路，UCVcc15V2.7电路如图P2.7所示，晶体管的3=80 , rbb100 。分别计算RL和RL 3k 时的Q点、& R和Ro。解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为:I BQVCCU BEQU BEQRs22 AIcq Ibq 1.76mArber

17、bb'(1)26mVI EQ1.3k空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:UCEQ VccIcqRc 6.2V ； A -308rbeRRb / rberbe 1.3k;AUsb A 93rbeRsRo Rc 5kRL 3k 时，静态管压降、电压放大倍数分别为：U CEQ RVcc IcQ(Rc/RL) 2.3VRl RcA(Rc/ 3115AusrbeAu34.7rberbe RsRRb / rbe rbe 1.3kRo Rc 5k 。2.8 若将图P2.7所示电H中的NPN管换成PNP管，其它参数不变，则为使电路正常放大电源 应作如何变化？Q点、属、R和Ro变

18、化吗？如变化，则如何变化？若输出电压波形底部失真，则说明电路产生了什么失真，如何消除？解：由正电源改为负电源；Q点、启、R和Ro不会变化；输出电压波形底部失真对应输入信号正半周失真，对 PNP管而言，管子进入截止区，即产生了截止失真；减小Rbo2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管 =100, rbe=1.4kQ。(1)现已测得静态管压降 UCEQ=6V,估算Rb;(2)若测得Ui和Uo的有效值分别为1mV和100mV,则负载电阻Rl为多少？解：(1)ICVCC U CERCVCC U be20 A565k&U由Au-(Rc/Rl)100,图 P2.9可得：RL 2.625k2.10

19、 在图P2.9所示电路中，设静态时Icq 2mA ,晶体管饱和管压降UCES 0.6V。试问:当负载电阻RL和Rl 3k时，电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于 Icq 2mA ,所以 U ceq Vcc I cqRc 6V。空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故U CEQ U CES_Uom索-3.82VRL 3k 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故ICQ RlUom2.12V2.11 电路如图P2.11所示，晶体管=100, rbb =100Q。(1)求电路的Q点、Au、Ri和Ro ；若改用 作200的晶体管，则Q点如何变化？(3)若电容Ce开

20、路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化?解：(1)静态分析：U BQRb1Vcc2VRb1%2SkdI EQU BQ U BEQ 1mAIFRfReI BQI EQ110 ARt1卬300QwHV2V)"IMl5kQTc;U CEQVCCIeq(Rc RfRe)5.7V图 P2.11动态分析:rbb'(1)26mVIEQ2.73kAuRo(RJ/Rl)rbe(1)RfRbi / Rb2 / rbe(1Rc 5kcRb10=200 时，UBQ 切一Rb1Rb2I EQ7.7)Rf 3.7kVcc2V（不变）；U BQ U BEQ1mA (不变)；RfReI BQ-IE

21、Q-5 A (减小)；1Uceq VccIeq(RcRfRe)5.7V（不变）。Ce开路时，点 %e （1(Rc/Rl)(ReRf)Rc/RlReRf1.92 （减小）；RiRb1 / Rb2 / rbe(1)(ReRf)4.1k（增大）；Ro Rc 5k （不变）。2.12电路如图P2.12所示，晶体管的3=80,%e =1k Q。求出Q点；（2）分别求出RL=8和RL=3kQ时电路的Au、R和Ro解：（1）求解Q点:I BQVCC U BEQ& (1 )Re32.3 AIeq (1 )Ibq 2.61mAUCEQ VccIeqRc7.17V（2）求解放大倍数和输入、输出电阻:RL=

22、ocfl 寸；Au(1)Rerbe (1)Re0.996图 P2.12RiRb/ rbe (1)Re 110k&(1)(Re/ Rl)RL=3kQ 时；A -L-0.992rbe (1)(Re/RL)RRb / rbe (1)(R/Rl) 76k输出电阻：RoRe/Rs/Rb rbe3712.13电路如图P2.13所示，晶体管的3=60 , rbb,100求解Q点、Au、Ri和Ro设Us = 10mV （有效值），问Ui ?,Uo若C3开路，则Ui解：（1） Q点:BQVCCU BEQR (1 次31 A图 P2.13Icq Ibq 1.86mAU CEQVCCIeq(Rc Re) 4

