设备散热器、风扇的选型和设计计算

1、散热、吸热，还是绝热重要?在这儿之前，有一个很重要的问题要问各位 ，您知道什么是热吗?在您选择一项产品之前. 您得先知道您用钞票换得手中的宝贝要解决的是什么物理现象， 千万别当了冤大头!热Heat是能量吗？严格来说它不算是能量，应该说是一种传递能量的形式.就好象作功一样.微观来看，就是区域分子受到外界能量冲击后，由能量高的分子传递至能量低的区域分子就像是一种扩散效应，必须将能量转嫁释放出来.所以能量的传递，就是热.而大自然界最根本的热产生方式，就是剧烈的摩擦所谓摩擦生热如是说!.从电子量子力学学的角度而言，当电子束滑过电子 信道时，会因为与导线trace剧烈摩擦而产生热，它形成一股阻力，阻止电

2、子流到达另一端就 像汽车煞车的效果是一样的.我们统称作废热.所以当CPU的速度越高，表示它的I/OInput/Output数越高，线路布局越复杂.就好比一块同样面积的土地上.您不断的增加道路面积；不断的膨胀车流量，下场是道路越来越窄，而车子越来越多，不踩煞车，能不出车祸吗？当然热 量越来越高.信不信，冷飕飕的冬天，关在房里打计算机，你会爱死它，又有得杀时间，又暖和！只 是不巧，炎炎夏日又悄悄的接近了传热Heat Transfer:既然说热是一种传递能量的形式.那就不能不谈传递的方法了.总的来说整个大自然界能量传递的方式被我们聪明的老祖先请记住.热力学Thermal Dynamic是古典力学的一

3、种！概分为三种，接下来我用最浅显易懂的方式分别介绍这门神功的三大基 本奥义让各位知道：1.热传导Conduction物质本身或当物质与物质接触时，能量传递的最根本形式这里所说的物质包括气体，液 体，与固体.当然气体与液体我们统称为流体本身因为结构不似固体紧密.我们又有另外一 个专有名词来形容它，叫做热扩散Diffusion.假设诸位看官真有兴趣的话，不妨把下面的公式熟 记，对以后您专业素养的养成，抑或是将来更深入的技术，探讨彼此的沟通都非常有帮助这可 是入门的第一招式，千万别放弃您当专业消费者的权益了!.另外，为了防止您一开始走火入魔请容我先将所有的单位Unit都拿掉.Q = K*A* T/

4、AL其中Q为热量；就是热传导所能带走的热量.K为材料的热传导系数值Conductivity;请记住，它代表材料的热传导特性，就像是出生证明 一样.假设是纯铜，就是396.4;假设是纯铝，就是240;而我们都是人，所以我们的皮肤是0.38,记住！数值越高，代表传热越好.详细的材料表我将于日后择篇幅再补述!A代表传热的面积或是两物体的接触面积. T代表两端的温度差；那么是两端的距离.让我们来看一以下图标，更加深您的印象！热传导后温度分布铜材的导热系数高，经过热传导后，温度在铜材中分布就非常均匀，相反的，木材的导热系数偏 低,于是相同的传导距离，木材的温度分布就明显的不均匀温度颜色衰减的非常快；表示

5、热量传导性不良.从上述的第一招式我们可以知道.热传导的热传量.跟传导系数，接触面积成正比关系越大，那么传热越好!而跟厚度距离成反比.好,有了这个观念，现在让我们把焦点转到散热片身上 当散热片与热源接触，我们需要的是吸热，能够大量的把热吸走，越多越好.各位可以到市面 上看看最近有一些散热片的底部会加一块铜板不是吗？或甚至干脆用铜当散热片底板.就是因为它的热导系数比铝多出将进一倍当然还有其它技术原因，容我先卖个关子.嘿，嘿，聪明的读者，您一定也发现了一个问题，散热片的底部厚度好象越来越厚耶！如果照我说的话，那不是传热效果越差了吗？如果您会问这个问题 ？先恭喜您！您已经有本领报名英雄大会了 .这牵涉

6、到另外一门有趣的课题.因篇幅关系，这一次我并不打算放进来.请诸位海涵2.热对流Convection流动的流体气体或液体与固体外表接触，造成流体从固体外表将热带走的热传递方式 . 这一招是三招里面最为博大精深的一招，老祖先依其流体驱动的方式将之转换折成貌和神离的两招，分别是A. 自然对流Natural Convection:流体运动是来自于温度差.温度高的流体密度较低，较轻会向上运动.相反的， 温度低的流 体那么向下运动.所以是流体受热之后产生驱动力 . 这里各位要牢记一件事，只要温差，沿着重力 场方向的流体就会开始运动，带走热量!B. 强制对流Force Convection:顾名思义，流体受

