微电子器件第四章

1、 P 型衬底型衬底 N 沟道沟道 MOSFET 的剖面图的剖面图金属金属绝缘层绝缘层半导体半导体基本的基本的MOS电容结构电容结构EEPEP加加负负电电压压EcEiEFEvEP加加正正电电压压EcEiEFEv空穴积累空穴积累空穴耗尽形成空间电荷区空穴耗尽形成空间电荷区EP加加正正电电压压EcEiEFEv形成反型区形成反型区EP加加正正电电压压EcEiEFEv空穴耗尽形成空间电荷区空穴耗尽形成空间电荷区EP加加负负电电压压 使栅下的硅表面处开始发生强反型时的栅电压称为使栅下的硅表面处开始发生强反型时的栅电压称为（或（或 ），记为），记为 。 当硅表面处的少子浓度达到或超过体内的平衡多子当硅表面处

2、的少子浓度达到或超过体内的平衡多子浓度时，称为表面发生了浓度时，称为表面发生了 。 当当 VGS VT 时，栅时，栅下的下的 P 型硅表面发生型硅表面发生 ，形成连通源、漏区的，形成连通源、漏区的 N 型型 ，在在 VDS 作用下产生漏极电流作用下产生漏极电流 ID 。对于恒定的。对于恒定的 VDS ，VGS 越大越大 ，沟道中的电子就越多，沟道电阻就越小，沟道中的电子就越多，沟道电阻就越小，ID 就越大。就越大。 所以所以 MOSFET 是通过改变是通过改变 VGS 来控制沟道的导电性，从而来控制沟道的导电性，从而控制漏极电流控制漏极电流 ID ，是一种电压控制型器件。，是一种电压控制型器件

3、。 ：VDS 恒定时的恒定时的 VGS ID 曲线。曲线。MOSFET 的的转移特性反映了栅源电压转移特性反映了栅源电压 VGS 对漏极电流对漏极电流 ID 的控制能力的控制能力。 N 沟道沟道 MOSFET 当当VT 0 时，称为时，称为 ，为，为 。VT VT 且恒定时的且恒定时的 VDS ID 曲线。可分为曲线。可分为以下以下 4 段：段： 随着随着 VDS 增大，漏附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线增大，漏附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线逐渐下弯。当逐渐下弯。当 VDS 增大到增大到 时，漏端处的时，漏端处的可动电子消失，这称为沟道被可动电子消失，这称为沟道被 ，如图中的，如图中的

4、AB 段所示。段所示。 线性区与过渡区统称为线性区与过渡区统称为 ，有时也统称为，有时也统称为 。 当当 VDS VDsat 后，沟道夹断点左移，漏附近只剩下耗尽区。后，沟道夹断点左移，漏附近只剩下耗尽区。这时这时 ID 几乎与几乎与 VDS 无关而保持常数无关而保持常数 ，曲线为水平直线，如，曲线为水平直线，如图中的图中的 BC 段所示。段所示。 实际上实际上 ID 随随 VDS 的增大而略有增大，曲线略向上翘。的增大而略有增大，曲线略向上翘。 当当 VDS 继续增大到继续增大到 时，漏结发生雪崩击穿，或者漏源时，漏结发生雪崩击穿，或者漏源间发生穿通，间发生穿通，ID 急剧增大，如图中的急剧

5、增大，如图中的 CD 段所示。段所示。 将各曲线的夹断点用虚线连接起来，将各曲线的夹断点用虚线连接起来，。 以以 VGS 作为参变量，可得到不同作为参变量，可得到不同 VGS 下的下的 VDS ID 曲线族，曲线族，这就是这就是 MOSFET 的的 。 4 种类型种类型 MOSFET 的特性曲线小结的特性曲线小结 使栅下的硅表面处开始发生强反型时的栅电压称为使栅下的硅表面处开始发生强反型时的栅电压称为（或（或 ），记为），记为 。 当硅表面处的少子浓度达到或超过体内的平衡多子当硅表面处的少子浓度达到或超过体内的平衡多子浓度时，称为表面发生了浓度时，称为表面发生了 。 在推导阈电压的表达式时可近