23、.56VRi和Ro的分析:rbe rbb, (1)26mV952I EQA&(R/Rl)95R Rb / %952,Ro& 3k。(2)设Us = 10mV (有效值)，则Ui RUs3.2mV;UoAu Ui304mVRs Ri若C3开路,则：RiRb / rbe (1)Re 51.3k, ARc / RL 1.5ReUi RiUs 9.6mV ,Uo A Ui 14.4mVRs RiP2.14所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共2.14改正图 漏接法。图 P2.14解：(a)源极加电阻Rs ;(b)漏极加电阻Rd;(c)输入端加耦合电容；(d)在

24、Rg支路加-Vgg, +Vdd改为-Vdd改正电路如解图P2.14所示。(a)(b)(2)利用等效电路法求解ArRi和Ro。(a)解图P2.142.15已知图P2.21 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。(1)利用图解法求解Q点;(c)(d)°IIM 此(b)(c)图 P2.15解：(1)在转移特性中作直线uGSiDRs,与转移特性的交点即为 Q点；读出坐标值，得出(a)IDQ 1mA,UGSQ 2V 。如解图 P2.i5(a)所示。(b)解图P2.21在输出特性中作直流负载线 uDS VDD iD(Rd Rs)，与Ugsq 2V的那条输出特性曲

25、线的交点为Q点，U DSQ 3V。如解图P2.21(b)所示。(2)首先画出交流等效电路(图略)，然后进行动态分析。gmiD U2Ji I 1mV/vmU dsDSS DQuGSUGS(off)AgmRd5;RiRg1M ； RoRd5k2.16已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。求解电路的Q点和A o(a)(b)图 P2.16解：（1）求Q点:根据电路图可知，UGSQ VGG3V o从转移特性查得，当UGSQ 3V时的漏极电流：IDQ 1mA因此管压降U DSQ Vdd I DQRd5V 0（2）求电压放大倍数：2,gmJI DQ I DO 2mA/V ,AUg

26、m Rd20UGS（th） '2.17 电路如图P2.17所示。（1）若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施？若输出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施？（2）若想增大A&,则可采取哪些措施？解：（1）输出电压波形底部失真，类似于 NPN型三极管的饱和失真，应降低 Q,故可减小R2或增大Ri、Rs；若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大R2或减小Ri、Rso（2）若想增大 & ,就要增大漏极静态电流以增大gm ,故可增大R2或减小Ri、Rs。2.18 图P2.18中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如 NPN型、PNP型、N沟道结型(a)图 P2.

27、18解：（a）不能。（b）不能（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。（d）不能。（e）不能。构成PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。（g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。第3章多级放大电路习题3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。(f)(c)共射，共射(e)图 P3.1解：(a)共射，共基 (b)共射，共射(d)共集，共基(e)共源，共集共基，共集3.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适, 分别画出它们的交流等效电路， 并写出Au、Ri和

28、Ro的表达式(a)(d)(a)： A(c)图 P3.2解：(1)图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示(2)各电路的ARi和Ro的表达式分别为：1 R2 rbe2(12)R3(12 )R3R1rbelrbe2(12) R3R R %e1；RoR3/rbe2R22(b)： Au(11)(R2/R3/rbe2)(当rbe1(11 )( R2 R3 rbe2 )rbe2RiR/rbe1(11)(R2/R3/rbe2) ；RoR4：Au1R2/rbe2(12)rd2R3%e2(12)dRRi%e1 ；RoR3(d)： A gm(R/R6R7e2)( 力)rbe2（d）解图P3.23.3 基本放大电

29、路如 图P3.3（a）、（b）所示，图（a）虚线框内为电路I ,图（b）虚线框内为电路口。 由电路I、口组成的多级放大电路如图（c）、（d）、（e）所示，它们均正常工作。试说明图（c）、（d）、（e）所示电路中（1）哪些电路的输入电阻较大；（2）哪些电路的输出电阻较小；（3）哪个电路的电压放大倍数最大。(e)图 P3.3解：(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大；(2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小；(3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。3.4 电路如图P3.l (a) (b)所示，晶体管的0均为150 , rbe均为2k , Q点合适。求解Au、Ri和Ro。解：在图(a

30、)所示电路中rbe2A&11-1 ； Au22R3225 ;rbe1rbe2Aaui 阕2225RR1/R2/1.35k ；RoR33k 0在图(b)所示电路中1 (Ri/2)136;即2R475rbelrbe2A & Au2 10200Ri(R5R2 / R3) / rbel 2k ；RoR41k。场效应管的gm为15mS ;3.5 电路如图P3.l (c)、(e)所示，晶体管的0均为200 , rbe均为3kQ点合适。求解密、Ri和Ro。解：在图(c)所示电路中点11 但爪外 125； A2-2R4133.3rbe1rbe2AA&1 乐2 16666.7； R R/