7、外在的强制驱动力如风扇驱动而产生运动.驱动力往那儿吹，流体就往那儿跑，与重力场无关.不是很了解对吧！百闻不如一见，脱掉你宝贝计算机的灰白色夹克.您应该会看到如以下图所示的精采内脏 如此清楚了吗？芯片组散热片不加风扇， 利用的是自然对流将热量带走，表示热量不高一般来说介于3瓦8瓦.至于CPU那么因为热量较高尤其是桌上型计算机，至少都在30瓦以上，自然对流的散热量缺乏以带走废热，因此得利用到风扇驱动.至于更详细的各种芯片封 装package制程，规格资料与散热量的关系别忘了CPU也是一种封装，只是档次较高!，还 有自然对流及强制对流在散热片设计上的考量差异性，我会在往后的篇幅中以专题的方式撰写.让

8、各位不但对电子散热有所了解，更知道整条电子链的运作模式.看看它的公式吧！为什么说它最博大精深是有原因的.到了这儿，请千万小心，步步都是富贵险中求殊不知多少江湖英豪； 名门侠女都曾栽在这块看似山青湖静， 实那么风阴涛涌的领域 包括笔者都曾差点儿翻不了身.一那么是从此开始.您才真正进入散热的大堂.一那么是这里 又多了一门至深至幻的学问叫做流体力学Fluid Dynamic.我想试问各位一生中有多少次机会看到风扇是怎么吸空气；又是怎么把空气吹出来的 ？我们换个角度想，要让流体产生运动，一 个必要的因素是什么？知其然，更要知其所以然，道行高的您或许已开始发出会心的一笑，还不了解的看官也别担忧， 这运功

9、炼气可是半点儿急不得.渐纳慢吐， 气通任督灌丹田，才是习知 之道.Q = H*A* A TQ为热对流所带走的热量.H为热对流系数值Hest Transfer Coefficient.这里是笔者及数字高人讨论过后，一致公认散热领域内最虚无飘渺的一个参数了.它既不是材质特性，更不是什么散热标准.说穿了还真有点儿好笑.这是老祖先想破了头还是一无 所知的情况下，直接写下的脚注.不信吗？敢问诸位高手，只听过H是随着流体状态；流场形式； 固体外表形状的影响而改变的常数值例如:垂直方向的平板流H=1020,最多是个H与速度的几次方成正比关系，从没看过哪一个方程式是可以解出H值的.道道地地，不折不扣的 经验值

10、!A代表热对流发生时的有效接触面积.这里我要再一次强调.外表积大只是好看，有效外表 积也大那才够实在.至于什么是有效，将来我会举一些活生生的实例给各位看，到时候可别合不拢嘴.散热片的变化无穷，主要在于它的鳍片设计，一个设计良好的鳍片.会内外兼顾，不但跟 空气的接触外表积大，而且大的很实在.否那么花那种冤望钱，不如自己做一块铜块盖上去不就好了吗？当然金属量产的加工制程上有一定的限制，不同的制造工艺各有其优缺点，有时设计者不得不作一些妥协与让步. T代表固体外表与区域流体(Local Ambient)的温度差.这里就更惊险了 .散热片的设计，一个 不小心就会跌入这个要命的陷阱里，它跟上面的所谓有效

11、接触面积还真有那么一点关系，我 留一点儿空间先不说穿，让各位也想一想.为什么我说到了这儿才算真正开始处理散热问题.因为不管自然对流或强制对流，靠流体把热带走是现下最经济实惠的方式殊不知地球大气运行时的妙用无穷，我们换一个角度想,能量守恒定律，或许您也能参详一二.周围尽是用不完的空气，不拿它来出出气，怎么说也 是暴敛夭物，您说是吗？下一次我们再谈另一个能量传递的方式 (它也是散热的一员，只是平时韬光养晦，深藏 不露，但发起威来，套句广告词凡人无法档).而且角色变化多端，非常有个性，也是笔者最喜 欢的一个，请容我在此先搁笔.咱们下次再谈！散热，吸热，还是绝热重要？接下来介绍的， 可又是散热的一名角

12、儿.只是它的名气没热对流来的大， 一般说来在主动式散 热片(Active Cooler)的散热比例上占的份量也有限，所以大伙儿常忽略它.可是它在实际生活 中扮演的角色可丰富了 .您加热时绝对有它，散热时它也有份，当要绝热时，更不能没有它，更夸张的是，少了它，地球的生态环境瞬间就会失衡 ，看下去吧，向您郑重介绍 3.)热辐射(Radiation)假设说上一招热对流是谓博大精深，那这一招可就真算得上是清风拂山岗；明月照大江的太极绝学了 .待我解释完，您就知道我开头所述句句真言，绝无诳语.别看它又清风，又明月的真发起来，那可是招招重手，决不留情.(您以为炎炎夏日太阳的热情是靠热传导或热对流招呼 到您

