电工电子选择题复习资料一西上

1、一、选择题1、按照导电能力的强弱，铜、铝等等金属属于( )。A导体 B半导体 C绝缘体 D都不是【代码】20111019【答案】A2、下例不属于半导体材料的是（ ）。A、硅 B、锗 C、铁 D、砷化钾【代码】20111029【答案】C3、按照导电能力的强弱，橡胶、塑料等等物质属于( )。A导体 B半导体 C绝缘体 D都不是【代码】20111038【答案】C4、半导体材料可制成热敏元件，用于检测温度的变化是利用它 ( )。A对温度反应灵敏 B对光照反应灵敏 C具有杂敏性 D导电性好【代码】20111048【答案】A5、半导体材料可制成光电管等是利用它( )。A对温度反应灵敏 B对光照反应灵敏 C

2、具有杂敏性 D导电性好【代码】20111058【答案】B6、半导体材料可制成二极管、三极管等是利用它( )。A对温度反应灵敏 B对光照反应灵敏 C具有杂敏性 D导电性好【代码】20111068【答案】C7、N型半导体是在纯净半导体中掺入( )。A2价元素 B3价元素 C4价元素 D5价元素【代码】20111078【答案】D8、P型半导体是在纯净半导体中掺入( )。A2价元素 B3价元素 C4价元素 D5价元素【代码】20111088【答案】B9、N 型半导体的多数载流子是电子，但形成的杂质原子应带（ ）A带 负 电 B带 正 电 C不 带 电 D无法确定【代码】20112096【答案】B10、

3、P型半导体的多数载流子是空穴，但形成的杂质原子应带（ ）A带 负 电 B带 正 电 C不 带 电 D无法确定【代码】20112106【答案】A11、当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）A 增强 B减弱 C不变 D无法确定【代码】20111117【答案】A12、PN结的特性是 ( )。A正、反向都导通 B正向导通、反向截止C正、反向都截止 D正向截止、反向导通【代码】20111128【答案】B 13、点接触型PN结结面积小，结电容也小，常用于 ( )。A高频检波电路 B低频整流电路 C作开关 D都不是【代码】20111136【答案】A14、面接触型PN结结面积大，结电

4、容也大，常用于( )。A高频检波电路 B低频整流电路 C作开关 D都不是【代码】20111146【答案】B15、半 导 体 二 极 管 的 主 要 特 点 是 具 有（ ）A电流放大作用 B电压放大作用 C单向导电性 D双向导电性【代码】20111157【答案】C16、硅管的死区电压约为 ( )V。A0.1 B0.3 C0.5 D0.7【代码】20111168【答案】C17、锗管的死区电压约为 ( )V。A0.1 B0.3 C0.5 D0.7【代码】20111177【答案】A18、硅管的正向导通压降约为 ( )V。A01 B0.3 C0.7 D1.0【代码】20111188【答案】C19、锗管

5、的正向导通压降约为 ( )V 。A0.1 B0.3 C0.5 D1.0【代码】20111198【答案】C20、PN结正向导通时表现为( )。A高电阻 B低电阻 C低电流 D无法确定【代码】20111208【答案】A21、本征半导体电子浓度（ ）空穴浓度。A大于 B小于 C等于 D以上都不是【代码】20111217【答案】C22、N型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度。A大于 B小于 C等于 D以上都不是【代码】20112226【答案】A23、P型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度。A大于 B小于 C等于 D以上都不是【代码】20112236【答案】B24、理 想 二 极 管 的 正 向 电 阻 为（

6、）A无穷大 B为0 C约为几千欧 D约为几十千欧【代码】20211017【答案】C25、如 果 把 一 个 小 功 率 二 极 管 直 接 同 一 个 电 源 电 压 为1.5V、内 阻 为 零 的 电 池 实 行 正 向 连 接，电 路 如 图 所 示，则 后 果 是 该 管（ ）。 A击 穿 B电 流 为 零 C 电 流正 常 D电 流 过 大 使 管 子 烧 坏【代码】20212025【答案】D26、电 路 如 图 所 示, 所 有 二 极 管 均 为 理 想 元 件，则 D、D、D的 工 作 状 态 为（ ）。 AD导 通，D、D 截 止 B D、D截 止 ， D3 导 通CD、D截