31、%e1 3k ;Ro R42k在图(e)所示电路中AgmR2%e (1小41gmR230(1)R4rbe (1)R4尺典1/&230; RR110M；RoR4 /rbeR22513.6 图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的0均为100, rbb'100, Ubeq 0.7V试求Rw的滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ以及动态参数Ad和Ri。十O-川4- VT解：Rw滑动端在中点时Ti管和T2管的发射极静态电流IEQ分析如下:U BEQ I EQ 2IeqRVeeVEE U BEQI EQ""RR 2Re 20.517mA动态参数Ad和R

32、i分析如下:rbe%b' (126mV)5.18kI EQAdRc c98 rbe (1)Rw/22rbe (1)Rw20.5k3.7电路如图P3.7所示，Ti和T2两管的0均为140, rbe均为4kQ。试问：若输入直流信号uI1 20mV , uI2 10mV ,则电路的共模输入电压uIc ?差模输入电压uId ?输出动态电压Uo解：电路的共模输入电压 u1c、差模输入电压u1d、差模放大倍数 Ad和动态电压UO分别为：UeUii ui215mV；2UiduI1 uI2 10mVAd2Rc175 ；uoAdUid1.75V解：差模放大倍数和输入电阻分别为:AdgmRd200； R3

33、.9 试写出图P3.9所示电路Ad和Ri的近似表达式。设Ti和T2的电流放大系数分别为在和 已 b-e间动态电阻分别为rbe1和rbe2。解：Ad和Ri的近似表达式分别为1 2(RcRL)Ad KitRi2%ei(11)卷3.10 电路如图P3.10所示，TiT5的电流放大系数分别为日伊，b-e间动态电阻分别为rbeirbe5,写出Au、R和R。的表达式。图 P3.10图 P3.11解：Au、R和®的表达式分析如下：_UO1iR2%e4 (14)&Au1cUi2%eiUO2 4&/%5 (15网2Ul2be4(14)R5UO3(15)R73二 -UI3rbe5(15

34、)R7AuUoUiaj1 Au2 Au3 ;Rirbe1rbe2；RoR7”13.11电路如图P3.11所示。已知电压放大倍数为-100 ,输入电压ui为正弦波，T2和T3管的饱 和压降U CES=1V 。试I可：（1）在不失真的情况下，输入电压最大有效值Uimax为多少伏？（2）若Ui= 10mV （有效值），则Uo=?若此时 R3开路，则Uo=?若R3短路，则Uo = ?Vcc U CES解：（1）最大不失真输出电压有效值为：Uom /7.78V故在不失真的情况下，输入电压最大有效值：UimaxUi77.8mV（2）Ui= 10mV ,则 Uo= 1V （有效值）。若R3开路，则Tl和T3

35、组成复合管，等效1 3, T3可能饱和，使得Uo 11V （直流）若R3短路，则Uo 11.3V （直流）第4章集成运算放大电路习题4.1根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运放的类型是： 通用型高阻型高速型低功耗型高压型大功率型高精度型(1)作低频放大器，应选用()。(2)作宽频带放大器，应选用()。(3)作幅值为1 a V以下微弱信号的量测放大器，应选用 ()。(4)作内阻为100kQ。信号源的放大器，应选用()。(5)负载需5A电流驱动的放大器，应选用()。(6)要求输出电压幅值为± 80V的放大器，应选用()。(7)宇航仪器中所用的放大器，应选用 (

36、)。4. 2已知几个集成运放的参数如 表P4.3所示，试分别说明它们各属于哪种类型的运放。表 P4.3特性指标AodridUioI IOIlB-3dBfHKcmrSR增益带宽单位dBMQmVnAnAHzdBV/。MHzA1100252006007860.5A213020.0124071200.5A3100100050.020.03860.55A41002220150966512.5解：A1为通用型运放，A2为高精度型运放，A3为高阻型运放，A4为高速型运放。IC24.3多路电流源电路如 图P4.3所示，已知所有晶体管的特性均相同，Ube均为0.7V。试求IC1、 各为多少。图 P4.3图 P4

