分立元件电路与集成电路小论文

1、分立元件电路与集成电路李亚妮工商管理1301201306010113一、分立元件电路1.1 二极管1.1.1定义二极管是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。1.1.2功能二极管具有阳极和阴极两个端子，电流只能往单一方向流动。也就是说，电流可以从阳极流向阴极，而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应

2、用，通常称之为“整流”功能。在真空管内，借由电极之间加上的电压能够让热电子从阴极到达阳极，因而有整流的作用。将交流电转变为直流电，包括无线电接收器对无线电信号的调制，都是通过整流来完成的。因为其顺向流通反向阻断的特点，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上，二极管并不会表现出如此完美的开关性，而是呈现出较为复杂的非线性电子特征这是由特定类型的二极管技术决定的。一般来说，只有在正向达到阈值电压时，二极管才会开始工作（此状态被称为正向偏置）5。一个正向偏置的二极管两端的电压降变化只与电流有一点关系，并且是温度的函数。因此这一特性可用于温度传感器或参考电压。半导体二极管的非线性电流-电压特性，可以

3、根据选择不同的半导体材料和掺杂不同的杂质从而形成杂质半导体来改变。特性改变后的二极管在使用上除了用做开关的方式之外，还有很多其他的功能，如：用来调节电压（齐纳二极管），限制高电压从而保护电路（雪崩二极管），无线电调谐（变容二极管），产生射频振荡（隧道二极管、耿氏二极管、IMPATT二极管）以及产生光（发光二极管）。半导体二极管中，有利用P型和N型两种半导体接合面的PN结效应，也有利用金属与半导体接合产生的肖特基效应达到整流作用的类型。若是PN结型的二极管，在P型侧就是阳极，N型侧则是阴极。半导体二极管的电流电压特性曲线。电压在正的区域称为正向偏置。1.1.3 特性正向性外加正向电压时，在正向特

4、性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.60.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.20.3V。反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电

5、流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在A数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二

6、极管外加的反向电压过高。1.1.4 历史20世纪初，由于无线电接收器探测器的需要，热离子二极管（真空管）和固态二极管（半导体二极管）大约在相同的时间分别研发。直到20世纪50年代之前，真空管二极管在收音机中都更为常用。这是因为早期的点接触式半导体二极管（猫须探测器）并不稳定，并且那时大多数的收音机放大器都是由真空管制成，二极管可以直接放入其中。而且那时真空管整流器和充气整流器处理一些高电压、高电流整流任务的能力更是远在半导体二极管（如硒整流器）之上。真空管的发现1873年，弗雷德里克·格思里（Frederick Guthrie）发现了热离子二极管的基本操作原理。他发现了当白热化的接地

7、金属接近带正电的验电器时，验电器的电会被引走；然而带负电的验电器则不会发生类似情况。这表明了电流只能向一个方向流动。1880年2月13日，托马斯·爱迪生也发现了这一规律。当时，爱迪生正在研究为什么他的碳丝灯泡的灯丝几乎总是在正极端烧断。他有一个密封了金属板的特殊玻璃外壳灯泡。利用这个装置，他证实，发光的灯丝会有一种无形的电流穿过真空与金属板连接，但只有当板被连接到正电源时才会发生。爱迪生随即发明了一种电路，他的特殊灯泡有效地取代了直流电压表中的电阻。在1884年，爱迪生被授予了此项发明的专利。由于当时这种装置实际上并不能看出实用价值，这项专利更多地是为了防止别人声称最早发现了这一所谓

8、“爱迪生效应”。20年后，约翰·弗莱明（爱迪生前雇员）发现了这一效应的实用价值，它可以用来制作精确检波器。1904年11月16日，第一个真正的热离子二极管弗莱明管，由弗莱明在英国申请了专利。固态二极管1874年，德国物理学家卡尔·布劳恩发现了晶体的“单向传导”的能力，并在1899年将晶体整流器申请了专利。氧化亚铜和硒整流器则是在1930年代为了供电应用而发明的。印度人贾格迪什·钱德拉·博斯在1894年成为了第一个使用晶体检测无线电波的科学家。他也在厘米和毫米级别对微波进行了研究1011。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（Green

