第9章二极管与三极管

1、电工电子技术基础电工电子技术基础电子技术基础电子技术基础系列课件系列课件退出退出第第9 9章章 二极管和三极管二极管和三极管第第1010章章 基本放大电路基本放大电路第第1111章章 集成运算放大器集成运算放大器第第1212章章 直流稳压电源直流稳压电源第第1414章章 触发器和时序逻辑电路触发器和时序逻辑电路目目 录录第第1515章章 模拟量和数字量的转换模拟量和数字量的转换第第1313章章 门电路和组合逻辑电路门电路和组合逻辑电路绪绪 论论模拟信号模拟信号： 时间连续数值也连续的信号。在时间、数值时间连续数值也连续的信号。在时间、数值是平滑地、连续地变化。所以模拟信号在一定范围内的是平滑地

2、、连续地变化。所以模拟信号在一定范围内的任意值必须测量其大小。任意值必须测量其大小。 如：速度、压力、温度等。如：速度、压力、温度等。模拟电路：模拟电路：是工作在模拟信号下的电路。是工作在模拟信号下的电路。缺点：很难度量；缺点：很难度量； 容易受噪声的干扰；容易受噪声的干扰； 难以保存。难以保存。、模拟信号及模拟电路、模拟信号及模拟电路(1) 定义：在时间上和数值上均是离散的、不连续的。定义：在时间上和数值上均是离散的、不连续的。 如：电子表的秒信号，生产线上记录零件个数的记数信号如：电子表的秒信号，生产线上记录零件个数的记数信号等。等。 数字电路中，数字信号（电压和电流）通常是脉冲的。数字电

3、路中，数字信号（电压和电流）通常是脉冲的。数字电路：数字电路：是工作在是工作在数字数字信号下的电路。信号下的电路。2. 数字信号及数字电路数字信号及数字电路Vt(V)(ms)501020304050典型的数字信号典型的数字信号 数字信号数字信号只有两个取值只有两个取值0和和1。所以数字信号又叫。所以数字信号又叫二值二值信号信号或或二元信号二元信号。(2) 数字信号的描述方法数字信号的描述方法-二值数字逻辑二值数字逻辑 优点：优点： 提高了抗干扰能力。提高了抗干扰能力。 数字电路中，通常是根据脉冲信号的有无、个数、宽数字电路中，通常是根据脉冲信号的有无、个数、宽度、和频率来进行工作的，所以抗干扰

4、较强（干扰往往只度、和频率来进行工作的，所以抗干扰较强（干扰往往只影响脉冲幅度），准确度较高。影响脉冲幅度），准确度较高。(3). 应用：应用： 例如测量电机转速的数字系统例如测量电机转速的数字系统光电转换脉冲放大整形门 电 路秒信号发生器计 数 器显示译码数码显示 1s3、模拟信号和数字信号的相互转化、模拟信号和数字信号的相互转化（1）A/D转换转换 将模拟信号转换为数字信号，相应的将模拟信号转换为数字信号，相应的电路叫电路叫A/D转换器，简称转换器，简称ADC； 采样采样 量化量化（2）D/A转换转换 将数字信号转换为模拟信号，相应的将数字信号转换为模拟信号，相应的电路叫电路叫D/A转换器

5、，简称转换器，简称DAC。 第第9 9章章 9.1 9.1 半导体的基本知识半导体的基本知识9.3 9.3 半导体二极管半导体二极管9.4 9.4 稳压二极管稳压二极管9.5 9.5 半导体三极管半导体三极管9.6 9.6 光电器件光电器件9.2 PN9.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性9.1 9.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是典型的半导体是硅硅Si和和锗锗Ge，它们都是它们都是4价元素价元素。sisi硅原子硅原子Ge锗原子锗原

6、子Ge+4+4硅和锗最外层轨道上的硅和锗最外层轨道上的四个电子称为四个电子称为价电子价电子。9.1 9.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 本征半导体的共价键结构本征半导体的共价键结构束缚电子束缚电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4在绝对温度在绝对温度T=0K时，所时，所有的价电子都被共价键紧紧束有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为缚在共价键中，不会成为自由自由电子电子，因此本征半导体的导电因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。能力很弱，接近绝缘体。9.1.1 本征半导体 本征半导体本征半导体化学成分纯净的半导体晶体。化学成分纯净的半导体晶体。制造半导体器件的半导体材料的