13、身上的吗？再举个更生活的例子， 没用过也看过灯管式电暖气吧？再告诉您一个小秘密，笔者求学时就曾经利用180瓦的工地用卤素大灯两个煮三人份的火锅，不盖你，这些都得拜热辐射所赐！)这说完它加热的好处，我留一点篇幅稍后再解释它与散热，绝热的关系.让我们先 把焦点转回它的原理上.有人曾问笔者，热辐射是不是放射性的a，b，g辐射波，您说呢？那可是对任何生物都会造成伤害性的辐射线耶！不要疑心，虽不中亦不远矣，它们还真有血源关系呢，这一部份因为是 笔者最喜欢的一种散热方式，也是当今能参透这门绝学的人少之又少(包括笔者也不是)，是以笔者不得不一吐为快，交代清楚，以免让各位越看越模糊，热辐射是一种可以在没有任何

14、介质 (空气)的情况下，不需要靠接触，就能够达成热交换的传递方式.一种我戏称为热数字讯号(Thermal Digital Signal)的波的形式达成热交换.既然是波，那就会有波长，有频率，而所谓波 的能量，就是频率乘上一个叫做普郎特的常数(PlancksConstant )，既然跟频率有关，那好，频率的大小依次是Gamma射线，X射线,紫外线，可见光，红外线，微波而热辐射能量就介于 紫外线与红外线之间，所以还算排行老三呢，但光是如此就让你在7月中午的太阳下站不住 五分钟了吧！其实您还得感谢地球上有大气层，空气和水分子，这些介质帮我们吸收掉了不少能量呢！好，咱们再回到主题，既然不需要介质，那就

15、得靠物体与物体外表的热吸收性与放射性来 决定热交换量的多寡.我们统称为物体外表的热辐射系数(Emissivity)，其值介于01之间，是属于物体的外表特性，有一点儿像热传导系数(Conductivity)都属于材料特性.(其实吸收性 (率)与放射性(率)是一样的，我稍后解释.严格来说，物体外表的热辐射特性有三种，分别是吸收率，反射率和穿透率.这三者加起来的值和为1,像是玻璃，它的能量穿透性很强，所以相对的吸收性与反射性便较弱).让我们看一下它的公式吧Q =e s , F (T4)Q为物体外表热幅热的热交换量.我在这儿强调是热交换量而不是带走的热量.因为公式本身牵涉到两个外表在进行辐射热交换，当

16、假设其中一个外表不存在时，那么存在的外表便假设 是与某一有限远的固定大气温度进行热交换.e物体外表的热辐射系数(Emissivity),其值介于01之间，是属于物体的外表材料特性，这一局部当物质为金属且外表抛光如镜时，热辐射系数只有约0.02 0.05而已，而当金属外表一 但作处理后(如外表阳极处理成各种颜色亦或喷漆，那么热辐射系数值立刻提升至0.5以上，如以下图所示当散热片外表处理成绿色后，热辐射系数值立刻由0.03提升至0.82.处理前处理后而塑料或非金属类的热辐射系数值大部份超过0.5以上，s是波次曼常数5.67*10-8，只是一个常数.F是里面最玄的一个，洋文叫做Exchange Vi

17、ew Factor，中文应该说成是辐射热交换的视角 关系，它其实是一个函数，一个跟两个外表所呈角度，面积，及热辐射系数有关的函数.非常复杂 笔者在此不敢再写下去，以免各位看官承受不住. (T4最后这个算是最好说的，但也最容易被一般刚入江湖的年轻人弄错的.它正确的写法如笔者框红线所示，是(Ta4- Tb4)而不是(Ta- Tb) 4，.这其中Ta是外表a的温度而Tb是外表b的温度。嘿!嘿!如何.写到这儿，如果您是属于完全领悟参透型的高手， 那笔者不但恭喜您， 而且相信您一定也是一位玩热的专家，假设您是属于不知笔者所言为何物型的看官也别着急，看看下面的照片或许能加深您的印象：Intel Penti

18、um IV的CPU在红外线摄影机下拍到的热像就是那样，金属帽因为热辐射系数低，相对热辐射量就小，所以颜色温度低，而芯片基板上外表是接近树脂材料所以热辐射系数较高，相对热辐射量就大，温度颜色就高.如此，懂了吗？ 热辐射所以热辐射的定义是如果物体本身是一个好的辐射散热体， 那相对的它也绝对会是一个好的辐射吸热体，这吸热与散热就端看物体外表本身的温度与周围或另外一个物体外表的温 度是高是低.假设是高，那么热便会藉由热辐射散出去，反之热就会被吸收进来.而通常在热对流效 应相对很强的情况下(尤其是装风扇的CPU Cooler)，热辐射量相对就有限，它与之前所说的 热对流散热效应比较起来，几乎是可忽略的一

19、环.但是，反过来说，像部份芯片的被动式散热片(Chipset Heat sink)，它的热对流散热效应较不明显，反而会使得热辐射散热效应相对提高，有时甚至会占超过30%的总散热量.这儿之所以我们称它散热的原因， 就是因为我们所谈的散热片都是装附于热源上，通常它的温度都会比周围环境温度要高出许多而至于绝热呢？我想我也提出一些问题让各位想一想，保温瓶内为什么要用绝热体包附水银胆呢？给您一个提示亮面如镜的水银胆反射率可是非常高的喔.那像卫星呢？没有大气层的水及空气保护吸收太阳的辐射热，不会有过热的问题吗？卫星上一样有高精密的电子组件， 耶!重点就在于卫星面向太阳的外表有一层反射率非常高的披覆层保护着