6、似地采用一维分析，即认为在推导阈电压的表达式时可近似地采用一维分析，即认为衬底表面下耗尽区及沟道内的空间电荷完全由栅极电压产生的衬底表面下耗尽区及沟道内的空间电荷完全由栅极电压产生的纵向电场所决定，而与漏极电压产生的横向电场无关。纵向电场所决定，而与漏极电压产生的横向电场无关。 本小节推导本小节推导 P 型衬底型衬底 MOS 结构的结构的阈电压阈电压。当金属、氧化层和当金属、氧化层和P型硅未接触时的能带图型硅未接触时的能带图当金属、氧化层和当金属、氧化层和P型硅接触时的能带图型硅接触时的能带图 1、金属与半导体间的功函数差、金属与半导体间的功函数差 MS = = 0 ，栅氧化层中的电荷面，栅氧

7、化层中的电荷面密度密度 QOX = 0，且，且VG = = 0 时的能带图时的能带图上图中，上图中，AFPiFi1ln0NkTEEqqn，称为，称为 。 2、金属与半导体间的功函数差、金属与半导体间的功函数差 MS 0，且，且VG = = 0 时的能带图时的能带图 上图中，上图中， S 称为称为 ，即从硅表面处到硅体内平衡处的，即从硅表面处到硅体内平衡处的电势差，等于能带弯曲量除以电势差，等于能带弯曲量除以 q 。 4、实际、实际 MOS 结构（结构（ MS 0）当）当 VG = = 0 时的能带图时的能带图oxOXCQqqqMSS5、实际、实际 MOS 结构当结构当 VG = = VFB 时

8、的能带图时的能带图 当当 时，可以使能带恢复为平带状态，时，可以使能带恢复为平带状态，这时这时 S = = 0，硅表面呈电中性。，硅表面呈电中性。 称为称为 。COX 代表单代表单位面积的栅氧化层电容，位面积的栅氧化层电容， ，TOX 代表栅氧化层厚度。代表栅氧化层厚度。OXOXMSFBGCQVVOXOXOXTC 4、实际、实际 MOS 结构当结构当 VG = = VT 时的能带图时的能带图 要使表面发生强反型，应使表面处的要使表面发生强反型，应使表面处的 EF - - EiS = = q FP ，这时，这时 外加栅电压超过外加栅电压超过 VFB 的部分的部分称为称为 。有效栅电压可分为两部分

9、：降在氧化层上的有效栅电压可分为两部分：降在氧化层上的 VOX 与降在硅表面与降在硅表面附近的表面电势附近的表面电势 S ，即，即 VG VFB = = VOX + S 表面势表面势 S 使能带发生弯曲。表面发生强反型时能带的弯曲使能带发生弯曲。表面发生强反型时能带的弯曲量是量是 2q FP ，表面势为，表面势为 2 FP ，于是可得，于是可得 VT VFB = = VOX + 2 FP 上式中，上式中， QM 和和 QS 分别代表金属一侧的分别代表金属一侧的电荷面密度和半导体一侧的电荷面密度，而电荷面密度和半导体一侧的电荷面密度，而 QS 又是耗尽层电荷又是耗尽层电荷QA 与反型层电荷与反型

10、层电荷 Qn 之和。之和。,OXSOXMOXCQCQV- -QAQM- -QnCOX- -QSP可得可得 MOS 结构的阈电压为结构的阈电压为FPOXFPAOXOXMST2)2(CQCQV 再将再将 和上式代入和上式代入 中，中，OXOXMSFBCQV关于关于 QA 的进一步推导在以后进行。的进一步推导在以后进行。 作为近似，在强反型刚开始时，可以忽略作为近似，在强反型刚开始时，可以忽略 Qn 。QA 是是 S 的的函数，在开始强反型时，函数，在开始强反型时，QA ( S ) = = QA ( 2 FP ) ，故得，故得OXFPAOXSOX)2(CQCQV MOSFET 与与 MOS 结构的不

11、同之处是：结构的不同之处是： a) 栅与衬底之间的外加电压由栅与衬底之间的外加电压由 VG 变为变为 (VG - -VB) ，因此有效，因此有效栅电压由栅电压由 (VG - -VFB ) 变为变为 (VG - -VB - - VFB ) 。 b) 有反向电压有反向电压 (VS - -VB )加在源、漏及反型层的加在源、漏及反型层的 PN 结上，使结上，使 强反型开始时的表面势强反型开始时的表面势 S,inv 由由 2 FP 变为变为 ( 2 FP + VS - -VB )。 b) 有反向电压有反向电压 (VS - -VB )加在源、漏及反型层的加在源、漏及反型层的 PN 结上，使结上，使 强反

