电力电子技术-22_SCR

1、1-12.3 半控器件半控器件晶闸管晶闸管引言引言1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。1958年商业化。开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。晶闸管晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled RectifierSCR）1-2图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号2.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理外形有螺栓型和

2、平板型两种封装。有三个联接端。螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。AAGGKKb)c)a)AGKKGAP1N1P2N2J1J2J31-32.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理常用晶闸管的结构螺栓型晶闸管晶闸管模块平板型晶闸管外形及结构1-4 脉冲触发导通。脉宽仅需持续到进入导通状态。 具有最好的正向导通特性（压降低）和大功率处理能力 最优工作频率范围500Hz。1-52.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理式中1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共

3、基极漏电流。由以上式可得 ：图2-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a) 双晶体管模型 b) 工作原理 按晶体管的工作原理晶体管的工作原理 ，得：111CBOAcIII222CBOKcIIIGAKIII21ccAIII（1-2）（1-1）（1-3）（1-4）)(121CBO2CBO1G2AIIII（1-5）1-62.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后， 迅速增大。 阻断状态阻断状态：IG=0，1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。开通状态开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于1

4、的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。1-72.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高结温较高光触发光触发光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）。只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。其他几种可能导通的情况其他几种可能导通的情况：1-82.3.2 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性承受反向电压时，不论门极是否有触发电

5、流，晶闸管都不会导通。承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。晶闸管正常工作时的特性总结如下：晶闸管正常工作时的特性总结如下：1-9 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性（1）正向特性IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。晶闸管本身的通态压降很小，在1V左右。1 1） 静态特性静态特性图2-8 晶闸管的伏安特性IG2IG1

6、IGILIH0UAKITIG=0IG1IG2IG3IG1IG2G3I 门极电流对正向阻断电压的影响正向导通反向阻断击穿U UBOBO维持电流IH：通态下若电流小于此值，管关断。挚住电流IL：断态被触发，电流达到此值时撤除触发电流，晶闸管可自动维持通态。常比IH大24倍。挚住电流和维持电流都随结温下降而增大。1-10 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性反向特性类似二极管的反向特性。反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。图1-8 晶闸管的伏安特性IG2IG1IG（2）反向特性反向特性ILIH0UAKITIG=0IG1IG2IG3IG1IG2G

7、3I 门极电流对正向阻断电压的影响正向导通反向阻断击穿U UBOBO1-11晶闸管的开通特性晶闸管的开通特性0tttt213iAtdtrtsV VakaktV Von0Q2Q1G G 门极正偏，Q2、Q1导通，再生正反馈。电流超挚住电流后，门极脉冲可去。（一维开通）。在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后， 迅速增大。)(121CBO2CBO1G2AIIII（2-5） t td d: :门极正脉冲使正反馈门极正脉冲使正反馈建立耗时。阳极电流建立耗时。阳极电流0 0，阴极电流控制极电流。阴极电流控制极电流。tr: 阳极电流指数升到接近稳态耗时。 ts:门极位于阴极晶片中心，靠门极

8、部先导通，然后扩展到全体阴极的耗时。耐压越高扩展越慢。（二维开通）注入触发电流使晶体管的注入触发电流使晶体管的发 射 极 电 流 增 大 以 致发 射 极 电 流 增 大 以 致 1+1+ 2 2趋近于趋近于1 1的话，电的话，电流流I IA A将趋近于无穷大，实将趋近于无穷大，实现饱和导通。现饱和导通。I IA A实际由外实际由外电路决定。电路决定。1-12晶闸管的关断问题晶闸管的关断问题 导通后因门极面积远小于阴极，加负门极电流不能影响阴极主体，不能关断。 关断：电流低于维持电流。阳极电压反极性。N+ +PN-P+Q2Q1KGA负电流小面积反偏小面积反偏+-不能关断不能关断J3J3J2J2

9、J1J11-13晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性1) 开通过程延迟时间延迟时间td (0.51.5 s)上升时间上升时间tr (0.53 s)开通时间开通时间tgt以上两者之和， tgt=td+ tr （1-6）延迟时间随门级电流的增加而减小；与外电路特性有关；提高阳极电压可以提高V2管放大倍数，加快反馈过程，提高开通速度。100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA2） 动态特性动态特性图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形1-14晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA2) 关断过程反向阻断恢复时间反