37、.4解：因为T1、丁2、T3的特性均相同，且 Ube均相同，所以它们的基极、集电极电流均相等, 设集电极电流为Ico先求出R中电流，再求解IC1、IC2。当(1VCCU BE4 UbE0100 A3IBI R I C0 I B3 IC0 ；I C12IC -； IR3)3时，IC1 IC2 IR 100 A4.4电路如图P4.4所示，T1管的低频跨导为gm , Tl 和 T2管3IC(1"")d-s间的动态电阻分别为rds1和rds2。试求解电压放大倍数 AuuO/ UI的表达式。解：由于T2和T3所组成的镜像电流源是以 Tl为放大管的共射放大电路的有源负载，Tl和T2 管

38、d -s间的动态电阻分别为rds1和rds2,所以电压放大倍数Au的表达式为：AuuO iD(rds1 / rds2)- g m (rds1 / Qs2)。UIUI4.5 电路如图P4.5所示，Tl与T2管特性相同，它们的低频跨导为gm ; T3与T4管特性对称；T2与T4管d-s间的动态电阻分别为rds2 和 rds4。试求出电压放大倍数AuuO / (uI1uI2)的表达式。T(T0- i n图 P4.6图 P4.5解：在图示电路中：iD1i D2 iD3 i D4 ；iOiD2i D4 iD2 iD1 2 i D1n (uD1 gmI1 UI2)2；gmio(UI1 UI2)电压放大倍数

39、:AUoio ( rds2 rds4)/、gm(rds2 rds4)(uI1 UI2)(UI1 UI 2)4.6 电路如图P4.6所示，具有理想的对称性。设各管 0均相同。(1)说明电路中各晶体管的作用；(2)若输入差模电压为(Un U12)产生的差模电流为iD ,则电路的电流放大倍数 aiO?iD解：(1)图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。Ti和T2、T3和T4分别组成的复合管为放大管，T5和T6组成的镜像电流源为有源负载。(2)由于用T5和T6所构成的镜像电流源作为有源负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故输出电流变化量及电路电流放大倍数分别为：io 2(1) iD；A

40、 上 2(1)。i D4.7 电路如图P4.7所示，Ti和T2管的特性相同，所有晶体管的 0均相同，Rci远大于二极管的正向电阻。当UI1 UI 2 0V时，Uo 0V o(1)求解电压放大倍数的表达式；(2)当有共模输入电压时，uo?简述理由。AU1Rc1/rbe32rbe3图 P4.7图 P4.8解：(1)在忽略二极管动态电阻的情况下:rbe1（2）当有共模输入电压时，Uo近似为零由于 Rc1rd， uC1uC2 ,因此 uBE30，故 uo04.8电路如图P4.8所示, 内。T1和T2管为超B管,电路具有理想的对称性。选择合适的答案填入空3 >> 2 ;反相输入端的输入电流为

41、该电路采用了（ C ）。A .共集-共基接法B .共集-共射接法C .共射-共基接法（2）电路所采用的上述接法是为（C ）。A .增大输入电阻B .增大电流放大系数C .展宽频带（3）电路采用超B管能够（B）。A .增大输入级的耐压值B .增大放大能力C .增大带负载能力T1和T2管的静态压降约为（A ）。A. 0.7V B , 1.4V C ,不可知4.9 在图P4.9所示电路中，已知 TT3管的特性完全相同,iI1 ,同相输入端的输入电流为iI2。试问: iC2 ? ；(2) iB3 ?； Auiuo /( ii 1解：(l)因为Tl和T2为镜像关系，且 B >> 2,所以：i

42、C2iC1 iI2 iB3iI1 iC2 iI1 iI 2(3)输出电压的变化量和放大倍数 分别为：uoiC3Rc3 iB3Rc图P4 .9AuiuO/( iI1 i I 2) uO / i B33Rc4.10 比较图P4.10所示两个电路，分别说明它们是如何消除交越失真和如何实现过流保护的(a)(b)图 P4.10解：在图(a)所示电H中，Di、D2使T2、T3微导通，可消除交越失真。R为电流采样电阻，D3对T2起过流保护。当T2导通时，uD3 uBE2 iOR uD1,未过流时iOR较小，因UD3小于开启电压使D3截止；过流时因Ud3大于开启电压使D3导通，为T2基极分流。D4对T4起过流

43、保护，原 因与上述相同。在图(b)所示电H中，T4、T 5使T 2、T 3微导通，可消除交越失真。R2为电流采样电阻，T 6对T 2起过流保护。当T 2导通时，uBE6 iOR2,未过流时iOR2较小，因UBE6小于开启电压使T6截止；过流时因UBE6大于开启电压使T 6导通，为T 2基极分流。T 7对T 3起过流保护，原因与上 述相同。4.11 图4.11所示电路是某集成运放电路的一部分，单电源供电。试分析：(1) 100aA电流源的作用；(2) T 4的工作区域(截止、放大、饱和) ；50 a A电流源的作用；(4) T5与R的作用。解：(1)为Ti提供静态集电极电流、为 T 2提供基极电