12、强反型开始时的表面势型开始时的表面势 S,inv 由由 2 FP变为变为 ( 2 FP + VS - -VB )。 EcEiEFEvEcEiEFPEvEFNq FP q FP q FP q FP q(VS-VB) S,inv = 2 FP S,inv = 2 FP + VS - -VB 以下推导以下推导 QA 的表达式。对于均匀掺杂的衬底，的表达式。对于均匀掺杂的衬底，AS,invAdmax()QqN xAS,invTBFBS,invOX()QVVVC 因此因此 MOSFET 的阈电压一般表达式为的阈电压一般表达式为21AS,invsA2NqNq12AsFPSB22qNVV EcEiEFPEv

13、EFNq FP q FP q(VS-VB) S,inv = 2 FP + VS - -VB 于是可得于是可得 N 沟道沟道 MOSFET 的阈电压为的阈电压为12TBFBFPSBFPSB1OX2MSFPSBFPSOX2222VVVKVVVVQKVVVC 注意上式中，通常注意上式中，通常 VS 0，VB VDsat 后，漏极电流主要决定于源区与夹断点之间后，漏极电流主要决定于源区与夹断点之间的电子速度，受夹断区域的影响不大，所以可以简单地假设的电子速度，受夹断区域的影响不大，所以可以简单地假设 ID保持保持 IDsat 不变，即从抛物线顶点以水平方向朝右延伸出去。不变，即从抛物线顶点以水平方向朝

14、右延伸出去。 以不同的以不同的 VGS 作为参变量，可得到一组作为参变量，可得到一组 ID VDS 曲线，这就曲线，这就是是 。 但是实测表明，当但是实测表明，当 VDS VDsat 后，后，ID 随随 VDS 的增大而略有的增大而略有增大，也即增大，也即 MOSFET 的增量输出电阻的增量输出电阻 不是无穷大不是无穷大而是一个有限的值。而是一个有限的值。DSdsDVrI 通常采用两个模型来解释通常采用两个模型来解释 ID 的增大。的增大。 当当 VDS VDsat 后，沟道中满足后，沟道中满足 V = = VDsat 和和 Qn = = 0 的位置向左的位置向左移动移动 L，即这意味着有效沟

15、道长度缩短了。即这意味着有效沟道长度缩短了。 已知当已知当 VDS = = VDsat 时，时，V (L) = = VDsat ，Qn (L) = = 0 。 由于由于 ，当，当 L 缩短时，缩短时，ID 会增加。会增加。LI1D 对于对于 L 较短及较短及 NA 较小的较小的 MOSFET，当，当 VDS VD sat 后，耗后，耗尽区宽度接近于有效沟道长度，这时从漏区发出的电力线有一尽区宽度接近于有效沟道长度，这时从漏区发出的电力线有一部分终止于沟道上，使沟道电子的数量增多，从而导致电流增部分终止于沟道上，使沟道电子的数量增多，从而导致电流增大。可以把此看作是在漏区与沟道之间存在一个电容大

16、。可以把此看作是在漏区与沟道之间存在一个电容 CdCT，当，当 VDS 增加增加 VDS 时，沟道区的电子电荷面密度的增量为时，沟道区的电子电荷面密度的增量为ZLVCQDSdCTAV 前面的前面的漏极电流公式只适用漏极电流公式只适用于于 VGS VT ，并假设当，并假设当 VGS VT 时时 ID = = 0 。但实际上当。但实际上当 VGS VT 时，时，MOSFET 仍能仍能微弱导电，这称为微弱导电，这称为 。这时的漏极电流称为。这时的漏极电流称为，记为，记为 。 使硅表面处于本征状态使硅表面处于本征状态的的 VGS 称为称为 ，记为，记为 。当当 VGS = = Vi 时，表面势时，表面

17、势 S = = FB，能带弯曲量为能带弯曲量为 q FB，表面处于，表面处于 。 当当 Vi VGS VT 时，时， FB S 2 FB，表面处于，表面处于 ，反型层中的少子（电子），反型层中的少子（电子）浓度介于本征载流子浓度与衬浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡多子浓度之间。底平衡多子浓度之间。 在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此在计算在计算 IDsub 时只考虑扩散电流而忽略漂移电流。时只考虑扩散电流而忽略漂移电流。