20、，让太阳的热辐射量，除了太阳能板之外，几乎全部反射回去，以减少热辐射量的穿透跟吸收.各位聪明的看官，说到这儿，您认为是吸热，散热，还是绝热重要呢？您是否对热这个现象已 有初步的概念了呢？别着急， 将来有一天你也会跟笔者一样对它又爱又恨的呢！话又说回来，吸热，散热，绝热其实各有所长，也各有其应用于热的时机，端看您的应用领域而有所区别，其实，大部份时候它们还是相互交会运用的时机较大呢！好，我假设各位对所谓的热传递形式热传导(Conduction),热对流(Convection)，热辐射(Radiation)都有了初步的认识，让我帮各位整理一下思绪，把焦点转回到CPUCooler的根本架 构上，一块

21、一块的剖开来定义清楚 ，现在让我们进入到下面的这张图片去：(1)风扇：热对流组件，功能上就在于驱动空气灌入下方的散热片中，利用新鲜且大流量的冷空气灌入，并加上风扇本身驱动流场的甩动特性，提高了之前所提到过的热对流系数值(HestTransfer Coefficient).藉此提高热对流的散热效果 .其所占散热的比例份量最重，算是散热界 当红的炸子鸡.(2)扣具:严格说，它算是机构组件，不是散热组件.主要是将散热片扣合在CPU的外表上，但研究发现，当散热片底板与热源接触面受力越大，那么固体外表间的接触热阻抗越小，所以，扣具的 研发，也慢慢转型为针对散热片受力均匀性为重点.既然牵涉到接触阻抗，那就

22、牵涉到散热片底部的吸热能力，所以，扣具也算是半个热传导组件.(3)散热片(鳍片部份):我们细分这个部份， 它算是连接(吸热)热传导与热对流及热辐射(散热)的最重要管道，因为散热的三大最根本条件就是 面积，面积，面积，读者可参详Part2与Part3的内容公式便知，这散热片的技术与工艺主要就在这儿 ，其次，外表阳极处理也是一个非常重要的工艺，它不仅仅是设计上的美观，更牵涉到辐射热交换量的多寡，所以，鳍片设计的好坏，直接决定了产品的生死.当然各种不同的机械加工产品各有其设计上的考量(有的是以吸热为主;有的是以散热为主)，但假设程度差太远，那就很可惜了，笔者见到坊间不少不忍目睹的散热器 想想，铝条假

23、设有知，也一定会暗自掉泪吧！(4)散热片(底板部份):热传导组件，这儿是纯粹就吸热而言，决定底板的好坏，先要知道问题的症结在那儿，吸热的致命关键就在克服与热源的接触热阻(ContactResistance)及热传到底板之后的扩散热阻(Spreading Resistance)，所以，底板的设计可也是丝毫苟且不得的殊不知所有的源头就在于热如何被有效的带出来，连源头都处理不好，更别谈接下来的散热了.看官们可以参照产品评估报告，互相比较，便知其中微妙.更可以加深您的印象，让您向专家之路再 迈进一大步.(5)热导介质：也是热传导组件，坊间有不少导热胶片或导热膏产品，姑且不管其好坏，它的功用就在于克服金

24、属接触面的微小缝隙， 别小看它薄薄的一片， 您假设不怕CPU冒烟的话，下次换 一般黏土玩玩看，保证有趣的要命，(笔者曾测试过，那种坐云霄飞车的快感，保证让您难忘又难 过好一阵子)，至于导热胶片好还是导热膏好，并没有一定，但效果好是最重要的，将来笔者会针对一系列不同材料评估比较给您知道.(6) CPU:热源，这边假设细谈会牵涉到封装制程，要说好一阵子(包括所有的封装演进史与开展过程)，笔者再选适当时间表达.(7) (8) Socket与主板，这儿笔者之所以要把这两项放在一起谈，就是因为散热的考量，其实，热源所释放的热，有10%以上是往下经由Socket从主板被带走的，告诉您一个重点，主板是一 块

25、非常大的散热板，笔者见过不少系统都有直接(或间接)针对主板强大的散热能 力上作文章 的.这其中不止PC产品而已，包括液晶投影机，电源供给器(不断电系统)，网络数据交换机. 都曾对主板这帖不可多得的散热药材下过一翻工夫说到这儿，必须对这次的主题下一个结语了，单刀直入，散热还是您我最关心的重点，但在还没散到热之前，必须解决的是吸热的问题，至于绝热呢，还不到时候，多想无益.往后，笔者会 针对吸热与散热的重点(当然是深入浅出，而且包容万象)一五一表达， 让大家从此踏入这个 领域， 一窥这百家争鸣的热闹与璀璨.坐稳了 .引擎一旦激活，您就只能睁大眼，张大嘴，竖起耳 多跟着我这个导游一起体会这无限的热疆界