10、向阻断恢复时间trr正向阻断恢复时间正向阻断恢复时间tgr：反：反向恢复结束后，由于载流向恢复结束后，由于载流子复合过程较慢，晶闸管子复合过程较慢，晶闸管要恢复对正向电压的阻断要恢复对正向电压的阻断能力还需要一段时间。能力还需要一段时间。关断时间关断时间t tq以上两者之和tq=trr+tgr （1-7)普通晶闸管的关断时间约几百微秒。图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形因载流子复合较慢，过早加正压会引起误导通。管关断后须加足够时间反压，保证管恢复阻断能力。 1-152.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数断态重复峰值电压断态重复峰值电压UDRM 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器

11、件上的正向峰值电压。反向重复峰值电压反向重复峰值电压URRM 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。通态（峰值）电压通态（峰值）电压UT 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。通 常 取 晶 闸 管 的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压额定电压。选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍。使用注意：使用注意：1）电压定额电压定额1-16晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数通态平均电流通态平均电流 IT(AV）在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值最大工频正弦

12、半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。使用时应按有效值相等的原则有效值相等的原则来选取晶闸管。维持电流维持电流 IH 使晶闸管维持导通所必需的最小电流。擎住电流擎住电流 IL 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说对同一晶闸管来说，通常通常IL约为约为IH的的24倍倍。浪涌电流浪涌电流ITSM指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。2 2）电流定额电流定额1-17例：晶闸管额定电流的选择 设正弦电流峰值为Im,则正弦半波电流的平均值为1.572AVAVIII 正弦半波电流的有效值为22011sin 22mmIIt

13、 dtI011sin t2AVmmIItdI即额定电流为100A的晶闸管能承受157A的有效值电流，对非正弦电流应按实际电流波形计算有效值除以1.57作为选择晶闸管电流额定值的依据。设计一般应留1.52倍的安全裕量。例：某晶闸管实际承担电流波形有效值为400A，则可选额定电流为400/1.57=255A,考虑裕量，实际选额定电流为500A的晶闸管。1-18晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数 除开通时间tgt和关断时间tq外，还有：断态电压临界上升率断态电压临界上升率du/dt 指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通 态转换的外加电压最大上升率。 电压上升率过大，使充电电流足够大，

14、就会使晶闸管误导通 。 通态电流临界上升率通态电流临界上升率di/dt 指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。3 3）动态参数动态参数1-19晶闸管例晶闸管例_ST1200C.K 系列系列通态平均电流IT(A V)： 1650A 维持电流IH： 600mA 门极触发电流IGT： 200mA 断态重复峰值电压UDRM：12002000V 反向重复峰值电压URRM：12002000V通态峰值电压UTM： 1.73V(IPK=4000A) 最大开通非重复di/dt： 1000A/s 最大关断dv/dt： 500V/s 典型延

15、迟时间： 1.9s典型关断时间： 200s1-202.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件有快速晶闸管和高频晶闸管。开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10s左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。由于工作频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。1 1）快速晶闸管快速晶闸管（Fast Switching Thyristor FST)1-21晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件2 2）双向晶闸管双向晶闸管（Triode AC SwitchTRIAC或或Bidirectional triode thyristo

16、r）图1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性a)b)IOUIG=0GT1T2可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。有两个主电极T1和T2，一个门极G。在第和第III象限有对称的伏安特性。不用平均值而用有效值不用平均值而用有效值来表示其额定电流值来表示其额定电流值。1-22晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件3) 逆导晶闸管（逆导晶闸管（Reverse Conducting ThyristorRCT）a)KGAb)UOIIG=0图1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成

17、器件。具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。1-23晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件4) 光控晶闸管（光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）AGKa)AK光强度强弱b)OUIA图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响。用于高压大功率的场合。1-24晶闸管应用特点晶闸管应用特点 价低、控制线路成熟、可靠性高。 中、大功率应用广泛【HVDC、无功补偿、高压变频】。MVA级性能优。8kA/4kV，6kA/6kV光触发可得到。 无二次击穿问题。 导通压降具有负温度系数，不易并联。 半控，控制线路复杂。 工作频率较低。一般在500Hz内。 通态峰值压降较低，平均1V左右，随阳极电流增