7、纯度要达到制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常，常称为称为“九个九个9”。 这一现象称为这一现象称为本征激发本征激发，也称也称热激发热激发。 当温度升高或受当温度升高或受到光的照射时，束到光的照射时，束缚电子能量增高，缚电子能量增高，有的电子可以挣脱有的电子可以挣脱原子核的束缚，而原子核的束缚，而参与导电，成为参与导电，成为自自由电子由电子。自由电子自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴 自由电子产生的自由电子产生的同时，在其原来的共同时，在其原来的共价键中就出现了一个价键中就出现了一个空位，称为空位，称为空穴空穴。 可见本征激发同时产生可见本征激发同

8、时产生电子空穴对。电子空穴对。 外加能量越高（外加能量越高（温度温度越高），产生的电子空越高），产生的电子空穴对越多。穴对越多。 动画动画演示演示 与本征激发相反的与本征激发相反的现象现象复合复合在一定温度下，本征激在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。对的浓度一定。常温常温300K时：时：电子空穴对的浓度电子空穴对的浓度硅：硅：310cm104 . 1锗：锗：313cm105 . 2自由电子自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴电子空穴对电子空穴对自由电子自由电子 带负电荷带负电荷 电子流电子流动画演示

9、动画演示+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子自由电子E总电流总电流载流子载流子空穴空穴 带正电荷带正电荷 空穴流空穴流本征半导体的导电性取决于外加能量：本征半导体的导电性取决于外加能量：温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。导电机制导电机制 9.1.2 杂质半导体杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质杂质半

10、导体半导体。 N N型半导体型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的半掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。导体。 P P型半导体型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。导体。1. N型半导体型半导体多余电子多余电子磷原子磷原子硅原子硅原子+4+4+4+4+4+4+4+4+5多数载流子多数载流子自由电子自由电子少数载流子少数载流子 空空 穴穴+N型半导体自由电子自由电子电子空穴对电子空穴对 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。空穴空穴硼原子硼原子硅原子硅原子+4+4+4+4+4+4+3+4+4多数载流子多数载流子 空穴空穴

11、少数载流子少数载流子自由电子自由电子P型半导体空穴空穴电子空穴对电子空穴对2.2. P型半导体型半导体 3. 杂质对半导体导电性的影响杂质对半导体导电性的影响 9.1.2 杂质半导体杂质半导体 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下一些典型的数据如下: : T=300 K室温下室温下,本征硅的电子和空穴浓度本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.41010/cm31 本征硅的原子浓度本征硅的原子浓度: 4.961022/cm3 3以上三个浓度基本上依次相差以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2掺杂后掺杂后 N 型半导

12、体中的自由电子浓度型半导体中的自由电子浓度: n=51016/cm3杂质半导体的示意图杂质半导体的示意图+N型半导体多子多子电子电子少子少子空穴空穴P型半导体多子多子空穴空穴少子少子电子电子少子浓度少子浓度与温度有关与温度有关多子浓度多子浓度与温度无关与温度无关内电场E因多子浓度差因多子浓度差形成内电场形成内电场多子的扩散多子的扩散 空间电荷区空间电荷区 阻止多子扩散，促使少子漂移。阻止多子扩散，促使少子漂移。PNPN结合结合+P型半导体+N型半导体+空间电荷区空间电荷区多子扩散电流多子扩散电流少子漂移电流少子漂移电流耗尽层耗尽层9.2. 9.2. PN结及其单向导电性结及其单向导电性 1 .