26、资料1散热在普通的数字电路设计中， 我们很少考虑到集成电路的散热，因为低速芯片的功耗一般很小，在正常的自然散热条件下，芯片的温升不会太大。 随着芯片速率的不断提高，单个芯片的功耗也逐渐变大，例如：Intel的奔腾CPU的功耗可到达25W。当自然条件的散热已经不能使芯片的温升控制在要求的指标之下时，就需要使用适当的散热措施来加快芯片外表热的释放，使芯片工作在正常温度范围之内。通常条件下，热量的传递包括三种方式：传导、对流和辐射。传导是指直接接触的物体 之间热量由温度高的一方向温度较低的一方的传递，对流是借助流体的流动传递热量， 而辐射无需借助任何媒介，是发热体直接向周围空间释放热量。在实际应用中

27、，散热的措施有散热器和风扇两种方式或者二者的同时使用。散热器通过 和芯片外表的紧密接触使芯片的热量传导到散热器， 散热器通常是一块带有很多叶片的热的良导体，它的充分扩展的外表使热的辐射大大增加，同时流通的空气也能带走更大的热能。 风扇的使用也分为两种形式， 一种是直接安装在散热器外表， 另一种是安装在机箱和机架上， 提高整个空间的空气流速。与电路计算中最根本的欧姆定律类似，散热的计算有一个最根本的公式：温差=热阻X功耗在使用散热器的情况下，散热器与周围空气之间的热释放的阻力称为热阻，散热器与空气之间热流的大小用芯片的功耗来代表，这样热流由散热器流向空气时由于热阻的存 在，在散热器和空气之间就产

28、生了一定的温差，就像电流流过电阻会产生电压降一样。同样,散热器与芯片外表之间也会存在一定的热阻。热阻的单位为cZWo选择散热器时，除了机械尺寸的考虑之外，最重要的参数就是散热器的热阻。热阻越小，散热器的散热能力越强。下面举一个电路设计中热阻的计算的例子来说明：设计要求： 芯片功耗：20瓦芯片外表不能超过的最高温度：85 C环境温度(最高)：55 C计算所需散热器的热阻。实际散热器与芯片之间的热阻很小，取01 C ZW作为近似。那么(R + 0.1 )X 20W = 85C - 55 C得到R = 1.4 C ZW只有中选择的散热器的热阻小于1.4 C ZW时才能保证芯片外表温度不会超过85 C

29、。使用风扇能带走散热器外表大量的热量，降低散热器与空气的温差，使散热器与空气之 间的热阻减小。因此散热器的热阻参数通常用一张表来表示。如下例：风速英尺/秒热阻C ZW03.51002.82002.33002.04001.8散热2我用7805 7810如何计算散热片尺寸？以7805为例说明问题。设I=350mA , Vin=12V，那么耗散功率Pd=12V-5V*0.35A=2.45W按照TO-220封装的热阻0 JA=54C /W ,温升是132 C，设室温25 C，那么将会到达7 805的热保护点150 C, 7805会断开输出。正确的设计方法是：首先确定最高的环境温度，比方60 C，查出民

30、品7805的最高结温TJMAX=125 C,那么允许的温升是65 C。要求的热阻是65 C /2.45W=26 C /W。再查7805的热阻，TO-220封装的热阻0 JA=54C /W , TO-3封装也就是大家说的 铁壳的热阻0 JA=39C /W,均高 于要求值，都不能使用虽然达不到热保护点，但是超指标使用还是不对的。所以不管那 种封装都必须加散热片，资料里讲到加散热片的时候，应该加上4C/W的壳到散热片的热阻。计算散热片应该具有的热阻也很简单， 与电阻的并联一样， 即54/x=26 ,x=50 C /Wo其实这个值非常大，只要是个散热片即可满足。国产散热器厂家其实就是把铝型材做出来，然

31、后把外表弄黑。热阻这种最根本的参数他 们恐怕从来就没有听说过。如果只考虑散热功率芯片的输入输出电压差X电流是芯片的功耗，这就是散热片的散热功率。散热3热设计由于电源模块的转换效率不可能是100% ,因此自身有一定的功耗，电源模块本身发热的高低，主要取决于电源模块的转换效率。在一定外壳散热条件下，电源模块存在一定的温升即壳温与环境温度的差异。电源模块外壳散热外表积的大小直接影响温升。对于温升的粗略估计可以使用这样的公式：温升 =热阻系数模块功耗。热阻系数对于涂黑紫铜的外壳P25XXX用于SMP-1250系列产品的外壳来说约为3.76 C/W。这里的温升和系数是在模块直立， 并使下方悬空1cm ,