7、止， D导 通 D D、D、D均 截 止【代码】20213034【答案】A27、电 路 如 图 所 示 ，二 极 管 D 为 理 想 元 件，US =5 V ，则 电 压uO=（ ）。 A5V B 2.5V C 0.7V D0V【代码】20213044【答案】D28、电 路 如 图 所 示，二 极 管 为 同 一 型 号 的 理 想 元 件，电 阻 R = 4 k，电 位 uA=1V， uB =3V，则 电 位 uF 等 于（ ）。 A 1 VB 3 VC 4 V D12V【代码】20213054【答案】A29、二极管的最大整流电流是指 ( )。A长期使用允许通过的最大反向电流 B长期使用允许

8、通过的最大正向电流 C加最大反向工作电压时的反向电流 D加最大正向工作电压时的正向电流【代码】20212067【答案】 B30、二极管的最大反向工作电压一般规定为击穿电压的 ( ) 倍。A B C1 D2 【代码】20212077【答案】C31、常用来制造发光二极管的材料是 ( )。A硅 B锗 C硅、锗 D砷化镓、磷化镓【代码】20211088【答案】D 32、二极管两端加上正向电压时( )。A一定导通 B超过死区电压才会导通 C超过0.3V才会导通 D超过0.7V才会导通【代码】20211098【答案】B33、二极管加反向电压时若电流很小，则管子是( )。A反向截止状态 B反向击穿状态 C短

9、路状态 D断路状态【代码】20212107【答案】A34、在电场作用下，空穴与自由电子运动形成的电流 ( )。A方向相同 B方向相反 C大小不同 D方向无法确定【代码】20212116【答案】A35、用万用表直流电压档分别测出VD1，VD2 和VD3 正极与负极对地的电位如图示，VD1，VD2，VD3 中处于导通的状态的是( )。AVD1、VD2 BVD1、VD3 CVD、2VD3 D只有VD1【代码】20222125【答案】B36、以下图示电路中，二极管的工作状态分别为( )。 AVD1 截止，VD2 导通 BVD1，VD2 都导通 CVD1，VD2 都截止 DVD1 导通，VD2 截止【代

10、码】20222136【答案】D37、如下图所示几条曲线中，表示理想二极管正向伏安特性的是 ( )。 【代码】20222146【答案】B38、一个硅二极管的反向击穿电压是150V，则其最高反向工作电压( )。A大于150V B略小于150V C不超过40V D等于75V【代码】20211157【答案】D39、稳压二极管常用( )。A硅管 B锗管 C硅、锗管都可以 D硅、锗管都不可以【代码】20512017【答案】A40、稳压二极管工作时的特点是 ( )。A电压在大范围变化，电流变化小 B电流在大范围变化，电压变化也大 C电流在小范围变化，电压变化大 D电流在大范围变化，电压变化小【代码】2051

11、2026【答案】 D41、稳 压 管 反 向 击 穿 后， 其 后 果 为 （ ）。A永 久 性 损 坏B只要流过稳压管电流不超过规定值允许范 围， 管 子 无 损C 由 于 击 穿 而 导 致 性 能 下 降D不能再使用【代码】20512036【答案】B42、在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是（ ）。 A四只 B三只 C二只 D一只【代码】20311018【答案】C43、在整流电路中，设整流电流平均值为， 则流过每只二极管的电流平均值 的电路是（ ）。A单相桥式整流电路 B 单相半波整流电路C单相全波整流电路 D以上都不是【代码】20322023【答案】B44、设整流变压器副边电压

12、，欲使负载上得到图示整流电压 的波形，则需要采用的整流电路是（ ）。A单相桥式整流电路 B单相全波整流电路C单相半波整流电路 D以上都不是【代码】20322036【答案】C45、直流电源电路如图所示，用虚线将它分成四个部分，其中滤波环节是指 图中 （ ）。 A(1) B(2) C(3) D(4)【代码】20442015【答案】C46、半导体整流电路中使用的整流二极管应选用( )。A变容二极管 B稳压二极管 C点接触二极管 D面接触二极管【代码】20312046【答案】D47、把单相脉动的直流电转换成较平滑直流电的过程叫 ( )。A变压 B整流 C稳压 D滤波【代码】20411028【答案】D48、单相半波整流电路如图所示，Uo= ( )。 A0.9U2 B0.45