13、 PN结的形成结的形成 动画演示少子飘移少子飘移补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E多子扩散多子扩散 又失去多子，耗尽层宽，又失去多子，耗尽层宽，EP型半导体+N型半导体+内电场E多子扩散电流多子扩散电流少子漂移电流少子漂移电流耗尽层耗尽层动态平衡：动态平衡： 扩散电流扩散电流 漂移电流漂移电流总电流总电流0势垒势垒 UO硅硅 0.5V锗锗 0.1V2. PN结的单向导电性结的单向导电性(1) 加正向电压（正偏）加正向电压（正偏）电源正极接电源正极接P区，负极接区，负极接N区区 外电场的方向与内电场方向相反。外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场外电场削

14、弱内电场 耗尽层变窄耗尽层变窄 扩散运动漂移运动扩散运动漂移运动多子多子扩散形成正向电流扩散形成正向电流I I F F+P型半导体+N型半导体+WER空间电荷区内电场E正向电流正向电流 (2) 加反向电压加反向电压电源正极接电源正极接N区，负极接区，负极接P区区 外电场的方向与内电场方向相同。外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场外电场加强内电场 耗尽层变宽耗尽层变宽 漂移运动扩散运动漂移运动扩散运动少子漂移形成反向电流少子漂移形成反向电流I I R R+内电场+E+EW+空 间 电 荷 区+R+IRPN 在一定的温度下，由本在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是征激发产生的少子

15、浓度是一定的，故一定的，故IR基本上与外基本上与外加反压的大小无关加反压的大小无关，所以所以称为称为反向饱和电流反向饱和电流。但。但IR与温度有关。与温度有关。 PN结加正向电压时，具有较大的正向结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，扩散电流，呈现低电阻， PN结导通；结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。结截止。 由此可以得出结论：由此可以得出结论：PN结具有单向导结具有单向导电性。电性。 4. PN结的反向击穿结的反向击穿 当当PNPN结的反向电压增结的反向电压增加到一定数值时，反向

16、电加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象流突然快速增加，此现象称为称为PNPN结的结的反向击穿。反向击穿。热击穿热击穿不可逆不可逆 雪崩击穿雪崩击穿 齐纳击穿齐纳击穿 电击穿电击穿可逆可逆9.3 9.3 半导体二极管半导体二极管 二极管二极管 = PN结结 + 管壳管壳 + 引线引线NP结构结构符号符号阳极阳极+阴极阴极- 二极管按结构分三大类：二极管按结构分三大类：(1) 点接触型二极管点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。用于检波和变频等高频电路。N型 锗正 极 引 线负 极 引 线外 壳金 属 触 丝(3) 平面型二极管平面型二极管

17、用于集成电路制造工艺中。用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。于高频整流和开关电路中。(2) 面接触型二极管面接触型二极管 PN结面积大，用结面积大，用于工频大电流整流电路。于工频大电流整流电路。SiO2正 极 引 线负 极 引 线N型 硅P型 硅负 极 引 线正 极 引 线N型 硅P型 硅铝 合 金 小 球底 座 一一 、半导体二极管的、半导体二极管的VA特性曲线特性曲线 硅：硅：0.5 V 锗：锗： 0.1 V(1) 正向特性正向特性导通压降导通压降反向饱和电流反向饱和电流(2) 反向特性反向特性死区死区电压电压iu0击穿电压击穿电压UB

18、R实验曲线实验曲线uEiVmAuEiVuA锗锗 硅：硅：0.60.7 V 锗：锗：0.20.3V二二. 二极管的主要参数二极管的主要参数 (1) 最大整流电流最大整流电流IF二极管长期连续工二极管长期连续工作时，允许通过二作时，允许通过二极管的最大整流极管的最大整流电流的平均值。电流的平均值。(2) 反向击穿电压反向击穿电压UBR 二极管反向电流二极管反向电流急剧增加时对应的反向急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压值称为反向击穿电压电压UBR。 (3) 反向电流反向电流I IRR 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在

19、纳安硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极级；锗二极管在微安管在微安( A)级。级。定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止恒压降模型恒压降模型 （1）二极管是理想的）二极管是理想的（理想模型（理想模型 ），），例例1 1：开关电路：开关电路电路如图所示，电路如图所示，D为理想二极管为理想二极管,求：求：AO的电压值。的电压值。解：先断开解：先断开D，以，以O为基准电位，为基准电位， 即即O点为点为0V。 则接则接D阳极的电位为阳极的电位为-6V，接阴，接阴极的电位为极的电位为-12V。阳极电位高于阴极电位，阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。接