32、自然空气流动的情况下测试的。对于温度较高的地方须将模块降额使用以减小模块的功耗，从而减小渐升，保证外壳不超过极限值。对于功率较大的模块，须加相应的散热器以使模块的温升得到下降。不同的散热器在自然的条件下有不同的对环境的热阻，主要影响散热器热阻的因素是散热器的外表积。同时考虑到空气的对流，如果使用带有齿的散热器应考虑齿的方向尽量不阻碍空气的自然对流，例如：当使用的模块输出功率为100W，效率为82%时，满载时模块的功耗为：100/0.82-100=22W,选用附件中WS75(75W)散热器，其热阻为1.9 C/W,不考虑原外壳的横向散热，自然散 热的温升为1.9 22=42 CStradale

33、Primosole, 50 - 95121 - Catania, ITALY电邮：Email: filippo.digiovannist摘要：功率转换器的功率密度越来越高，发热问题越来越严重， 这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战。因而热问题的优化设计和验证变得比大功率器件的电模型更加重要，本文提出一种新的Pspice模型，可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。本文提出的模型中所需要的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。本文介绍MOSFET的一种新的PSPICE等效热模型，这个模型提供发热

34、和电气参数之间的 动态关系。这里提出的模型建立了与许可的热环境的关系，例如，栅极驱动电路、负载、以 及散热器的分析与优化设计。可以利用这个模型来改善散热器的设计。 由於决定功率损耗的参数参差不齐，与生产制造有关，受生产制造的影响很大，因而散热器的设计往往由於无法预先知道功率损耗而无法进行。1.引言散热3包含热模型的新型MOSFETFilippo Di Giovanni,意法半导体公司PSPICEGaetano模型Bazzano, Antonio Grimaldi散热器在计算时会出现误差，一般说来主要原因是很难精确地预先知道功率损耗，每只器件的参数参差不齐， 并不是一样的， 而且在芯片上各处的温

35、度也是不同的。结果是，平安的裕度可能离开最优值很远。现在出现了很多功能很强的模拟仿真工具，因此有可能在预测功率损耗和热设计的校核方面做一些改良。然而， 为了确保长期可靠性，运用复杂的限流技术可以更进一步地把最高结温(或者最大功率损耗)维持在一个预定的数值以下。动态负载变化所引的任何热响应的改变都可以直接地进行测量，并且用闭路控制的方法来修正。2.热阻发散出去的功率Pd决定於导热性能，热量流动的面积以及温度梯度，如下式所示：Pd=K*An?dT/dx(2.1)式中An是垂直於热量流动方向的面积，K是热导，而T是温度。可是这个公式并没有甚麽用处，因为面积An的数值我们并不知道。对於一只半导体器件，

36、散发出去的功率可以用下式表示：Pd=?T/Rth(2.2)以及Rth = ?T/ Pd (2.3)其中？T是从半导体结至外壳的温度增量，Pd是功率损耗，而Rth是稳态热阻。芯片温度的升高可以用式(2.2)所示的散热特性来确定。 考虑到热阻与时间两者之间的关系，我 们可以得到下面的公式：Zth(t)= Rth?1 -exp(-t/t ) (2.4)其中(是所讨论器件的半导体结至外壳之间的散热时间常数，我们也认为Pd是在脉冲出现期间的散发出去的功率。那麽，我们可以得到：?T(t)=Pd? Zth(t) (2.5)如果Pd不是常数，那麽温度的瞬态平均值可以近似地用下式表示：?T(t)=Pavg(t)

37、 ? Zth(t) (2.6)其中Pavg(t)是散发出去的平均功率。 作这个假定是合情合理的， 因为瞬态过程的延续 时间比散热时间常数短。由於一只MOSFET的散热时间常数为100ms的数量级，所以一般这并不成其为问题。热阻可以由产品使用说明书上得到，它一般是用单脉冲作用下的有效瞬态过程的热阻曲线来表示图1 Zth(t)瞬态热阻3. SPICE的实现本文提出的模型使用一种不同的PSPICE模拟量行为模型(ABM )建模技术。事实上,利用这种建模方法，使用者可以用数学的方法建立模型，不必使用更多的资源。可以看到， 由SPICE内的MOSFET模型， 并不能以温度结点的形式直接得到温度。 然而，

38、可以用图4中所示的 窍门来解决这个问题。为了做到这点，把MOSFET M1表示成为一个普通的Level-3MOS模型加上一个电路。晶体管M1仅仅是感知温度，温度是指通用的SPICE变量“Temp。为了评价温度对漏极电流的影响(由M1我们只能够确定在温度“Temp例如在27C时，电流随著漏极电压的变化)，增加了电路G1。这部份电路可以看成是电流受控制的电流产生器：Id(G1)=Id(M1)? f(VGS,VDS,Tj,VTH,) (3.1)在式(3.1)中的？数f的数学表达式可以从器件的输出特性通过内插法很容易得到。它与M1的模型有关，因而可以建立模拟量行为模型(ABM )。4.计算Tj(t)当