18、由于由于 FB S VDsat 且且恒定时的恒定时的 IDsat ，即，即22DSSGSTT22IVVV 表示当表示当 MOSFET 工作于线性区，且工作于线性区，且 VDS 很小时的沟道电阻。很小时的沟道电阻。当当 VDS 很小时，很小时，ID 可表示为可表示为DSTGS2DSDTGSD)(21)(VVVVVVVIS)()(1TGSOXnTGSDDSonVVCZLVVIVR 只适用于增强型只适用于增强型 MOSFET，表示当，表示当 VGS = = 0 ，外加，外加 VDS 后的后的亚阈电流与亚阈电流与 PN 结反向电流引起的微小电流。结反向电流引起的微小电流。 表示从栅极穿过栅氧化表示从栅

19、极穿过栅氧化 层到沟道之间的电流。栅极电流层到沟道之间的电流。栅极电流 IG极小，通常小于极小，通常小于 10- -14 A 。 对于对于 Td0dVT 无论无论 N 沟道还是沟道还是 P 沟道，沟道， 大约为每度几个大约为每度几个 mV 。TVddT (1) 当（当（VGS VT）较大时，）较大时，(3) 令令 ，可解得，可解得, 0ddDTI(2) 当（当（VGS VT）较小时，）较小时，, 0ddDTI0ddDTIDSnTnTGS21ddddVTTVVV 当满足上式时，漏极电流的温度系数为零，温度对漏极电当满足上式时，漏极电流的温度系数为零，温度对漏极电流无影响。对流无影响。对 P 沟道

20、沟道 MOSFET 也可得到类似的结论。也可得到类似的结论。 DDnTnOXDSnddddddIIVZCVTTLT (a) 漏漏 PN 结雪崩击穿结雪崩击穿 由于在漏、栅之间存在由于在漏、栅之间存在 ，使，使 MOSFET 的漏源击穿的漏源击穿电压远低于相同掺杂和结深的电压远低于相同掺杂和结深的 PN 结雪崩击穿电压。当衬底掺杂结雪崩击穿电压。当衬底掺杂浓度小于浓度小于 1016 cm- -3 后，后，BVDS 就主要取决于就主要取决于 VGS 的极性、大小和的极性、大小和栅氧化层的厚度栅氧化层的厚度 TOX 。 (b) 源、漏之间的穿通源、漏之间的穿通1qV2qVN+PN+2sApt2LqN

21、V12sbiptdA2VVLxqN 略去略去 Vbi 后得后得 可见，可见，L 越短，越短，NA 越小，越小，Vpt 就越低就越低 。由于沟道区掺杂远低于。由于沟道区掺杂远低于源漏区，所以穿通现象是除工艺水平外限制源漏区，所以穿通现象是除工艺水平外限制 L 缩短的重要因素之一。缩短的重要因素之一。 由于由于 MOS 电容上存贮的电荷不易泄放，且电容的值很小，电容上存贮的电荷不易泄放，且电容的值很小，故很少的电荷即可导致很高的电压，使栅氧化层被击穿。由于故很少的电荷即可导致很高的电压，使栅氧化层被击穿。由于这种击穿是破坏性的这种击穿是破坏性的 ，所以，所以 MOSFET 在存放与测试时，一定在存

22、放与测试时，一定要注意使栅极良好地接地。要注意使栅极良好地接地。 BVGS 大致正比于栅氧化层厚度大致正比于栅氧化层厚度 TOX ，当，当 TOX = = 150 nm 时时 ，BVGS 约为约为 75 150 V 。但实际上由于氧化层的缺陷与不均匀。但实际上由于氧化层的缺陷与不均匀 ，应至少加应至少加 50% 的安全系数。的安全系数。 BVGS 是使栅氧化层发生击穿时的是使栅氧化层发生击穿时的 VGS 。 DSDmGS|VIgV 代表转移特性曲线的斜率，它反映了栅源电压代表转移特性曲线的斜率，它反映了栅源电压 VGS 对对漏电流漏电流 ID 的控制能力，即反映了的控制能力，即反映了 MOSF