20、入时正向导通。 导通后，导通后，D的压降等于零，即的压降等于零，即A点的电位就是点的电位就是D阳极的电位。阳极的电位。所以，所以，AO的电压值为的电压值为-6V。2 2模型分析法应用举例模型分析法应用举例例例2：mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+V sin18itu 限幅电路限幅电路t 例题例题4 4整流电路整流电路模型分析法定性分析二极管的工作情况。模型分析法定性分析二极管的工作情况。（1 1） 理想化模型，（理想化模型，（2）恒压降模型。恒压降模型。（a）电路图）电路图 （b）vs和和vo的波形的波形例题例题5:限幅电路限幅电路 电路如图，电路如图，R = 1k，VR

21、EF = 3V，二极管为硅二极管。分别，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin t V时，绘出相应的输时，绘出相应的输出电压出电压vO的波形。的波形。 当稳压二极管工作在反向当稳压二极管工作在反向击穿状态下击穿状态下,工作电流工作电流IZ在在Izmax和和Izmin之间变化时之间变化时,其其两端电压近似为常数两端电压近似为常数稳定稳定电压电压9.4、稳压二极管、稳压二极管 稳压二极管是应用在稳压二极管是应用在反向击穿区反向击穿区的特殊二极管的特殊二极管+-DZiuUZIUIzminIzmax正向同正向同二极管二极管反偏电压反偏电压U

22、Z 反向击穿反向击穿UZ限流电阻限流电阻 稳压二极管的主要稳压二极管的主要 参数参数 (1) 稳定电压稳定电压UZ (2) 动态电阻动态电阻rZ rZ = U / I 在规定的稳压管反向工作电流在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。下，所对应的反向工作电压。 rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) (3) 最小稳定工作最小稳定工作 电流电流 IZmin 保证稳压管击穿所对应的电流，若保证稳压管击穿所对应的电流，若IZIZmin则不能稳压。则不能稳压。 (5) (5) 最大允许耗散功率最大允许耗散功率PZM 超过超过Izmax稳压管会因功耗

23、过大而烧坏。稳压管会因功耗过大而烧坏。iuUZIUIzminIzmax (4) (4) 最大最大稳定工作稳定工作 电流电流9.5 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为参与运行，因此，还被称为双极型晶体双极型晶体管管（Bipolar Junction Transistor,简称简称BJT）。）。 BJT是由两个是由两个PN结组成的。结组成的。9.5.1 9.5.1 BJT的结构简介的结构简介(a) 小功率管小功率管 (b) 小功率管小功率管 (c) 大功率管大功率

24、管 (d) 中功率管中功率管一、一、BJT的结构的结构NPN型PNP型符号符号:-bce-ebc 三极管的结构特点三极管的结构特点:（1）发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。）发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。）基区要制造得很薄且浓度很低。（3) -NNP发射区集电区基区发射结 集电结ecb发射极集电极基极-PPN发射区集电区基区发射结 集电结ecb发射极集电极基极(三极管放大的内部条件三极管放大的内部条件)二、二、 三极管的三种组态三极管的三种组态(3)共集电极接法共集电极接法，集电极作为公共电极。，集电极作为公共电极。(1)共基极接法共基极接法，基极作为公共电极

25、；基极作为公共电极；(2)共发射极接法共发射极接法，发射极作为公共电极；，发射极作为公共电极；BJT的三种组态的三种组态+UCE UBEUCBNNPBBVCCVRbRCebc共发射极接法共发射极接法c区区b区区e区区共发射极电路共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+_CB4)(II直流放大倍数）CB5)(II交流放大倍数） 综上所述，三极管的放大作用，主要综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是：实

26、现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：内部条件：发射区杂质浓度远大发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：外部条件：发射结正向偏置，集发射结正向偏置，集电结反向偏置。电结反向偏置。9.5.3 BJT9.5.3 BJT的特性曲线（的特性曲线（共发射极接法）共发射极接法）(1) (1) 输入特性曲线输入特性曲线 iB=f(uBE) uCE=const（1）uCE=0V时，相当于两个时，相当于两个PN结并联。结并联。0.40.2i(V)(uA)BE80400.80.6Bu=0VuCE 1VCEu（3）uCE 1V再增加时，曲线右移很不明显。