39、大功率MOSFET工作在重复脉冲或者单脉冲的情况下，知道了平均功率损耗，然彳灸 将功率损耗乘以热阻Zth(t),就可以得到模型的温度。在电路中，热阻Zth(t)的数值是用电压来表示的，使用的符号为V(Zth(t)。参看模型G2,现们来计算M1的瞬时功率损耗：Pd(t)=VDSG1(t) ?IDG1(t)(4.1)其中IDG1(t)=IdM1(t) ?f(VGS,VDS,Tj,Vth,)(4.2)在式(4.1)中，Pd(t)是“ELAPLACE的输入量。ELAPLACE起积分的作用，於是得 到消耗的能量E(t);由此可以得到平均功率损耗如下Pave(tk)= E(tk)/tk(4.3)Pave(

40、tk)当然是与时间有关的，因为这个参数是随著模拟仿真的进行而改变的。因此，平均功率损耗Pave(tk)是变化的，它代表从模拟仿真开始到时刻tk这段时间的功率损耗的平均值。热阻曲线Zth(t)可以以不同方式纳入到这个模型中。我们可以把单个脉冲响应用於Cauer或者Foster网络。我们也可采用a)列表来表示，b)电压产生器VPULSE , c)一种鼓励电压产生器。芯片温度增高的平均值？Tj -c(t)决定於Pave(t)，再乘上Zth(t)。因此Tj-c(t)可以用下式表示：Tj- c(t)= Pave(t) ? Zth(t).+Tcase (4.4)其中Tcase取等於环境温度。5.模拟仿真结

41、果及测量结果在栅极驱动信号为不同类型的情况下进行了模拟仿真。下面图中的曲线是模拟仿真的结果。这些模拟仿真的结果是用新的SuperMESHTM STP14NK50ZFP高电压MOSFET测 量得到的，MOSFET是装在绝缘的外壳中。 这种MOSFET器件是用本公司专有的Mesh OverlayTM技术的经过优化而制造的产品。 下面是它的主要性参数：BVDSS RDS(on)STP14NK50ZFP(TO-220FP) 500V 0.38在很宽的温度范围上进行了测量，测量结果如图7示。图2不同温度Tj时的输出特性曲线(实测结果)图3在不同的Tj时的输出性曲线(模拟结果)图4电路图图5在10V时的R

42、DS(on)(模拟结果)图6在10V时的RDS(on)(实测结果)图7在10V时的VDS(on)(模拟结果)图8在10V时的VDS(on)(实测结果)图9(从上至下)：A) Tj随时间的变化B,C)漏极电流6.结论本文介绍了大功率MOSFET的一种新型的PSPICE电路模型，其中包含热模型，利 用这个模型，设计人员可以确定硅芯片在瞬变过程中任何给定时刻的平均温度。这个电路包含电气特性和热特性之间的动态关系。唯一需要的输入参数可以很容易地从制造商提供的产品说明书中得到。这些参数是热阻、RDS(on)随温度的变化，等等。这个模型也可以用 於其它的半导体器件，包括双极型晶体管。可以相信，这里提出的模

43、型可以用於对器件的热性能进行全面的分析,从而改良它的长Catania的MOSFET和IGBT产品技术和市场部的珍贵建议Device.P. Nance, SPICE Models for SIPMOS ComponMicroelectronics A Hierarchical Cross-Platform P hysics Based MOSFET Modelfor SPICE and SABER.5. Dr. John W. Sofia Fundamentals of Thermal Resistance Measurement.6. Dr. John W. Sofia Electrical

44、Thermal Resistance Measurements forHybrids and Multi-Chip Packages.技术交流_2003年1月30日资料5传热过程中的根本问题可以归结为：1、载热体用量计算2、传热面积计算3、换热器的结构设计4、提高换热器生产能力的途径。解决这些问题，主要依靠两个根本关系。(1)热量衡算式 根据能量守恒的概念，假设忽略操作过程中的热量损失，那么热流体放出的热量等于冷流体取得的热量。即Q热=。冷，称为热量衡算式。由这个关系式可以算得载期可靠性。7.致谢本文作者借此时机感谢在和支持。1. B.J. Baliga , Modern Power2. Dr

45、. P. Turkes, Dr. M. M?rz, entsApplication Note.3. Jon Mark Hancock Siemens热体的用量。(2)传热速率式 换热器在单位时间内所能交换的热量称为传热速率，以Q表示，其单位W。实践证明，传热速率的数值与热流体和冷流体之间的温度差tm及传热面积S成正比，即：Q=KS tm(3-1)S=nTt d L(3-2)式中：Q一专热速率，W;S一专热面积，m2; tm一度差，0C;K一传热系数，它说明了传热设备性能的好坏，受换热器的结构性能、流体流动情况、流体的物牲等因素的影响，W/m2? C；d - W径,m ;L -长，m。假设将式(