23、ET 的增益的大小。的增益的大小。2DGSTDSDS12IVVVV2DsatGST12IVV 非饱和区非饱和区 饱和区饱和区DSmVgmsGSTDsatgVVV 为了提高跨导为了提高跨导 gms ，从器件角度，应提高，从器件角度，应提高 ，即增大，即增大 ，提高迁移率提高迁移率 ，减小，减小 TOX 。从电路角度，应提高。从电路角度，应提高 VGS 。LZ 以以 VGS 作为参变量的作为参变量的 gm VDS 特性曲线特性曲线DSmVgmsGSTDsatgVVV GSDdsDS|VIgV gds 是输出特性曲线的斜率，也是增量输出电阻是输出特性曲线的斜率，也是增量输出电阻 rds 的倒数。的倒

24、数。 非饱和区非饱和区 当当 VDS 很小时很小时 饱和区饱和区dsGSTDSgVVVdsGSTon1gVVR0DSDsatsatdsVIg ）（ 实际上，实际上，IDsat 随着随着 VDS 的增加而略微增大，使的增加而略微增大，使 ( gds )sat 略大略大于于 0 。降低。降低 ( gds )sat 的措施与降低有效沟道长度调制效应的措施的措施与降低有效沟道长度调制效应的措施是一致的。是一致的。 以以 VGS 为参变量的为参变量的 gds VDS 特性曲线特性曲线 0dddddGSmDSdsGSGSDDSDSDDVgVgVVIVVII DDSGS|IVV 在非饱和区，对在非饱和区，对

25、 ID 求全微分并令其为零，求全微分并令其为零，饱和区饱和区 实际上，因有效沟道长度调制效应等原因，实际上，因有效沟道长度调制效应等原因， S 为有限值为有限值 。模拟电路中的模拟电路中的 MOSFET 常工作在饱和区，希望常工作在饱和区，希望 S 尽量大，故尽量大，故应尽量增大应尽量增大 gms ，减小，减小 ( gds )sat 。DSDSmGSdsGSTDSVVgVgVVV satdsmsS）（gg 本征本征 MOSFET 的的共源极共源极小信号高频等效电路为小信号高频等效电路为饱和饱和区的等效电路区的等效电路 mmmsmsmsgg( )11gggfjjfmnGSTg2gsgs11528

26、VVfR CL称为称为 ，代表当跨导，代表当跨导 下降到低频下降到低频值的值的 时的频率。时的频率。| )(|msg21图中，图中，（5-126） 为了提高为了提高 fgm ，从器件制造角度，主要应缩短沟道长度，从器件制造角度，主要应缩短沟道长度 L ，其次是应提高载流子迁移率其次是应提高载流子迁移率 ，所以，所以 N 沟道沟道 MOSFET 的性能比的性能比 P 沟道沟道 MOSFET 好；从器件使用角度，则应提高栅源电压好；从器件使用角度，则应提高栅源电压 VGS 。mnGSTg2gsgs11528VVfR CL 使最大输出电流与输入电流相等，即最大电流增益使最大输出电流与输入电流相等，即

27、最大电流增益 下降到下降到 1 时的频率，称为时的频率，称为 ，记为，记为 。 当当输出端短路时，能够得到最大输出电流。输出端短路时，能够得到最大输出电流。 当当输出端共轭匹配，即输出端共轭匹配，即 RL = = rds 时，能够得到最大输出功率。时，能够得到最大输出功率。 使使最大功率增益最大功率增益 Kpmax下降到下降到 1 时的频率，称为时的频率，称为 ，记为，记为 。（4-142a）gdgsgsmsT2CCCgf MOSFET 的最大高频功率增益为的最大高频功率增益为22omaxms dsms dspmax2222ingsgsgsgs44 2Pg rg rKPC RfC R 可见，可

28、见， ，即每倍频下降，即每倍频下降 6 分贝。分贝。2maxp1fK21gsdsT21gsdsgsmsM442RrfRrCgf 提高提高 fM 的主要措施是提高的主要措施是提高 fT ，即缩短沟道长度，即缩短沟道长度 L，并提高，并提高rds 。 当当 MOSFET 的沟道长度的沟道长度 L时，时， 分立器件：分立器件： 集成电路：集成电路：MmaxpgmonmD,fKRgI 但是随着但是随着 L 的缩短，将有一系列在普通的缩短，将有一系列在普通 MOSFET 中不明显中不明显的现象在短沟道的现象在短沟道 MOSFET 中变得严重起来，这一系列的现象统中变得严重起来，这一系列的现象统称为称为