44、流，并作为 Ti的有源负载。 T 4 截止。因为：UB4 uci uo ur UB2 UB3，UE4 UO，： UB4 UE4。4.1 50 aA电流源为T 3提供射极电流，在交流等效电路中等效为大阻值的电阻。(4)保护电路。UBE5iOR2,未过流时T5电流很小；过流时使iE550A, T 5更多地为T 3的基极分流。4.12 电路如图P4.12所示，试说明各晶体管的作用。解：为共射放大电路的放大管；T 2和T 3组成互补输出级；T 4、T 5、R2组成偏置电路，用于消除交越失真。4.13 图P4.13所示简化的高精度运放电路原理图，试分析：(1)两个输入端中哪个是同相输入端，哪个是反相输入

45、端；(2) T 3与T 4的作用；(3)电流源I3的作用；(4) D2与D 3的作用。图 P4.13解：(1) UI1为反相输入端，UI2为同相输入端。(2)为T I和T 2管的有源负载，将T1管集电极电流变化量转换到输出，使单端输出差分放大 电路的差模放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。(3)为T 6设置静态电流，且为 T 6的集电极有源负载，增大共射放大电路的放大能力 (4)消除交越失真。4.14通用型运放F747的内部电路如 图P4.14所示，试分析：(1)偏置电路由哪些元件组成？基准电流约为多少？(2)哪些是放大管，组成几级放大电路，每级各是什么基本电路？(3) T 19 、 T 2

46、0和R8组成的电路的作用是什么？图 P4.14解：(1)由 T10 、 T11、T 9、T 8、T 12 、T 13 、 R5 构成。(2)图示电路为三级放大电路：TlT4构成共集-共基差分放大电路；T 14 T 16构成共集-共射-共集电路；T 23、T 24构成互补输出级(3)消除交越失真。互补输出级两只管子的基极之间电压U B23 U B24 U BE20 U BE19 U B23 U B24 U BE20 U BE19使T 23、T 24处于微导通，从而消除交越失真第5章放大电路的频率响应习题5.1在图P5.1所示电路中，已知晶体管的rbb'、C、C , Ri rbeo填空：除

47、要求填写表达式的之外，其余各空填入增大、 基本不变、 减小。(1)在空载情况下，下限频率的表达式 fL ( 1 )。当RS减小时，fL2 (Rs Rb/%)Ci将()；当带上负载电阻后，fL将()。.', . (2)在空载情况下，若 b-e间等效电容为C ，则上限频率的表达式1()；当RS为零时，fH将()；当Rb减小时，gm将2 rb'e/(rbbRb/Rs)C()，C将()，fH将()M喇浦/加图 P 5.1图 P 5.25. 2已知某电路的波特图如 图P5.2所示，t写出 点的表达式。解：设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。点 10 32 f(1 k)(1 j 存

48、)3.2 jf(1 j)(1 j-f5)10105.3 已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示，t写出Au的表达式。201gl”J/dB-20dB|-借频403020100图 P5.3解：观察波特图可知，中频电压增益为40dB ,即中频放大倍数为-100 ；下限截止频率为1Hz和10Hz,上限截止频率为250kHz。故电路A&的表达式为：一一 -2&100 10fAu110f- f 厂(1 )(1)(1 j5)(1 jf )(1 j )(1 j 5)5 5 55 55 55 5jf jf 2.5 1010105.4 已知某电路的幅频特性如 图P5.4所示，试问：（1）该电路

49、的耦合方式；（2）该电路由几级放 大电路组成；（3）当f =104Hz时，附加相移为多少？当f=105Hz时，附加相移又约为多少？ （ 4）该电路的上限频率fH为多少？解:（1）因为下限截止频率为0,所以电路为直接耦合电路;解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出A、fL和fH。（2）因为在高频段幅频特性为-60dB/十倍频，所以电路为三级放大电路;当 f =104Hz 时，450 31 35°；当 f =105Hz 时，90° 3270°。（4）该电路的A103(1f104)35.5已知某电路电压放大倍数:(1上限频率为fH1.1 <35.2kHz10jfW)(1 舄)试