27、再增加时，曲线右移很不明显。（2）当）当uCE=1V时，时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少，合减少， 在同一在同一uBE 电压下，电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。减小。特性曲线将向右稍微移动一些。死区电压死区电压硅硅 0.5V锗锗 0.1V导通压降导通压降硅硅 0.60.7V锗锗 .0.3V(2)输出特性曲线输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const 现以现以iB=60uA一条加以说明。一条加以说明。 （1）当）当uCE=0 V时，因集电极时，因集电极 无收集作用无收集作用,iC=0。（2） uCE

28、Ic 。（3） 当当uCE 1V后，形后，形成成iC。所以。所以uCE再增，再增，iC基本保持不变。基本保持不变。同理，可作出同理，可作出iB=其他值的曲线。其他值的曲线。 iCCE(V)(mA)=60uAIBu=0BBII=20uABI=40uAB=80uAI=100uAIB 输出特性曲线可以分为三个区域输出特性曲线可以分为三个区域:（）截止区（）截止区：iC接近零的区域，相当接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。的曲线的下方。 此时，此时，发射结反偏，集电结反偏。发射结反偏，集电结反偏。（）放大区：（）放大区： 曲线基本曲线基本平行等平行等 距。距。 此时，此时，发射结正偏，集电结反偏。

29、发射结正偏，集电结反偏。 该区中有：该区中有：BCII iCIBIB=0uCE(V)(mA)=20uABI=40uABI=60uABI=80uABI=100uA饱和区饱和区放大区放大区截止区截止区 输出特性曲线可以分为三个区域输出特性曲线可以分为三个区域:(3)(3)饱和区饱和区iC受受uCE显著控制的显著控制的区域，区域， 该区域内该区域内uCE0.7 V。 此时此时发射结正偏，集电结也正偏。发射结正偏，集电结也正偏。iCIBIB=0uCE(V)(mA)=20uABI=40uABI=60uABI=80uABI=100uA饱和区饱和区放大区放大区截止区截止区9.5.4 BJTBJT的主要参数的

30、主要参数1.电流放大系数电流放大系数BCII BCii iCE=20uA(mA)B=40uAICu=0(V)=80uAIBBBIBiIBI =100uACBI=60uAi一般取一般取20200之间之间2.31.538A60mA3 . 2BCII40A40)-(60mA)5 . 13 . 2(BCii（1 1）共发射极电流放大系数：）共发射极电流放大系数： 2.极间反向电流极间反向电流 （2）集电极发射极间的穿）集电极发射极间的穿透电流透电流ICEO 基极开路时，集电极到发射基极开路时，集电极到发射极间的电流极间的电流穿透电流穿透电流 。其大小与温度有关。其大小与温度有关。 （1）集电极基极间反

31、向饱和电流）集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。发射极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。它实际上就是它实际上就是一个一个PNPN结的反向电流。结的反向电流。其大小与温度有关。其大小与温度有关。 锗管：锗管：I CBO为微安数量级，为微安数量级， 硅管：硅管：I CBO为纳安数量级。为纳安数量级。CBOCEO)1 (II+ICBOecbICEO 3. 极限参数极限参数 Ic增加时，增加时， 要下降。当要下降。当 值值下降到线性放大区下降到线性放大区 值值的的70时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许时，所对应的集电极电流称为集电极最

32、大允许电流电流ICM。（1）集电极最大允许电流）集电极最大允许电流ICM（2）集电极最大允）集电极最大允许功率损耗许功率损耗PCM 集电极电流通过集集电极电流通过集电结时所产生的功耗，电结时所产生的功耗， PC= ICUCE BICEui(V)IBC=100uAB=80uA=60uA(mA)IIB=0B=40uA=20uABIIPCM PCM（3）反向击穿电压）反向击穿电压 BJT有两个有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种：结，其反向击穿电压有以下几种： U（BR）EBO集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般几伏十几伏。反向电压。其值一般几伏十几伏。 U（BR）CBO发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏几百伏。反向电压。其值一般为几十伏几百伏。 U（BR）CEO基极开路基极开路时，集电极与发射极之间时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。允许的最大反向电压。 在实际使用时，还有在实际使用时，还有U（BR）CER、U（BR）CES等击穿电压。等击穿电压。 -(BR)CEOU(BR)CBOU(BR)EBOU 半导体三极管的型号半导体三极管的型号第二位：第二位：A锗锗PNP管、管、B锗锗NPN管、管、 C硅硅P