29、。，集成度功耗,pdt 实验发现，当实验发现，当 MOSFET 的沟道长度的沟道长度 L 缩短到可与源、漏区缩短到可与源、漏区的结深的结深 xj 相比拟时，阈电压相比拟时，阈电压 VT 将随着将随着 L 的缩短而减小，这就是的缩短而减小，这就是 。 代表沟道下耗尽区的电离代表沟道下耗尽区的电离杂质电荷面密度杂质电荷面密度 。考虑漏源区的影响后，。考虑漏源区的影响后，QA 应改为平均电荷应改为平均电荷面密度面密度 QAG 。12AAdsAFB4QqN xqN FBOXAOXOXMST2CQCQVTAGjTAAGj,VQLxLLVQQxL，时，随着当无关与，时，当减小减小阈电压短沟道效应的措施阈电

30、压短沟道效应的措施jdAOXOX()()xxNCT、OXAGTMSFBOXOX2QQVCCLLdxPjx 实验发现，当实验发现，当 MOSFET 的沟道宽度的沟道宽度 Z 很小时，阈电压很小时，阈电压 VT 将随将随 Z 的减小而增大。这个现象称为的减小而增大。这个现象称为 。 AGAAA21ZQQQQZOXAGTMSFpOXOX()2QQVCC狭 当当 VGS VT 且继续增大时，垂直方向的电场且继续增大时，垂直方向的电场 E x 增大，表面增大，表面散射进一步增大，散射进一步增大， 将随将随 VGS 的增大而下降，的增大而下降，电场1110 式中，式中， TGSVVK电场 体内表面体内21

31、110 当当 VGS 较小时，较小时， 当当 VGS VT 且继续增大时，垂直方向的电场且继续增大时，垂直方向的电场 E x 增大，表面增大，表面散射进一步增大，散射进一步增大， 将随将随 VGS 的增大而下降，的增大而下降，电场1110 式中，式中， TGSVVK电场 体内表面体内21110 当当 VGS 较小时，较小时， VDS 产生水平方向的电场产生水平方向的电场 Ey 。当。当 Ey 很大时，载流子速度将很大时，载流子速度将趋于饱和。简单的近似方法是用二段直线来描述载流子的趋于饱和。简单的近似方法是用二段直线来描述载流子的 v Ey 关系，关系， = = v = = 时数，常CKTGS

32、01EEVVVy时，CKTGS01EEEVVVyy时，CmaxEEEvyymaxCyvEE常数，时vmaxvEy0EC 已知已知 为使沟道夹断的饱和漏源电压，也就是为使沟道夹断的饱和漏源电压，也就是使使 的饱和漏源电压。的饱和漏源电压。 短沟道短沟道 MOSFET 中，因沟道长度中，因沟道长度 L 很小，很小， 很高，很高，使漏极附近的沟道尚未被夹断之前，使漏极附近的沟道尚未被夹断之前，Ey 就达到了临界电场就达到了临界电场 EC ，载流子速度载流子速度 v (L) 就达到了饱和值就达到了饱和值 vmax ，从而使，从而使 ID 饱和。饱和。yVEydd 现设现设 为使为使 的饱和漏源电压。经

33、计算，的饱和漏源电压。经计算， 可见，可见，V Dsat 总是小于总是小于 VDsat 。 对于普通对于普通 MOSFET，TGSDsatDsatVVVV 对于短沟道对于短沟道 MOSFET，DsatCDsatVLEV 饱和漏源电压正比于饱和漏源电压正比于 L，将随，将随 L 的缩短而减小。的缩短而减小。1222DsatDsatCDsatCVVE LVE L 饱和漏源电压与饱和漏源电压与 L 无关。无关。22CDsatE LV22CDsatE LV 对于短沟道对于短沟道 MOSFET，22CDsat,E LV2DsatDsatnOXCnOXGSTCCVZICE LZCVVELE L 对于普通对于普通 MOSFET， 22CDsatE LV222DsatDsatnOXCnOXDsatDsatC11122VZZICE LCVILE LL 2DsatGSTDsat1,IVVILDsatGSTDsat,IVVIL与无关。 普通普通 MOSFET 在饱和区的跨导为在饱和区的跨导为 短沟道短