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文档简介

1、由于蓝宝石基板导热系数差，影响LED发光效率。为了解决LED散热难题, 未来有可能将主要采用垂直结构LED架构，促进LED产业技术发展。关于 垂直结构LED技术相信大家都有所耳闻，下面仅从技术表层进行介绍，谨 供参考。我们知道，LED芯片有两种基本结构，横向结构(Lateral)和垂直结构 (Vertical) «横向结构LED芯片两个电极在LED芯片同一侧，电流在n- 和P-类型限制层中横向流动不等距离。垂直结构LED芯片两个电极分别在 LED外延层两侧，由于图形化电极和全部p-类型限制层作为第二电极，使 得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动电流，可以改善平面 结构电流

2、分布问题，提高发光效率，也可以解决P极遮光问题，提升LED 发光面积。n-氮化税盾金履合金基板我们先来了解下垂直结构LED制造技术与基本方法:多重量子井P-氮化制造垂直结构LED芯片技术主要有三种方法: 一、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰 少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须 对LED表面进行处理以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化钱LED磊晶层，优点是散热好、易 加工。制造垂直结构LED芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬 底。其中生长在神化铉生长衬底上垂直结构GaP基LED

3、芯片有两种结构: 不剥离导电珅化钱生长衬底：在导电神化像生长衬底上层迭导电DBR反射 层，生长GaP基LED外延层在导电DBR反射层上。剥离神化保生长衬底：层迭反射层在GaP基LED外延层上，键合导电支持 衬底，剥离珅化钱衬底。导电支持衬底包括，碑化铉衬底，磷化铉衬底， 硅衬底，金属及合金等。另外，生长在硅片上垂直GaN基LED也有两种结构：不剥离硅生长衬底：在导电硅生长衬底上层迭金属反射层或导电DBR反射 层，生长氮化铉基LED外延层在金属反射层或导电DBR反射层上。剥离硅生长衬底：层迭金属反射层在氮化像基LED外延层上，在金属反射 层上键合导电支持衬底，剥离硅生长衬底。再简单说明制造垂直氮化铁基LED工艺流程：层迭反射层在氮化铁基LED外延层上，在反射层上键合导电支持衬底，剥离蓝宝石生长衬底。导 电支持衬底包括，金属及合金衬底，硅衬底等。无论是GaP基LED、GaN基LED,还是ZnO基LED这一类通孔垂直结构LED,相比传统结构LED有着较大优势，具体表现在：1、目前，现有所有颜色垂直结构LED：红光LED、绿光LED、蓝光LED及 紫外光LED,都可以制成通孔垂直结构LED有极大应用市场。2、所有制造工艺都是在芯片（wafer ）水平进行。3

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