分别表示直流供电功率输出功率和耗散功率PPT课件

1、4 、晶体管最大耗散功率、晶体管最大耗散功率PCM1）耗散功率和最高结温）耗散功率和最高结温（1）耗散功率）耗散功率分别表示直流供电功率，输出功率和分别表示直流供电功率，输出功率和耗散功率耗散功率为转换效率，有下式成立为转换效率，有下式成立在甲类状态运用时，在甲类状态运用时，（2）最大耗散功率）最大耗散功率PCM=？PCM受受Tjm的限制的限制;CjjajCjCjPQTT TTPTPT散热；当散发的热量转换的热量时，不再升高，达到动态平衡。在散热一定的条件下，2CEB ECB CCc sCC BCC EPIVIVIrIVIVDOCPPP,DOCPPP0DPP01CPP5 0 %晶体管的晶体管的

2、甲类运用甲类运用晶体管的晶体管的乙类运用乙类运用000max2214CCCivPIVTjm=？Tjm，晶体管能正常、长期可靠工作的，晶体管能正常、长期可靠工作的pn结温度结温度与器件的可靠性有关。与器件的可靠性有关。,150 200,85125jmSi TGe，为了提高可靠性，为了提高可靠性，Tjm还可适当降低。当还可适当降低。当Tjm一定时，一定时，Pcm受散热受散热条件的限制。条件的限制。2、晶体管的热阻和最大耗散功率、晶体管的热阻和最大耗散功率似。与电阻的计算公式相类称为热阻，其计算公式成正比，即与温差发到环境的热能单位时间内从集电结散散热板。管壳焊片时，热能从集电结TTajTdTdaj

3、RRTTPPTT,TTLLRAA为热导率，类似于电阻欧姆定律当传热路径上有几种不同传热物体串联时，总热阻多个热阻的和。当传热路径上有几种不同传热物体串联时，总热阻多个热阻的和。RT1为硅片热阻；为硅片热阻；RT2为焊片热阻；为焊片热阻； RT3为管壳热阻；为管壳热阻；RT4为散热为散热片热阻；片热阻； RT5为散热片到周围环境的为散热片到周围环境的 热阻。热阻。RT5与传热的面积与传热的面积有关，传热面积越大，该热阻值就越小。有关，传热面积越大，该热阻值就越小。热平衡时热平衡时TajTdCRTTPPTajmCmRTTP1nTT iiRR5、二次击穿和安全工作区、二次击穿和安全工作区二次击穿是晶

4、体管早期失效或突然损坏的主要原因，它已经二次击穿是晶体管早期失效或突然损坏的主要原因，它已经成为影响晶体管安全可靠使用的重要因素成为影响晶体管安全可靠使用的重要因素 。1）二次击穿的现象）二次击穿的现象从高电压低电流区急剧从高电压低电流区急剧过渡到低电压大电流区，过渡到低电压大电流区，如果没有保护措施，晶如果没有保护措施，晶体管将被烧毁。体管将被烧毁。二次击穿临界功率：二次击穿临界功率：SBSBSBVIP二次击穿二次击穿一次击穿一次击穿A(VSB、ISB)ICVCE0二次击穿临界线：二次击穿临界线：不同不同IB下的点临界点的连接线就是二次击穿临界线。下的点临界点的连接线就是二次击穿临界线。SB

5、RSBOSBFPPP2)二次击穿机理二次击穿机理(1)热不稳定理论热不稳定理论即形成二次击穿。大电流、低电压集电结短路结失去单向导电性本征温度，当局部局部电流局部集中某种原因造成的发射极PNTTITPeC(2)防止热不稳定二次击穿应采取的措施防止热不稳定二次击穿应采取的措施提高材料和工艺质量，提高材料和工艺质量，减少缺陷，减弱电流集减少缺陷，减弱电流集边效应。边效应。在单元晶体管的发在单元晶体管的发射极条上加镇流电阻射极条上加镇流电阻（3）雪崩注入二次击穿（反向二次击穿）雪崩注入二次击穿（反向二次击穿）以以N+PN-N+结构为例进行讨论结构为例进行讨论N+PN-N+,CECmCccrCVWEE

6、NIIn NNN集电结电场分布由，若较窄当时，电场分布将外延层穿通，这时出现雪崩击穿（一次）（电场分布变为曲线电子 空穴对电子由集电极流出，空穴由基极流出电流区静电荷密度电场分布变为曲线当时，电场分布变为曲线，此时雪崩击穿区最大大量电子 空穴对电流，当时，电场分布变为曲线，此时空穴通过区，使区负净电荷密度电场分布斜率E围成的面积电流 电压发生二次击穿。雪崩注入二雪崩注入二次击穿机理次击穿机理（4）防止雪崩注入二次击穿的措施）防止雪崩注入二次击穿的措施3）安全工作区）安全工作区集电极最大工作电流线集电极最大工作电流线ICmax最大耗散功率最大耗散功率PCmax电流集中二次击穿临界线电流集中二次击穿临