46、3-1)变换成以下形式:Q/S= tm/(1/K)(3-3)式中：tm一专热过程的推动力，C1/K 热总阻力(热阻)，m2? C/Wo那么单位传热面积的传热速率正比于推动力，反比于热阻。因此，提高换热器的传热速率的途径是提高传热推动力和降低热阻。另一方面，从式(3-1)可知，如杲工艺上所要求的传热量Q己知， 那么可在确定K及tm的根底上算传热面积S,进而确定换热器的各局部尺寸，完成换热器的结构设计。本章主要介绍应用这两个根本关系解决上述四个问题。介绍的范围以稳定传热为限。所谓稳定传热是指传热量与时间无关，即每单位时间内的传热量为定值。反之，传热量随着时间而变的那么是不稳定传热，一般在化工连续生

47、产中都属稳定传热。就传热机理而言，任何热量传递总是通过传导、对流、辐射三种方式进行的。传热可依靠其中一种方式或几种方式同时进行，净的热流方向总是由高温处向低温处流动第三节传热计算间壁式传热是食品工业中应用最广泛的传热方式。在绝大多数情况下，这种传热是大规模连续进行的。在这过程中，不管是热流体，还是冷流体或固体壁面，各点的温度不随时间而变，故属于稳定传热过程。我们主要讨论稳定过程。传热计算主要有两方面内容：一类是设计计算，即根据生产要求的热负荷确定换热器的传热 面积;另一类是校核计算，即计算给定换热器的传热量，流体的流量或温度等。二者均以换热器的热量衡算和传热速率方程为计算的根底。一、热量衡算对

48、间壁式换热器作能量衡算，因无外功参加，且位能和动能项均可忽略，故实际上为粉衡算。1 .粉差法Q=qm,h(Hh1-Hh2)= qm,c(Hc2-Hc1)式中qm-质量流量，kg/sH-单位质量流体的粉，J/kg2 .显热法3 .潜热法二、总传热速率方程(一)总传热速率方程如前所述，两流体通过管壁的传热包括以下过程：1 .热流体在流动过程中把热量传给管壁；2 .通过管壁的热传导；3 .热量由管壁另一侧传给冷流体。二总传热系数三污垢热阻三、 平均温度差一般情况下，冷，热流体在稳定换热的设备内分别在间壁两侧沿传热面进行吸热或放热流体的温度沿传热面逐渐变化。局部温度差也是沿传热面而变化的。当液体发生相

49、变时，那么其温度保持不变。当两侧均为变温时，两流体又有顺流和逆流之分。这几种情况下温度沿传热面的变化如图 5 -9所示。对一侧变温或两侧变温的情形，设冷，热两流体的比热容为常数，总传热系数为常数， 热损失可忽略，那么在稳定传热时可用以下方法计算平均温度差。Q=KStm逆流操作与顺流操作相比较，具有如下几方面的优点：1.加热时， 假设冷液体的初温终温处理量以及热流体的初温一定由于逆流时热流体的终温有 可能小于冷流体的终温，故其热流体消耗量有可能小于顺流者。冷却时的情况相似，冷流体消耗量有可能小于顺流者。2 .完成同一传热任务。假设热冷流体消耗量相同，由于逆流的对数平均温差大于顺流，故所需的传热面

50、积必小于顺流。由此可见，除个别特殊情况外， 应选择逆流操作较为有利。至于顺流操作，它主要用于加热时必须防止温度高于某一限定温度， 或冷却时必须防止温度低于某一限度的场合。在实际换热器中，往往还伴有更复杂的情况。一种是两液体的流动不是平行而是正交的，这种流动方式称为错流。第二种情形是两流体虽作平行流动，但对一局部管子而言属顺流，对另一局部管子而言属逆流，这种流动称为折流。对于错流和折流，其平均传热温差可用下法求取：首先将冷热液体的进出口温度假定为逆流操作下的温度，求取其对数平均温差，然后乘以修正系数，即得平均温度差：四. 传热的强化强化传热的目的是以最小的传热设备获得最大的生产能力。强化传热有如

51、下几种途径：1 .加大传热面积加大传热面积可以增加传热量，但设备增大，投资和维修费用也随之增加。要看传热量的增加数值能补偿费用上的增加。2.增加平均温差平均温差愈大，自然热流量愈大。理论上可采取提高加热介质温度或降低冷却介质温度的办法，但往往受客观条件和工艺条件的限制。另外，在一定的条件下，采用逆流方法代替顺流，也可提高平均温差。3.减小传热阻根据热阻的分析，一般金属间壁的导热热阻是较小的，所以强化措施通常不放在此点上。但当这项热阻占有显著分量时， 减小壁厚或使用热导率较高的材料，显然可以收效，重要的问题在于需要经常保持壁面清洁。有时，防止污垢形成或经常去除垢层成为很重要的强化措施。热阻中，重要的是两侧传热热阻，必须细心地考虑其强化措施。加大流速，提高湍动程度，减小层流内层厚度，均有利于提高外表传热系数。第四节外表传热系数关联式用牛顿冷却定律处理复杂的对流传热，实质上是把一切复杂的影响因素均集中于外表传热系数。因此，对对流传热珠形容便转化为对各种具