9、leaf Whittier Pickard）发明了硅晶检波器，并在1906年11月20日注册了专利。也正是因为格林里夫，使得晶体检波器发展成了可实用于无线电报的装置。其他实验者尝试了多种其他物质，其中最广泛使用的是矿物方铅矿（硫化铅），因它价格便宜且容易获取。在这些早期的晶体收音机集的晶体检波器包括一个可调节导线的点接触设备（即所谓的“猫须”）。可以通过手动调节晶体表面上的导线，以获得最佳的信号。这个较为麻烦的设备在20世纪20年代由热离子二极管所取代。20世纪50年代，高纯度的半导体材料出现。因为新出现的锗二极管价格便宜，晶体收音机重新开始被大规模使用。贝尔实验室还开发了锗二极管微波接收器。

10、20世纪40年代中后期，美国电话电报公司在美国四处新建的微波塔上开始应用这种微波接收器，主要用于传输电话和网络电视信号。不过贝尔实验室并未研发出效果令人满意的热离子二极管微波接收器。1.1.5 分类（1）依照材料及发展年代分类：1二极真空管2.锗二极管3.硒二极管4.硅二极管5.砷化镓二极管（2）依照应用及特性分类：1PN结二极管（PN Diode）利用半导体中PN接合的整流性质，是最基本的半导体二极管。细节请参照PN结的条目。2肖特基二极管利用金属和半导体二者的接合面的'肖特基效应'的整流作用。由于正向的切入电压较低，导通回复时间也短，适合用于高频率的整流。一般而言漏电流较多

11、，突波耐受度较低。也有针对此缺点做改善的品种推出。3稳压二极管（Reference Diode）（常用称法：齐纳二极管）被施加反方向电压的场合，超过特定电压时发生的反向击穿电压随反向电流变化很小，具有一定的电压稳定能力。利用此性质做成的元件被用于电压基准。借由掺杂物的种类、浓度，决定击穿电压（破坏电压）。其正向特性与一般的二极管相同。4.恒流二极管（或称定电流二极管，CRD、Current Regulative Diode，Constant Current Diode）被施加顺方向电压的场合，无论电压多少，可以得到一定的电流的元件。通常的电流容量在115mA的范围。虽然被称为二极管，但是构造、

12、动作原理都与接合型电场效应晶体管相似。5变容二极管施加反向电压的场合，二极管PN接合的耗尽层厚度会因电压不同而变化，产生静电容量（接合容量）的变化，可当作由电压控制的可变电容器使用。没有机械零件所以可靠度高，广泛应用于压控振荡器或可变电压滤波器，也是电视接收器和移动电话不可缺少的零件。6.发光二极管可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的见光二极管、紫外线二极管等。7.激光二极管当LED产生的光是带宽极窄的同调光（Coherent Light）时，则称为激光二极管。8.光电二极管光线射入PN结，P区空穴、N区电子大量发生，产生电压（光电效应）。借由测量此电压或电流，可作为

13、光感应器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。9.隧道二极管（Tunnel Diode）、江崎二极管（Esaki Diode）、透纳二极管由日本人江崎玲于奈于1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用，会出现在一定偏置范围内正向电压增加时流通的电流量反而减少的“负电阻”的现象。这是最能耐受核辐射的半导体二极管。10.PIN二极管（P-intrinsic-N Diode）PN之间一层高电阻的半导体层，使少数载流子的积蓄效果增加，逆回复时间也较长。利用正向偏置时高频率信号较容易通过的性质，用于天线的频带切换以及高频率开关。11.耿效应二极管应用于低功率微波振荡器。12

