三极管的识别与检测

1、临沂市工业学校教案N o:课题三极管的识别与检测授课时间 第 13 周地点教室/ 实训室 课时 5 班级16 电工课题分析本课题包括：三极管的基本构成，电感，三极管的分类，三极管的主要参数，三极管的识读、三极管的检测学生状况 分析学生基础知识薄弱或者根本就为零，由于学生学习积极性不足，注意力 分散，动手能力一般。教学目标1.专业能力 ：三极管的识别与检测的基本技能2.方法能力 ：理论知识的学习，技能的训练3.社会能力 ：团结合作，诚实守信，爱国敬业教学重点 难点1. 教学重点 ：三极管的识别与检测2.教学难点 ：三极管的识读教学设计 说明1. 教学过程设计说明 : 启发学生积极思考，主动参与教

2、学活动2. 教法运用说明： 讲授法、启发引导、练习、自学 3.教学评价说明 : 现场提问打分教学准备1. 场所 ：教室、实训室2. 设备：星科实训台3. 教具：多媒体电脑、投影仪4. 资料：网络5.分组与座位 ：11组板书设计教学过程时间教学阶段任务或问题教师活动学生活动教学方法 媒体与手段可能出现的问题及解决方案预期效果5复习提问上节课知识点提问思考、回答提问、引导不熟练。强化练习回顾旧知10合作自学基本知识点巡视、指导讨论、自学启发、点拨不理解。及时预习新知10教师讲解重点、难点讲解、分析学习、思考讲授、引导注意力不集中。 提 醒化解难 点、剖析 重点15强化训练知识的运用指导、辅导思考、

3、讨论、练习练习、辅导知识运用偏差。 纠 正掌握知识 点5小结任务总结总评回顾、总结归纳系部审 核意见审核人员签字附件：【任务书】或【学案】三极管的识别与检测任务书教学过程：一、知识链接：三极管，全称应为半三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控 制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触 点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电路的核 心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的 PN 结，两个 PN 结把 整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式 有 PNP 和 NPN 两种。可用来对微

4、弱信号进行放大和作无触点开关。它具有牢固、 寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。二、合作自学：1、三极管的外形 特点：有三个电极，故称三极管。2、三极管的结构三极管是由两个 PN 结构成的，其基本特性是具有电流放大作用。三极管按其 结构不同分为 NPN型和 PNP型两种。相应的结构示意图及电路符号如图所示。特点：有三个区 发射区、基区、集电区； 两个 PN 结 发射结(BE 结) 、集电结(BC 结)； 三个电极 发射极 e(E) 、基极 b(B) 和集电极 c(C) ； 两种类型 PNP 型管和 NPN 型管。 工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；

5、集电区比发射区体积 大且掺杂少。三极管内部结构分为发射区、 基区和集电区， 相应的引出电极分别为发射极 e、 基极 b 和集电极 c。发射区和基区之间的 PN结称为发射结，集电区和基区之间的 PN结称为集电结。电路符号中，发射极的箭头方向表示三极管在 正常工作时发射极电流的实际方向。三极管在制作时，其内部结构特点是：(1) 发射区掺杂浓度高；(2) 基区很薄，且掺杂浓度低；(3) 集电结面积大于发射结面积。以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。3、晶体三极管的符号箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。 文字符号： V三、教师讲解：1、晶体三极管的分类 按内部结构分：有 NPN 型和 PNP

6、 型管； 按工作频率分：有低频和高频管； 按功率分：有小功率和大功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。2、三极管的电流放大作用 三极管放大的条件 三极管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏，此时，各电 极电位之间的关系是：NPN型UC> UB>UEPNP型UC< UB<UE3、晶体三极管在电路中的基本连接方式 有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接 法。4、三极管内电流的分配和放大作用 电流分配关系I E = I C + IB 因 IB 很小，则 I C IE 由上述实验结果可知，当 I

7、 B有一微小变化时，能引起 I C较大的变化，这种现 象称为三极管的电流放大作用。电流放大作用的实质是通过改变基极电流 I B的大小，达到控制 I C的目的，而 并不是真正把微小电流放大了，因此称三极管为电流控制型器件。5、三极管的特性曲线 输入特性曲线 三极管的输入特性曲线如图所示。由图所示的输入特性曲线可以看出： 曲线是非线性的，也存在一段死区，当外加 UBE 电压小于死区电压时，三极管不 能导通，处于截止状态。三极管正常工作时， UBE 变化不大，对于硅管， UBE约为 左右，锗管的约为左右。输出特性曲线当 IB 取值不同时，就有一条不同的输出特性曲线，如图所示三极管的三个工作区(1)

8、三极管输出特性曲线中， IB=0 的输出特性曲线以下， 横轴以上的区域称为截 止区。其特点是：发射结和集电结均为反偏，各电极电流很小，相当于一个断开的 开关。(2) 输出特性曲线中，截止区以上平坦段组成的区域称为放大区。其特点是：发射 结正偏，集电结反偏。此时 IC受控于 IB；同时 IC与 UCE基本无关，可近似看成恒 流。此区内三极管具有电流放大作用。(3) 输出特性曲线中， UCEUBE的区域，即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。 饱和区的特点是：发射结和集电结均为正偏。饱和时的 UCE称为饱和压降，用 UCES表示， UCES很小，一般约为。工作在此 区的三极管相当于一个闭合的开关，没

9、有电流放大作用。6、三极管主要参数1) 共发射极电流放大系数：直流放大系数、交流放大系数电流放大系数一般在 10 100 之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳 定。一般取 30 80 为宜。2) 集电极 基极反向饱和电流 I CBO。 集电极 发射极反向饱和电流 ICEO。反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此， 常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化 范围大的工作环境应选用硅管。3) 集电极最大允许电流 ICM 三极管工作时，当集电极电流超过 ICM 时，管子性能将显着下降，并有可能烧坏 管子。集电极最大允许耗散功率 PCM 当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。 集电极 发射极间反向击穿电压 V(BR)CEO 管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子 将发生电击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。四、强化训练： 三极管的简单测试1、硅管或锗管的判别五、评价标准实训内容评分标准分值得分8min 内完成 6只三极管的识别 工作并记录1、元件识别错误每次扣 2 分。2、引脚识别有误差每次扣 2 分40分5min 内完成 6只三极管的检测 工作并记录1、万用表档位选错每次扣 3 分2、测量过程中未校零扣 3 分3