14、.二极真空管13.气体放电管整流器针状电极和平板电极相向接近尖端放电。若把针状电极当做负极，比较低的电压就会开始放电。利用这样的性质来做当作整流器。14.点接触二极管用钨之类的金属针状电极与N型半导体的表面接触，此构造的特征是寄生电容非常小。采用于锗质二极管和耿效应二极管。矿石收音机中使用的矿石检波器也是一种点接触二极管。15.交流二极管（DIAC）、突波保护二极管、双向触发二极管当施加超过规定电压（Break Over电压，VBO）的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用于电路的突波保护上。另，虽被称为二极管，实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/可控硅整流器的复杂分类中。16

15、.非线性电阻器若超过一定电压，电阻就会降低。是保护电路受到突波电压伤害的双向元件。通常由二氧化锌的烧结体颗粒制成，当作非线性电阻使用。虽然一般认为它的作用应是由内部众多金属氧化物颗粒间的肖特基接面二极管效应而产生，但对外并不呈现二极管的特性，因此平常并不列在二极管分类之中。1.2 三极管1.2.1 定义三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把

16、整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。1.2.2 历史1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。另外这3位科学家因此共同荣

17、获了1956年诺贝尔物理学奖。晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。1.2.3 分类a.按材质分: 硅管、锗管贴片三极管b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管f.按结构工艺分：合金管、平面管g.按安装方式:插件三极管、

18、贴片三极管二、集成电路2.1 定义集成电路（Integrated Circuit，缩写：IC）是指通过一系列特定的加工工艺，将多个晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路连接集成在一块半导体单晶片（如硅或GaAs等）或陶瓷等基片上，作为一个不可分割的整体执行某一特定功能的电路组件。2.2 特点集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千

19、倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。2.3 产生原因为什么会产生集成电路？我们知道任何发明创造背后都是有驱动力的，而驱动力往往来源于问题。那么集成电路产生之前的问题是什么呢？我们看一下1942年在美国诞生的世界上第一台电子计算机，它是一个占地150平方米、重达30吨的庞然大物，里面的电路使用了17468只电子管、7200只电阻、10000只电容、50万条线，耗电量150千瓦。显然，占用面积大、无法移动是它最直观和突出的问题；如果能把这些电子元件和连线集成在一小块载体上该有多好！我们相信，有很多人思考过这个问题，也提出过各种想法。典型的如英国雷达研究所的科学家达默，他在1952年的一次会议上提出

20、：可以把电子线路中的分立元器件，集中制作在一块半导体晶片上，一小块晶片就是一个完整电路，这样一来，电子线路的体积就可大大缩小，可靠性大幅提高。这就是初期集成电路的构想，晶体管的发明使这种想法成为了可能，1947年在美国贝尔实验室制造出来了第一个晶体管，而在此之前要实现电流放大功能只能依靠体积大、耗电量大、结构脆弱的电子管。晶体管具有电子管的主要功能，并且克服了电子管的上述缺点，因此在晶体管发明后，很快就出现了基于半导体的集成电路的构想，也就很快发明出来了集成电路。杰克·基尔比（Jack Kilby）和罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）在19581959期间分别发明了

21、锗集成电路和硅集成电路。2.4发展历史1947年：美国贝尔实验室的约翰·巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；1950年：结型晶体管诞生；1950年： ROhl和肖克莱发明了离子注入工艺；1951年：场效应晶体管发明；1952年，英国皇家研究所的达默在美国工程师协会举办的座谈会上发表的论文中第一次提出了集成电路的设想；1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；1960年：H H Loor和E Castellani发明了外延生长工艺；

22、1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义；1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；1970年，斯皮勒（E.Spiller）和卡斯特兰尼（E.Castellani）发明了光刻工艺；

23、1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现；1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明；1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC；1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世

24、；1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；1985年：80386微处理器问世，20MHz；1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段；1989年：1Mb DRAM进入市场；1989年：486微处理器推出，25MHz，1m工艺，后来50MHz芯片采用 0.8m工艺；1992年：64M位随机存储器问世；1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6m工艺；1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35m工艺；1997年：300MHz奔腾问世，采用0.25m工艺；19

25、99年：奔腾问世，450MHz，采用0.25m工艺，后采用0.18m工艺；2000年：1Gb RAM投放市场；2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18m工艺；2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13m工艺；2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺；2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺；2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市；2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发；我国集成电路发展历史：我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展

26、阶段：1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。2.5 现状这些年来，集成电路持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能见摩尔定律，集成电路

27、中的晶体管数量，每1.5年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流。因此，对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里，使电子电路的开发趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路。2.6 发展趋势2001年到2010年这10年间，我国集成电路产量的年均增长率超过25%，集成电路销售额的年均增长率则

28、达到23%。2010年国内集成电路产量达到640亿块，销售额超过1430亿元，分别是2001年的10倍和8倍。中国集成电路产业规模已经由2001年不足世界集成电路产业总规模的2%提高到2010年的近9%。中国成为过去10年世界集成电路产业发展最快的地区之一。国内集成电路市场规模也由2001年的1140亿元扩大到2010年的7350亿元，扩大了6.5倍。国内集成电路产业规模与市场规模之比始终未超过20%。如扣除集成电路产业中接受境外委托代工的销售额，则中国集成电路市场的实际国内自给率还不足10%，国内市场所需的集成电路产品主要依靠进口。近几年国内集成电路进口规模迅速扩大，2010年已经达到创纪录

29、的1570亿美元，集成电路已连续两年超过原油成为国内最大宗的进口商品。与巨大且快速增长的国内市场相比，中国集成电路产业虽发展迅速但仍难以满足内需要求。我国集成电路产业发展的生态环境亟待优化，设计、制造、封装测试以及专用设备、仪器、材料等产业链上下游协同性不足，芯片、软件、整机、系统、应用等各环节互动不紧密。“十二五”期间，中国将积极探索集成电路产业链上下游虚拟一体化模式，充分发挥市场机制作用，强化产业链上下游的合作与协同，共建价值链。培育和完善生态环境，加强集成电路产品设计与软件、整机、系统及服务的有机连接，实现各环节企业的群体跃升，增强电子信息大产业链的整体竞争优势。2.7 分类(1)功能结

30、构分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。比如，复读机重放的录音信号就是模拟信号，收音机、电视机接收的音频信号也是模拟信号。模拟集成电路根据功能又分为运算放大器、电压比较器、稳压器等多种。数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号）。数字集成电路又分为TTL集成电路、HTL集成电路、STTL集成电路、ECL集成电路、CMOS集成电路等多种。(2)制作工艺集成电路按制作工艺可分为

31、半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。(3)集成度高低集成电路按集成度高低的不同可分为：SSIC 小规模集成电路(Small Scale Integrated circuits)MSIC 中规模集成电路(Medium Scale Integrated circuits)LSIC 大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits)VLSIC 超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits)ULSIC特大规模集成电路(Ultra Large Scale Integrated circuits

32、)GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路(Giga Scale Integration)。(4)导电类型不同集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。(5)按用途集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路

33、、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等。2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路，电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG

34、解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。4.录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。5.计算机集成电路，包括中央控制单元（CPU）、内存储器、外存储器、I/O控制电路等。6.通信集成电路7.专业控制集成电路(6)按应用领域分集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。(7)按外形分集成电路按外形可分为圆形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好，体积小）和双列直插型。(8)按焊接方式分类集成电路按焊接方式分为直插式集成电路和贴面式集成电路两大类。直插式集成电路又分为双列(双排引脚)集成电路和单列(单排引脚)集成电路两类。其中，小功率直插式集成电路多采用双列方式，而功率较大的集成电路多采用单列方式。贴面式集成电路又分为双列贴面式和四列贴面式两大类。中、小规模贴面式集成电路多采用双列贴面焊接方式，而大规模贴面式集成电路多采用四列贴面焊接方式。2.8 集成电路的结构半导体集成电路的封装形式有晶体管式的圆管壳封装、扁平封装和双列直插式封装及软封装等几种，如图所示。在晶体